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19-3279 ;第5版; 3/11
KIT
ATION
EVALU
BLE
AVAILA
低电压DDR线性稳压器
概述
特点
o
内置功率MOSFET具有电流限制（ 3A典型值）
o
快速负载瞬态响应
o
外部基准输入与参考
输出缓冲器
o
1.1V至3.6V电源输入
o
±15mV
（最大值）负载调整误差
o
热故障保护
o
关断输入
o
电源就绪窗口比较器拥有2ms的
（典型值）延迟
o
小型，薄型10引脚3mm x 3mm的TDFN
包
o
陶瓷或聚合物输出电容
MAX1510/MAX17510
该MAX1510 / MAX17510 DDR线性稳压源
并采用内部n沟道吸收高达3A的峰值（典型值）
的MOSFET。这些线性稳压器能够提供一个准确的
0.5V到从低电压功率输入输出1.5V （Ⅴ
IN
= 1.1V至3.6V ） 。该MAX1510 / MAX17510采用另行
率3.3V偏压供给到所述控制电路供电，并
驱动内部n沟道MOSFET 。
该MAX1510 / MAX17510提供电流和热
限制，以防止损坏的线性调节器。
此外，该MAX1510 / MAX17510生成
电源良好（ PGOOD）信号，以指示输出
在监管。在启动过程中， PGOOD仍然很低
直到输出处于调节为2毫秒（典型值） 。内部
软启动限制了输入浪涌电流。
该MAX1510 / MAX17510功耗有源DDR termi-
国总线，需要一个跟踪输入参考。该
MAX1510 / MAX17510也可在低功率用
芯片组和图形需要的处理器内核
动态可调输出电压。该
MAX1510 / MAX17510采用10引脚，3mm X可用
3mm薄型DFN封装。
订购信息
部分
MAX1510ETB
MAX1510ETB+
MAX1510ATB/V+
MAX17510ATB+
MAX17510ATB/V+
温度范围
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40°C至+ 125°C
-40°C至+ 125°C
PIN的
包
10 TDFN -EP *
10 TDFN -EP *
10 TDFN -EP *
10 TDFN -EP *
10 TDFN -EP *
顶部
标志
ARD
ABD
AWD
AWQ
AWQ
应用
笔记本/台式电脑
DDR存储器终端
主动终止巴士
图形处理器核电源
芯片组/ RAM用品低至0.5V
+表示
铅（ Pb），且符合RoHS标准的封装。
* EP
=裸焊盘。
/ V表示汽车合格一部分。
引脚配置
顶视图
IN
10
典型工作电路
V
IN
（ 1.1V至3.6V ）
IN
OUT
前前后后
V
OUT
= V
TT
保护地
SHDN
7
9
8
前前后后
6
V
BIAS
（ 2.7V至3.6V ）
OUT
MAX1510
MAX17510
V
CC
SHDN
保护地
AGND
MAX1510
MAX17510
+
1
REFOUT
2
V
CC
3
AGND
4
REFIN
5
PGOOD
V
DDQ
（ 2.5V或1.8V ）
PGOOD
V
REFOUT
= V
TTR
REFIN
REFOUT
TDFN
采用3mm x 3mm
一" + "标志将取代第一脚指示灯亮无铅封装。
________________________________________________________________
Maxim Integrated Products版权所有
1
对于定价，交付和订购信息，请联系马克西姆直接在1-888-629-4642 ，
或访问Maxim的网站www.maxim-ic.com 。
低电压DDR线性稳压器
MAX1510/MAX17510
绝对最大额定值
IN至PGND ............................................... .............- 0.3V至+ 4.3V
OUT到PGND ..............................................- 0.3V至（V
IN
+ 0.3V)
OUTS至AGND ............................................- 0.3V到（Ⅴ
IN
+ 0.3V)
V
CC
到AGND ................................................ .........- 0.3V至+ 4.3V
REFIN ， REFOUT ，
SHDN ，
PGOOD到AGND ..- 0.3V至（V
CC
+ 0.3V)
PGND至AGND ............................................... ......- 0.3V至+ 0.3V
REFOUT短路AGND .................................连续
OUT连续RMS电流： 100S .................................. ± 1.6A
1s......................................±2.5A
连续功率耗散（T
A
= +70°C)
10引脚3mm x 3mm薄型DFN
（降级24.4mW / ° C以上+ 70 ° C） ........................... 1951mW
工作温度范围
MAX1510ETB ................................................. ..- 40 ° C至+ 85°C
MAX17510ATB ..............................................- 40 ° C至+ 125°C
结温................................................ ...... + 150°C
存储温度范围.............................- 65 ° C至+ 150°C
焊接温度（焊接， 10秒） ............... + 300℃
焊接温度（再溢流）
铅（Pb ） - 免费包........................................... ... + 260℃
含有铅（Pb ）封装..................................... + 240℃
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数和功能
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件，操作不暗示。接触
绝对最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。
电气特性
(V
IN
= 1.8V, V
CC
= 3.3V, V
REFIN
= V
前前后后
= 1.25V,
SHDN
= V
CC
中，图1 ，则T的电路
J
= T
A
= -40 ° C至+ 85°C的MAX1510ETB ，T
J
=
T
A
= -40 ℃至+ 125 ℃下进行MAX17510ATB除非另有说明。典型值是在T
A
= + 25°C 。 ） （注1 ）
参数
输入电压范围
静态电源电流（V
CC
)
关断电源电流（V
CC
)
静态电源电流（V
IN
)
关断电源电流（V
IN
)
反馈电压误差
负载调整误差
线路调整误差
OUTS输入偏置电流
产量
输出调节范围
输出导通电阻
输出电流变化率
输出电源抑制
比
输出到OUTS电阻
放电MOSFET
导通电阻
PSRR
R
前前后后
R
放电
SHDN
= GND
高侧MOSFET （源） （我
OUT
= 0.1A)
低边MOSFET （片） （我
OUT
= -0.1A)
C
OUT
= 100μF ，我
OUT
= 0.1A到2A
为10Hz < F < 10kHz时，我
OUT
=的200mA，
C
OUT
= 100F
0.5
0.14
0.14
3
80
12
8
1.5
0.25
0.25
V
A / μs的
dB
k
I
前前后后
符号
V
IN
V
CC
I
CC
I
CC （ SHDN ）
I
IN
I
IN（ SHDN ）
V
前前后后
电源输入
偏置电源
负载= 0，V
REFIN
> 0.45V
SHDN
= GND ，V
REFIN
> 0.45V
SHDN
= GND ， REFIN = GND
负载= 0
SHDN
= GND
REFIN到OUTS
I
OUT
=
±200mA
-1A
≤
I
OUT
≤
+1A
1.4V
≤
V
IN
≤
3.3V ，我
OUT
= -100mA
-1
T
A
= +25°C
T
A
= -40 ° C至+ 125°C
-4
-6
-15
1
+1
条件
民
1.1
2.7
0.7
350
50
0.4
0.1
0
典型值
最大
3.6
3.6
1.3
600
100
10
10
+4
+6
+15
单位
V
mA
A
mA
A
mV
mV
mV
A
2
_______________________________________________________________________________________
低电压DDR线性稳压器
电气特性（续）
(V
IN
= 1.8V, V
CC
= 3.3V, V
REFIN
= V
前前后后
= 1.25V,
SHDN
= V
CC
中，图1 ，则T的电路
J
= T
A
= -40 ° C至+ 85°C的MAX1510ETB ，T
J
=
T
A
= -40 ℃至+ 125 ℃下进行MAX17510ATB除非另有说明。典型值是在T
A
= + 25°C 。 ） （注1 ）
参数
参考
REFIN电压范围
REFIN输入偏置电流
REFIN欠压锁定
电压
REFOUT电压
REFOUT负载调节
故障检测
热关断阈值
V
CC
欠压锁定
门槛
在欠压锁定
门槛
限流门限
软启动限流时间
输入和输出
PGOOD低阈值之旅
PGOOD上限阈值之旅
PGOOD传播延迟
PGOOD启动延迟
PGOOD输出低电压
PGOOD泄漏电流
SHDN
逻辑输入阈值
SHDN
逻辑输入电流
I
PGOOD
t
PGOOD
对于反馈的阈值，
滞后= 12mV
对于反馈的阈值，
滞后= 12mV
OUTS被迫25mV的超越之旅的PGOOD
门槛
启动上升沿，内OUTS
±100mV
of
反馈门槛
I
SINK
= 4毫安
OUTS = REFIN （ PGOOD高阻抗）
PGOOD = V
CC
+ 0.3V ，T
A
= +25°C
逻辑高
逻辑低电平
SHDN
= V
CC
或GND ，T
A
= +25°C
0.8
-1
+1
-200
100
5
1
-150
150
10
2
-100
200
35
3.5
0.3
1
2.0
mV
mV
s
ms
V
A
V
V
A
I
极限
t
SS
T
SHDN
V
UVLO
上升沿，迟滞= 15℃
上升沿，滞后= 100mV的
上升沿，滞后= 55mV
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
T
A
= -40 ° C至+ 125°C
1.8
1.5
2.45
+165
2.55
0.9
3
3
200
2.65
1.1
4.2
4.2
°C
V
V
A
s
V
REFOUT
ΔV
REFOUT
V
REFIN
I
REFIN
T
A
= +25°C
上升沿，滞后= 50mV的
V
CC
= 3.3V ，我
REFOUT
= 0V
I
REFOUT
=
±5mA
V
REFIN
- 0.01
-20
0.5
-1
0.35
V
REFIN
1.5
+1
0.45
V
REFIN
+ 0.01
+20
V
A
V
V
mV
符号
条件
民
典型值
最大
单位
MAX1510/MAX17510
注1 ：
限制是100 ％的生产在T测试
A
= + 25°C 。限制在工作温度范围内，通过cor-保证
有关利用统计质量控制（ SQC ）方法。
_______________________________________________________________________________________
3
低电压DDR线性稳压器
MAX1510/MAX17510
典型工作特性
图1的T （电路
A
= + 25 ℃，除非另有说明。 ）
最大输出电流
- 输入电压
MAX1510 / MAX17510 toc02
输出负载调整
V
REFIN
= 0.9V
MAX1510 / MAX17510 TOC01
输出负载调整
1.300
3.0
V
REFIN
= 1.25V
V
OUT
= 0.9V
最大输出电流（ A）
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0.94
0.92
V
OUT
(V)
V
IN
= 1.5V
0.90
0.88
0.86
0.84
-3
-2
-1
0
I
OUT
(A)
1
2
3
V
IN
= 1.2V
V
OUT
= 1.25V
1.275
V
IN
= 1.8V
1.250
V
OUT
(V)
限热
输入输出电压差有限公司
1.225
V
IN
= 1.5V
1.200
-3
-2
-1
0
I
OUT
(A)
1
2
3
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
输入电压（ V）
输入电流（I
IN
)
- 输入电压（V
IN
)
MAX1510 / MAX17510 toc04
偏置电流（I
CC
)
- 输入电压（V
IN
)
MAX1510 / MAX17510 toc05
偏置电流（I
CC
)
与负载电流（I
OUT
)
V
IN
= 1.5V
1.2
1.0
I
CC
（MA ）
0.8
V
OUT
= 0.90V
0.6
0.4
0.2
进入
降
V
OUT
= 1.25V
MAX1510 / MAX17510 toc06
250
V
OUT
= 1.25V
V
OUT
= 0.90V
1.0
0.9
0.8
0.7
I
CC
（MA ）
0.6
0.5
0.4
0.3
降
V
OUT
= 1.25V
1.4
200
I
IN
(μA)
150
100
50
0.2
0.1
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
V
IN
(V)
0
0
0.5
输入欠压锁定
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
0
-2
-1
0
I
OUT
(A)
1
2
V
IN
(V)
电源接地电流（I
保护地
)
随电源负载电流（I
OUT
)
MAX1510 / MAX17510 toc07
输入电流（I
IN
)
与吸收负载电流（I
OUT
)
V
IN
= 1.5V
6
5
I
IN
（MA ）
4
3
V
OUT
= 1.25V
2
V
OUT
= 0.90V
MAX1510 / MAX17510 toc08
输入输出电压差
与输出电流
MAX1510 / MAX17510 toc09
0.25
V
IN
= 1.5V
0.20
7
0.6
0.5
漏失电压（ V）
0.4
0.3
0.2
0.1
0
V
OUT
= 0.9V
V
OUT
= 1.25V
I
保护地
（MA ）
0.15
V
OUT
= 1.25V
进入
降
0.10
0.05
V
OUT
= 0.90V
1
0
0
0
0.5
1.0
I
OUT
(A)
1.5
2.0
-2.0
-1.5
-1.0
I
OUT
(A)
-0.5
0.0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
输出电流（A ）
4
_______________________________________________________________________________________
MAX1510 / MAX17510 toc03
0.96
低电压DDR线性稳压器
典型工作特性（续）
图1的T （电路
A
= + 25 ℃，除非另有说明。 ）
REFOUT电压误差
与REFOUT负载电流
MAX1510 / MAX17510 toc10
MAX1510/MAX17510
STARTUP波形
MAX1510 / MAX17510 toc11
关断波形
5V
SHDN
0V
MAX1510 / MAX17510 toc12
20
15
REFOUT电压误差（MV ）
10
5
0
-5
-10
-15
-20
-10
-5
0
5
R
负载
= 100Ω
5V
SHDN
0V
2V
1.25V
V
OUT
0V
4V
PGOOD
0V
1V
V
OUT
0V
4V
PGOOD
0V
100μs/div
10
500μs/div
REFOUT负载电流（毫安）
源负载瞬态
MAX1510 / MAX17510 toc13
源/汇负载瞬态
MAX1510 / MAX17510 toc14
V
OUT
AC耦合
1mV/div
V
OUT
AC耦合
5mV/div
1A
I
OUT
0A
20.0μs/div
4.00μs/div
+1.5A
I
OUT
-1.5A
线路瞬态
MAX1510 / MAX17510 toc15
动态输出电压瞬变
MAX1510 / MAX17510 toc16
V
IN
= 1.5V
3.3V
V
IN
(1V/div)
1.5V
2.5V
V
DDQ
1.8V
1.2V
V
REFOUT
V
OUT
(10mV/div)
AC耦合
0.9V
I
OUT
= 100毫安
40μs/div
20.0μs/div
0.9V
1.2V
V
OUT
0.9V
_______________________________________________________________________________________
5
19-3279 ;冯0 ; 5/04
KIT
ATION
EVALU
E
BL
AVAILA
低电压DDR线性稳压器
概述
特点
o
内置功率MOSFET具有电流限制（ 3A典型值）
o
快速负载瞬态响应
o
外部基准输入与参考
输出缓冲器
o
1.1V至3.6V电源输入
o
±15mV
（最大值）负载调整误差
o
热故障保护
o
关断输入
o
电源就绪窗口比较器拥有2ms的
（典型值）延迟
o
小型，薄型10引脚3mm x 3mm的TDFN
包
o
陶瓷或聚合物输出电容
MAX1510
在MAX1510 DDR线性稳压源和汇了
使用内部N沟道MOSFET 3A的峰值（典型值） 。这
线性稳压器可提供精确的0.5V至1.5V的输出
从低电压功率输入（Ⅴ
IN
= 1.1V至3.6V ） 。该
MAX1510使用一个单独的3.3V偏压的电源对
控制电路和驱动器的内部n沟道
的MOSFET。
该MAX1510提供电流和热限制
防止损坏的线性调节器。另外，
在MAX1510产生一个电源良好（ PGOOD ）信号
以指示该输出处于调节。在开始 -
时， PGOOD保持低电平，直到输出正常
为2毫秒（典型值） 。内部软启动限制了输入
浪涌电流。
在MAX1510权力有源DDR终端总线
需要一个跟踪输入参考。在MAX1510
也可以在低功耗的芯片组和图形中使用
需要动态调节处理器内核
输出电压。该MAX1510可在一个10引脚
采用3mm x 3mm薄型DFN封装。
应用
笔记本/台式电脑
DDR存储器终端
主动终止巴士
图形处理器核电源
芯片组/ RAM用品低至0.5V
MAX1510ETB
部分
订购信息
温度范围
-40 ° C至+ 85°C
PIN的
包
10 TDFN
（采用3mm x 3mm ）
顶部
标志
ABD
引脚配置
顶视图
典型工作电路
V
IN
（ 1.1V至3.6V ）
IN
OUT
前前后后
V
OUT
= V
TT
REFOUT
1
V
CC
2
AGND
3
REFIN
4
10
IN
9
OUT
V
BIAS
（ 2.7V至3.6V ）
V
CC
SHDN
PGOOD
V
DDQ
（ 2.5V或1.8V ）
REFIN
REFOUT
V
REFOUT
= V
TTR
MAX1510
保护地
AGND
MAX1510
8
保护地
7
SHDN
6
前前后后
PGOOD
5
TDFN
采用3mm x 3mm
________________________________________________________________
Maxim Integrated Products版权所有
1
对于定价，交付和订购信息，请联系美信/达拉斯直接！在
1-888-629-4642 ，或访问Maxim的网站www.maxim-ic.com 。
低电压DDR线性稳压器
MAX1510
绝对最大额定值
IN至PGND ............................................... ................- 0.3V至+ 4V
OUT到PGND ..............................................- 0.3V至（V
IN
+ 0.3V)
OUTS至AGND ............................................- 0.3V到（Ⅴ
IN
+ 0.3V)
V
CC
到AGND ................................................ ............- 0.3V至+ 4V
REFIN ， REFOUT ，
SHDN ，
PGOOD到AGND ..- 0.3V至（V
CC
+ 0.3V)
PGND至AGND ............................................... ......- 0.3V至+ 0.3V
REFOUT短路AGND .................................连续
OUT连续RMS电流： 100S .................................. ± 1.6A
1s......................................±2.5A
连续功率耗散（T
A
= +70°C)
10引脚3mm x 3mm薄型DFN
（降级24.4mW / ° C以上+ 70 ° C） ........................... 1951mW
工作温度范围
MAX1510ETB ................................................. ..- 40 ° C至+ 85°C
结温................................................ ...... + 150°C
存储温度范围.............................- 65 ° C至+ 150°C
焊接温度（焊接， 10秒） ............... + 300℃
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数和功能
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件，操作不暗示。接触
绝对最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。
电气特性
(V
IN
= 1.8V, V
CC
= 3.3V, V
REFIN
= V
前前后后
= 1.25V,
SHDN
= V
CC
中，图1 ，则T的电路
A
= -40° C到+ 85 ℃，除非另有说明。
典型值是在T
A
= + 25°C 。 ） （注1 ）
参数
输入电压范围
静态电源电流（V
CC
)
关断电源电流（V
CC
)
静态电源电流（V
IN
)
关断电源电流（V
IN
)
反馈电压误差
负载调整误差
线路调整误差
OUTS输入偏置电流
产量
输出调节范围
输出导通电阻
输出电流变化率
输出电源抑制
比
OUT到OUTS电阻
放电MOSFET开 -
阻力
PSRR
R
前前后后
R
放电
SHDN
= GND
高侧MOSFET （源） （我
OUT
= 0.1A)
低边MOSFET （片） （我
OUT
= -0.1A)
C
OUT
= 100μF ，我
OUT
= 0.1A到2A
为10Hz < F < 10kHz时，我
OUT
=的200mA，
C
OUT
= 100F
0.5
0.10
0.10
3
80
12
8
1.5
0.25
0.25
V
A / μs的
dB
k
I
前前后后
符号
V
IN
V
CC
I
CC
I
CC （ SHDN ）
I
IN
I
IN（ SHDN ）
V
前前后后
电源输入
偏置电源
负载= 0，V
REFIN
> 0.45V
SHDN
= GND ，V
REFIN
> 0.45V
SHDN
= GND ， REFIN = GND
负载= 0
SHDN
= GND
REFIN到OUTS
I
OUT
=
±200mA
-1A
≤
I
OUT
≤
+1A
1.4V
≤
V
IN
≤
3.3V ，我
OUT
= -100mA
-1
T
A
= 25°C
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
-4
-6
-15
1
+1
条件
民
1.1
2.7
0.7
350
50
0.4
0.1
0
典型值
最大
3.6
3.6
1.3
600
100
10
10
+4
+6
+15
单位
V
mA
A
A
mA
A
mV
mV
mV
A
2
_______________________________________________________________________________________
低电压DDR线性稳压器
电气特性（续）
(V
IN
= 1.8V, V
CC
= 3.3V, V
REFIN
= V
前前后后
= 1.25V,
SHDN
= V
CC
中，图1 ，则T的电路
A
= -40° C到+ 85 ℃，除非另有说明。
典型值是在T
A
= + 25°C 。 ） （注1 ）
参数
参考
REFIN电压范围
REFIN输入偏置电流
REFIN欠压锁定
电压
REFOUT电压
REFOUT负载调节
故障检测
热关断阈值
V
CC
欠压锁定
门槛
在欠压锁定
门槛
限流门限
软启动限流时间
输入和输出
PGOOD低阈值之旅
PGOOD上限阈值之旅
PGOOD传播延迟
PGOOD启动延迟
PGOOD输出低电压
PGOOD泄漏电流
SHDN
逻辑输入阈值
SHDN
逻辑输入电流
I
PGOOD
t
PGOOD
对于反馈的阈值，
滞后= 12mV
对于反馈的阈值，
滞后= 12mV
OUTS被迫25mV的超越之旅的PGOOD
门槛
启动上升沿，内OUTS
±100mV
of
反馈门槛
I
SINK
= 4毫安
OUTS = REFIN （ PGOOD高阻抗）
PGOOD = V
CC
+ 0.3V
逻辑高
逻辑低
SHDN
= V
CC
或GND
0.8
-1
+1
-200
100
5
1
-150
150
10
2
-100
200
35
3.5
0.3
1
2.0
mV
mV
s
ms
V
A
V
V
A
I
极限
t
SS
T
SHDN
V
UVLO
上升沿，迟滞= 15℃
上升沿，滞后= 100mV的
上升沿，滞后= 55mV
1.8
2.45
+165
2.55
0.9
3
200
2.65
1.1
4.2
°C
V
V
A
s
V
REFOUT
V
REFOUT
V
REFIN
I
REFIN
上升沿，滞后=为75mV
V
CC
= 3.3V ，我
REFOUT
= 0
I
REFOUT
=
±5mA
V
REFIN
-0.01
-20
0.5
-1
0.35
V
REFIN
1.5
+1
0.45
V
REFIN
+0.01
+20
V
A
V
V
mV
符号
条件
民
典型值
最大
单位
MAX1510
注1 ：
限制是100 ％的生产在T测试
A
= + 25°C 。限制在工作温度范围内，通过cor-保证
有关利用统计质量控制（ SQC ）方法。
_______________________________________________________________________________________
3
低电压DDR线性稳压器
MAX1510
典型工作特性
图1的T （电路
A
= + 25℃ ，除非另有说明）
最大输出电流
- 输入电压
MAX1510 toc02
输出负载调整
V
REFIN
= 0.9V
MAX1510 TOC01
输出负载调整
1.300
3.0
V
REFIN
= 1.25V
V
OUT
= 0.9V
最大输出电流（ A）
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0.94
0.92
V
OUT
(V)
0.90
0.88
0.86
0.84
-3
-2
-1
0
I
OUT
(A)
1
2
3
V
IN
= 1.2V
V
OUT
= 1.25V
1.275
V
IN
= 1.5V
V
IN
= 1.8V
1.250
V
OUT
(V)
限热
输入输出电压差有限公司
1.225
V
IN
= 1.5V
1.200
-3
-2
-1
0
I
OUT
(A)
1
2
3
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
输入电压（ V）
输入电流（I
IN
)
- 输入电压（V
IN
)
MAX1510 toc04
偏置电流（I
CC
)
- 输入电压（V
IN
)
MAX1510 toc05
偏置电流（I
CC
)
与负载电流（I
OUT
)
V
IN
= 1.5V
1.2
1.0
I
CC
（MA ）
0.8
V
OUT
= 0.90V
0.6
0.4
0.2
进入
降
V
OUT
= 1.25V
MAX1510 toc06
250
V
OUT
= 1.25V
V
OUT
= 0.90V
1.0
0.9
0.8
0.7
I
IN
（MA ）
1.4
200
V
OUT
= 1.25V
I
IN
(A)
150
0.6
0.5
0.4
0.3
降
100
50
0.2
0.1
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
V
IN
(V)
0.0
0.0
0.5
输入欠压锁定
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
0.0
-2
-1
0
I
OUT
(A)
1
2
V
IN
(V)
电源接地电流（I
保护地
)
随电源负载电流（I
OUT
)
MAX1510 toc07
输入电流（I
IN
)
与吸收负载电流（I
OUT
)
V
IN
= 1.5V
6
5
MAX1510 toc08
输入输出电压差
与输出电流
MAX1510 toc09
0.25
V
IN
= 1.5V
0.20
7
0.6
0.5
漏失电压（ V）
0.4
0.3
0.2
0.1
0
V
OUT
= 0.9V
V
OUT
= 1.25V
I
保护地
（MA ）
I
CC
（MA ）
0.15
V
OUT
= 1.25V
进入
降
4
3
V
OUT
= 0.90V
V
OUT
= 1.25V
0.10
2
0.05
V
OUT
= 0.90V
1
0
0.0
0.5
1.0
I
OUT
(A)
1.5
2.0
-2.0
-1.5
-1.0
I
OUT
(A)
-0.5
0.0
0.00
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
输出电流（A ）
4
_______________________________________________________________________________________
MAX1510 toc03
0.96
低电压DDR线性稳压器
典型工作特性（续）
图1的T （电路
A
= + 25℃ ，除非另有说明）
REFOUT电压误差
与REFOUT负载电流
15
REFOUT电压误差（MV ）
10
5
0
-5
-10
-15
-20
-10
-5
0
5
10
500s/div
REFOUT负载电流（毫安）
1.25V
V
OUT
0V
4V
PGOOD
0V
MAX1510 toc10
MAX1510
STARTUP波形
MAX1510 toc11
20
5V
SHDN
0V
关断波形
MAX1510 toc12
源负载瞬态
5V
SHDN
0V
2V
1V
V
OUT
0V
4V
PGOOD
0V
1A
I
OUT
0A
V
OUT
AC耦合
1mV/div
MAX1510 toc13
R
负载
= 100
100s/div
20.0s/div
源/汇负载瞬态
MAX1510 toc14
线路瞬态
MAX1510 toc15
3.3V
V
OUT
AC耦合
5mV/div
V
IN
(1V/div)
1.5V
+1.5A
I
OUT
-1.5A
I
OUT
= 100毫安
4.00s/div
40s/div
V
OUT
(10mV/div)
AC耦合
0.9V
_______________________________________________________________________________________
5
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