125V / 3A ，高速，
半桥MOSFET驱动器
MAX15018/MAX15019
绝对最大额定值
V
DD
到GND ................................................ ............- 0.3V至+ 15V
IN_H ， IN_L到GND ............................................. ....- 0.3V至+ 15V
DL到GND ............................................... ...- 0.3V至（V
DD
+ 0.3V)
卫生署HS ............................................... ......- 0.3V至（V
DD
+ 0.3V)
BST至HS ............................................... ................- 0.3V至+ 15V
HS至GND （重复瞬态） ..............................- 5V至130V +
HS的dv / dt到GND ............................................ .................... 50V / ns的
*由于
根据JEDEC标准51 （单层板）。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数和功能
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件，操作不暗示。接触
绝对最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。
连续功率耗散（T
A
= +70°C)
单层和多层局
8引脚SO -EP （减免23.8mW / ° C以上+ 70 ° C） * .......... 1.904W
θ
JC
...................................................................................6°C/W
工作温度.....................................- 40 ° C至+ 125°C
最高结温..................................... + 150°C
存储温度范围.............................- 65 ° C至+ 150°C
焊接温度（焊接， 10秒） ............... + 300℃
电气特性
(V
DD
= V
BST
= 8V至12.6V ，V
HS
= V
GND
= 0V ，T
A
= T
J
= -40° C到+ 125 ℃，除非另有说明。典型值是在V
DD
= V
BST
= 12V和T
A
= + 25°C 。 ） （注1 ）
参数
电源
工作电源电压
V
VDD
IN_H和IN_L是
未连接（无
切换）
f
SW
= 500kHz的，V
DD
= 12V,
无容性负载
IN_H和IN_L未连接（无
切换）
f
SW
= 500kHz的，V
BST
- V
HS
= 12V，无
容性负载
V
DD
升起
6.5
6.2
MAX15018A/
MAX15018B
MAX15019A/
MAX15019B
8.0
65
95
2.75
95
2.75
7.3
6.9
0.5
0.67 x
V
DD
2
0.33 x
V
DD
0.8
1.65
0.4
V
V
12.6
130
A
190
3.75
190
3.75
8
7.6
mA
A
mA
V
V
V
V
符号
条件
民
典型值
最大
单位
V
DD
静态电源电流
I
DDQ
V
DD
工作电源电流
BST静态电源电流
BST工作电源电流
UVLO （V
DD
到GND）
UVLO （ BST至HS ）
UVLO迟滞
逻辑输入
输入逻辑高
I
DDO
I
BSTQ
I
BSTO
V
DD_UVLO
V
BST_UVLO
V
BST
升起
V
IH
MAX15018A / MAX15018B （ CMOS）的
MAX15019A / MAX15019B （ TTL ）
V
输入逻辑低电平
V
IL
MAX15018A / MAX15018B （ CMOS）的
MAX15019A / MAX15019B （ TTL ）
逻辑输入滞后
V
HYS
MAX15018A / MAX15018B （ CMOS）的
MAX15019A / MAX15019B （ TTL ）
2
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