1Gbps至11.3Gbps , SFP +激光驱动器
激光阻抗不匹配公差
MAX3946
绝对最大额定值
V
CC
, V
CCT
, V
CCD
................................................- 0.3 V至+ 4.0V
目前进入TOUT +和TOUT -.................................... + 100毫安
目前进入TIN +和锡............................. -20mA至+ 20毫安
电压范围为+锡,锡,
DISABLE , SDA , SCL , CSEL ,故障,
BMAX和BMON ................................ -0.3V到(V
CC
+ 0.3V)
电压范围在BIAS .............................................. ..........- 0.3V至V
CC
电压范围在TOUT +和TOUT- .... (V
CC
- 1.3V )至(Ⅴ
CC
+ 1.3V)
目前进入BIAS ............................................... .......................... + 130毫安
连续功率耗散(T
A
= + 70NC )
TQFN (减免27.8mW / NC以上+ 70NC ) .................. 2222mW
存储温度范围.......................... -55NC至+ 150°C
芯片粘接温度............................................... .. + 400NC
焊接温度(焊接, 10秒) ................................ + 300NC
焊接温度(回流) ...................................... + 260NC
超出“绝对最大额定值”,强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数和功能
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件,操作不暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。
封装热特性(注1 )
TQFN
结至环境热阻(Q
JA
) .......... 36 ° C / W
结到外壳热阻(Q
JC
) ................. 3 ° C / W
注1 :
封装的热电阻是用在JEDEC规范JESD51-7记载的方法得到,使用的是四
层板。有关封装的热注意事项的详细信息,请参阅
www.maxim-ic.com/thermal-tutorial 。
电气特性
(V
CC
= + 2.85V至+ 3.63V ,T
A
= -40 ° C至+ 85°C ,和图1。保证设计和特性从T
A
= -40 ° C至+ 95°C 。
典型值是在V
CC
= + 3.3V ,我
BIAS
= 60毫安,我
MOD
= 40毫安, 25I差分输出负载,以及T
A
= + 25 ° C,除非另有
注意。 ) (注2 )
参数
电源
电源电流
电源电压
电源噪声
上电复位
V
CC
为使高
V
CC
为使能低
数据输入规格
输入数据速率
差分输入电压
差分输入电阻
差分输入回波损耗
共模输入回波
损失
偏置发生器
最大偏置电流
I
BIASMAX
目前进入BIAS引脚,禁用=低,
TX_EN =高
80
mA
V
IN
R
IN
SDD11
SCC11
接通电源后, F单元
P
10GHz
供电部分上, 1GHz的
P
f
P
10GHz
TXEQ_EN =高,发射幅值成
FR4传输线
P
5.5in
TXEQ_EN =低
1
0.19
0.15
75
100
12
10
10
11.3
0.7
1.0
125
I
dB
dB
Gbps的
V
P-P
2.3
2.55
2.45
2.75
V
V
I
CC
V
CC
DC至10MHz
10MHz至20MHz的
不包括输出电流通过克斯特
最终上拉电感(注3 )
2.85
68
90
3.63
100
10
mA
V
mV
P-P
符号
条件
民
典型值
最大
单位
2
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