低电压，相位反转
模拟开关
MAX4528
绝对最大额定值
（电压参考GND）
V + ................................................. ............................- 0.3V至13V
V -................................................ ...............................- 13V至0.3V
V +至V- .............................................. .......................- 0.3V至13V
所有其他引脚（注1 ） .......................... （ V- - 0.3V ）至（V + + 0.3V ）
连续电流到任何终端.............................. ± 20毫安
峰值电流到任何终端
（脉冲在1毫秒， 10 ％占空比） ................................... ± 50毫安
每个方法3015.7 ESD .............................................. .... >2000V
连续功率耗散（T
A
= + 70 ° C） （注2 ）
塑料DIP （减免9.09mW / ° C以上+ 70 ° C） ............ 727mW
SO （减免5.88mW / ° C以上+ 70 ° C） ......................... 471mW
μMAX （减免4.10mW / ° C以上+ 70 ° C） ....................为330mW
工作温度范围
MAX4528C_ _ ................................................ ..... 0 ° C至+ 70°C
MAX4528E_ _ ................................................ ..- 40 ° C至+ 85°C
存储温度范围.............................- 65 ° C至+ 150°C
焊接温度（焊接， 10秒） ............................. + 300℃
注1 ：
在中，A， B，X ，或Y信号超过V +或V-由内部二极管钳位。限正向二极管电流最大
电流额定值。
注2 ：
所有引线焊接或焊接到印刷电路板。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数和功能
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件，操作不暗示。接触
绝对最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。
电气特性： ± 5V双电源
(V+ = 5V, V- = -5V, V
INH
= 2.4V, V
INL
= 0.8V ，T
A
= T
民
给T
最大
中，除非另有说明。典型值是在T
A
= +25°C.)
参数
模拟开关
模拟信号范围
A-X ，A -Y ，B -X ， B-Y
导通电阻
A-X ，A -Y ，B -X ， B-Y
导通电阻匹配（注5 ）
A-X ，A -Y ，B -X ， B-Y
导通电阻平坦度（注6 ）
A- B，X -Y漏电流
（注7 ）
逻辑输入
IN输入逻辑阈值高
IN输入逻辑阈值低
输入电流逻辑高
或低
V
INH
V
INL
I
INH
,
I
INL
V
IN-
= 0.8V或2.4V
C，E
C，E
C，E
0.8
-1
1.6
1.6
0.03
1
2.4
V
V
A
V
A
, V
B
,
V
X
, V
Y
R
ON
R
ON
R
平（ON）的
I
A
, I
B
,
I
X
, I
Y
（注4 ）
V
A
= V
B
= -3V ，我
A
= I
B
= 1毫安
V
A
= V
B
= -3V ，我
A
= I
B
= 1毫安
V
A
= V
B
= 3V, 0V, -3V;
I
A
= I
B
= 1毫安
V+ = 5.5V; V- = -5.5V; V
IN
= 0V, 3V;
–
V
A
= ±4.5V; V
B
= +4.5V
C，E
+25°C
C，E
+25°C
C，E
+25°C
C，E
+25°C
C，E
-0.5
-20
0.01
9
3
V-
70
V+
110
130
7
9
15
17
0.5
20
V
nA
符号
条件
T
A
民
典型值
（注3）
最大
单位
SWITCH动态特性
转换时间
突破前先延时
电荷注入（注4 ）
A-X ，A -Y ，B -X ， B-Y电容
A-X ，A -Y ，B -X ， B-Y隔离
（注8）
t
TRANS
t
BBM
Q
C
ON
V
ISO
V
A
= V
B
= ±3V, V+ = 5V, V- = -5V,
R
L
= 300Ω ，图3中
V
A
= V
B
= ±3V, V+ = 5V, V- = -5V,
R
L
= 300Ω ，图4中
C
L
= 1.0nF ，V
A
或V
B
= 0V ，图5中
V
A
= V
B
= GND ， F = 1MHz时，图6
R
L
= 50, C
L
= 15pF的， F = 1MHz时，
V
A
= V
B
= 1V
RMS
图7
+25°C
C，E
+25°C
C，E
+25°C
+25°C
+25°C
1
13
-68
5
1
20
70
100
125
ns
ns
pC
pF
dB
2
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