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19-4293 ;冯0 ; 10/08
双通道, SiGe,高线性度, 3000MHz的到
为4000MHz下变频混频器,带有LO缓冲器
概述
该MAX19999双通道下变频器提供
8.3分贝的转换增益, + 24dBm的输入IP3 , + 11.4dBm
1分贝输入压缩点,和一个噪声系数
10.5分贝为3000MHz的至4000MHz的WiMAX 和LTE
分集接收器的应用程序。凭借优化的LO频
2650MHz至3700MHz的昆西范围,这是调音台
适用于低端LO注入架构。
除了优异的线性度和噪声per-
formance中, MAX19999还产生了高水平
组件集成。这个装置包括两个dou-
BLE-平衡无源混频器核,两个LO缓冲器,并
一对差分IF输出放大器。集成导通
芯片巴伦允许单端RF和LO输入。
该MAX19999需要一个标称0dBm的LO驱动
和388毫安的典型电源电流在V
CC
= +5.0V
或279毫安在V
CC
= +3.3V.
该MAX19999的管脚与MAX19997A兼容
1800MHz至2900MHz混频器和引脚与同类
MAX19985 / MAX19985A和MAX19995 / MAX19995A
系列中的700MHz至2200MHz混频器,这使得
下变频混频器应用的理想选择全家
相同PCB布局的使用跨越多个
频带。
该MAX19999采用紧凑的6mm x 6mm ,
36引脚薄型QFN封装,带有裸焊盘。
保证电气性能在扩展
温度范围内,从T
C
= -40 ° C至+ 85°C 。
o
o
o
o
o
o
o
o
o
o
o
o
o
o
特点
3000MHz的至4000MHz RF频率范围
2650MHz至3700MHz LO频率范围
50MHz至500MHz的IF频率范围
8.3分贝转换增益
+ 24dBm的输入IP3
10.5分贝噪声系数
+ 11.4dBm输入1dB压缩点
74dBc典型的2× 2杂散抑制
P
RF
= -10dBm
双通道理想用于分集接收机
应用
集成LO缓冲器
集成LO和RF非平衡变压器支持单端
输入
-3dBm至+ 3dBm的LO驱动
引脚兼容于MAX19997A 1800MHz至
2900MHz混频器
销类似于MAX9995 / MAX9995A和
MAX19995 / MAX19995A 1700MHz至2200MHz
混频器和MAX9985 / MAX9985A和
MAX19985 / MAX19985A 700MHz至1000MHz
调音台
39分贝通道至通道隔离
单+ 5.0V或+ 3.3V电源
外部电流设置电阻提供选项
对于操作装置的低功耗/ Reduced-
性能模式
MAX19999
应用
3.5GHz的WiMAX和LTE基站
固定宽带无线接入
微波链接
无线本地环路
个人移动无线
军事系统
引脚配置/功能框图和典型
应用电路在数据资料的最后。
o
o
o
订购信息
部分
MAX19999ETX+
MAX19999ETX+T
温度范围
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
PIN- PACKAGE
36薄型QFN -EP *
36薄型QFN -EP *
+表示
无铅/符合RoHS标准的封装。
* EP
=裸焊盘。
T =卷带包装。
WiMAX是WiMAX论坛的商标。
________________________________________________________________
Maxim Integrated Products版权所有
1
对于定价,交付和订购信息,请联系马克西姆直接在1-888-629-4642 ,
或访问Maxim的网站www.maxim-ic.com 。
双通道, SiGe,高线性度, 3000MHz的到
为4000MHz下变频混频器,带有LO缓冲器
MAX19999
绝对最大额定值
V
CC
到GND ................................................ ...........- 0.3V至+ 5.5V
RF_ , LO至GND ............................................. ........- 0.3V至+ 0.3V
IFM_ , IFD_ , IFM_SET , IFD_SET , LO_ADJ_M ,
LO_ADJ_D到GND .................................- 0.3V至(V
CC
+ 0.3V)
RF_ , LO输入功率............................................. ......... + 15dBm的
RF_ , LO电流( RF和LO是直流接地短路
通过平衡不平衡转换器) .............................. .................. 50毫安
连续功率耗散(注1 ) .............................. 8.7W
θ
JA
(注2,注3 ) ............................................ .................. + 38 ° C / W
θ
JC
(注3 ) .............................................. ....................... 7.4 ° C / W
工作温度范围
(注4 ) ..............................................牛逼.....
C
= -40 ° C至+ 85°C
结温................................................ ...... + 150°C
存储温度范围.............................- 65 ° C至+ 150°C
焊接温度(焊接, 10秒) ............... + 300℃
注1 :
基于结点温度T
J
= T
C
+ (θ
JC
X V
CC
X我
CC
) 。此公式时,可以使用的暴露温度
垫是已知的,而该装置焊接到PCB上。见
应用信息
一节。结
温度不能超过+ 150℃。
注2 :
结温度T
J
= T
A
+ (θ
JA
X V
CC
X我
CC
) 。当印刷电路板的环境温度是该式中可以使用
众所周知的。结温度不能超过+ 150℃。
注3 :
封装的热电阻是用在JEDEC规范JESD51-7记载的方法得到,使用的是四
层板。有关封装的热注意事项的详细信息,请参阅
www.maxim-ic.com/thermal-tutorial 。
注4 :
T
C
是在封装的裸焊盘的温度。 TA是设备和印刷电路板的环境温度。
超出“绝对最大额定值”,强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数和功能
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件,操作不暗示。接触
绝对最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。
+ 5.0V电源直流电气特性
(典型
应用电路,
没有输入RF或LO信号的应用,V
CC
= + 4.75V至+ 5.25V ,T
C
= -40 ° C至+ 85°C 。典型值是在
V
CC
= + 5.0V ,T
C
= + 25 ℃,除非另有说明。 R 1 = R 4 = 750Ω ,R2 = R5 = 698Ω )。
参数
电源电压
电源电流
符号
V
CC
I
CC
总电源电流
条件
4.75
典型值
5
388
最大
5.25
420
单位
V
mA
+ 3.3V电源直流电气特性
(
典型应用电路
没有输入RF或LO信号应用,T
C
= -40 ° C至+ 85°C 。典型值是在
V
CC
= + 3.3V ,T
C
= + 25 ℃,除非另有说明。 R 1, R 4 = 1.1kΩ ; R 2, R 5 = 845Ω 。 ) (注5)
参数
电源电压
电源电流
符号
V
CC
I
CC
(注6 )
总电源电流
条件
3
典型值
3.3
279
最大
3.6
单位
V
mA
建议使用的工作条件
参数
RF频率
LO频率
符号
f
RF
f
LO
(注5,7)
(注5,7)
使用Mini -Circuits公司TC4-1W - 17 4 : 1
如在定义变压器
典型
应用电路,
IF匹配
组件会影响中频频率范围
(注5,7)
使用替代微型电路TC4-1W -7A
4 : 1的变压器,中频匹配元件
影响的IF频率范围(注5,7)
LO驱动电平
P
LO
(注7 )
条件
3000
2650
典型值
最大
4000
3700
单位
兆赫
兆赫
100
500
兆赫
IF频率
f
IF
50
-3
250
+3
DBM
2
_______________________________________________________________________________________
双通道, SiGe,高线性度, 3000MHz的到
为4000MHz下变频混频器,带有LO缓冲器
MAX19999
+ 5.0V电源AC电气特性
(典型
应用电路,
V
CC
= + 4.75V至+ 5.25V , RF和LO端口从50Ω源,P驱动
LO
= -3dBm至+ 3dBm的,
P
RF
= -5dBm ,女
RF
= 3200MHz到3900MHz ,女
LO
= 2800MHz到3600MHz ,女
IF
= 350MHz的,女
RF
& GT ; F
LO
, T
C
= -40 ° C至+ 85°C 。典型val-
UE被在V
CC
= + 5.0V ,P
RF
= -5dBm ,P
LO
=为0dBm ,女
RF
= 3550MHz ,女
LO
= 3200MHz ,女
IF
= 350MHz的,T
C
= + 25 ° C,除非另有
说明。 ) (注8)
参数
转换增益
转换增益平坦度
增益随温度变化
输入压缩点
TC
CG
IP
1dB
符号
G
C
条件
T
C
= + 25 ° C(注6,9 )
f
RF
= 3200MHz到3900MHz ,在任何
100MHz的频段
f
RF
= 3200MHz到3900MHz ,T
C
= -40 ° C至
+85°C
(注6 ,9,10 )
f
RF1
- f
RF2
= 1MHz时, P
RF
= -5dBm每个音
(注6,9 )
三阶输入截点
IIP3
f
RF
= 3550MHz ,女
RF1
- f
RF2
= 1MHz时,
P
RF
= -5dBm每个音,T
C
= +25°C
(注6,9 )
f
RF1
- f
RF2
= 1MHz的,T
C
= -40 ° C至+ 85°C
单边带,不存在阻断剂
(注5,6)
噪声系数
NF
SSB
单边带,没有阻滞剂目前,
f
RF
= 3500MHz ,T
C
= + 25 ° C(注5,6)
单边带,没有阻滞剂目前,
T
C
= -40 ° C至+ 85°C
f
BLOCKER
= 3700MHz ,P
BLOCKER
= 8dBm的,
f
RF
= 3450MHz ,女
LO
= 3100MHz ,P
LO
=为0dBm ,
V
CC
= 5.0V ,T
C
= + 25 ° C(注5 , 6 , 11 )
P
RF
= -10dBm ,
f
RF
= 3500MHz ,女
LO
=
(注5,6)
3150MHz ,女
带动
= f
LO
+
P
RF
= -5dBm ,
175MHz时,T
C
= +25°C
(注6,9 )
P
RF
= -10dBm ,
f
RF
= 3500MHz ,女
LO
=
(注5,6)
3150MHz ,女
带动
= f
LO
+
116.67MHz ,T
C
= + 25°C P
RF
= -5dBm ,
(注6,9 )
在LO和IF终止相映成
阻抗
射频和中频终止向匹配
阻抗
Z
IF
在IC的标称差分阻抗
IF输出
68
63
77
67
9.8
21.6
7.3
典型值
8.3
0.15
-0.01
11.4
24.3
DBM
22
24.3
最大
9.3
单位
dB
dB
分贝/°C的
DBM
三阶输入截点
随温度变化
±0.3
10.5
10.5
0.018
13
DBM
dB
11.5
分贝/°C的
噪声系数温度
系数
噪声系数的阻断
条件
TC
NF
NF
B
21
25
dB
74
dBc的
69
86
dBc的
76
15.4
14
200
dB
dB
2RF - 2LO杂散抑制
2x2
3RF - 3LO杂散抑制
3x3
RF输入回波损耗
LO输入回波损耗
IF输出阻抗
_______________________________________________________________________________________
3
双通道, SiGe,高线性度, 3000MHz的到
为4000MHz下变频混频器,带有LO缓冲器
MAX19999
+ 5.0V电源AC电气特性(续)
(典型
应用电路,
V
CC
= + 4.75V至+ 5.25V , RF和LO端口从50Ω源,P驱动
LO
= -3dBm至+ 3dBm的,
P
RF
= -5dBm ,女
RF
= 3200MHz到3900MHz ,女
LO
= 2800MHz到3600MHz ,女
IF
= 350MHz的,女
RF
& GT ; F
LO
, T
C
= -40 ° C至+ 85°C 。典型val-
UE被在V
CC
= + 5.0V ,P
RF
= -5dBm ,P
LO
=为0dBm ,女
RF
= 3550MHz ,女
LO
= 3200MHz ,女
IF
= 350MHz的,T
C
= + 25 ° C,除非另有
说明。 ) (注8)
参数
符号
条件
RF端接至50Ω , LO通过一个50Ω驱动
源,如果转换为使用50Ω
在图示的外部组件
典型
应用电路
典型值
最大
单位
IF输出回波损耗
18
dB
RF至IF隔离
LO泄漏的RF端口
2LO泄漏RF端口
LO泄漏IF端口
RFMAIN ( RFDIV )电源转换
在IFDIV ( IFMAIN )进行测定,相对于
IFMAIN ( IFDIV ) ,所有未使用的端口终止
为50Ω (注6,9 )
(注6,9 )
28
-31
-30
-23
-24
dB
DBM
DBM
DBM
通道隔离度
36
39
dB
+ 3.3V电源AC电气特性
(典型
应用电路,
典型值是在V
CC
= + 3.3V ,P
RF
= -5dBm ,P
LO
=为0dBm ,女
RF
= 3550MHz ,女
LO
= 3200MHz ,
f
IF
= 350MHz的,T
C
= + 25 ℃,除非另有说明。 ) (注8)
参数
转换增益
转换增益平坦度
增益随温度变化
输入压缩点
三阶输入截点
三阶输入截
随温度变化
噪声系数
噪声系数温度
系数
2RF - 2LO杂散抑制
3RF - 3LO杂散抑制
RF输入回波损耗
LO输入回波损耗
NF
SSB
TC
NF
2x2
3x3
TC
CG
IP
1dB
IIP3
f
RF1
- f
RF2
= 1MHz时, P
RF
= -5dBm每个音
f
RF1
- f
RF2
= 1MHz的,T
C
= -40 ° C至+ 85°C
单边带,不存在阻断剂
单边带,没有阻滞剂目前,
T
C
= -40 ° C至+ 85°C
f
带动
= f
LO
+ 175MHz的
f
带动
= f
LO
+ 116.67MHz
P
RF
= -10dBm
P
RF
= -5dBm
P
RF
= -10dBm
P
RF
= -5dBm
符号
G
C
f
RF
= 3200MHz到3900MHz ,在任何
100MHz的频段
f
RF
= 3200MHz到3900MHz ,T
C
= -40 ° C至
+85°C
条件
典型值
8.0
0.15
-0.01
8.4
20.3
±0.3
10.5
0.018
74
69
75
65
16
15.5
最大
单位
dB
dB
分贝/°C的
DBM
DBM
DBM
dB
分贝/°C的
dBc的
dBc的
dB
dB
在LO和IF终止相映成
阻抗
射频和中频终止向匹配
阻抗
4
_______________________________________________________________________________________
双通道, SiGe,高线性度, 3000MHz的到
为4000MHz下变频混频器,带有LO缓冲器
+ 3.3V电源AC电气特性(续)
(典型
应用电路,
典型值是在V
CC
= + 3.3V ,P
RF
= -5dBm ,P
LO
=为0dBm ,女
RF
= 3550MHz ,女
LO
= 3200MHz ,
f
IF
= 350MHz的,T
C
= + 25 ℃,除非另有说明。 ) (注8)
参数
IF输出阻抗
符号
Z
IF
条件
在IC的标称差分阻抗
IF输出
RF端接至50Ω , LO通过一个50Ω驱动
源,如果转换为使用50Ω
在图示的外部组件
典型
应用电路
典型值
200
最大
单位
MAX19999
IF输出回波损耗
19
dB
RF至IF隔离
LO泄漏的RF端口
2LO泄漏RF端口
LO泄漏IF端口
RFMAIN ( RFDIV )电源转换
在IFDIV ( IFMAIN )进行测定,相对于
IFMAIN ( IFDIV ) ,所有未使用的端口终止
至50Ω
28
-36
-34
-27
dB
DBM
DBM
DBM
通道隔离度
38.5
dB
注5 :
注6 :
注7 :
未经生产测试。
通过设计和特性保证。
此范围之外的操作是可能的,但也有一些参数的性能劣化。见
典型工作
特征
部分。
注8 :
所有的限制反映了外部元件的损失,其中包括0.9分贝损失在f
IF
= 350MHz的由于4:1阻抗反
前者。输出测量在对应的IF输出
典型应用电路。
注9 :
100 %生产测试的功能表现。
注10 :
最可靠的连续输入功率适用于RF或如果该设备的端口从50Ω源+ 12dBm时。
注11 :
测量过滤,以便本底噪声外劳源噪声-174dBm / Hz的。该规范反映的影响
所有的信噪比劣化的调音台,包括在应用笔记2021中定义的LO噪声:
规格
测量的本振噪声集成电路基站混频器。
_______________________________________________________________________________________
5
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联系人:刘先生
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