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19-3348 ;第2版; 9/10
4A ， 20ns的，双MOSFET驱动器
概述
在MAX5054 - MAX5057双，高速MOSFET
驱动源和吸收高达4A的峰值电流。这些
器件具有20ns的快速传播延迟和20ns的
上升和下降时间，同时驱动5000pF的电容
负载。传播延迟时间最小化，并且匹配
反相和同相输入端之间
通道之间。高级采购/吸入峰值电流
租金，低传输延迟和高热效
封装使得MAX5054 - MAX5057理想用于高
频率和高功率电路。
从4V的MAX5054 - MAX5057工作于15V单
电源和消耗的电源电流40μA （典型值）
在不切换。这些器件具有内部逻辑
电路，防止直通输出时的状态
的变化，以尽量减少工作电流在高
开关频率。逻辑输入保护
对尖峰电压高达+ 18V ，不管V的
DD
电压。 MAX5054A是其中唯一具有唯一版本
CMOS输入逻辑电平，而MAX5054B / MAX5055 /
MAX5056 / MAX5057具有TTL输入逻辑电平。
在MAX5055 - MAX5057提供双组合
反相，双路同相和反相/同相
输入驱动。该MAX5054提供反相和
每个驱动器同相输入端更大的灵活性。他们
采用8引脚TDFN （采用3mm x 3mm ） ，标准SO ，
和耐热增强型SO封装。这些设备
工作在-40°C汽车级温度范围
至+ 125°C 。
o
4V至15V单电源供电
o
4A峰值源出/吸入驱动电流
o
为20ns （典型值）传输延迟
o
匹配之间的延迟和反相
同相输入端
o
匹配的传播延迟之间的两个
频道
o
V
DD
/ 2 CMOS逻辑输入（ MAX5054AATA ）
o
TTL逻辑输入
(MAX5054B/MAX5055/MAX5056/MAX5057)
o
0.1× V
DD
（ CMOS ）和0.3V （ TTL ）逻辑输入
迟滞
o
高达+ 18V的逻辑输入（无论V的
DD
电压）
o
低输入电容： 2.5pF的（典型值）
o
40μA （典型值）的静态电流
o
-40 ° C至+ 125 ° C工作温度范围
o
8引脚TDFN和SO封装
特点
MAX5054–MAX5057
订购信息
部分
MAX5054AATA+
MAX5054AATA/V+
MAX5054BATA+
MAX5055AASA+
MAX5055BASA+
MAX5056AASA+
MAX5056BASA+
MAX5057AASA+
温度
范围
PIN的
包
顶部
标志
AGS
AGR
AGR
—
—
—
—
—
—
应用
功率MOSFET开关
开关模式电源
DC- DC转换器
电机控制
电源模块
-40 ° C至+ 125°C 8 TDFN -EP *
-40 ° C至+ 125°C 8 TDFN -EP *
-40 ° C至+ 125°C 8 TDFN -EP *
-40 ° C至+ 125°C 8 SO- EP *
-40 ° C至+ 125°C 8 SO
-40 ° C至+ 125°C 8 SO- EP *
-40 ° C至+ 125°C 8 SO
-40 ° C至+ 125°C 8 SO- EP *
典型工作电路
V
IN
V
OUT
MAX5054
V
DD
INA +
OUTA
INA-
MAX5057BASA+
-40 ° C至+ 125°C 8 SO
* EP
=裸焊盘。
/ VDenotes
汽车合格一部分。
+表示
一个铅（Pb ） - 免费/符合RoHS标准的封装。
INB +
OUTB
PWM IN
INB-
GND
选型指南和引脚配置在结束
数据表。
________________________________________________________________
Maxim Integrated Products版权所有
1
对于定价，交付和订购信息，请联系美信/达拉斯直接！在
1-888-629-4642 ，或访问Maxim的网站www.maxim-ic.com 。
4A ， 20ns的，双MOSFET驱动器
MAX5054–MAX5057
绝对最大额定值
（电压参考GND ）。
V
DD
.................................................. .............................- 0.3V至+ 18V
INA + ， INA- ， INB + ， INB- ......................................... ......- 0.3V至+ 18V
OUTA ， OUTB ............................................... ....- 0.3V至（V
DD
+ 0.3V)
OUTA ， OUTB短路持续时间........................................ 10毫秒
连续源出/吸入电流在OUT_ （P
D
＆ LT ; P
DMAX
） ..... 200毫安
连续功率耗散（T
A
= +70°C)
8引脚TDFN -EP （减免18.2mW / ° C以上+ 70 ° C） ........ 1454mW
结到外壳热阻（ θ
JC
） ................... 8.3 ° C / W
8引脚SO -EP （减免19.2mW / ° C以上+ 70 ° C） ... ........ 1538mW
结到外壳热阻（ θ
JC
） ...................... 6 ° C / W
8引脚SO （减免5.9mW / ° C以上+ 70 ° C） ... .................. 471mW
结到外壳热阻（ θ
JC
） .................... 40 ° C / W
工作温度范围..............................- 40 ° C至+ 125°C
存储温度范围.................................- 65 ° C至+ 150°C
结温................................................ ........... + 150°C
焊接温度（焊接， 10秒） ...................................... + 300℃
焊接温度（回流） ............................................ + 260℃
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数和功能
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件，操作不暗示。接触
绝对最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。
电气特性
(V
DD
= 4V至15V ，T
A
= -40° C到+ 125 ℃，除非另有说明。典型值是在V
DD
= 15V和T
A
= + 25°C 。 ） （注1 ）
参数
电源
V
DD
工作范围
V
DD
欠压锁定
V
DD
欠压锁定
迟滞
V
DD
欠压锁定
输出延迟
I
DD
V
DD
电源电流
I
DD -SW
驱动器输出（ SINK ）
驱动器输出电阻拉
下
峰值输出电流（沉没）
输出电压低
闭锁保护
驱动器输出（ SOURCE ）
驱动器输出电阻拉
Up
峰值输出电流（采购）
V
DD
= 15V,
I
OUT-
= 100毫安
V
DD
= 4.5V,
I
OUT-
= 100毫安
T
A
= +25°C
T
A
= +125°C
T
A
= +25°C
T
A
= +125°C
1.5
1.9
2.75
3.75
4
2.1
2.75
4
5.5
A
I
LUP
V
DD
= 15V,
I
OUT-
= -100mA
V
DD
= 4.5V,
I
OUT-
= -100mA
T
A
= +25°C
T
A
= +125°C
T
A
= +25°C
T
A
= +125°C
V
DD
= 4.5V
V
DD
= 15V
400
1.1
1.5
2.2
3.0
4
0.45
0.24
1.8
2.4
3.3
4.5
A
V
mA
INA- = 0V ， INB + = V
DD
= 15V,
INA + = INB-两个通道的切换
为250kHz ，C
L
= 0F
1
2.4
4
mA
V
DD
升起
INA- = INB- = V
DD
,
INA + = INB + = 0V
（不切换）
V
DD
= 4V
V
DD
= 15V
V
DD
UVLO
V
DD
升起
4
3.00
3.50
200
12
28
40
55
A
75
15
3.85
V
V
mV
s
符号
条件
民
典型值
最大
单位
R
ON -N
I
PK -N
V
DD
= 15V ，C
L
= 10,000pF
I
OUT-
= -100mA
反向电流I
OUT-
（注2 ）
R
ON -P
I
PK -P
V
DD
= 15V ，C
L
= 10,000pF
2
_______________________________________________________________________________________
4A ， 20ns的，双MOSFET驱动器
电气特性（续）
(V
DD
= 4V至15V ，T
A
= -40° C到+ 125 ℃，除非另有说明。典型值是在V
DD
= 15V和T
A
= + 25°C 。 ） （注1 ）
参数
符号
条件
V
DD
= 4.5V
输出电压高
I
OUT-
= 100毫安
V
DD
= 15V
逻辑输入
（注3）
MAX5054A
逻辑1输入电压
V
IH
MAX5054B/MAX5055/MAX5056/MAX5057
（注4 ）
MAX5054A
MAX5054B/MAX5055/MAX5056/MAX5057
逻辑输入滞后
逻辑输入电流泄漏
输入电容
C
IN
C
L
= 1000pF的
OUT_上升时间
t
R
C
L
= 5000pF
C
L
= 10,000pF
C
L
= 1000pF的
OUT_下降时间
导通延迟时间
打开-O FF延迟时间
t
F
t
D- ON
t
D- OFF
C
L
= 5000pF
C
L
= 10,000pF
C
L
= 10,000pF （注2）
C
L
= 10,000pF （注2）
C
L
= 1000pF的
OUT_上升时间
t
R
C
L
= 5000pF
C
L
= 10,000pF
C
L
= 1000pF的
OUT_下降时间
导通延迟时间
打开-O FF延迟时间
t
F
t
D- ON
t
D- OFF
C
L
= 5000pF
C
L
= 10,000pF
C
L
= 10,000pF （注2）
C
L
= 10,000pF （注2）
18
18
10
10
V
HYS
MAX5054A
MAX5054B/MAX5055/MAX5056/MAX5057
INA + ， INB + ， INA- ， INB- = 0V或V
DD
-1
0.1 x
V
DD
0.3
+0.1
2.5
4
18
32
4
15
26
20
20
7
37
85
7
30
75
35
35
70
70
ns
ns
ns
ns
34
34
ns
ns
ns
ns
+1
A
pF
0.7 x
V
DD
2.1
0.3 x
V
DD
0.8
V
民
V
DD
-
0.55
V
V
DD
-
0.275
典型值
最大
单位
MAX5054–MAX5057
V
逻辑0输入电压
V
IL
V
开关特性的V
DD
= 15V
（图1）
开关特性的V
DD
= 4.5V
（图1）
_______________________________________________________________________________________
3
4A ， 20ns的，双MOSFET驱动器
MAX5054–MAX5057
电气特性（续）
(V
DD
= 4V至15V ，T
A
= -40° C到+ 125 ℃，除非另有说明。典型值是在V
DD
= 15V和T
A
= + 25°C 。 ） （注1 ）
参数
匹配特性
从匹配的传播延迟
反相和同相输入
输出
不匹配的传播延迟
通道A和通道B之间
t
开 - 关
V
DD
= 15V ，C
L
= 10,000pF
V
DD
= 4.5V ，C
L
= 10,000pF
t
A-B
V
DD
= 15V ，C
L
= 10,000pF
V
DD
= 4.5V ，C
L
= 10,000pF
2
ns
4
1
2
ns
符号
条件
民
典型值
最大
单位
注1 ：
注2 ：
注3 ：
注4 ：
所有设备都100 ％在T测试
A
= + 25°C 。规格在-40 ° C至+ 125 ° C的设计保证。
限制由设计保证，未经生产测试。
逻辑输入阈值在V测试
DD
= 4V和V
DD
= 15V.
TTL降低噪声抗扰度兼容。
典型工作特性
(T
A
= + 25 ℃，除非另有说明。 ）
传播延迟时间，
低到高 - 电源电压
(C
L
= 5000pF ）
MAX5054 toc02
上升时间与电源电压
(C
L
= 5000pF ）
MAX5054 TOC01
下降时间与电源电压
(C
L
= 5000pF ）
60
50
T
A
= +125°C
下降时间（纳秒）
40
30
20
10
T
A
= +25°C
60
50
传播延迟（ NS ）
40
50
T
A
= +125°C
上升时间（纳秒）
40
30
20
10
T
A
= -40°C
0
4
6
8
10
12
14
T
A
= +25°C
T
A
= +125°C
T
A
= +25°C
30
20
10
T
A
= -40°C
T
A
= -40°C
0
16
4
6
8
10
12
14
16
0
4
6
8
10
12
14
16
电源电压（ V）
电源电压（ V）
电源电压（ V）
传播延迟时间，
高到低 - 电源电压
(C
L
= 5000pF ）
MAX5054 toc04
I
DD -SW
电源电流
- 电源电压
占空比= 50 ％
V
DD
= 15V ，C
L
= 0
1通道切换
MAX5054 toc05
电源电流与电源电压
90
80
电源电流（mA ）
70
60
50
40
30
20
10
100kHz
50kHz
1MHz
500kHz
占空比= 50 ％
V
DD
= 15V ，C
L
=为4700pF
1通道切换
MAX5054 toc06
60
50
传播延迟（ NS ）
40
30
20
10
0
4
6
8
10
12
14
T
A
= -40°C
T
A
= +25°C
T
A
= +125°C
6
I
DD -SW
电源电流（mA ）
5
4
3
2
1
0
100
1MHz
500kHz
100kHz
50kHz
0
4
6
8
10
12
14
16
4
6
8
10
12
14
16
电源电压（ V）
电源电压（ V）
16
电源电压（ V）
4
_______________________________________________________________________________________
MAX5054 toc03
60
4A ， 20ns的，双MOSFET驱动器
典型工作特性（续）
(T
A
= + 25 ℃，除非另有说明。 ）
I
DD -SW
电源电流
与温度的关系
MAX5054 toc07
MAX5054–MAX5057
输入阈值电压
- 电源电压
MAX5054 toc08
输入阈值电压
- 电源电压
TTL输入VERSIONS
MAX5054 toc09
4.0
3.5
电源电流（mA ）
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
-50
-25
0
25
50
75
100
V
DD
= 15V,
F = 250kHz的，C
L
= 0
占空比= 50 ％
两个通道切换
10
9
输入门限电压（ V）
8
7
6
5
4
3
2
1
0
V
IN
落下
V
IN
升起
MAX5054AATA
（ CMOS输入）
3.0
输入门限电压（ V）
2.5
2.0
1.5
1.0
V
IN
升起
V
IN
落下
0.5
0
125
4
6
8
10
12
14
16
4
6
8
10
12
14
16
温度（℃）
电源电压（ V）
电源电压（ V）
电源电流与逻辑输入
电压（输入低到高）
MAX5054 toc10
电源电流与逻辑输入
电压（输入高至低）
MAX5054 toc11
电源电流与逻辑输入
电压（输入低到高）
MAX5054AATA （ CMOS输入）
V
DD
= 15V
4
电源电流（mA ）
MAX5054 toc12
500
TTL输入VERSIONS
V
DD
= 15V
400
电源电流（ μA ）
500
TTL输入VERSIONS
V
DD
= 15V
400
电源电流（ μA ）
5
300
300
3
200
200
2
100
100
1
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
逻辑输入电压（ V）
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
逻辑输入电压（ V）
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
逻辑输入电压（ V）
电源电流与逻辑输入
电压（输入高至低）
MAX5054AATA （ CMOS输入）
V
DD
= +15V
4
电源电流（mA ）
MAX5054 toc13
延迟失配IN_ +之间
和IN_- TO OUT_与温度
输出下降
4
延迟失配（ NS ）
2
0
-2
-4
-6
产量提升
MAX5054 toc14
延迟失配IN_ +之间
和IN_- TO OUT_与温度
MAX5054 toc15
5
6
6
4
延迟失配（ NS ）
2
0
-2
-4
-6
输出下降
产量提升
3
2
1
MAX5054AATA （ CMOS输入）
V
DD
= 4.5V ，C
L
= 10,000pF
-50
-25
0
25
50
75
100
125
MAX5054AATA （ CMOS输入）
V
DD
= 15V ，C
L
= 10,000pF
-50
-25
0
25
50
75
100
125
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
逻辑输入电压（ V）
温度（℃）
温度（℃）
_______________________________________________________________________________________
5
19-3348 ;转3 ; 3/11
4A ， 20ns的，双MOSFET驱动器
概述
在MAX5054 - MAX5057双，高速MOSFET
驱动源和吸收高达4A的峰值电流。这些
器件具有20ns的快速传播延迟和20ns的
上升和下降时间，同时驱动5000pF的电容
负载。传播延迟时间最小化，并且匹配
反相和同相输入端之间
通道之间。高级采购/吸入峰值电流
租金，低传输延迟和高热效
封装使得MAX5054 - MAX5057理想用于高
频率和高功率电路。
从4V的MAX5054 - MAX5057工作于15V单
电源和消耗的电源电流40μA （典型值）
在不切换。这些器件具有内部逻辑
电路，防止直通输出时的状态
的变化，以尽量减少工作电流在高
开关频率。逻辑输入保护
对尖峰电压高达+ 18V ，不管V的
DD
电压。 MAX5054A是其中唯一具有唯一版本
CMOS输入逻辑电平，而MAX5054B / MAX5055 /
MAX5056 / MAX5057具有TTL输入逻辑电平。
在MAX5055 - MAX5057提供双组合
反相，双路同相和反相/同相
输入驱动。该MAX5054提供反相和
每个驱动器同相输入端更大的灵活性。他们
采用8引脚TDFN （采用3mm x 3mm ） ，标准SO ，
和耐热增强型SO封装。这些设备
工作在-40°C汽车级温度范围
至+ 125°C 。
o
4V至15V单电源供电
o
4A峰值源出/吸入驱动电流
o
为20ns （典型值）传输延迟
o
匹配之间的延迟和反相
同相输入端
o
匹配的传播延迟之间的两个
频道
o
V
DD
/ 2 CMOS逻辑输入（ MAX5054AATA ）
o
TTL逻辑输入
(MAX5054B/MAX5055/MAX5056/MAX5057)
o
0.1× V
DD
（ CMOS ）和0.3V （ TTL ）逻辑输入
迟滞
o
高达+ 18V的逻辑输入（无论V的
DD
电压）
o
低输入电容： 2.5pF的（典型值）
o
40μA （典型值）的静态电流
o
-40 ° C至+ 125 ° C工作温度范围
o
8引脚TDFN和SO封装
特点
MAX5054–MAX5057
订购信息
部分
MAX5054AATA+
MAX5054AATA/V+
MAX5054BATA+
MAX5055AASA+
MAX5055BASA+
MAX5056AASA+
MAX5056BASA+
MAX5057AASA+
温度
范围
PIN的
包
顶部
标志
AGS
BMF
AGR
—
—
—
—
—
—
应用
功率MOSFET开关
开关模式电源
DC- DC转换器
电机控制
电源模块
-40 ° C至+ 125°C 8 TDFN -EP *
-40 ° C至+ 125°C 8 TDFN -EP *
-40 ° C至+ 125°C 8 TDFN -EP *
-40 ° C至+ 125°C 8 SO- EP *
-40 ° C至+ 125°C 8 SO
-40 ° C至+ 125°C 8 SO- EP *
-40 ° C至+ 125°C 8 SO
-40 ° C至+ 125°C 8 SO- EP *
典型工作电路
V
IN
V
OUT
MAX5054
V
DD
INA +
OUTA
INA-
MAX5057BASA+
-40 ° C至+ 125°C 8 SO
* EP
=裸焊盘。
/ VDenotes
汽车合格一部分。
+表示
一个铅（Pb ） - 免费/符合RoHS标准的封装。
INB +
OUTB
PWM IN
INB-
GND
选型指南和引脚配置在结束
数据表。
________________________________________________________________
Maxim Integrated Products版权所有
1
对于定价，交付和订购信息，请联系美信/达拉斯直接！在
1-888-629-4642 ，或访问Maxim的网站www.maxim-ic.com 。
4A ， 20ns的，双MOSFET驱动器
MAX5054–MAX5057
绝对最大额定值
（电压参考GND ）。
V
DD
.................................................. .............................- 0.3V至+ 18V
INA + ， INA- ， INB + ， INB- ......................................... ......- 0.3V至+ 18V
OUTA ， OUTB ............................................... ....- 0.3V至（V
DD
+ 0.3V)
OUTA ， OUTB短路持续时间........................................ 10毫秒
连续源出/吸入电流在OUT_ （P
D
＆ LT ; P
DMAX
） ..... 200毫安
连续功率耗散（T
A
= +70°C)
8引脚TDFN -EP （减免18.2mW / ° C以上+ 70 ° C） ........ 1454mW
8引脚SO -EP （减免19.2mW / ° C以上+ 70 ° C） ... ........ 1538mW
8引脚SO （减免5.9mW / ° C以上+ 70 ° C） ... .................. 471mW
工作温度范围..............................- 40 ° C至+ 125°C
存储温度范围.................................- 65 ° C至+ 150°C
结温................................................ ........... + 150°C
焊接温度（焊接， 10秒） ...................................... + 300℃
焊接温度（回流） ............................................ + 260℃
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数和功能
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件，操作不暗示。接触
绝对最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。
封装热特性（注1 ）
8 TDFN -EP
结点至环境热阻（ θ
JA
)...............+41°C/W
结到外壳热阻（ θ
JC
)......................+8°C/W
8 SO
结点至环境热阻（ θ
JA
)................+132°C/W
结到外壳热阻（ θ
JC
).......................+40°C/W
8 SO- EP
结点至环境热阻（ θ
JA
)..................+41°C/W
结到外壳热阻（ θ
JC
)......................+7°C/W
注1 ：
封装的热电阻是用在JEDEC规范JESD51-7记载的方法得到，使用的是四
层板。有关封装的热注意事项的详细信息，请参阅
www.maxim-ic.com/thermal-tutorial 。
电气特性
(V
DD
= 4V至15V ，T
A
= -40° C到+ 125 ℃，除非另有说明。典型值是在V
DD
= 15V和T
A
= + 25°C 。 ） （注2 ）
参数
电源
V
DD
工作范围
V
DD
欠压锁定
V
DD
欠压锁定
迟滞
V
DD
欠压锁定
输出延迟
I
DD
V
DD
电源电流
I
DD -SW
驱动器输出（ SINK ）
驱动器输出电阻拉
下
峰值输出电流（沉没）
输出电压低
闭锁保护
I
LUP
V
DD
= 15V,
I
OUT-
= -100mA
V
DD
= 4.5V,
I
OUT-
= -100mA
T
A
= +25°C
T
A
= +125°C
T
A
= +25°C
T
A
= +125°C
V
DD
= 4.5V
V
DD
= 15V
400
1.1
1.5
2.2
3.0
4
0.45
0.24
1.8
2.4
3.3
4.5
A
V
mA
INA- = 0V ， INB + = V
DD
= 15V,
INA + = INB-两个通道的切换
为250kHz ，C
L
= 0F
1
2.4
4
mA
V
DD
升起
INA- = INB- = V
DD
,
INA + = INB + = 0V
（不切换）
V
DD
= 4V
V
DD
= 15V
V
DD
UVLO
V
DD
升起
4
3.00
3.50
200
12
28
40
55
A
75
15
3.85
V
V
mV
s
符号
条件
民
典型值
最大
单位
R
ON -N
I
PK -N
V
DD
= 15V ，C
L
= 10,000pF
I
OUT-
= -100mA
反向电流I
OUT-
（注2 ）
2
_______________________________________________________________________________________
4A ， 20ns的，双MOSFET驱动器
电气特性（续）
(V
DD
= 4V至15V ，T
A
= -40° C到+ 125 ℃，除非另有说明。典型值是在V
DD
= 15V和T
A
= + 25°C 。 ） （注2 ）
参数
驱动器输出（ SOURCE ）
驱动器输出电阻拉
Up
峰值输出电流（采购）
V
DD
= 15V,
I
OUT-
= 100毫安
V
DD
= 4.5V,
I
OUT-
= 100毫安
T
A
= +25°C
T
A
= +125°C
T
A
= +25°C
T
A
= +125°C
V
DD
-
0.55
V
DD
-
0.275
0.7 x
V
DD
2.1
0.3 x
V
DD
0.8
0.1 x
V
DD
0.3
-1
+0.1
2.5
C
L
= 1000pF的
OUT_上升时间
t
R
C
L
= 5000pF
C
L
= 10,000pF
C
L
= 1000pF的
OUT_下降时间
导通延迟时间
打开-O FF延迟时间
t
F
t
D- ON
t
D- OFF
C
L
= 5000pF
C
L
= 10,000pF
C
L
= 10,000pF （注3）
C
L
= 10,000pF （注3）
C
L
= 1000pF的
OUT_上升时间
t
R
C
L
= 5000pF
C
L
= 10,000pF
C
L
= 1000pF的
OUT_下降时间
导通延迟时间
打开-O FF延迟时间
t
F
t
D- ON
t
D- OFF
C
L
= 5000pF
C
L
= 10,000pF
C
L
= 10,000pF （注3）
C
L
= 10,000pF （注3）
18
18
10
10
4
18
32
4
15
26
20
20
7
37
85
7
30
75
35
35
70
70
ns
ns
ns
ns
34
34
ns
ns
ns
ns
+1
A
pF
V
1.5
1.9
2.75
3.75
4
2.1
2.75
4
5.5
A
符号
条件
民
典型值
最大
单位
MAX5054–MAX5057
R
ON -P
I
PK -P
V
DD
= 15V ，C
L
= 10,000pF
V
DD
= 4.5V
输出电压高
I
OUT-
= 100毫安
V
DD
= 15V
V
逻辑输入
（注4 ）
MAX5054A
逻辑1输入电压
V
IH
MAX5054B/MAX5055/MAX5056/MAX5057
（注5 ）
MAX5054A
MAX5054B/MAX5055/MAX5056/MAX5057
逻辑输入滞后
逻辑输入电流泄漏
输入电容
C
IN
V
HYS
MAX5054A
MAX5054B/MAX5055/MAX5056/MAX5057
INA + ， INB + ， INA- ， INB- = 0V或V
DD
V
逻辑0输入电压
V
IL
V
开关特性的V
DD
= 15V
（图1）
开关特性的V
DD
= 4.5V
（图1）
_______________________________________________________________________________________
3
4A ， 20ns的，双MOSFET驱动器
MAX5054–MAX5057
电气特性（续）
(V
DD
= 4V至15V ，T
A
= -40° C到+ 125 ℃，除非另有说明。典型值是在V
DD
= 15V和T
A
= + 25°C 。 ） （注1 ）
参数
匹配特性
从匹配的传播延迟
反相和同相输入
输出
不匹配的传播延迟
通道A和通道B之间
t
开 - 关
V
DD
= 15V ，C
L
= 10,000pF
V
DD
= 4.5V ，C
L
= 10,000pF
t
A-B
V
DD
= 15V ，C
L
= 10,000pF
V
DD
= 4.5V ，C
L
= 10,000pF
2
ns
4
1
2
ns
符号
条件
民
典型值
最大
单位
注2 ：
注3 ：
注4 ：
注5 ：
所有设备都100 ％在T测试
A
= + 25°C 。规格在-40 ° C至+ 125 ° C的设计保证。
限制由设计保证，未经生产测试。
逻辑输入阈值在V测试
DD
= 4V和V
DD
= 15V.
TTL降低噪声抗扰度兼容。
典型工作特性
(T
A
= + 25 ℃，除非另有说明。 ）
传播延迟时间，
低到高 - 电源电压
(C
L
= 5000pF ）
MAX5054 toc02
上升时间与电源电压
(C
L
= 5000pF ）
MAX5054 TOC01
下降时间与电源电压
(C
L
= 5000pF ）
60
50
T
A
= +125°C
下降时间（纳秒）
40
30
20
10
T
A
= +25°C
60
50
传播延迟（ NS ）
40
50
T
A
= +125°C
上升时间（纳秒）
40
30
20
10
T
A
= -40°C
0
4
6
8
10
12
14
T
A
= +25°C
T
A
= +125°C
T
A
= +25°C
30
20
10
T
A
= -40°C
T
A
= -40°C
0
16
4
6
8
10
12
14
16
0
4
6
8
10
12
14
16
电源电压（ V）
电源电压（ V）
电源电压（ V）
传播延迟时间，
高到低 - 电源电压
(C
L
= 5000pF ）
MAX5054 toc04
I
DD -SW
电源电流
- 电源电压
占空比= 50 ％
V
DD
= 15V ，C
L
= 0
1通道切换
MAX5054 toc05
电源电流与电源电压
90
80
电源电流（mA ）
70
60
50
40
30
20
10
100kHz
50kHz
1MHz
500kHz
占空比= 50 ％
V
DD
= 15V ，C
L
=为4700pF
1通道切换
MAX5054 toc06
60
50
传播延迟（ NS ）
40
30
20
10
0
4
6
8
10
12
14
T
A
= -40°C
T
A
= +25°C
T
A
= +125°C
6
I
DD -SW
电源电流（mA ）
5
4
3
2
1
0
100
1MHz
500kHz
100kHz
50kHz
0
4
6
8
10
12
14
16
4
6
8
10
12
14
16
电源电压（ V）
电源电压（ V）
16
电源电压（ V）
4
_______________________________________________________________________________________
MAX5054 toc03
60
4A ， 20ns的，双MOSFET驱动器
典型工作特性（续）
(T
A
= + 25 ℃，除非另有说明。 ）
I
DD -SW
电源电流
与温度的关系
MAX5054 toc07
MAX5054–MAX5057
输入阈值电压
- 电源电压
MAX5054 toc08
输入阈值电压
- 电源电压
TTL输入VERSIONS
MAX5054 toc09
4.0
3.5
电源电流（mA ）
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
-50
-25
0
25
50
75
100
V
DD
= 15V,
F = 250kHz的，C
L
= 0
占空比= 50 ％
两个通道切换
10
9
输入门限电压（ V）
8
7
6
5
4
3
2
1
0
V
IN
落下
V
IN
升起
MAX5054AATA
（ CMOS输入）
3.0
输入门限电压（ V）
2.5
2.0
1.5
1.0
V
IN
升起
V
IN
落下
0.5
0
125
4
6
8
10
12
14
16
4
6
8
10
12
14
16
温度（℃）
电源电压（ V）
电源电压（ V）
电源电流与逻辑输入
电压（输入低到高）
MAX5054 toc10
电源电流与逻辑输入
电压（输入高至低）
MAX5054 toc11
电源电流与逻辑输入
电压（输入低到高）
MAX5054AATA （ CMOS输入）
V
DD
= 15V
4
电源电流（mA ）
MAX5054 toc12
500
TTL输入VERSIONS
V
DD
= 15V
400
电源电流（ μA ）
500
TTL输入VERSIONS
V
DD
= 15V
400
电源电流（ μA ）
5
300
300
3
200
200
2
100
100
1
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
逻辑输入电压（ V）
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
逻辑输入电压（ V）
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
逻辑输入电压（ V）
电源电流与逻辑输入
电压（输入高至低）
MAX5054AATA （ CMOS输入）
V
DD
= +15V
4
电源电流（mA ）
MAX5054 toc13
延迟失配IN_ +之间
和IN_- TO OUT_与温度
输出下降
4
延迟失配（ NS ）
2
0
-2
-4
-6
产量提升
MAX5054 toc14
延迟失配IN_ +之间
和IN_- TO OUT_与温度
MAX5054 toc15
5
6
6
4
延迟失配（ NS ）
2
0
-2
-4
-6
输出下降
产量提升
3
2
1
MAX5054AATA （ CMOS输入）
V
DD
= 4.5V ，C
L
= 10,000pF
-50
-25
0
25
50
75
100
125
MAX5054AATA （ CMOS输入）
V
DD
= 15V ，C
L
= 10,000pF
-50
-25
0
25
50
75
100
125
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
逻辑输入电压（ V）
温度（℃）
温度（℃）
_______________________________________________________________________________________
5
19-3348 ;冯0 ; 8/04
4A ， 20ns的，双MOSFET驱动器
概述
在MAX5054 - MAX5057双，高速MOSFET
驱动源和吸收高达4A的峰值电流。这些
器件具有20ns的快速传播延迟和20ns的
上升和下降时间，同时驱动5000pF的电容
负载。传播延迟时间最小化，并且匹配
反相和同相输入端之间
通道之间。高级采购/吸入峰值电流
租金，低传输延迟和高热效
封装使得MAX5054 - MAX5057理想用于高
频率和高功率电路。
从4V的MAX5054 - MAX5057工作于15V单
电源和消耗的电源电流40μA （典型值）
在不切换。这些器件具有内部逻辑
电路，防止直通输出时的状态
的变化，以尽量减少工作电流在高
开关频率。逻辑输入保护
对尖峰电压高达+ 18V ，不管V的
DD
电压。 MAX5054A是其中唯一具有唯一版本
CMOS输入逻辑电平，而MAX5054B / MAX5055 /
MAX5056 / MAX5057具有TTL输入逻辑电平。
在MAX5055 - MAX5057提供双组合
反相，双路同相和反相/同相
输入驱动。该MAX5054提供反相和
每个驱动器同相输入端更大的灵活性。他们
采用8引脚TDFN （采用3mm x 3mm ） ，标准SO ，
和耐热增强型SO封装。这些设备
工作在-40°C汽车级温度范围
至+ 125°C 。
4V至15V单电源供电
4A峰值源出/吸入驱动电流
为20ns （典型值）传输延迟
匹配之间的延迟和反相
同相输入端
匹配的传播延迟之间的两个
频道
V
DD
/ 2 CMOS逻辑输入（ MAX5054AATA ）
TTL逻辑输入
(MAX5054B/MAX5055/MAX5056/MAX5057)
0.1× V
DD
（ CMOS ）和0.3V （ TTL ）逻辑输入
迟滞
高达+ 18V的逻辑输入（无论V的
DD
电压）
低输入电容： 2.5pF的（典型值）
40μA （典型值）的静态电流
-40 ° C至+ 125 ° C工作温度范围
8引脚TDFN和SO封装
特点
MAX5054–MAX5057
订购信息
部分
MAX5054AATA
MAX5054BATA
MAX5055AASA
MAX5055BASA
MAX5056AASA
MAX5056BASA
MAX5057AASA
MAX5057BASA
温度范围
-40°C至+ 125°C
-40°C至+ 125°C
-40°C至+ 125°C
-40°C至+ 125°C
-40°C至+ 125°C
-40°C至+ 125°C
-40°C至+ 125°C
-40°C至+ 125°C
PIN的
包
8 TDFN -EP *
8 TDFN -EP *
8 SO- EP *
8 SO
8 SO- EP *
8 SO
8 SO- EP *
8 SO
顶部
标志
AGS
AGR
—
—
—
—
—
—
应用
功率MOSFET开关
开关模式电源
DC- DC转换器
电机控制
电源模块
典型工作电路
V
IN
V
OUT
* EP
=裸焊盘。封装代码S8E - 14 。
选型指南和引脚配置在结束
数据表。
MAX5054
V
DD
INA +
OUTA
INA-
INB +
OUTB
PWM IN
INB-
GND
________________________________________________________________
Maxim Integrated Products版权所有
1
对于定价，交付和订购信息，请联系美信/达拉斯直接！在
1-888-629-4642 ，或访问Maxim的网站www.maxim-ic.com 。
4A ， 20ns的，双MOSFET驱动器
MAX5054–MAX5057
绝对最大额定值
（电压参考GND ）。
V
DD
.................................................. .............................- 0.3V至+ 18V
INA + ， INA- ， INB + ， INB- ......................................... ......- 0.3V至+ 18V
OUTA ， OUTB ............................................... ....- 0.3V至（V
DD
+ 0.3V)
OUTA ， OUTB短路持续时间........................................ 10毫秒
连续源出/吸入电流在OUT_ （P
D
＆ LT ; P
DMAX
） ..... 200毫安
连续功率耗散（T
A
= +70°C)
8引脚TDFN -EP （减免24.4mW / ° C以上+ 70 ° C） ........ 1951mW
结到外壳热阻（ θ
JC
） ...................... 2 ° C / W
8引脚SO -EP （减免19.2mW / ° C以上+ 70 ° C） ... ........ 1538mW
结到外壳热阻（ θ
JC
） ...................... 6 ° C / W
8引脚SO （减免5.9mW / ° C以上+ 70 ° C） ... .................. 471mW
结到外壳热阻（ θ
JC
） .................... 40 ° C / W
工作温度范围..............................- 40 ° C至+ 125°C
存储温度范围.................................- 65 ° C至+ 150°C
结温................................................ ........... + 150°C
焊接温度（焊接， 10秒） ...................................... + 300℃
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数和功能
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件，操作不暗示。接触
绝对最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。
电气特性
(V
DD
= 4V至15V ，T
A
= -40° C到+ 125 ℃，除非另有说明。典型值是在V
DD
= 15V和T
A
= + 25°C 。 ） （注1 ）
参数
电源
V
DD
工作范围
V
DD
欠压锁定
V
DD
欠压锁定
迟滞
V
DD
欠压锁定
输出延迟
I
DD
V
DD
电源电流
I
DD -SW
驱动器输出（ SINK ）
驱动器输出电阻拉
下
峰值输出电流（沉没）
输出电压低
闭锁保护
驱动器输出（ SOURCE ）
驱动器输出电阻拉
Up
峰值输出电流（采购）
V
DD
= 15V,
I
OUT-
= 100毫安
V
DD
= 4.5V,
I
OUT-
= 100毫安
T
A
= +25°C
T
A
= +125°C
T
A
= +25°C
T
A
= +125°C
1.5
1.9
2.75
3.75
4
2.1
2.75
4
5.5
A
I
LUP
V
DD
= 15V,
I
OUT-
= -100mA
V
DD
= 4.5V,
I
OUT-
= -100mA
T
A
= +25°C
T
A
= +125°C
T
A
= +25°C
T
A
= +125°C
V
DD
= 4.5V
V
DD
= 15V
400
1.1
1.5
2.2
3.0
4
0.45
0.24
1.8
2.4
3.3
4.5
A
V
mA
INA- = 0V ， INB + = V
DD
= 15V,
INA + = INB-两个通道的切换
为250kHz ，C
L
= 0
1
2.4
4
mA
V
DD
升起
INA- = INB- = V
DD
,
INA + = INB + = 0V
（不切换）
V
DD
= 4V
V
DD
= 15V
V
DD
UVLO
V
DD
升起
4
3.00
3.50
200
12
28
40
55
A
75
15
3.85
V
V
mV
s
符号
条件
民
典型值
最大
单位
R
ON -N
I
PK -N
V
DD
= 15V ，C
L
= 10,000pF
I
OUT-
= -100mA
反向电流I
OUT-
（注2 ）
R
ON -P
I
PK -P
V
DD
= 15V ，C
L
= 10,000pF
2
_______________________________________________________________________________________
4A ， 20ns的，双MOSFET驱动器
电气特性（续）
(V
DD
= 4V至15V ，T
A
= -40° C到+ 125 ℃，除非另有说明。典型值是在V
DD
= 15V和T
A
= + 25°C 。 ） （注1 ）
参数
符号
条件
V
DD
= 4.5V
输出电压高
I
OUT-
= 100毫安
V
DD
= 15V
逻辑输入
（注3）
MAX5054A
逻辑1输入电压
V
IH
MAX5054B/MAX5055/MAX5056/MAX5057
（注4 ）
MAX5054A
MAX5054B/MAX5055/MAX5056/MAX5057
逻辑输入滞后
逻辑输入电流泄漏
输入电容
C
IN
C
L
= 1000pF的
OUT_上升时间
t
R
C
L
= 5000pF
C
L
= 10,000pF
C
L
= 1000pF的
OUT_下降时间
导通延迟时间
打开-O FF延迟时间
t
F
t
D- ON
t
D- OFF
C
L
= 5000pF
C
L
= 10,000pF
C
L
= 10,000pF （注2）
C
L
= 10,000pF （注2）
C
L
= 1000pF的
OUT_上升时间
t
R
C
L
= 5000pF
C
L
= 10,000pF
C
L
= 1000pF的
OUT_下降时间
导通延迟时间
打开-O FF延迟时间
t
F
t
D- ON
t
D- OFF
C
L
= 5000pF
C
L
= 10,000pF
C
L
= 10,000pF （注2）
C
L
= 10,000pF （注2）
18
18
10
10
V
HYS
MAX5054A
MAX5054B/MAX5055/MAX5056/MAX5057
INA + ， INB + ， INA- ， INB- = 0V或V
DD
-1
0.1 x
V
DD
0.3
+0.1
2.5
4
18
32
4
15
26
20
20
7
37
85
7
30
75
35
35
70
70
ns
ns
ns
ns
34
34
ns
ns
ns
ns
+1
A
pF
0.7 x
V
DD
2.1
0.3 x
V
DD
0.8
V
民
V
DD
-
0.55
V
V
DD
-
0.275
典型值
最大
单位
MAX5054–MAX5057
V
逻辑0输入电压
V
IL
V
开关特性的V
DD
= 15V
（图1）
开关特性的V
DD
= 4.5V
（图1）
_______________________________________________________________________________________
3
4A ， 20ns的，双MOSFET驱动器
MAX5054–MAX5057
电气特性（续）
(V
DD
= 4V至15V ，T
A
= -40° C到+ 125 ℃，除非另有说明。典型值是在V
DD
= 15V和T
A
= + 25°C 。 ） （注1 ）
参数
匹配特性
从匹配的传播延迟
反相和同相输入
输出
不匹配的传播延迟
通道A和通道B之间
t
开 - 关
V
DD
= 15V ，C
L
= 10,000pF
V
DD
= 4.5V ，C
L
= 10,000pF
t
A-B
V
DD
= 15V ，C
L
= 10,000pF
V
DD
= 4.5V ，C
L
= 10,000pF
2
ns
4
1
2
ns
符号
条件
民
典型值
最大
单位
注1 ：
注2 ：
注3 ：
注4 ：
所有设备都100 ％在T测试
A
= + 25°C 。规格在-40 ° C至+ 125 ° C的设计保证。
限制由设计保证，未经生产测试。
逻辑输入阈值在V测试
DD
= 4V和V
DD
= 15V.
TTL降低噪声抗扰度兼容。
典型工作特性
(T
A
= + 25 ℃，除非另有说明。 ）
传播延迟时间，
低到高 - 电源电压
(C
L
= 5000pF ）
MAX5054 toc02
上升时间与电源电压
(C
L
= 5000pF ）
MAX5054 TOC01
下降时间与电源电压
(C
L
= 5000pF ）
60
50
T
A
= +125°C
下降时间（纳秒）
40
30
20
10
T
A
= +25°C
60
50
传播延迟（ NS ）
40
50
T
A
= +125°C
上升时间（纳秒）
40
30
20
10
T
A
= -40°C
0
4
6
8
10
12
14
T
A
= +25°C
T
A
= +125°C
T
A
= +25°C
30
20
10
T
A
= -40°C
T
A
= -40°C
0
16
4
6
8
10
12
14
16
0
4
6
8
10
12
14
16
电源电压（ V）
电源电压（ V）
电源电压（ V）
传播延迟时间，
高到低 - 电源电压
(C
L
= 5000pF ）
MAX5054 toc04
I
DD -SW
电源电流
- 电源电压
占空比= 50 ％
V
DD
= 15V ，C
L
= 0
1通道切换
MAX5054 toc05
电源电流与电源电压
90
80
电源电流（mA ）
70
60
50
40
30
20
10
100kHz
50kHz
1MHz
500kHz
占空比= 50 ％
V
DD
= 15V ，C
L
=为4700pF
1通道切换
MAX5054 toc06
60
50
传播延迟（ NS ）
40
30
20
10
0
4
6
8
10
12
14
T
A
= -40°C
T
A
= +25°C
T
A
= +125°C
6
I
DD -SW
电源电流（mA ）
5
4
3
2
1
0
100
1MHz
500kHz
100kHz
50kHz
0
4
6
8
10
12
14
16
4
6
8
10
12
14
16
电源电压（ V）
电源电压（ V）
16
电源电压（ V）
4
_______________________________________________________________________________________
MAX5054 toc03
60
4A ， 20ns的，双MOSFET驱动器
典型工作特性（续）
(T
A
= + 25 ℃，除非另有说明。 ）
I
DD -SW
电源电流
与温度的关系
MAX5054 toc07
MAX5054–MAX5057
输入阈值电压
- 电源电压
MAX5054 toc08
输入阈值电压
- 电源电压
TTL输入VERSIONS
MAX5054 toc09
4.0
3.5
电源电流（mA ）
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
-50
-25
0
25
50
75
100
V
DD
= 15V,
F = 250kHz的，C
L
= 0
占空比= 50 ％
两个通道切换
10
9
输入门限电压（ V）
8
7
6
5
4
3
2
1
0
V
IN
落下
V
IN
升起
MAX5054AATA
（ CMOS输入）
3.0
输入门限电压（ V）
2.5
2.0
1.5
1.0
V
IN
升起
V
IN
落下
0.5
0
125
4
6
8
10
12
14
16
4
6
8
10
12
14
16
温度（℃）
电源电压（ V）
电源电压（ V）
电源电流与逻辑输入
电压（输入低到高）
MAX5054 toc10
电源电流与逻辑输入
电压（输入高至低）
MAX5054 toc11
电源电流与逻辑输入
电压（输入低到高）
MAX5054AATA （ CMOS输入）
V
DD
= 15V
4
电源电流（mA ）
MAX5054 toc12
500
TTL输入VERSIONS
V
DD
= 15V
400
电源电流（ μA ）
500
TTL输入VERSIONS
V
DD
= 15V
400
电源电流（ μA ）
5
300
300
3
200
200
2
100
100
1
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
逻辑输入电压（ V）
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
逻辑输入电压（ V）
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
逻辑输入电压（ V）
电源电流与逻辑输入
电压（输入高至低）
MAX5054 toc13
延迟失配IN_ +之间
和IN_- TO OUT_与温度
MAX5054 toc14
延迟失配IN_ +之间
和IN_- TO OUT_与温度
MAX5054 toc15
5
MAX5054AATA （ CMOS输入）
V
DD
= +15V
4
电源电流（mA ）
6
输出下降
4
延迟失配（ NS ）
2
0
-2
-4
-6
产量提升
6
4
延迟失配（ NS ）
2
0
-2
-4
-6
输出下降
产量提升
3
2
1
MAX5054AATA （ CMOS输入）
V
DD
= 4.5V ，C
L
= 10,000pF
-50
-25
0
25
50
75
100
125
MAX5054AATA （ CMOS输入）
V
DD
= 15V ，C
L
= 10,000pF
-50
-25
0
25
50
75
100
125
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
逻辑输入电压（ V）
温度（℃）
温度（℃）
_______________________________________________________________________________________
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