19-2142 ;转1 ; 9/02
3A ， 1MHz，DDR存储器终端电源
概述
该MAX1809是一个可逆的能量流，恒场外
时间，脉冲宽度调制（PWM） ，降压型DC-DC
转换器。它非常适用于笔记本电脑和subnote-使用
需要1.1V至5V的积极图书电脑
端接电源。该器件具有一个
内部PMOS电源开关和内部同步
整流效率高，减少了外部元件
算。内部90mΩ的PMOS电源开关和
70mΩ NMOS同步整流开关轻松实现
连续负载电流高达3A 。在MAX1809准确
得非常好跟踪一个外部参考电压时，会产生
可调输出从1.1V至V
IN
，并实现
效率高达93 ％ 。
在MAX1809采用独特的电流模式， constant-
关断时间， PWM控制方案，该方案允许输出
源或吸收电流。此功能允许能量
返回到输入电源，否则会
被浪费。可编程恒定关断时间架构设计师用手工
tecture设置开关频率高达1MHz ，允许
用户优化性能之间的权衡
效率，输出开关噪声，元件的尺寸，并且
成本。该MAX1809具有可调软启动
在启动过程中限制浪涌电流，一个100％的占空因数
模式为低压差动作，和一个低功耗的关断模式
关断模式，禁用电源开关和
减少低于1μA的电源电流。该MAX1809是
采用28引脚QFN封装，带有裸背面可用
垫， 28引脚薄型QFN封装或16引脚QSOP封装。
o
源出/吸入3A
o
± 1 ％的输出精度
o
高达1MHz的开关频率
o
93 ％的效率
o
内置PMOS / NMOS开关
90mΩ / 70mΩ导通电阻在V
IN
= 4.5V
110mΩ / 80mΩ导通电阻在V
IN
= 3V
o
1.1V至V
IN
可调输出电压
o
3V至5.5V输入电压范围
o
＆ LT ; 1μA关断电流
o
可编程恒定关断时间操作
o
热关断
o
可调节软启动浪涌电流限制
o
输出短路保护
特点
MAX1809
订购信息
部分
MAX1809EGI*
MAX1809EEE
MAX1809ETI
温度范围
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
PIN- PACKAGE
28 QFN
16 QSOP
28薄型QFN
应用
DDR存储器终端
主动终止巴士
*联系方式
厂方。
销刀豆网络gurations
SHDN
北卡罗来纳州
LX
LX
典型工作电路
V
IN
IN
MAX1809
V
CC
SHDN
V
SET
EXTREF
花花公子
REF
SS
LX
保护地
V
OUT
顶视图
28
北卡罗来纳州
27
26
25
24
北卡罗来纳州
23
北卡罗来纳州
IN
LX
IN
22
北卡罗来纳州
1
2
3
4
5
6
7
10
11
12
13
14
8
9
21
20
19
保护地
保护地
LX
LX
保护地
V
CC
GND
GND
北卡罗来纳州
MAX1809
18
17
16
15
FB
SS
EXTREF
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
花花公子
薄型QFN
引脚配置继续在数据表的末尾。
________________________________________________________________
Maxim Integrated Products版权所有
1
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GND
REF
FB
3A ， 1MHz，DDR存储器终端电源
MAX1809
绝对最大额定值
V
CC
，至GND .............................................. ..........- 0.3V至+ 6V
IN至V
CC
.............................................................................±0.3V
GND和PGND ............................................... ...................... ± 0.3V
SHDN ，
SS ， FB ，T
关闭
, R
REF
,
EXTREF到GND .......................................- 0.3V至（V
CC
+ 0.3V)
LX电流（注1 ） ............................................ ................. ± 4.7A
REF短路到地时间............................连续
连续功率耗散（T
A
= +70°C)
28引脚QFN （减免20毫瓦/ ° C以上+ 70°C ;
部分安装在1英寸
2
1盎司铜） .............................. 1.6W
高于+ 70 ℃，采用16引脚QSOP （减免12.5MW / ℃;
部分安装在1英寸
2
1盎司镀铜） ................................. 1W的
工作温度范围...........................- 40 ° C至+ 85°C
结温................................................ ...... + 150°C
存储温度范围.............................- 65 ° C至+ 150°C
焊接温度（焊接， 10秒） ............... + 300℃
注1 ：
LX具有钳位二极管，以保护地和IN 。如果连续电流通过这些二极管的应用，热限制必须是
观察到。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数和功能
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件，操作不暗示。接触
绝对最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。
电气特性
(V
IN
= V
CC
= 3.3V, V
EXTREF
= 1.1V,
T
A
= 0 ° C至+ 85°C ，
除非另有说明。典型值是在T
A
= +25°C.)
参数
输入电压
反馈电压准确度
(V
FB
- V
EXTREF
)
反馈负载调节误差
外部参考电压
范围
参考电压
参考负载调节
PMOS开关
导通电阻
NMOS开关
导通电阻
限流门限
开关频率
无负载电源电流
关断电源电流
热关断阈值
欠压锁定阈值
FB输入偏置电流
关断时间
启动关断时间
ON- TIME
t
ON
（注3）
0.35
I
FB
t
关闭
R
PMOS
R
NMOS
I
极限
f
SW
I
CC
I
IN
I
SHDN
V
FB
V
EXTREF
V
REF
I
REF
= -1μA到+ 10μA
I
LX
= 0.5A
I
LX
= 0.5A
V
IN
＆ GT ; V
LX
（注3）
f
SW
= 500kHz的
f
SW
= 500kHz的
SHDN
= GND ，我
CC
+ I
IN
滞后= 15℃
V
CC
下降，滞后= 90MV
V
FB
= V
EXTREF
+ 0.1V
R
花花公子
= 30.1k
R
花花公子
= 110k
R
花花公子
= 499k
2.5
0
0.24
0.9
3.8
1
16
<1
160
2.6
60
0.30
1.0
4.5
4×吨
关闭
2.7
250
0.37
1.1
5.2
s
s
s
15
V
IN
= 4.5V
V
IN
= 3V
V
IN
= 4.5V
V
IN
= 3V
3.5
符号
V
IN
,V
CC
V
IN
= V
CC
= 3V至5.5V ，我
负载
= 0,
V
EXTREF
= 1.25V （注2）
I
负载
= -3A至+ 3A ，V
EXTREF
= 1.25V
V
IN
= V
CC
= 3V至5.5V
V
REF
-
0.01
1.078
1.100
0.5
90
110
70
80
4.1
条件
民
3.0
-12
20
V
IN
-
1.7
1.122
2.0
200
250
150
200
4.7
1
典型值
最大
5.5
+12
单位
V
mV
mV
V
V
mV
m
m
A
兆赫
mA
A
°C
V
nA
2
_______________________________________________________________________________________
3A ， 1MHz，DDR存储器终端电源
电气特性（续）
(V
IN
= V
CC
= 3.3V, V
EXTREF
= 1.1V,
T
A
= 0 ° C至+ 85°C ，
除非另有说明。典型值是在T
A
= +25°C.)
参数
SS源电流
SS灌电流
SHDN
输入电流
SHDN
逻辑电平
最大输出RMS电流
V
IL
V
IH
I
OUT （ RMS ）
2
3.1
符号
I
SS
I
SS
V
SS
= 1V
V
SHDN
= 0, V
CC
条件
民
4
1
-1
典型值
5
50
+1
0.8
最大
6
单位
A
mA
A
V
A
RMS
MAX1809
电气特性
(V
IN
= V
CC
= 3.3V, V
EXTREF
= 1.1V,
T
A
= -40 ° C至+ 85°C ，
除非另有说明。 ） （注4）
参数
输入电压
反馈电压准确度
(V
FB
- V
EXTREF
)
外部参考电压
范围
参考电压
PMOS开关
导通电阻
NMOS开关
导通电阻
限流门限
FB输入偏置电流
关断时间
V
EXTREF
V
REF
R
PMOS
R
NMOS
I
极限
I
FB
t
关闭
I
LX
= 0.5A
I
LX
= 0.5A
V
IN
＆ GT ; V
LX
V
FB
= V
EXTREF
+ 0.1V
R
花花公子
= 110k
0.85
V
IN
= 4.5V
V
IN
= 3V
V
IN
= 4.5V
V
IN
= 3V
3.3
符号
V
IN
, V
CC
V
IN
= V
CC
= 3V至5.5V ，我
负载
= 0,
V
EXTREF
= 1.25V
V
IN
= V
CC
= 3V至5.5V
条件
民
3.0
-24
V
REF
-
0.01V
1.067
典型值
最大
5.5
+24
V
IN
-
1.9V
1.133
200
250
150
200
4.9
300
1.15
单位
V
mV
V
V
m
m
A
nA
s
注2 ：
输出电压将有一个直流稳压电平比由所述波纹的50％的反馈误差比较器阈值。
注3 ：
推荐的工作频率，而不是生产测试。
注4 ：
从0° C到-40 ° C规格由设计保证，未经生产测试。
_______________________________________________________________________________________
3
3A ， 1MHz，DDR存储器终端电源
MAX1809
典型工作特性
图1 ，V的（电路
OUT
= 1.25V ，对于V
IN
= 5V ： L = 1μH ，R
花花公子
= 130kΩ ;对于V
IN
= 3.3V L = 0.68μH ，R
花花公子
= 73.2k.)
EF网络效率与输出电流
（源）
MAX1809 TOC01
EF网络效率与输出电流
（塌陷）
MAX1809 toc02
归一化输出错误
与输出电流
-0.2
归一化输出误差（％ ）
-0.6
-1.0
-1.4
-1.8
-2.2
-2.6
-3.0
V
IN
= 5V
V
IN
= 3.3V
MAX1809 toc03
100
95
90
效率（％）
85
80
75
70
65
60
55
50
0
1
2
输出电流（A ）
3
V
IN
= 5V,
V
OUT
= 2.5V
V
IN
= 3.3V,
V
OUT
= 1.25V
V
IN
= 5V,
V
OUT
= 1.25V
R
垂
= 0
95
90
85
效率（％）
80
75
70
65
60
55
50
0
V
IN
= 5V,
V
OUT
= 2.5V
R
垂
= 0
V
IN
= 5V,
V
OUT
= 1.25V
V
IN
= 3.3V,
V
OUT
= 1.25V
1
2
输出电流（A ）
3
-3
-2
-1
0
1
2
3
输出电流（A ）
NO- LOAD
电源电流与电源电压
空载电流（I
IN
+ I
CC
（MA ） ）
24
20
16
12
8
4
0
0
1
2
3
V
IN
(V)
4
5
6
MAX1809 toc04
关断时间与
花花公子
4.5
4.0
3.5
t
关闭
(s)
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0
50 100 150 200 250 300 350 400 450 500
R
花花公子
(k)
0
-3
-2
MAX1809 toc05
开关频率
与输出电流
V
IN
= 3.3V
MAX1809 toc06
5.0
1200
1000
FREQUECNY （千赫）
800
600
400
200
V
IN
= 5V
-1
0
1
输出电流（A ）
2
3
启动和关机
MAX1809 toc07
负载瞬态响应
I
IN
1A/div
R
垂
= 0
MAX1809 toc08
V
OUT
（ AC耦合）
0A
V
SHDN
5V/div
V
OUT
1V/div
0V
0V
1ms/div
V
IN
= 3.3V ，R
OUT
= 0.5
V
SS
2V/div
10s/div
V
EXTREF
= 1.25V, V
IN
= 3.3V ，我
OUT
= -2A到2A + ，以-2A
0A
50mV/div
0V
0V
V（ LX ）
5V/div
I
OUT
5A/div
4
_______________________________________________________________________________________
3A ， 1MHz，DDR存储器终端电源
典型工作特性（续）
图1 ，V的（电路
OUT
= 1.25V ，对于V
IN
= 5V ： L = 1μH ，R
花花公子
= 130kΩ ;对于V
IN
= 3.3V L = 0.68μH ，R
花花公子
= 73.2k.)
负载瞬态响应
R
垂
12m
MAX1809 toc09
MAX1809
线路瞬态响应
MAX1809 toc10
V
OUT
（ AC耦合）
V
OUT
（ AC耦合）
50mV/div
V
IN
2V/div
50mV/div
0V
V（ LX ）
5V/div
I
OUT
5A/div
0A
0V
10s/div
V
EXTREF
= 1.25V, V
IN
= 3.3V ，我
OUT
= -2A到2A + ，以-2A
20s/div
I
OUT
= 2A ，V
IN
= 5V到3.3V至5V
开关波形（ SOURCING ）
MAX1809 toc11
开关波形（塌陷）
MAX1809 toc12
V
OUT
（ AC耦合）
V
OUT
（ AC耦合）
50mV/div
50mV/div
我（ LX ）
2A/div
0A
0V
0A
我（ LX ）
2A/div
V（ LX ）
5V/div
400ns/div
I
OUT
= 2A ，V
IN
= 5V
0V
400ns/div
I
OUT
= -2A ，V
IN
= 5V
V（ LX ）
5V/div
_______________________________________________________________________________________
5
QQ：2880707522 复制
