【19-3348 ;冯0 ; 8/044A ， 20ns的，双MOSFET驱动器概述在MAX5054 】,IC型号MAX5055BASA,MAX5055BASA PDF资料,MAX5055BASA经销商,ic,电子元器件-51电子网

19-3348 ;冯0 ; 8/04

4A ， 20ns的，双MOSFET驱动器

概述

在MAX5054 - MAX5057双，高速MOSFET

驱动源和吸收高达4A的峰值电流。这些

器件具有20ns的快速传播延迟和20ns的

上升和下降时间，同时驱动5000pF的电容

负载。传播延迟时间最小化，并且匹配

反相和同相输入端之间

通道之间。高级采购/吸入峰值电流

租金，低传输延迟和高热效

封装使得MAX5054 - MAX5057理想用于高

频率和高功率电路。

从4V的MAX5054 - MAX5057工作于15V单

电源和消耗的电源电流40μA （典型值）

在不切换。这些器件具有内部逻辑

电路，防止直通输出时的状态

的变化，以尽量减少工作电流在高

开关频率。逻辑输入保护

对尖峰电压高达+ 18V ，不管V的

DD

电压。 MAX5054A是其中唯一具有唯一版本

CMOS输入逻辑电平，而MAX5054B / MAX5055 /

MAX5056 / MAX5057具有TTL输入逻辑电平。

在MAX5055 - MAX5057提供双组合

反相，双路同相和反相/同相

输入驱动。该MAX5054提供反相和

每个驱动器同相输入端更大的灵活性。他们

采用8引脚TDFN （采用3mm x 3mm ），标准SO ，

和耐热增强型SO封装。这些设备

工作在-40°C汽车级温度范围

至+ 125°C 。

4V至15V单电源供电

4A峰值源出/吸入驱动电流

为20ns （典型值）传输延迟

匹配之间的延迟和反相

同相输入端

匹配的传播延迟之间的两个

频道

V

DD

/ 2 CMOS逻辑输入（ MAX5054AATA ）

TTL逻辑输入

(MAX5054B/MAX5055/MAX5056/MAX5057)

0.1× V

DD

（ CMOS ）和0.3V （ TTL ）逻辑输入

迟滞

高达+ 18V的逻辑输入（无论V的

DD

电压）

低输入电容： 2.5pF的（典型值）

40μA （典型值）的静态电流

-40 ° C至+ 125 ° C工作温度范围

8引脚TDFN和SO封装

特点

MAX5054–MAX5057

订购信息

部分

MAX5054AATA

MAX5054BATA

MAX5055AASA

MAX5055BASA

MAX5056AASA

MAX5056BASA

MAX5057AASA

MAX5057BASA

温度范围

-40°C至+ 125°C

PIN的

包

8 TDFN -EP *

8 SO- EP *

8 SO

8 SO- EP *

8 SO

8 SO- EP *

8 SO

顶部

标志

AGS

AGR

—

应用

功率MOSFET开关

开关模式电源

DC- DC转换器

电机控制

电源模块

典型工作电路

V

IN

V

OUT

* EP

=裸焊盘。封装代码S8E - 14 。

选型指南和引脚配置在结束

数据表。

MAX5054

V

DD

INA +

OUTA

INA-

INB +

OUTB

PWM IN

INB-

GND

________________________________________________________________

1

对于定价，交付和订购信息，请联系美信/达拉斯直接！在

1-888-629-4642 ，或访问Maxim的网站www.maxim-ic.com 。

4A ， 20ns的，双MOSFET驱动器

MAX5054–MAX5057

绝对最大额定值

（电压参考GND ）。

V

DD

.................................................. .............................- 0.3V至+ 18V

INA + ， INA- ， INB + ， INB- ......................................... ......- 0.3V至+ 18V

OUTA ， OUTB ............................................... ....- 0.3V至（V

DD

+ 0.3V)

OUTA ， OUTB短路持续时间........................................ 10毫秒

连续源出/吸入电流在OUT_ （P

D

＆ LT ; P

DMAX

） ..... 200毫安

连续功率耗散（T

A

= +70°C)

8引脚TDFN -EP （减免24.4mW / ° C以上+ 70 ° C） ........ 1951mW

结到外壳热阻（ θ

JC

） ...................... 2 ° C / W

8引脚SO -EP （减免19.2mW / ° C以上+ 70 ° C） ... ........ 1538mW

结到外壳热阻（ θ

JC

） ...................... 6 ° C / W

8引脚SO （减免5.9mW / ° C以上+ 70 ° C） ... .................. 471mW

结到外壳热阻（ θ

JC

） .................... 40 ° C / W

工作温度范围..............................- 40 ° C至+ 125°C

存储温度范围.................................- 65 ° C至+ 150°C

结温................................................ ........... + 150°C

焊接温度（焊接， 10秒） ...................................... + 300℃

超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数和功能

该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件，操作不暗示。接触

绝对最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。

电气特性

(V

DD

= 4V至15V ，T

A

= -40° C到+ 125 ℃，除非另有说明。典型值是在V

DD

= 15V和T

A

= + 25°C 。）（注1 ）

参数

电源

V

DD

工作范围

V

DD

欠压锁定

V

DD

欠压锁定

迟滞

V

DD

欠压锁定

输出延迟

I

DD

V

DD

电源电流

I

DD -SW

驱动器输出（ SINK ）

驱动器输出电阻拉

下

峰值输出电流（沉没）

输出电压低

闭锁保护

驱动器输出（ SOURCE ）

驱动器输出电阻拉

Up

峰值输出电流（采购）

V

DD

= 15V,

I

OUT-

= 100毫安

V

DD

= 4.5V,

I

OUT-

= 100毫安

T

A

= +25°C

T

A

= +125°C

T

A

= +25°C

T

A

= +125°C

1.5

1.9

2.75

3.75

4

2.1

2.75

4

5.5

A

I

LUP

V

DD

= 15V,

I

OUT-

= -100mA

V

DD

= 4.5V,

I

OUT-

= -100mA

T

A

= +25°C

T

A

= +125°C

T

A

= +25°C

T

A

= +125°C

V

DD

= 4.5V

V

DD

= 15V

400

1.1

1.5

2.2

3.0

4

0.45

0.24

1.8

2.4

3.3

4.5

A

V

mA

INA- = 0V ， INB + = V

DD

= 15V,

INA + = INB-两个通道的切换

为250kHz ，C

L

= 0

1

2.4

4

mA

V

DD

升起

INA- = INB- = V

DD

,

INA + = INB + = 0V

（不切换）

V

DD

= 4V

V

DD

= 15V

V

DD

UVLO

V

DD

升起

4

3.00

3.50

200

12

28

40

55

A

75

15

3.85

V

mV

s

符号

条件

民

典型值

最大

单位

R

ON -N

I

PK -N

V

DD

= 15V ，C

L

= 10,000pF

I

OUT-

= -100mA

反向电流I

OUT-

（注2 ）

R

ON -P

I

PK -P

V

DD

= 15V ，C

L

= 10,000pF

2

_______________________________________________________________________________________

4A ， 20ns的，双MOSFET驱动器

电气特性（续）

(V

DD

= 4V至15V ，T

A

= -40° C到+ 125 ℃，除非另有说明。典型值是在V

DD

= 15V和T

A

= + 25°C 。）（注1 ）

参数

符号

条件

V

DD

= 4.5V

输出电压高

I

OUT-

= 100毫安

V

DD

= 15V

逻辑输入

（注3）

MAX5054A

逻辑1输入电压

V

IH

MAX5054B/MAX5055/MAX5056/MAX5057

（注4 ）

MAX5054A

MAX5054B/MAX5055/MAX5056/MAX5057

逻辑输入滞后

逻辑输入电流泄漏

输入电容

C

IN

C

L

= 1000pF的

OUT_上升时间

t

R

C

L

= 5000pF

C

L

= 10,000pF

C

L

= 1000pF的

OUT_下降时间

导通延迟时间

打开-O FF延迟时间

t

F

t

D- ON

t

D- OFF

C

L

= 5000pF

C

L

= 10,000pF

C

L

= 10,000pF （注2）

C

L

= 10,000pF （注2）

C

L

= 1000pF的

OUT_上升时间

t

R

C

L

= 5000pF

C

L

= 10,000pF

C

L

= 1000pF的

OUT_下降时间

导通延迟时间

打开-O FF延迟时间

t

F

t

D- ON

t

D- OFF

C

L

= 5000pF

C

L

= 10,000pF

C

L

= 10,000pF （注2）

C

L

= 10,000pF （注2）

18

10

V

HYS

MAX5054A

MAX5054B/MAX5055/MAX5056/MAX5057

INA + ， INB + ， INA- ， INB- = 0V或V

DD

-1

0.1 x

V

DD

0.3

+0.1

2.5

4

18

32

4

15

26

20

7

37

85

7

30

75

35

70

ns

34

ns

+1

A

pF

0.7 x

V

DD

2.1

0.3 x

V

DD

0.8

V

民

V

DD

-

0.55

V

DD

-

0.275

典型值

最大

单位

MAX5054–MAX5057

V

逻辑0输入电压

V

IL

V

开关特性的V

DD

= 15V

（图1）

开关特性的V

DD

= 4.5V

（图1）

_______________________________________________________________________________________

3

4A ， 20ns的，双MOSFET驱动器

MAX5054–MAX5057

电气特性（续）

(V

DD

= 4V至15V ，T

A

= -40° C到+ 125 ℃，除非另有说明。典型值是在V

DD

= 15V和T

A

= + 25°C 。）（注1 ）

参数

匹配特性

从匹配的传播延迟

反相和同相输入

输出

不匹配的传播延迟

通道A和通道B之间

t

开 - 关

V

DD

= 15V ，C

L

= 10,000pF

V

DD

= 4.5V ，C

L

= 10,000pF

t

A-B

V

DD

= 15V ，C

L

= 10,000pF

V

DD

= 4.5V ，C

L

= 10,000pF

2

ns

4

1

2

ns

符号

条件

民

典型值

最大

单位

注1 ：

注2 ：

注3 ：

注4 ：

所有设备都100 ％在T测试

A

= + 25°C 。规格在-40 ° C至+ 125 ° C的设计保证。

限制由设计保证，未经生产测试。

逻辑输入阈值在V测试

DD

= 4V和V

DD

= 15V.

TTL降低噪声抗扰度兼容。

典型工作特性

(T

A

= + 25 ℃，除非另有说明。）

传播延迟时间，

低到高 - 电源电压

(C

L

= 5000pF ）

MAX5054 toc02

上升时间与电源电压

(C

L

= 5000pF ）

MAX5054 TOC01

下降时间与电源电压

(C

L

= 5000pF ）

60

50

T

A

= +125°C

下降时间（纳秒）

40

30

20

10

T

A

= +25°C

60

50

传播延迟（ NS ）

40

50

T

A

= +125°C

上升时间（纳秒）

40

30

20

10

T

A

= -40°C

0

4

6

8

10

12

14

T

A

= +25°C

T

A

= +125°C

T

A

= +25°C

30

20

10

T

A

= -40°C

T

A

= -40°C

0

16

4

6

8

10

12

14

16

0

4

6

8

10

12

14

16

电源电压（ V）

传播延迟时间，

高到低 - 电源电压

(C

L

= 5000pF ）

MAX5054 toc04

I

DD -SW

电源电流

- 电源电压

占空比= 50 ％

V

DD

= 15V ，C

L

= 0

1通道切换

MAX5054 toc05

电源电流与电源电压

90

80

电源电流（mA ）

70

60

50

40

30

20

10

100kHz

50kHz

1MHz

500kHz

占空比= 50 ％

V

DD

= 15V ，C

L

=为4700pF

1通道切换

MAX5054 toc06

60

50

传播延迟（ NS ）

40

30

20

10

0

4

6

8

10

12

14

T

A

= -40°C

T

A

= +25°C

T

A

= +125°C

6

I

DD -SW

电源电流（mA ）

5

4

3

2

1

0

100

1MHz

500kHz

100kHz

50kHz

0

4

6

8

10

12

14

16

4

6

8

10

12

14

16

电源电压（ V）

16

电源电压（ V）

4

_______________________________________________________________________________________

MAX5054 toc03

60

4A ， 20ns的，双MOSFET驱动器

典型工作特性（续）

(T

A

= + 25 ℃，除非另有说明。）

I

DD -SW

电源电流

与温度的关系

MAX5054 toc07

MAX5054–MAX5057

输入阈值电压

- 电源电压

MAX5054 toc08

输入阈值电压

- 电源电压

TTL输入VERSIONS

MAX5054 toc09

4.0

3.5

电源电流（mA ）

3.0

2.5

2.0

1.5

1.0

-50

-25

0

25

50

75

100

V

DD

= 15V,

F = 250kHz的，C

L

= 0

占空比= 50 ％

两个通道切换

10

9

输入门限电压（ V）

8

7

6

5

4

3

2

1

0

V

IN

落下

V

IN

升起

MAX5054AATA

（ CMOS输入）

3.0

输入门限电压（ V）

2.5

2.0

1.5

1.0

V

IN

升起

V

IN

落下

0.5

0

125

4

6

8

10

12

14

16

4

6

8

10

12

14

16

温度（℃）

电源电压（ V）

电源电流与逻辑输入

电压（输入低到高）

MAX5054 toc10

电源电流与逻辑输入

电压（输入高至低）

MAX5054 toc11

电源电流与逻辑输入

电压（输入低到高）

MAX5054AATA （ CMOS输入）

V

DD

= 15V

4

电源电流（mA ）

MAX5054 toc12

500

TTL输入VERSIONS

V

DD

= 15V

400

电源电流（ μA ）

500

TTL输入VERSIONS

V

DD

= 15V

400

电源电流（ μA ）

5

300

3

200

2

100

1

0

2

4

6

8

10

12

14

16

逻辑输入电压（ V）

0

2

4

6

8

10

12

14

16

逻辑输入电压（ V）

0

2

4

6

8

10

12

14

16

逻辑输入电压（ V）

电源电流与逻辑输入

电压（输入高至低）

MAX5054 toc13

延迟失配IN_ +之间

和IN_- TO OUT_与温度

MAX5054 toc14

延迟失配IN_ +之间

和IN_- TO OUT_与温度

MAX5054 toc15

5

MAX5054AATA （ CMOS输入）

V

DD

= +15V

4

电源电流（mA ）

6

输出下降

4

延迟失配（ NS ）

2

0

-2

-4

-6

产量提升

6

4

延迟失配（ NS ）

2

0

-2

-4

-6

输出下降

产量提升

3

2

1

MAX5054AATA （ CMOS输入）

V

DD

= 4.5V ，C

L

= 10,000pF

-50

-25

0

25

50

75

100

125

MAX5054AATA （ CMOS输入）

V

DD

= 15V ，C

L

= 10,000pF

-50

-25

0

25

50

75

100

125

0

2

4

6

8

10

12

14

16

逻辑输入电压（ V）

温度（℃）

_______________________________________________________________________________________

5

19-3348 ;第2版; 9/10

4A ， 20ns的，双MOSFET驱动器

概述

在MAX5054 - MAX5057双，高速MOSFET

驱动源和吸收高达4A的峰值电流。这些

器件具有20ns的快速传播延迟和20ns的

上升和下降时间，同时驱动5000pF的电容

负载。传播延迟时间最小化，并且匹配

反相和同相输入端之间

通道之间。高级采购/吸入峰值电流

租金，低传输延迟和高热效

封装使得MAX5054 - MAX5057理想用于高

频率和高功率电路。

从4V的MAX5054 - MAX5057工作于15V单

电源和消耗的电源电流40μA （典型值）

在不切换。这些器件具有内部逻辑

电路，防止直通输出时的状态

的变化，以尽量减少工作电流在高

开关频率。逻辑输入保护

对尖峰电压高达+ 18V ，不管V的

DD

电压。 MAX5054A是其中唯一具有唯一版本

CMOS输入逻辑电平，而MAX5054B / MAX5055 /

MAX5056 / MAX5057具有TTL输入逻辑电平。

在MAX5055 - MAX5057提供双组合

反相，双路同相和反相/同相

输入驱动。该MAX5054提供反相和

每个驱动器同相输入端更大的灵活性。他们

采用8引脚TDFN （采用3mm x 3mm ），标准SO ，

和耐热增强型SO封装。这些设备

工作在-40°C汽车级温度范围

至+ 125°C 。

o

4V至15V单电源供电

o

4A峰值源出/吸入驱动电流

o

为20ns （典型值）传输延迟

o

匹配之间的延迟和反相

同相输入端

o

匹配的传播延迟之间的两个

频道

o

V

DD

/ 2 CMOS逻辑输入（ MAX5054AATA ）

o

TTL逻辑输入

(MAX5054B/MAX5055/MAX5056/MAX5057)

o

0.1× V

DD

（ CMOS ）和0.3V （ TTL ）逻辑输入

迟滞

o

高达+ 18V的逻辑输入（无论V的

DD

电压）

o

低输入电容： 2.5pF的（典型值）

o

40μA （典型值）的静态电流

o

-40 ° C至+ 125 ° C工作温度范围

o

8引脚TDFN和SO封装

特点

MAX5054–MAX5057

订购信息

部分

MAX5054AATA+

MAX5054AATA/V+

MAX5054BATA+

MAX5055AASA+

MAX5055BASA+

MAX5056AASA+

MAX5056BASA+

MAX5057AASA+

温度

范围

PIN的

包

顶部

标志

AGS

AGR

—

应用

功率MOSFET开关

开关模式电源

DC- DC转换器

电机控制

电源模块

-40 ° C至+ 125°C 8 TDFN -EP *

-40 ° C至+ 125°C 8 SO- EP *

-40 ° C至+ 125°C 8 SO

-40 ° C至+ 125°C 8 SO- EP *

-40 ° C至+ 125°C 8 SO

-40 ° C至+ 125°C 8 SO- EP *

典型工作电路

V

IN

V

OUT

MAX5054

V

DD

INA +

OUTA

INA-

MAX5057BASA+

-40 ° C至+ 125°C 8 SO

* EP

=裸焊盘。

/ VDenotes

汽车合格一部分。

+表示

一个铅（Pb ） - 免费/符合RoHS标准的封装。

INB +

OUTB

PWM IN

INB-

GND

选型指南和引脚配置在结束

数据表。

________________________________________________________________

1

对于定价，交付和订购信息，请联系美信/达拉斯直接！在

1-888-629-4642 ，或访问Maxim的网站www.maxim-ic.com 。

4A ， 20ns的，双MOSFET驱动器

MAX5054–MAX5057

绝对最大额定值

（电压参考GND ）。

V

DD

.................................................. .............................- 0.3V至+ 18V

INA + ， INA- ， INB + ， INB- ......................................... ......- 0.3V至+ 18V

OUTA ， OUTB ............................................... ....- 0.3V至（V

DD

+ 0.3V)

OUTA ， OUTB短路持续时间........................................ 10毫秒

连续源出/吸入电流在OUT_ （P

D

＆ LT ; P

DMAX

） ..... 200毫安

连续功率耗散（T

A

= +70°C)

8引脚TDFN -EP （减免18.2mW / ° C以上+ 70 ° C） ........ 1454mW

结到外壳热阻（ θ

JC

） ................... 8.3 ° C / W

8引脚SO -EP （减免19.2mW / ° C以上+ 70 ° C） ... ........ 1538mW

结到外壳热阻（ θ

JC

） ...................... 6 ° C / W

8引脚SO （减免5.9mW / ° C以上+ 70 ° C） ... .................. 471mW

结到外壳热阻（ θ

JC

） .................... 40 ° C / W

工作温度范围..............................- 40 ° C至+ 125°C

存储温度范围.................................- 65 ° C至+ 150°C

结温................................................ ........... + 150°C

焊接温度（焊接， 10秒） ...................................... + 300℃

焊接温度（回流） ............................................ + 260℃

超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数和功能

该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件，操作不暗示。接触

绝对最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。

电气特性

(V

DD

= 4V至15V ，T

A

= -40° C到+ 125 ℃，除非另有说明。典型值是在V

DD

= 15V和T

A

= + 25°C 。）（注1 ）

参数

电源

V

DD

工作范围

V

DD

欠压锁定

V

DD

欠压锁定

迟滞

V

DD

欠压锁定

输出延迟

I

DD

V

DD

电源电流

I

DD -SW

驱动器输出（ SINK ）

驱动器输出电阻拉

下

峰值输出电流（沉没）

输出电压低

闭锁保护

驱动器输出（ SOURCE ）

驱动器输出电阻拉

Up

峰值输出电流（采购）

V

DD

= 15V,

I

OUT-

= 100毫安

V

DD

= 4.5V,

I

OUT-

= 100毫安

T

A

= +25°C

T

A

= +125°C

T

A

= +25°C

T

A

= +125°C

1.5

1.9

2.75

3.75

4

2.1

2.75

4

5.5

A

I

LUP

V

DD

= 15V,

I

OUT-

= -100mA

V

DD

= 4.5V,

I

OUT-

= -100mA

T

A

= +25°C

T

A

= +125°C

T

A

= +25°C

T

A

= +125°C

V

DD

= 4.5V

V

DD

= 15V

400

1.1

1.5

2.2

3.0

4

0.45

0.24

1.8

2.4

3.3

4.5

A

V

mA

INA- = 0V ， INB + = V

DD

= 15V,

INA + = INB-两个通道的切换

为250kHz ，C

L

= 0F

1

2.4

4

mA

V

DD

升起

INA- = INB- = V

DD

,

INA + = INB + = 0V

（不切换）

V

DD

= 4V

V

DD

= 15V

V

DD

UVLO

V

DD

升起

4

3.00

3.50

200

12

28

40

55

A

75

15

3.85

V

mV

s

符号

条件

民

典型值

最大

单位

R

ON -N

I

PK -N

V

DD

= 15V ，C

L

= 10,000pF

I

OUT-

= -100mA

反向电流I

OUT-

（注2 ）

R

ON -P

I

PK -P

V

DD

= 15V ，C

L

= 10,000pF

2

_______________________________________________________________________________________

4A ， 20ns的，双MOSFET驱动器

电气特性（续）

(V

DD

= 4V至15V ，T

A

= -40° C到+ 125 ℃，除非另有说明。典型值是在V

DD

= 15V和T

A

= + 25°C 。）（注1 ）

参数

符号

条件

V

DD

= 4.5V

输出电压高

I

OUT-

= 100毫安

V

DD

= 15V

逻辑输入

（注3）

MAX5054A

逻辑1输入电压

V

IH

MAX5054B/MAX5055/MAX5056/MAX5057

（注4 ）

MAX5054A

MAX5054B/MAX5055/MAX5056/MAX5057

逻辑输入滞后

逻辑输入电流泄漏

输入电容

C

IN

C

L

= 1000pF的

OUT_上升时间

t

R

C

L

= 5000pF

C

L

= 10,000pF

C

L

= 1000pF的

OUT_下降时间

导通延迟时间

打开-O FF延迟时间

t

F

t

D- ON

t

D- OFF

C

L

= 5000pF

C

L

= 10,000pF

C

L

= 10,000pF （注2）

C

L

= 10,000pF （注2）

C

L

= 1000pF的

OUT_上升时间

t

R

C

L

= 5000pF

C

L

= 10,000pF

C

L

= 1000pF的

OUT_下降时间

导通延迟时间

打开-O FF延迟时间

t

F

t

D- ON

t

D- OFF

C

L

= 5000pF

C

L

= 10,000pF

C

L

= 10,000pF （注2）

C

L

= 10,000pF （注2）

18

10

V

HYS

MAX5054A

MAX5054B/MAX5055/MAX5056/MAX5057

INA + ， INB + ， INA- ， INB- = 0V或V

DD

-1

0.1 x

V

DD

0.3

+0.1

2.5

4

18

32

4

15

26

20

7

37

85

7

30

75

35

70

ns

34

ns

+1

A

pF

0.7 x

V

DD

2.1

0.3 x

V

DD

0.8

V

民

V

DD

-

0.55

V

DD

-

0.275

典型值

最大

单位

MAX5054–MAX5057

V

逻辑0输入电压

V

IL

V

开关特性的V

DD

= 15V

（图1）

开关特性的V

DD

= 4.5V

（图1）

_______________________________________________________________________________________

3

4A ， 20ns的，双MOSFET驱动器

MAX5054–MAX5057

电气特性（续）

(V

DD

= 4V至15V ，T

A

= -40° C到+ 125 ℃，除非另有说明。典型值是在V

DD

= 15V和T

A

= + 25°C 。）（注1 ）

参数

匹配特性

从匹配的传播延迟

反相和同相输入

输出

不匹配的传播延迟

通道A和通道B之间

t

开 - 关

V

DD

= 15V ，C

L

= 10,000pF

V

DD

= 4.5V ，C

L

= 10,000pF

t

A-B

V

DD

= 15V ，C

L

= 10,000pF

V

DD

= 4.5V ，C

L

= 10,000pF

2

ns

4

1

2

ns

符号

条件

民

典型值

最大

单位

注1 ：

注2 ：

注3 ：

注4 ：

所有设备都100 ％在T测试

A

= + 25°C 。规格在-40 ° C至+ 125 ° C的设计保证。

限制由设计保证，未经生产测试。

逻辑输入阈值在V测试

DD

= 4V和V

DD

= 15V.

TTL降低噪声抗扰度兼容。

典型工作特性

(T

A

= + 25 ℃，除非另有说明。）

传播延迟时间，

低到高 - 电源电压

(C

L

= 5000pF ）

MAX5054 toc02

上升时间与电源电压

(C

L

= 5000pF ）

MAX5054 TOC01

下降时间与电源电压

(C

L

= 5000pF ）

60

50

T

A

= +125°C

下降时间（纳秒）

40

30

20

10

T

A

= +25°C

60

50

传播延迟（ NS ）

40

50

T

A

= +125°C

上升时间（纳秒）

40

30

20

10

T

A

= -40°C

0

4

6

8

10

12

14

T

A

= +25°C

T

A

= +125°C

T

A

= +25°C

30

20

10

T

A

= -40°C

T

A

= -40°C

0

16

4

6

8

10

12

14

16

0

4

6

8

10

12

14

16

电源电压（ V）

传播延迟时间，

高到低 - 电源电压

(C

L

= 5000pF ）

MAX5054 toc04

I

DD -SW

电源电流

- 电源电压

占空比= 50 ％

V

DD

= 15V ，C

L

= 0

1通道切换

MAX5054 toc05

电源电流与电源电压

90

80

电源电流（mA ）

70

60

50

40

30

20

10

100kHz

50kHz

1MHz

500kHz

占空比= 50 ％

V

DD

= 15V ，C

L

=为4700pF

1通道切换

MAX5054 toc06

60

50

传播延迟（ NS ）

40

30

20

10

0

4

6

8

10

12

14

T

A

= -40°C

T

A

= +25°C

T

A

= +125°C

6

I

DD -SW

电源电流（mA ）

5

4

3

2

1

0

100

1MHz

500kHz

100kHz

50kHz

0

4

6

8

10

12

14

16

4

6

8

10

12

14

16

电源电压（ V）

16

电源电压（ V）

4

_______________________________________________________________________________________

MAX5054 toc03

60

4A ， 20ns的，双MOSFET驱动器

典型工作特性（续）

(T

A

= + 25 ℃，除非另有说明。）

I

DD -SW

电源电流

与温度的关系

MAX5054 toc07

MAX5054–MAX5057

输入阈值电压

- 电源电压

MAX5054 toc08

输入阈值电压

- 电源电压

TTL输入VERSIONS

MAX5054 toc09

4.0

3.5

电源电流（mA ）

3.0

2.5

2.0

1.5

1.0

-50

-25

0

25

50

75

100

V

DD

= 15V,

F = 250kHz的，C

L

= 0

占空比= 50 ％

两个通道切换

10

9

输入门限电压（ V）

8

7

6

5

4

3

2

1

0

V

IN

落下

V

IN

升起

MAX5054AATA

（ CMOS输入）

3.0

输入门限电压（ V）

2.5

2.0

1.5

1.0

V

IN

升起

V

IN

落下

0.5

0

125

4

6

8

10

12

14

16

4

6

8

10

12

14

16

温度（℃）

电源电压（ V）

电源电流与逻辑输入

电压（输入低到高）

MAX5054 toc10

电源电流与逻辑输入

电压（输入高至低）

MAX5054 toc11

电源电流与逻辑输入

电压（输入低到高）

MAX5054AATA （ CMOS输入）

V

DD

= 15V

4

电源电流（mA ）

MAX5054 toc12

500

TTL输入VERSIONS

V

DD

= 15V

400

电源电流（ μA ）

500

TTL输入VERSIONS

V

DD

= 15V

400

电源电流（ μA ）

5

300

3

200

2

100

1

0

2

4

6

8

10

12

14

16

逻辑输入电压（ V）

0

2

4

6

8

10

12

14

16

逻辑输入电压（ V）

0

2

4

6

8

10

12

14

16

逻辑输入电压（ V）

电源电流与逻辑输入

电压（输入高至低）

MAX5054AATA （ CMOS输入）

V

DD

= +15V

4

电源电流（mA ）

MAX5054 toc13

延迟失配IN_ +之间

和IN_- TO OUT_与温度

输出下降

4

延迟失配（ NS ）

2

0

-2

-4

-6

产量提升

MAX5054 toc14

延迟失配IN_ +之间

和IN_- TO OUT_与温度

MAX5054 toc15

5

6

4

延迟失配（ NS ）

2

0

-2

-4

-6

输出下降

产量提升

3

2

1

MAX5054AATA （ CMOS输入）

V

DD

= 4.5V ，C

L

= 10,000pF

-50

-25

0

25

50

75

100

125

MAX5054AATA （ CMOS输入）

V

DD

= 15V ，C

L

= 10,000pF

-50

-25

0

25

50

75

100

125

0

2

4

6

8

10

12

14

16

逻辑输入电压（ V）

温度（℃）

_______________________________________________________________________________________

5

19-3348 ;转3 ; 3/11

4A ， 20ns的，双MOSFET驱动器

概述

在MAX5054 - MAX5057双，高速MOSFET

驱动源和吸收高达4A的峰值电流。这些

器件具有20ns的快速传播延迟和20ns的

上升和下降时间，同时驱动5000pF的电容

负载。传播延迟时间最小化，并且匹配

反相和同相输入端之间

通道之间。高级采购/吸入峰值电流

租金，低传输延迟和高热效

封装使得MAX5054 - MAX5057理想用于高

频率和高功率电路。

从4V的MAX5054 - MAX5057工作于15V单

电源和消耗的电源电流40μA （典型值）

在不切换。这些器件具有内部逻辑

电路，防止直通输出时的状态

的变化，以尽量减少工作电流在高

开关频率。逻辑输入保护

对尖峰电压高达+ 18V ，不管V的

DD

电压。 MAX5054A是其中唯一具有唯一版本

CMOS输入逻辑电平，而MAX5054B / MAX5055 /

MAX5056 / MAX5057具有TTL输入逻辑电平。

在MAX5055 - MAX5057提供双组合

反相，双路同相和反相/同相

输入驱动。该MAX5054提供反相和

每个驱动器同相输入端更大的灵活性。他们

采用8引脚TDFN （采用3mm x 3mm ），标准SO ，

和耐热增强型SO封装。这些设备

工作在-40°C汽车级温度范围

至+ 125°C 。

o

4V至15V单电源供电

o

4A峰值源出/吸入驱动电流

o

为20ns （典型值）传输延迟

o

匹配之间的延迟和反相

同相输入端

o

匹配的传播延迟之间的两个

频道

o

V

DD

/ 2 CMOS逻辑输入（ MAX5054AATA ）

o

TTL逻辑输入

(MAX5054B/MAX5055/MAX5056/MAX5057)

o

0.1× V

DD

（ CMOS ）和0.3V （ TTL ）逻辑输入

迟滞

o

高达+ 18V的逻辑输入（无论V的

DD

电压）

o

低输入电容： 2.5pF的（典型值）

o

40μA （典型值）的静态电流

o

-40 ° C至+ 125 ° C工作温度范围

o

8引脚TDFN和SO封装

特点

MAX5054–MAX5057

订购信息

部分

MAX5054AATA+

MAX5054AATA/V+

MAX5054BATA+

MAX5055AASA+

MAX5055BASA+

MAX5056AASA+

MAX5056BASA+

MAX5057AASA+

温度

范围

PIN的

包

顶部

标志

AGS

BMF

AGR

—

应用

功率MOSFET开关

开关模式电源

DC- DC转换器

电机控制

电源模块

-40 ° C至+ 125°C 8 TDFN -EP *

-40 ° C至+ 125°C 8 SO- EP *

-40 ° C至+ 125°C 8 SO

-40 ° C至+ 125°C 8 SO- EP *

-40 ° C至+ 125°C 8 SO

-40 ° C至+ 125°C 8 SO- EP *

典型工作电路

V

IN

V

OUT

MAX5054

V

DD

INA +

OUTA

INA-

MAX5057BASA+

-40 ° C至+ 125°C 8 SO

* EP

=裸焊盘。

/ VDenotes

汽车合格一部分。

+表示

一个铅（Pb ） - 免费/符合RoHS标准的封装。

INB +

OUTB

PWM IN

INB-

GND

选型指南和引脚配置在结束

数据表。

________________________________________________________________

1

对于定价，交付和订购信息，请联系美信/达拉斯直接！在

1-888-629-4642 ，或访问Maxim的网站www.maxim-ic.com 。

4A ， 20ns的，双MOSFET驱动器

MAX5054–MAX5057

绝对最大额定值

（电压参考GND ）。

V

DD

.................................................. .............................- 0.3V至+ 18V

INA + ， INA- ， INB + ， INB- ......................................... ......- 0.3V至+ 18V

OUTA ， OUTB ............................................... ....- 0.3V至（V

DD

+ 0.3V)

OUTA ， OUTB短路持续时间........................................ 10毫秒

连续源出/吸入电流在OUT_ （P

D

＆ LT ; P

DMAX

） ..... 200毫安

连续功率耗散（T

A

= +70°C)

8引脚TDFN -EP （减免18.2mW / ° C以上+ 70 ° C） ........ 1454mW

8引脚SO -EP （减免19.2mW / ° C以上+ 70 ° C） ... ........ 1538mW

8引脚SO （减免5.9mW / ° C以上+ 70 ° C） ... .................. 471mW

工作温度范围..............................- 40 ° C至+ 125°C

存储温度范围.................................- 65 ° C至+ 150°C

结温................................................ ........... + 150°C

焊接温度（焊接， 10秒） ...................................... + 300℃

焊接温度（回流） ............................................ + 260℃

超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数和功能

该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件，操作不暗示。接触

绝对最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。

封装热特性（注1 ）

8 TDFN -EP

结点至环境热阻（ θ

JA

)...............+41°C/W

结到外壳热阻（ θ

JC

)......................+8°C/W

8 SO

结点至环境热阻（ θ

JA

)................+132°C/W

结到外壳热阻（ θ

JC

).......................+40°C/W

8 SO- EP

结点至环境热阻（ θ

JA

)..................+41°C/W

结到外壳热阻（ θ

JC

)......................+7°C/W

注1 ：

封装的热电阻是用在JEDEC规范JESD51-7记载的方法得到，使用的是四

层板。有关封装的热注意事项的详细信息，请参阅

www.maxim-ic.com/thermal-tutorial 。

电气特性

(V

DD

= 4V至15V ，T

A

= -40° C到+ 125 ℃，除非另有说明。典型值是在V

DD

= 15V和T

A

= + 25°C 。）（注2 ）

参数

电源

V

DD

工作范围

V

DD

欠压锁定

V

DD

欠压锁定

迟滞

V

DD

欠压锁定

输出延迟

I

DD

V

DD

电源电流

I

DD -SW

驱动器输出（ SINK ）

驱动器输出电阻拉

下

峰值输出电流（沉没）

输出电压低

闭锁保护

I

LUP

V

DD

= 15V,

I

OUT-

= -100mA

V

DD

= 4.5V,

I

OUT-

= -100mA

T

A

= +25°C

T

A

= +125°C

T

A

= +25°C

T

A

= +125°C

V

DD

= 4.5V

V

DD

= 15V

400

1.1

1.5

2.2

3.0

4

0.45

0.24

1.8

2.4

3.3

4.5

A

V

mA

INA- = 0V ， INB + = V

DD

= 15V,

INA + = INB-两个通道的切换

为250kHz ，C

L

= 0F

1

2.4

4

mA

V

DD

升起

INA- = INB- = V

DD

,

INA + = INB + = 0V

（不切换）

V

DD

= 4V

V

DD

= 15V

V

DD

UVLO

V

DD

升起

4

3.00

3.50

200

12

28

40

55

A

75

15

3.85

V

mV

s

符号

条件

民

典型值

最大

单位

R

ON -N

I

PK -N

V

DD

= 15V ，C

L

= 10,000pF

I

OUT-

= -100mA

反向电流I

OUT-

（注2 ）

2

_______________________________________________________________________________________

4A ， 20ns的，双MOSFET驱动器

电气特性（续）

(V

DD

= 4V至15V ，T

A

= -40° C到+ 125 ℃，除非另有说明。典型值是在V

DD

= 15V和T

A

= + 25°C 。）（注2 ）

参数

驱动器输出（ SOURCE ）

驱动器输出电阻拉

Up

峰值输出电流（采购）

V

DD

= 15V,

I

OUT-

= 100毫安

V

DD

= 4.5V,

I

OUT-

= 100毫安

T

A

= +25°C

T

A

= +125°C

T

A

= +25°C

T

A

= +125°C

V

DD

-

0.55

V

DD

-

0.275

0.7 x

V

DD

2.1

0.3 x

V

DD

0.8

0.1 x

V

DD

0.3

-1

+0.1

2.5

C

L

= 1000pF的

OUT_上升时间

t

R

C

L

= 5000pF

C

L

= 10,000pF

C

L

= 1000pF的

OUT_下降时间

导通延迟时间

打开-O FF延迟时间

t

F

t

D- ON

t

D- OFF

C

L

= 5000pF

C

L

= 10,000pF

C

L

= 10,000pF （注3）

C

L

= 10,000pF （注3）

C

L

= 1000pF的

OUT_上升时间

t

R

C

L

= 5000pF

C

L

= 10,000pF

C

L

= 1000pF的

OUT_下降时间

导通延迟时间

打开-O FF延迟时间

t

F

t

D- ON

t

D- OFF

C

L

= 5000pF

C

L

= 10,000pF

C

L

= 10,000pF （注3）

C

L

= 10,000pF （注3）

18

10

4

18

32

4

15

26

20

7

37

85

7

30

75

35

70

ns

34

ns

+1

A

pF

V

1.5

1.9

2.75

3.75

4

2.1

2.75

4

5.5

A

符号

条件

民

典型值

最大

单位

MAX5054–MAX5057

R

ON -P

I

PK -P

V

DD

= 15V ，C

L

= 10,000pF

V

DD

= 4.5V

输出电压高

I

OUT-

= 100毫安

V

DD

= 15V

V

逻辑输入

（注4 ）

MAX5054A

逻辑1输入电压

V

IH

MAX5054B/MAX5055/MAX5056/MAX5057

（注5 ）

MAX5054A

MAX5054B/MAX5055/MAX5056/MAX5057

逻辑输入滞后

逻辑输入电流泄漏

输入电容

C

IN

V

HYS

MAX5054A

MAX5054B/MAX5055/MAX5056/MAX5057

INA + ， INB + ， INA- ， INB- = 0V或V

DD

V

逻辑0输入电压

V

IL

V

开关特性的V

DD

= 15V

（图1）

开关特性的V

DD

= 4.5V

（图1）

_______________________________________________________________________________________

3

4A ， 20ns的，双MOSFET驱动器

MAX5054–MAX5057

电气特性（续）

(V

DD

= 4V至15V ，T

A

= -40° C到+ 125 ℃，除非另有说明。典型值是在V

DD

= 15V和T

A

= + 25°C 。）（注1 ）

参数

匹配特性

从匹配的传播延迟

反相和同相输入

输出

不匹配的传播延迟

通道A和通道B之间

t

开 - 关

V

DD

= 15V ，C

L

= 10,000pF

V

DD

= 4.5V ，C

L

= 10,000pF

t

A-B

V

DD

= 15V ，C

L

= 10,000pF

V

DD

= 4.5V ，C

L

= 10,000pF

2

ns

4

1

2

ns

符号

条件

民

典型值

最大

单位

注2 ：

注3 ：

注4 ：

注5 ：

所有设备都100 ％在T测试

A

= + 25°C 。规格在-40 ° C至+ 125 ° C的设计保证。

限制由设计保证，未经生产测试。

逻辑输入阈值在V测试

DD

= 4V和V

DD

= 15V.

TTL降低噪声抗扰度兼容。

典型工作特性

(T

A

= + 25 ℃，除非另有说明。）

传播延迟时间，

低到高 - 电源电压

(C

L

= 5000pF ）

MAX5054 toc02

上升时间与电源电压

(C

L

= 5000pF ）

MAX5054 TOC01

下降时间与电源电压

(C

L

= 5000pF ）

60

50

T

A

= +125°C

下降时间（纳秒）

40

30

20

10

T

A

= +25°C

60

50

传播延迟（ NS ）

40

50

T

A

= +125°C

上升时间（纳秒）

40

30

20

10

T

A

= -40°C

0

4

6

8

10

12

14

T

A

= +25°C

T

A

= +125°C

T

A

= +25°C

30

20

10

T

A

= -40°C

T

A

= -40°C

0

16

4

6

8

10

12

14

16

0

4

6

8

10

12

14

16

电源电压（ V）

传播延迟时间，

高到低 - 电源电压

(C

L

= 5000pF ）

MAX5054 toc04

I

DD -SW

电源电流

- 电源电压

占空比= 50 ％

V

DD

= 15V ，C

L

= 0

1通道切换

MAX5054 toc05

电源电流与电源电压

90

80

电源电流（mA ）

70

60

50

40

30

20

10

100kHz

50kHz

1MHz

500kHz

占空比= 50 ％

V

DD

= 15V ，C

L

=为4700pF

1通道切换

MAX5054 toc06

60

50

传播延迟（ NS ）

40

30

20

10

0

4

6

8

10

12

14

T

A

= -40°C

T

A

= +25°C

T

A

= +125°C

6

I

DD -SW

电源电流（mA ）

5

4

3

2

1

0

100

1MHz

500kHz

100kHz

50kHz

0

4

6

8

10

12

14

16

4

6

8

10

12

14

16

电源电压（ V）

16

电源电压（ V）

4

_______________________________________________________________________________________

MAX5054 toc03

60

4A ， 20ns的，双MOSFET驱动器

典型工作特性（续）

(T

A

= + 25 ℃，除非另有说明。）

I

DD -SW

电源电流

与温度的关系

MAX5054 toc07

MAX5054–MAX5057

输入阈值电压

- 电源电压

MAX5054 toc08

输入阈值电压

- 电源电压

TTL输入VERSIONS

MAX5054 toc09

4.0

3.5

电源电流（mA ）

3.0

2.5

2.0

1.5

1.0

-50

-25

0

25

50

75

100

V

DD

= 15V,

F = 250kHz的，C

L

= 0

占空比= 50 ％

两个通道切换

10

9

输入门限电压（ V）

8

7

6

5

4

3

2

1

0

V

IN

落下

V

IN

升起

MAX5054AATA

（ CMOS输入）

3.0

输入门限电压（ V）

2.5

2.0

1.5

1.0

V

IN

升起

V

IN

落下

0.5

0

125

4

6

8

10

12

14

16

4

6

8

10

12

14

16

温度（℃）

电源电压（ V）

电源电流与逻辑输入

电压（输入低到高）

MAX5054 toc10

电源电流与逻辑输入

电压（输入高至低）

MAX5054 toc11

电源电流与逻辑输入

电压（输入低到高）

MAX5054AATA （ CMOS输入）

V

DD

= 15V

4

电源电流（mA ）

MAX5054 toc12

500

TTL输入VERSIONS

V

DD

= 15V

400

电源电流（ μA ）

500

TTL输入VERSIONS

V

DD

= 15V

400

电源电流（ μA ）

5

300

3

200

2

100

1

0

2

4

6

8

10

12

14

16

逻辑输入电压（ V）

0

2

4

6

8

10

12

14

16

逻辑输入电压（ V）

0

2

4

6

8

10

12

14

16

逻辑输入电压（ V）

电源电流与逻辑输入

电压（输入高至低）

MAX5054AATA （ CMOS输入）

V

DD

= +15V

4

电源电流（mA ）

MAX5054 toc13

延迟失配IN_ +之间

和IN_- TO OUT_与温度

输出下降

4

延迟失配（ NS ）

2

0

-2

-4

-6

产量提升

MAX5054 toc14

延迟失配IN_ +之间

和IN_- TO OUT_与温度

MAX5054 toc15

5

6

4

延迟失配（ NS ）

2

0

-2

-4

-6

输出下降

产量提升

3

2

1

MAX5054AATA （ CMOS输入）

V

DD

= 4.5V ，C

L

= 10,000pF

-50

-25

0

25

50

75

100

125

MAX5054AATA （ CMOS输入）

V

DD

= 15V ，C

L

= 10,000pF

-50

-25

0

25

50

75

100

125

0

2

4

6

8

10

12

14

16

逻辑输入电压（ V）

温度（℃）

_______________________________________________________________________________________

5