19-3561 ;冯0 ; 1/05
MAX2160评估套件
概述
在MAX2160评估板（EV kit）简化了测试 -
荷兰国际集团和MAX2160单段的评价
ISDB -T调谐器。该评估套件完全组装和
在工厂测试。标准的50Ω SMA连接器
包括评估板上的输入和输出
可以在测试平台上快速，简单的评估。
本文件提供了所需的设备的列表
评估设备，一个简单的测试程序
验证功能，评估板电路的描述，
电路原理图，材料套件清单（BOM ）
和艺术品的PC板的每一层。
在MAX2160的简易评价
50Ω SMA连接器
所有关键外围器件包括
完全安装和测试
PC控制软件（可在www.maxim-
ic.com ）
特点
评价： MAX2160
订购信息
部分
MAX2160EVKIT
温度范围
-40 ° C至+ 85°C
IC封装
40薄型QFN -EP *
* EP
=裸露焊盘。
组件列表
称号
C1, C14, C15,
C20–C24, C34,
C35, C36, C38,
C39
C2
C3, C4, C5,
C7–C10, C12,
C16, C17, C19
C6, C18
C11
C13
C25, C26
C27
C28
C29
C30
C31, C32, C33
数量
13
描述
0.01F
±10%
陶瓷电容器
(0402)
村田GRM155R71E103K
27pF
±5%
陶瓷电容器（ 0402 ）
村田GRM1555C1H270J
100pF
±5%
陶瓷电容器
(0402)
村田GRM1555C1H101J
1000pF的陶瓷电容器（ 0402 ）
村田GRM155R71H102K
0Ω电阻器（ 0402 ）
未安装
1F
±10%
陶瓷电容器（ 0402 ）
村田GRM155R60J105K
0.1F
±10%
陶瓷电容器（ 0402 ）
村田GRM155R71C104K
0.047μF陶瓷电容（ 0402 ）
村田GRM155R71A473K
470pF
±5%
陶瓷电容器（ 0402 ）
村田GRM1555C1H471J
220pF
±5%
陶瓷电容器（ 0402 ）
村田GRM1555C1H221J
10F
±10%
钽电容（C
案例）
AVX TAJC106K016
470nF
±10%
陶瓷电容器
(0402)
村田GRM155R60J474K
边缘安装SMA连接器，圆形
往来
约翰逊142-0701-801
称号
J4
J6
J7
J7, J27
J10
J11, J12
J13–J17,
TP1–TP4
J18–J26
数量
1
0
1
2
0
2
9
描述
DB25连接器，直角男
AMP 747238-4
2针的线报头0.100in中心
SULLINS PTC36SAAN
2针的线报头0.100in中心
SULLINS PTC36SAAN
短接跳线
SULLINS STC02SYAN
示波器探头
泰克131-4244-00
（未安装）
PC -安装SMA连接器
约翰逊142-0701-201
迷你红色测试点
梯形5000
2针直插头， 0.100in
中心
SULLINS PTC36SAAN
（未安装）
3针直插头， 0.100in中心
SULLINS PTC36SAAN
10nH
±5%
电感器（ 0402 ）
村田LQG15HN10NJ00
（未安装）
0Ω电阻（ 0402 ）
未安装
4.7k
±5%
电阻器（ 0402 ）
20k
±5%
电阻器（ 0402 ）
1.2k
±5%
电阻器（ 0402 ）
1
11
2
1
0
2
1
1
1
1
3
0
J27
L1
R1, R2, R4, R6,
R7, R8, R18,
R27, R28, R31,
R33
R3, R5, R19
R9–R13, R32
R16, R17
R20
1
0
11
0
6
2
1
C37
J1, J2, J3, J5,
J8, J9
1
6
________________________________________________________________
Maxim Integrated Products版权所有
1
对于定价，交付和订购信息，请联系美信/达拉斯直接！在
1-888-629-4642 ，或访问Maxim的网站www.maxim-ic.com 。
MAX2160评估套件
评价： MAX2160
元件列表（续）
称号
R21, R22
R23, R24, R26
R29, R30
U1
U2
U3
数量
描述
2
5.6k
±5%
电阻器（ 0402 ）
3
10k
±5%
电阻器（ 0402 ）
2
49.9
±1%
电阻器（ 0402 ）
ISDB -T接收器MAX2160 40针
1
TQFN
马克西姆MAX2160ETL
六角缓冲器/驱动器的14引脚SO
1
德州仪器SN74LV07ADR
高速，单电源，轨到轨
1
缓冲器MAX4217采用8引脚μMAX
马克西姆MAX4217EUA
16MHz的表面贴装晶体
1
京瓷Kineski公司
CX3225SB16000D0FLJ08
连接与设置
本节提供了一步一步的指导，测试
评估板的基本功能。
不要打开DC
电源或射频信号发生器，直到所有的连接
完成：
1）确认所有需要的跳线到位（见
表1）。
2）在其输出禁用，设置在直流电源
至+ 2.85V 。将电源连接到VCC
（通过如果需要的安培计）和GND端子
评估板。如果有的话，设定限流
到75毫安。
3 ）凭借其输出禁用，设置双输出DC
电源电压为+ 3V和-3V 。连
电源支持的+ 3V ， -3V和GND端子
J15 ， J17 ， J16和分别帘布层跳线。如果
可设置的电流限制至50mA 。
4 ）由于其输出禁用，设置RF信号发生器
TOR到767.143MHz频率和-60dBm
功率电平。连接的RF信号的输出
发电机J5评估板上。
5 ）连接的PC的25针并口电缆
并行端口和MAX2160评估板。
6 ）打开±3V电源，接着
+ 2.85V电源。从电源电流
+ 2.85V电源应为约44毫安。
一定要调整电源要占
横跨电流表任何电压降。
7 ）调整电位器R16和R17 ，直至电压
年龄在GC1和GC2约为1.5V 。
8 ）安装并运行MAX2160的控制软件。
软件可供下载的马克西姆
网站www.maxim-ic.com 。
9）从控制加载缺省寄存器设置
软件通过单击默认选项卡的顶部
在屏幕上。
10 ） I或Q输出端连接到频谱
分析装置，或连接I和Q输出给
示波器。
11 ）使RF信号发生器的输出。
12 ）如果使用频谱分析仪，设置中心频
分析仪571kHz和跨度的昆西
100kHz的。设置参考电平至0dBm 。增加
所述信号发生器的输入功率，直到输出
放水平达到-2dBm 。这是额定输出
电平为I和Q信道。的增益
接收器可以通过取的差值来计算
在输入和输出功率之间的分贝。
Y1
μMAX是Maxim Integrated的注册商标。
产品公司
元件供应商
供应商
电话
网站
AVX
803-946-0690 www.avxcorp.com
约翰逊
507-833-8822 www.johnsoncomponents.com
村田
770-436-1300 www.murata.com
注意：
表明您联系时使用MAX2160
这些供应商。
快速入门
在MAX2160评估板完全组装和工厂
测试。请按照说明进行操作
连接和
格局
部分正确的设备评价。
测试设备要求
一个电源能够提供至少
500毫安， + 2.85V
一个双输出电源能够提供在
最少500mA电流输出为+ 3V和-3V
能够提供至少的一个RF信号发生器
输出功率在频率为0dBm高达1GHz
一个RF频谱分析仪能够覆盖的
该装置的工作频率范围
一台PC（ 486DX33或更好）与Windows 95/98 ， 2000 ，
NT 4.0或更高版本的操作系统， 64MB内存，
和可用的并行端口
一个25针并口电缆
（可选）一个多通道数字示波器
（可选）网络分析仪测量回波损耗
（可选）一个电流表测量电源电流
Windows是微软公司的注册商标。
2
_______________________________________________________________________________________
MAX2160评估套件
如果使用一台示波器，观察571kHz正弦
波。增加信号的输入功率gener-
员，直到I和Q输出达到0.5V
P-P
。这是
标称输出电平为I和Q信道。
I和Q的波形将是失相由
大约90°。
电压增益可由下式计算：
增益= 20× LOG （V
OUT_P -P
/ （2×的sqrt （2） x垂直
IN_RMS
) )
其中，V
IN_RMS
=
√(
50 x 10
[ （引脚（ DBM） - 30 ） / 10 ]
)
RF增益控制范围（ GC1 ）
为了测量在RF级的增益控制范围，遵循
下面的步骤：
1）调整R17使V
GC2
= 1.5V.
2）调整R16使V
GC1
= 0.3V.
3）调整RF输入功率达到-2dBm在
I / Q输出。记下此为参考的输出电平。
4 ）调整R16直到V
GC1
= 2.7V ，并记录
改变到I / Q输出电平用dB相对
-2dBm 。这种变化在输出功率为GAIN-
RF级的控制范围。
5）该RF增益控制范围将至少38分贝。
基带增益控制范围（ GC2 ）
来测量在基带中的增益控制范围
现阶段，按照下面的步骤：
1）调整R16使V
GC1
= 1.5V.
2）调整R17使V
GC2
= 0.3V.
3）调整RF输入功率达到-2dBm在
I / Q输出。记下此为参考的输出电平。
4 ）调整R17直到V
GC2
= 2.7V ，并记录变化
在I / Q输出电平以dB为单位相对于-2dBm 。这
变化时的输出功率为的增益控制范围
基带阶段。
5）然后，基带增益控制范围将至少
57dB.
J7
此外，地面回报的VCO ， VTUNE ，
和电荷泵需要特殊布局的考虑。
该VCOBYP电容器（ C37 ）和VCCVCO旁通
电容（ C19 ）接地回路必须路由回
在GNDVCO脚，然后连接到整体
接地平面在该点（ GNDVCO ） 。所有的环路滤波器
部分理由（ C27 - C30 ）和VCCCP
旁路电容（ C17 ）地面必须全部路由
一起回GNDCP销。 GNDTUNE还必须
被路由回GNDCP销连同所有其它
理由是从PLL环路滤波器。该GNDCP引脚必须
然后被连接到总接地平面。看
图2-6为推荐的电路板布局。
评价： MAX2160
表1. MAX2160评估板跳线设置
跨接器
功能
跳线位置
OPEN ： ENTCXO引脚控制
设置控制
由PC软件。
在ENTCXO
SHORT ： ENTCXO引脚被拉低
针
（除去R 31在该模式下） 。
OPEN： GC2被控制用
外部电压源施加到
设置控制
TP4 （在此模式下删除R18 ） 。
在GC2销
简短内容： GC2被控制
电压电位器R17设置。
OPEN ： VCC1通过VCC9可以
单独应用。
制定短期的控制：通过VCC9 VCC1是
VCC1通过连接到主板的主
VCC9
电源电压VCC。 （注：这些
跳线硬连线的短
在黑板上。 ）
1-2： GC1是由控制
电压电位器R16设置。
设置控制
2-3： GC1由RF控制
该GC1引脚
功率检测器的输出（功率
探测器必须启用） 。
J6
J18–J26
J27
布局的注意事项
在MAX2160评估板可以作为一个参考
电路板布局。保持走线携带的射频信号越短
可以最小化辐射和插入损耗。地方
供应去耦电容尽量靠近器件的
可能。均匀地焊接封装的裸露焊盘到
板地平面低电感接地CON-
nection和改善热耗散。
_______________________________________________________________________________________
3
MAX2160评估套件
评价： MAX2160
TP3
J10
R21
5.6k
R22
5.6k
J4
VCC9
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
40
39
38
37
J4-7
J4-8
J4-9
J4-10
J4-11
C17
100pF
VCC7
J4-2
J4-3
J4-4
J4-5
J1
C20
0.01uF
R19
开放
R24
10k
C28
0.047uF
R20
1.2k
C27
0.1uF
C29
470pF
C30
220pF
C19
100pF
VCC6
C37
470nF
+3V
R27
0
R28
0
C24
0.01uF
V
C26
1uF
36
35
34
33
32
31
J12
J11
R29
49.9
C25
1uF
J8
17
18
VCCP
CPOUT
TEST
VCCVCO
GnDcP
VTUNE
GNDTUNE
GNDVCO
VCOBYP
N.C
19
20
21
22
23
24
25
Y1
16MHz
747238-4
C4
100pF
6
C5
100pF
U2-C
5
6
R1
0
VCC9
7
4
C3
VCC8
100pF
5
J3
R3
开放
R2
0
R11
4.7k
J2
C1
0.01uF
C2
27pF
1
N.C
U3
N.C
30
VCC5
C16
100pF
R23
10k
OUTA
INA-
INA +
C22
0.01uF
V
-3V
CC
J9
2
TCXO
VCCBB
29
OUTB
INB-
INB +
R30
49.9
3
XTAL
GNDbb
28
EE
GNDXTAL
U1
VCCxtal
QOUT
27
C23 MAX4217EUA
0.01uF
GNDbb
26
C21
0.01uF
XTALOUT
MAX2160
IOUT
25
VCCDIG
N.C
24
TP4
+3V
R26
10k
J7
R18
0
C15
0.01uF
VCC
VCC1
J4-2
+3V
8
SDA
GC2
23
74LV07A
R4
0
R5
开放
R6
0
U2-E
10
11
R13
4.7k
+3V
9
SCL
VCCBIAS
PWRDET
VCCLNA
ENTCXO
VCCFLT
22
RFIN
SHDN
74LV07A
R8
4
0
12
13
14
15
16
17
18
19
U2-B
3
20
11
R12
4.7k
C18
1000pF
GC1
J4-11
VCCMX
10
LTC
N.C
N.C
21
R17
20k
N.C
J4-3
R31
0
VCC1
VCC2
VCC3
C9
100pF
VCC4
J6
开放
VCC2
J18
+
VCC3
J19
C31
10uF
C35
0.01uF
J13
74LV07A
R10
4.7k
J4-10
R7
0
12
U2-F
13
R9
4.7k
R33
0
C38
0.01uF
J14
C10
100pF
VCC4
VCC5
J20
J21
+3V
J15
VCC6
J22
J23
+
C32
10uF
C34
0.01uF
J16
R16
20k
VCC8
J24
C7
100pF
C8
100pF
74LV07A
U2-A
J4-4
1
2
TP1
TP2
74LV07A
U2-D
J4-5
+3V
9
8
R32
4.7k
3
2
1
J27 + 3V
VCC7
74LV07A
J5
C11
短
C12
100pF
C14
0.01uF
VCC9
J25
+
C33
10uF
C36
0.01uF
J17
C39
0.01uF
C6
1000pF
L1
开放
J26
-3V
C13
开放
图1. MAX2160评估板原理图
4
_______________________________________________________________________________________
MAX2160评估套件
评价： MAX2160
1.0"
图2. MAX2160评估板PC板布局，元件布局
_______________________________________________________________________________________
5
19-0068 ;转3 ; 12/05
IT
TION
VALUA
E
BLE
AVAILA
ISDB -T单段低中频调谐器
概述
该MAX2160 / EBG调谐器IC是专为使用
日本移动数字电视（ ISDB-T：单段）
应用程序。该器件直接转换UHF频段
信号到低IF使用宽带I / Q downconvert-
呃。工作频率范围从延伸
470MHz的至770MHz 。
该MAX2160 / EBG既支持I / Q低IF接口
以及单低IF接口，使得设备
各种数字解调器IC的通用调谐器
实现。
在MAX2160 / EBG包括一个低噪声放大器， RF可变增益
放大器，I和Q下变频混频器，低IF可变
增益放大器和带通滤波器提供的过量的
42分贝镜像抑制。该器件能够operat-的
荷兰国际集团与任一高侧或低侧本地振荡器（ LO）的
注入。该MAX2160 / EBG的可变增益放大器亲
韦迪超过增益控制范围和100dB 。
该MAX2160 / EBG还包括一个完全集成的VCO
和振荡电路，以及一个完整的频率同步
thesizer 。该器件包括一个晶振，以及
作为一个单独的TCXO输入缓冲器。该器件工作
与XTAL / TCXO振荡器的13MHz的至26MHz
让一个VC- TCXO的蜂窝手工共同使用
一套应用程序。另外，除法器提供了一种用于
在XTAL / TCXO振荡器，因此简单和低
接口的成本为各种信道解码器。
该MAX2160 / EBG是从指定的操作
-40 ° C至+ 85°C ，并采用40引脚薄型QFN铅
免费塑料封装，带有裸焊盘（EP ） ，并在
无铅晶片级封装（WLP ） 。
特点
低噪声系数： < 4分贝典型
高动态范围： -98dBm至0dBm
高端或低端LO注入
集成的VCO和谐振槽路
低LO相位噪声：典型-88dBc / Hz的在10kHz
集成的频率合成器
集成带通滤波器
52dB典型镜频抑制
MAX2160/MAX2160EBG
单+ 2.7V至+ 3.3V电源电压
三种低功耗模式
两线制，我
2
C *兼容的串行控制接口
非常小的无铅WLP封装
引脚配置/
功能图
GNDTUNE
GNDVCO
VCCVCO
VCOBYP
32
顶视图
GnDcP
VCCCP
CPOUT
TEST
VTUNE
40
北卡罗来纳州1
TCXO 2
XTAL 3
GNDXTAL 4
VCCXTAL 5
XTALOUT 6
39
38
37
36
35
34
坦克
33
31
30北卡罗来纳州
频率
合成
北卡罗来纳州
29 VCCBB
北卡罗来纳州28
27 QOUT
26 GNDBB
25 IOUT
24北卡罗来纳州
23 GC2
22 ENTCXO
21北卡罗来纳州
20
VCCFLT
DIV4
ADC
÷
应用
手机移动电视
个人数字助理（PDA ）
掌上电视
接口逻辑
与控制
VCCDIG 7
SDA 8
SCL 9
MAX2160
PWRDET
EP
订购信息
部分
MAX2160ETL
温度范围
-40 ° C至+ 85°C
PIN- PACKAGE
40薄型QFN -EP **
（采用6mm x 6mm ）
40薄型QFN -EP **
（采用6mm x 6mm ）
WLP
（ 3.175毫米X
3.175mm)
PKG
CODE
T4066-2
LTC 10
11
北卡罗来纳州
12
VCCBIAS
13
RFIN
14
SHDN
15
北卡罗来纳州
16
VCCLNA
17
GC1
18
VCCMX
19
PWRDET
TQFN
引脚配置/功能图继续在年底
数据表。
T4066-2
MAX2160ETL + -40 ° C至+ 85°C
MAX2160EBG+
-40 ° C至+ 85°C
B08133+1
+表示
无铅封装。
** EP
=裸露焊盘。
*购买
我
2
从美信集成产品C产品
公司或其从属授权关联公司，传达1
飞利浦的我根据许可
2
C专利使用这些命
在I ponents
2
空调系统，该系统提供的符合
给我
2
C标准规范由飞利浦定义。
________________________________________________________________
Maxim Integrated Products版权所有
1
对于定价，交付和订购信息，请联系美信/达拉斯直接！在
1-888-629-4642 ，或访问Maxim的网站www.maxim-ic.com 。
ISDB -T单段低中频调谐器
MAX2160/MAX2160EBG
绝对最大额定值
所有VCC_引脚与GND ............................................- 0.3V至+ 3.6V
所有其他引脚与GND .................................- 0.3V至（V
CC
+ 0.3V)
RFIN ，最大射频输入功率.................................... + 10dBm的
ESD额定值................................................ .............................千伏
短路持续时间
IOUT ， QOUT ， CPOUT ， XTALOUT ， PWRDET ， SDA ，
TEST ， LTC ， VCOBYP ............................................. .............. 10秒
注意！
ESD敏感器件
连续功率耗散（T
A
= +70°C)
40引脚薄型QFN封装（减免35.7mW / ° C以上+ 70 ° C） .... 2857mW
WLP （减免10.8mW / ° C以上+ 70 ° C） ......................... 704mW
工作温度范围...........................- 40 ° C至+ 85°C
结温................................................ ...... + 150°C
存储温度范围.............................- 65 ° C至+ 150°C
焊接温度（焊接， 10秒） ............... + 300℃
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数和功能
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件，操作不暗示。接触
绝对最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。
DC电气特性
（ MAX2160评估板，V
CC
= + 2.7V至+ 3.3V ，V
GC1
= V
GC2
= 0.3V （最大增益） ，在RFIN ，基带I没有RF输入信号/ O是开放的
短路和VCO是积极和f
LO
= 767.714MHz ，寄存器按照推荐的默认寄存器设置条件
表2-11 ，T
A
= -40° C到+ 85 ℃，除非另有说明。典型值是在V
CC
= + 2.85V ，T
A
= + 25 ° C，除非另有
注意。 ） （注1 ）
参数
供应
电源电压
接收模式，
SHDN
= V
CC
， BBL [1： 0] = 00
电源电流（请参阅表15
和16）
待机模式下，位STBY = 1
掉电模式下，位PWDN = 1 ，环保署= 0
关断模式，
SHDN
= GND
模拟增益控制输入（ GC1 ， GC2 ）
输入电压范围
输入偏置电流
VCO调谐电压输入（ VTUNE ）
输入电压范围
VTUNE ADC
决议
输入电压范围
110 111
101 110
100至101
参考梯形跳变点
ADC读取位
011 100
010 011
001 010
000 001
锁定时间恒定输出（ LTC ）
源出电流
位LTC = 0
LTC位= 1
1
2
A
0.3
V
CC
- 0.4
1.9
1.7
1.3
0.9
0.6
0.4
V
3
2.4
位
V
0.4
2.3
V
最大增益= 0.3V
0.3
-15
2.7
+15
V
A
2.7
2.85
44
2
5
0
3.3
53.5
4
40
10
V
mA
A
条件
民
典型值
最大
单位
2
_______________________________________________________________________________________
ISDB -T单段低中频调谐器
直流电气特性（续）
（ MAX2160评估板，V
CC
= + 2.7V至+ 3.3V ，V
GC1
= V
GC2
= 0.3V （最大增益） ，在RFIN ，基带I没有RF输入信号/ O是开放的
短路和VCO是积极和f
LO
= 767.714MHz ，寄存器按照推荐的默认寄存器设置条件
表2-11 ，T
A
= -40° C到+ 85 ℃，除非另有说明。典型值是在V
CC
= + 2.85V ，T
A
= + 25 ° C，除非另有
注意。 ） （注1 ）
参数
关断控制（ SHDN ）
输入逻辑电平高
输入逻辑电平低
2线串行输入（ SCL ， SDA ）
时钟频率
输入逻辑电平高
输入逻辑电平低
输入漏电流
2线串行输出（ SDA ）
输出逻辑电平低
0.2
V
数字输入= GND或V
CC
±0.1
0.7× V
CC
0.3× V
CC
±1
400
千赫
V
V
A
0.7× V
CC
0.3× V
CC
V
V
条件
民
典型值
最大
单位
MAX2160/MAX2160EBG
AC电气特性
（ MAX2160评估板，V
CC
= + 2.7V至+ 3.3V ，女
RF
= 767.143MHz ，女
LO
= 767.714MHz ，女
BB
= 571kHz ，女
XTAL
= 16MHz时，V
GC1
= V
GC2
= 0.3V
（最大增益） ，寄存器按照表2-11 ， RF输入信号的默认推荐注册条件设定试样
田间，基带输出负载指定，T
A
= -40° C到+ 85 ℃，除非另有说明。典型值是在V
CC
= +2.85V,
T
A
= + 25 ℃，除非另有说明。 ） （注1）
参数
主信号路径性能
输入频率范围
最小输入信号
最大电压增益
最小电压增益
RF增益控制范围
基带增益控制范围
带内输入IP3
出带外输入IP3
输入IP2
输入P
1dB
噪声系数
镜像抑制
最小RF输入回波损耗
LO泄漏RFIN
IF功率检测器
决议
最小RF进攻点
最大RF攻击点
探测器的带宽
输出顺从电压范围
响应时间
C
14
= 10nF的
功率RFIN
功率RFIN
3分贝射频带宽
0.3
0.1
3
-62
-48
±35
2.7
位
DBM
DBM
兆赫
V
ms
f
RF
=了620MHz ， 50Ω系统
13段输入
CW信号，V
GC1
= V
GC2
= 0.3V ，位MOD = 1
CW信号，V
GC1
= V
GC2
= 2.7V ，位MOD = 0
0.3V ＆ LT ; V
GC1
＆ LT ; 2.7V
0.3V ＆ LT ; V
GC2
＆ LT ; 2.7V
（注2 ）
（注3）
（注4 ）
CW信号，V
GC1
= V
GC2
= 2.7V ，位MOD = 0
V
GC1
= V
GC2
= 0.3V ，T
A
= + 25 ° C（注5 ）
42
38
57
43
67
+4
+16.7
+16
0
3.8
52
14
-100
5
104
2
470
-98
770
兆赫
DBM
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
DBM
dB
dB
dB
DBM
条件
民
典型值
最大
单位
_______________________________________________________________________________________
3
ISDB -T单段低中频调谐器
MAX2160/MAX2160EBG
AC电气特性（续）
（ MAX2160评估板，V
CC
= + 2.7V至+ 3.3V ，女
RF
= 767.143MHz ，女
LO
= 767.714MHz ，女
BB
= 571kHz ，女
XTAL
= 16MHz时，V
GC1
= V
GC2
= 0.3V
（最大增益） ，寄存器按照表2-11 ， RF输入信号的默认推荐注册条件设定试样
田间，基带输出负载指定，T
A
= -40° C到+ 85 ℃，除非另有说明。典型值是在V
CC
= +2.85V,
T
A
= + 25 ℃，除非另有说明。 ） （注1）
参数
LOW- IF带通滤波器
中心频率
频率响应（注5 ）
群延迟变化
额定输出电压摆幅
的I / Q幅度不平衡
I / Q正交相位不平衡
输出增益步
I / Q输出阻抗
频率合成器
射频分频器频率范围
RF-分频范围（ N）
参考分频器频率
范围
参考分频器范围（ R）
相位检测器比较
频率
PLL -简称相位噪声楼
比较频杂散
制品
T
A
= + 25 ° C，F
COMP
= 285.714kHz
位EPB = 1
位的CP [1： 0] = 00
电荷泵输出电流
（注5 ）
位的CP [1： 0] = 01
位的CP [1：0 ] = 10
位的CP [1： 0] = 11
电荷泵合规
范围
电荷泵源/漏
电流匹配
± 10 ％的波动电流VTUNE = 1.35V
VTUNE = 1.35V
1.25
1.75
2.10
2.50
0.4
-10
470
829
13
22
1/7
-155
-52
1.5
2.0
2.5
3
1.75
2.25
2.90
3.50
2.2
+10
V
%
mA
770
5374
26
182
4/7
兆赫
dBc的/赫兹
dBc的
兆赫
兆赫
位MOD过渡从0到1
真正
O
+7
30
± 380kHz的中心频率偏移
1.3MHz
截至1分贝带宽
R
负载
= 10kΩ的|| 10pF的
（注6 ）
-6
-36
±100
0.5
±1.5
±2
571
-1.5
千赫
dB
ns
V
P-P
dB
度
dB
条件
民
典型值
最大
单位
基带输出特性
4
_______________________________________________________________________________________
ISDB -T单段低中频调谐器
AC电气特性（续）
（ MAX2160评估板，V
CC
= + 2.7V至+ 3.3V ，女
RF
= 767.143MHz ，女
LO
= 767.714MHz ，女
BB
= 571kHz ，女
XTAL
= 16MHz时，V
GC1
= V
GC2
= 0.3V
（最大增益） ，寄存器按照表2-11 ， RF输入信号的默认推荐注册条件设定试样
田间，基带输出负载指定，T
A
= -40° C到+ 85 ℃，除非另有说明。典型值是在V
CC
= +2.85V,
T
A
= + 25 ℃，除非另有说明。 ） （注1）
参数
保证VCO频率
范围
保证LO频率
范围
调谐电压范围
f
OFFSET
= 1kHz时
LO相位噪声
0.4V < VTUNE < 2.3V ，
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
f
OFFSET
= 10kHz的
f
OFFSET
= 100kHz的
f
OFFSET
= 1MHz的
晶振输入（ TCXO和XTAL ）
晶振频率
范围
XTAL最小负
阻力
XTAL标称输入电容
TCXO输入电平
TCXO最小输入阻抗
参考振荡器缓冲器的输出（ XTALOUT ）
输出频率范围
输出缓冲器分频器范围
输出电压摆幅
输出负载
输出占空比
输出阻抗
1
1
0.7
200 || 4
50
160
26
26
V
P-P
kΩ的|| pF的
%
兆赫
AC耦合正弦波输入
0.4
10
并联谐振模式的晶体
16MHz的< F
XTAL
< 18MHz的（注5 ）
13
885
13.3
1.5
26
兆赫
pF
V
P-P
k
条件
民
典型值
最大
单位
MAX2160/MAX2160EBG
压控振荡器和LO产生
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
1880
470
0.4
-80
-87.5
-107
-128
dBc的/赫兹
3080
770
2.3
兆赫
兆赫
V
注1 ：
在T最小值和最大值进行产品测试
A
= + 25℃和+ 85℃ 。最小和最大限制在T
A
= -40是由担保
设计和特性。默认寄存器设置不生产测试;加载所有的寄存器不早于100μs的
上电后。
注2 ：
带内的IIP3的测量条件为两个音调在f
LO
- 在100kHz和f
LO
- 在200kHz时的-23dBm /音的功率电平。 GC1被设定为
最大衰减（V
GC1
= 2.7V）和GC2被调整，以达到250mV的
P-P
/基调为输入的I / Q输出所需
-23dBm的水平。
注3 ：
外的频带的IIP3的测量条件为两个音调在f
RF
+为6MHz和f
RF
+ 12MHz时为-15dBm /音调的功率电平。 GC1设置
为最大衰减（V
GC1
= 2.7V）和GC2被调整，以达到0.5V
P-P
在对一个输入所需水平的I / Q输出
的-50dBm 。 F
RF
被设置为767MHz + 1 / 7MHz的= 767.143MHz 。
注4 ：
GC1被设置为最大衰减（Ⅴ
GC1
= 2.7V ） 。 GC2被调整以得到标称的I / Q输出电压电平（ 0.5V
P-P
)
对于在f一-50dBm需要的铃声
RF
= 550MHz的。两个音， 220MHz的770MHz和在-15dBm /音，然后注入和
571kHz的IM2电平进行测量（以550.571MHz LO），在I / Q输出与IP2然后计算。
注5 ：
通过设计和特性保证。
注6 ：
并保证在T测试
A
= + 25 ° C和+ 85°C而已。
_______________________________________________________________________________________
5
19-0068 ;第5版; 10/09
KIT
ATION
EVALU
BLE
AVAILA
ISDB -T单段低中频调谐器
概述
该MAX2160 / EBG调谐器IC是专为使用
日本移动数字电视（ ISDB-T：单段）
应用程序。该器件直接转换UHF频段
信号到低IF使用宽带I / Q downconvert-
呃。工作频率范围从延伸
470MHz的至770MHz 。
该MAX2160 / EBG既支持I / Q低IF接口
以及单低IF接口，使得设备
各种数字解调器IC的通用调谐器
实现。
在MAX2160 / EBG包括一个低噪声放大器， RF可变增益
放大器，I和Q下变频混频器，低IF可变
增益放大器和带通滤波器提供的过量的
42分贝镜像抑制。该器件能够operat-的
荷兰国际集团与任一高侧或低侧本地振荡器（ LO）的
注入。该MAX2160 / EBG的可变增益放大器亲
韦迪超过增益控制范围和100dB 。
该MAX2160 / EBG还包括一个完全集成的VCO
和振荡电路，以及一个完整的频率同步
thesizer 。该器件包括一个晶振，以及
作为一个单独的TCXO输入缓冲器。该器件工作
与XTAL / TCXO振荡器的13MHz的至26MHz
让一个VC- TCXO的蜂窝手工共同使用
一套应用程序。另外，除法器提供了一种用于
在XTAL / TCXO振荡器，因此简单和低
接口的成本为各种信道解码器。
该MAX2160 / EBG是从指定的操作
-40 ° C至+ 85°C ，并提供40引脚（采用6mm x 6mm ）
薄型QFN无铅塑料封装，带有裸pad-
DLE （EP） ，并在一个3.175毫米X 3.175毫米无铅圆片
级封装（WLP ） 。
特点
低噪声系数： < 4分贝典型
高动态范围： -98dBm至0dBm
高端或低端LO注入
集成的VCO和谐振槽路
低LO相位噪声：典型-88dBc / Hz的在10kHz
集成的频率合成器
集成带通滤波器
52dB典型镜频抑制
单+ 2.7V至+ 3.3V电源电压
三种低功耗模式
两线制，我
2
C兼容串行控制接口
非常小的无铅WLP封装
MAX2160/MAX2160EBG
引脚配置/
功能图
GNDTUNE
GNDVCO
VCCVCO
VCOBYP
32
顶视图
GnDcP
VCCCP
CPOUT
TEST
VTUNE
40
北卡罗来纳州1
TCXO 2
XTAL 3
GNDXTAL 4
VCCXTAL 5
XTALOUT 6
39
38
37
36
35
34
坦克
33
31
30北卡罗来纳州
频率
合成
北卡罗来纳州
29 VCCBB
北卡罗来纳州28
27 QOUT
26 GNDBB
25 IOUT
24北卡罗来纳州
23 GC2
22 ENTCXO
21北卡罗来纳州
20
VCCFLT
DIV4
ADC
÷
手机移动电视
个人数字助理（PDA ）
掌上电视
接口逻辑
与控制
应用
VCCDIG 7
SDA 8
SCL 9
LTC 10
MAX2160
PWRDET
EP
11
北卡罗来纳州
12
VCCBIAS
13
RFIN
14
SHDN
15
北卡罗来纳州
16
VCCLNA
17
GC1
18
VCCMX
19
PWRDET
订购信息
部分
MAX2160ETL
MAX2160ETL+
MAX2160EBG+
温度范围
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
PIN- PACKAGE
40薄型QFN -EP *
40薄型QFN -EP *
WLP
TQFN
引脚配置/功能图继续在年底
数据表。
+表示
一个铅（Pb ） - 免费/符合RoHS标准的封装。
* EP
=裸露焊盘。
________________________________________________________________
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1
对于定价，交付和订购信息，请联系马克西姆直接在1-888-629-4642 ，
或访问Maxim的网站www.maxim-ic.com 。
ISDB -T单段低中频调谐器
MAX2160/MAX2160EBG
绝对最大额定值
所有VCC_引脚与GND ............................................- 0.3V至+ 3.6V
所有其他引脚与GND .................................- 0.3V至（V
CC
+ 0.3V)
RFIN ，最大射频输入功率.................................... + 10dBm的
ESD额定值................................................ ........................... ± 1kV的
短路持续时间
IOUT ， QOUT ， CPOUT ， XTALOUT ， PWRDET ， SDA ，
TEST ， LTC ， VCOBYP ............................................. .............. 10秒
注意！
ESD敏感器件
连续功率耗散（T
A
= +70°C)
40引脚薄型QFN封装（减免35.7mW / ° C以上+ 70 ° C） .... 2857mW
WLP （减免10.8mW / ° C以上+ 70 ° C） ......................... 704mW
工作温度范围...........................- 40 ° C至+ 85°C
结温................................................ ...... + 150°C
存储温度范围.............................- 65 ° C至+ 150°C
焊接温度（焊接， 10秒） ............... + 300℃
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数和功能
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件，操作不暗示。接触
绝对最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。
DC电气特性
（ MAX2160评估板，V
CC
= + 2.7V至+ 3.3V ，V
GC1
= V
GC2
= 0.3V （最大增益） ，在RFIN ，基带I没有RF输入信号/ O是开放的
短路和VCO是积极和f
LO
= 767.714MHz ，寄存器按照推荐的默认寄存器设置条件
表2-11 ，T
A
= -40° C到+ 85 ℃，除非另有说明。典型值是在V
CC
= + 2.85V ，T
A
= + 25 ° C，除非另有
注意。 ） （注1 ）
参数
供应
电源电压
接收模式，
SHDN
= V
CC
， BBL [1： 0] = 00
电源电流（请参阅表15
和16）
待机模式下，位STBY = 1
掉电模式下，位PWDN = 1 ，环保署= 0
关断模式，
SHDN
= GND
模拟增益控制输入（ GC1 ， GC2 ）
输入电压范围
输入偏置电流
VCO调谐电压输入（ VTUNE ）
输入电压范围
VTUNE ADC
决议
输入电压范围
110 111
101 110
100至101
参考梯形跳变点
ADC读取位
011 100
010 011
001 010
000 001
锁定时间恒定输出（ LTC ）
源出电流
位LTC = 0
LTC位= 1
1
2
A
0.3
V
CC
- 0.4
1.9
1.7
1.3
0.9
0.6
0.4
V
3
2.4
位
V
0.4
2.3
V
最大增益= 0.3V
0.3
-15
2.7
+15
V
A
2.7
2.85
44
2
5
0
3.3
53.5
4
40
10
V
mA
A
条件
民
典型值
最大
单位
2
_______________________________________________________________________________________
ISDB -T单段低中频调谐器
直流电气特性（续）
（ MAX2160评估板，V
CC
= + 2.7V至+ 3.3V ，V
GC1
= V
GC2
= 0.3V （最大增益） ，在RFIN ，基带I没有RF输入信号/ O是开放的
短路和VCO是积极和f
LO
= 767.714MHz ，寄存器按照推荐的默认寄存器设置条件
表2-11 ，T
A
= -40° C到+ 85 ℃，除非另有说明。典型值是在V
CC
= + 2.85V ，T
A
= + 25 ° C，除非另有
注意。 ） （注1 ）
参数
关断控制（ SHDN ）
输入逻辑电平高
输入逻辑电平低
2线串行输入（ SCL ， SDA ）
时钟频率
输入逻辑电平高
输入逻辑电平低
输入漏电流
2线串行输出（ SDA ）
输出逻辑电平低
0.2
V
数字输入= GND或V
CC
±0.1
0.7× V
CC
0.3× V
CC
±1
400
千赫
V
V
A
0.7× V
CC
0.3× V
CC
V
V
条件
民
典型值
最大
单位
MAX2160/MAX2160EBG
AC电气特性
（ MAX2160评估板，V
CC
= + 2.7V至+ 3.3V ，女
RF
= 767.143MHz ，女
LO
= 767.714MHz ，女
BB
= 571kHz ，女
XTAL
= 16MHz时，V
GC1
= V
GC2
= 0.3V
（最大增益） ，寄存器按照表2-11 ， RF输入信号的默认推荐注册条件设定试样
田间，基带输出负载指定，T
A
= -40° C到+ 85 ℃，除非另有说明。典型值是在V
CC
= +2.85V,
T
A
= + 25 ℃，除非另有说明。 ） （注1）
参数
主信号路径性能
输入频率范围
最小输入信号
最大电压增益
最小电压增益
RF增益控制范围
基带增益控制范围
带内输入IP3
出带外输入IP3
输入IP2
输入P
1dB
噪声系数
镜像抑制
最小RF输入回波损耗
LO泄漏RFIN
IF功率检测器
决议
最小RF进攻点
最大RF攻击点
探测器的带宽
输出顺从电压范围
响应时间
C
14
= 10nF的
功率RFIN
功率RFIN
3分贝射频带宽
0.3
0.1
3
-62
-48
±35
2.7
位
DBM
DBM
兆赫
V
ms
f
RF
=了620MHz ， 50Ω系统
13段输入
CW信号，V
GC1
= V
GC2
= 0.3V ，位MOD = 1
CW信号，V
GC1
= V
GC2
= 2.7V ，位MOD = 0
0.3V ＆ LT ; V
GC1
＆ LT ; 2.7V
0.3V ＆ LT ; V
GC2
＆ LT ; 2.7V
（注2 ）
（注3）
（注4 ）
CW信号，V
GC1
= V
GC2
= 2.7V ，位MOD = 0
V
GC1
= V
GC2
= 0.3V ，T
A
= + 25 ° C（注5 ）
42
38
57
43
67
+4
+16.7
+16
0
3.8
52
14
-100
5
102
4
470
-98
770
兆赫
DBM
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
DBM
dB
dB
dB
DBM
条件
民
典型值
最大
单位
_______________________________________________________________________________________
3
ISDB -T单段低中频调谐器
MAX2160/MAX2160EBG
AC电气特性（续）
（ MAX2160评估板，V
CC
= + 2.7V至+ 3.3V ，女
RF
= 767.143MHz ，女
LO
= 767.714MHz ，女
BB
= 571kHz ，女
XTAL
= 16MHz时，V
GC1
= V
GC2
= 0.3V
（最大增益） ，寄存器按照表2-11 ， RF输入信号的默认推荐注册条件设定试样
田间，基带输出负载指定，T
A
= -40° C到+ 85 ℃，除非另有说明。典型值是在V
CC
= +2.85V,
T
A
= + 25 ℃，除非另有说明。 ） （注1）
参数
LOW- IF带通滤波器
中心频率
频率响应（注5 ）
群延迟变化
额定输出电压摆幅
的I / Q幅度不平衡
I / Q正交相位不平衡
输出增益步
I / Q输出阻抗
频率合成器
射频分频器频率范围
RF-分频范围（ N）
参考分频器频率
范围
参考分频器范围（ R）
相位检测器比较
频率
PLL -简称相位噪声楼
比较频杂散
制品
T
A
= + 25 ° C，F
COMP
= 285.714kHz
位EPB = 1
位的CP [1： 0] = 00
电荷泵输出电流
（注5 ）
位的CP [1： 0] = 01
位的CP [1：0 ] = 10
位的CP [1： 0] = 11
电荷泵合规
范围
电荷泵源/漏
电流匹配
± 10 ％的波动电流VTUNE = 1.35V
VTUNE = 1.35V
1.25
1.65
2.10
2.50
0.4
-10
470
829
13
22
1/7
-155
-52
1.5
2.0
2.5
3
1.75
2.35
2.90
3.50
2.2
+10
V
%
mA
770
5374
26
182
4/7
兆赫
dBc的/赫兹
dBc的
兆赫
兆赫
位MOD过渡从0到1
真正
O
+7
30
± 380kHz的中心频率偏移
1.3MHz
截至1分贝带宽
R
负载
= 10kΩ的|| 10pF的
（注6 ）
-6
-36
±100
0.5
±1.5
±2
571
-1.5
千赫
dB
ns
V
P-P
dB
度
dB
Ω
条件
民
典型值
最大
单位
基带输出特性
4
_______________________________________________________________________________________
ISDB -T单段低中频调谐器
AC电气特性（续）
（ MAX2160评估板，V
CC
= + 2.7V至+ 3.3V ，女
RF
= 767.143MHz ，女
LO
= 767.714MHz ，女
BB
= 571kHz ，女
XTAL
= 16MHz时，V
GC1
= V
GC2
= 0.3V
（最大增益） ，寄存器按照表2-11 ， RF输入信号的默认推荐注册条件设定试样
田间，基带输出负载指定，T
A
= -40° C到+ 85 ℃，除非另有说明。典型值是在V
CC
= +2.85V,
T
A
= + 25 ℃，除非另有说明。 ） （注1）
参数
保证VCO频率
范围
保证LO频率
范围
调谐电压范围
f
OFFSET
= 1kHz时
LO相位噪声
0.4V < VTUNE < 2.3V ，
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
f
OFFSET
= 10kHz的
f
OFFSET
= 100kHz的
f
OFFSET
= 1MHz的
晶振输入（ TCXO和XTAL ）
晶振频率
范围
XTAL最小负
阻力
XTAL标称输入电容
TCXO输入电平
TCXO最小输入阻抗
参考振荡器缓冲器的输出（ XTALOUT ）
输出频率范围
输出缓冲器分频器范围
输出电压摆幅
输出负载
输出占空比
输出阻抗
1
1
0.7
200 || 4
50
160
26
26
V
P-P
kΩ的|| pF的
%
Ω
兆赫
AC耦合正弦波输入
0.4
10
并联谐振模式的晶体
16MHz的< F
XTAL
< 18MHz的（注5 ）
13
885
13.3
1.5
26
兆赫
Ω
pF
V
P-P
kΩ
条件
民
典型值
最大
单位
MAX2160/MAX2160EBG
压控振荡器和LO产生
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
1880
470
0.4
-80
-87.5
-107
-128
dBc的/赫兹
3080
770
2.3
兆赫
兆赫
V
注1 ：
在T最小值和最大值进行产品测试
A
= + 25℃和+ 85℃ 。最小和最大限制在T
A
= -40是由担保
设计和特性。默认寄存器设置不生产测试;加载所有的寄存器不早于100μs的
上电后。
注2 ：
带内的IIP3的测量条件为两个音调在f
LO
- 在100kHz和f
LO
- 在200kHz时的-23dBm /音的功率电平。 GC1被设定为
最大衰减（V
GC1
= 2.7V）和GC2被调整，以达到250mV的
P-P
/基调为输入的I / Q输出所需
-23dBm的水平。
注3 ：
外的频带的IIP3的测量条件为两个音调在f
RF
+为6MHz和f
RF
+ 12MHz时为-15dBm /音调的功率电平。 GC1设置
为最大衰减（V
GC1
= 2.7V）和GC2被调整，以达到0.5V
P-P
在对一个输入所需水平的I / Q输出
的-50dBm 。 F
RF
被设置为767MHz + 1 / 7MHz的= 767.143MHz 。
注4 ：
GC1被设置为最大衰减（Ⅴ
GC1
= 2.7V ） 。 GC2被调整以得到标称的I / Q输出电压电平（ 0.5V
P-P
)
对于在f一-50dBm需要的铃声
RF
= 550MHz的。两个音， 220MHz的770MHz和在-15dBm /音，然后注入和
571kHz的IM2电平进行测量（以550.571MHz LO），在I / Q输出与IP2然后计算。
注5 ：
通过设计和特性保证。
注6 ：
并保证在T测试
A
= + 25 ° C和+ 85°C而已。
_______________________________________________________________________________________
5
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