【19-0530 ;转1 ; 12/07175V / 2A ，高速，半桥MOSFET驱动器概述该MAX】,IC型号MAX15012BASA ,MAX15012BASA PDF资料,MAX15012BASA 经销商,ic,电子元器件-51电子网

19-0530 ;转1 ; 12/07

175V / 2A ，高速，

半桥MOSFET驱动器

概述

该MAX15012 / MAX15013高频， 175V半桥

桥， n沟道MOSFET驱动器驱动高和低

侧的MOSFET在高电压应用。这些

驱动器可以独立控制，其为35ns的典

iCal的传播延迟，从输入到输出，是

在为2ns （典型值）相匹配。高电压操作

带之间非常低的和匹配的传播延迟

驱动程序和高源/灌电流能力使

这些器件适用于高功率，高频

昆西电信电源转换器。可靠的片上

自举二极管连接V之间

和BST

省去了外部的分立二极管。

该MAX15012A / C和MAX15013A / C提供两个nonin-

verting司机（见

选型指南）。

该

MAX15012B / D和MAX15013B / D提供一个同相

高侧驱动器和一个反相低侧驱动器。该

MAX15012A / B / C / D功能的CMOS （V

/ 2 ）逻辑输入。

该MAX15013A / B / C / D功能的TTL逻辑输入。该

驱动程序可在工业标准的8引脚SO

封装和引脚配置和热

增强型8引脚SO封装。所有器件均工作在

在-40 ° C至+ 125°C汽车级温度范围。

特点

HIP2100 / HIP2101引脚兼容（ MAX15012A / C

和MAX15013A / C）

高达175V的输入操作

8V至12.6V V

输入电压范围

2A峰值源和灌电流驱动能力

35ns的典型传播延迟

保证为8ns传播延迟匹配

驱动器之间

高达500kHz的开关频率

可在CMOS （V

/ 2 ）或TTL逻辑电平

与滞后输入

截至输入的14V逻辑输入独立

电压

2.5pF的低输入电容

70μA的低电源电流

可用的组合版本

同相和反相驱动器（ MAX15012B / D

和MAX15013B / D ）

提供工业标准的8引脚SO和

耐热增强型SO封装

MAX15012/MAX15013

应用

电信半桥电源

双开关正激转换器

全桥转换器

有源钳位正激转换器

电源模块

电机控制

引脚配置和典型工作电路在

数据表的末尾。

部分

MAX15012AASA+

MAX15012BASA+

MAX15012CASA+*

MAX15012DASA+*

订购信息

温度范围

-40°C至+ 125°C

PIN的

包

8 SO

8 SO- EP **

PKG

CODE

S8-5

S8E+14

订购信息不断在数据表的末尾。

+表示

无铅封装。

*未来

接触产品的工厂。

** EP

=裸焊盘。

选择指南

部分

MAX15012AASA+

MAX15012BASA+

MAX15012CASA+

MAX15012DASA+

MAX15013AASA+

MAX15013BASA+

MAX15013CASA+

MAX15013DASA+

高侧驱动器

同相

低侧驱动器

同相

反相

同相

反相

同相

反相

同相

反相

逻辑电平

CMOS （V

/2)

CMOS （V

/2)

CMOS （V

/2)

CMOS （V

/2)

TTL

引脚兼容

HIP 2100IB

—

HIP 2100IB

—

HIP 2101IB

—

HIP 2101IB

—

________________________________________________________________

对于定价，交付和订购信息，请联系马克西姆直接在1-888-629-4642 ，

或访问Maxim的网站www.maxim-ic.com 。

175V / 2A ，高速，

半桥MOSFET驱动器

MAX15012/MAX15013

绝对最大额定值

（所有的电压以GND为参考，除非另有说明。）

， IN_H ， IN_L .............................................. ........- 0.3V至+ 14V

DL ................................................. ..............- 0.3V至（V

+ 0.3V)

HS ................................................. ...........................- 5V至180V +

卫生署HS ............................................... ......- 0.3V至（V

+ 0.3V)

BST至HS ............................................... ................- 0.3V至+ 14V

的dV / dt的HS ............................................. ........................... 50V / ns的

连续功率耗散（T

= +70°C)

8引脚SO （减免5.9mW / ° C以上+ 70 ° C） ............... 470.6mW

8引脚SO -EP （减免19.2mW / ° C以上+ 70 ° C） ..... 1538.5mW

结到外壳热阻（ θ

）（注1 ）

8引脚SO .............................................. ......................... 40 ° C / W

8引脚SO -EP ............................................ ........................ 6 ° C / W

结点至环境热阻（ θ

）（注1 ）

8引脚SO .............................................. ....................... 170 ° C / W

8引脚SO -EP ............................................ ...................... 52 ° C / W

最高结温..................................... + 150°C

工作温度范围.........................- 40 ° C至+ 125°C

存储温度范围.............................- 65 ° C至+ 150°C

焊接温度（焊接， 10秒） ............... + 300℃

*每

JEDEC 51标准多层电路板。

超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数和功能

该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件，操作不暗示。接触

绝对最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。

注1 ：

封装的热电阻是用在JEDEC规范JE5D51-7记载的方法得到，使用的是四

层板。有关封装的热注意事项的详细信息，请参阅www.maxim-ic.com/thermal-tutorial 。

电气特性

= V

BST

= + 8V至+ 12.6V ，V

= GND = 0V ，T

= T

= -40° C到+ 125 ℃，除非另有说明。典型值是在V

BST

= + 12V和T

= + 25°C 。）（注2 ）

参数

电源

工作电源电压

静态电源电流

（无转换）

工作电源电流

BST静态电源电流

BST工作电源电流

UVLO （V

到GND）

UVLO （ BST至HS ）

UVLO迟滞

逻辑输入

输入逻辑高

1H-

MAX15012_ ， CMOS （V

/ 2）版本

MAX15013_ ， TTL版

输入逻辑低电平

金正日？

MAX15012_ ， CMOS （V

/ 2）版本

MAX15013_ ， TTL版

逻辑输入滞后

HYS

MAX15012_ ， CMOS （V

/ 2）版本

MAX15013_ ， TTL版

0.67 x

0.55 x

1.65

0.4 x

1.4

1.6

0.25

0.33 x

0.8

DDO

BST

BSTO

UVLO

VDD

UVLO

BST

（注3和4）

IN_H = IN_L = GND （对于A / C版本）

IN_H = GND ， IN_L = V

（对于B / D版本）

= 500kHz的，V

= +12V

IN_H = IN_L = GND （对于A / C版本）

IN_H = GND ， IN_L = V

（对于B / D版本）

= 500kHz的，V

= V

BST

= +12V

升起

BST上升

6.5

6.0

7.3

6.9

0.5

8.0

12.6

140

8.0

7.8

符号

条件

民

典型值

最大

单位

_______________________________________________________________________________________

175V / 2A ，高速，

半桥MOSFET驱动器

电气特性（续）

= V

BST

= + 8V至+ 12.6V ，V

= GND = 0V ，T

= T

= -40° C到+ 125 ℃，除非另有说明。典型值是在V

BST

= + 12V和T

= + 25°C 。）（注2 ）

参数

符号

条件

IN_L

= V

对于MAX15012B / MAX15012D /

MAX15013B/MAX15013D

逻辑输入电流

IN_H

= 0V

IN_L

= 0V的MAX15012A / MAX15012C /

MAX15013A/MAX15013C

IN_H到GND

输入阻抗

IN_L到V

对于MAX15012B / MAX15012D /

MAX15013B/MAX15013D

IN_L至GND， MAX15012A / MAX15012C /

MAX15013A/MAX15013C

输入电容

高边栅极驱动器

HS最大电压

BST最大电压

驱动器输出电阻

（源）

驱动器输出电阻

（塌陷）

DH反向电流（闭锁

保护）

关机下拉钳

电压

峰值输出电流（采购）

峰值输出电流（沉没）

低侧栅极驱动器

驱动器输出电阻

（源）

驱动器输出电阻

（塌陷）

反向电流在DL （闭锁

保护）

关机下拉钳

电压

峰值输出电流（采购）

峰值输出电流（沉没）

内置自举二极管

正向电压降

导通和关断时间

BST

= 100毫安

BST

= 100毫安

0.91

1.11

PK_LP

PK_LN

ON_LP

ON_LN

= 12V，我

= 100毫安

（源）

= 12V，我

= 100毫安

（塌陷）

（注5 ）

= 0V或浮动，我

= 1毫安（沉没）

= 10nF电容，V

= 0V

= 10nF电容，V

= 12V

= +25°C

= +125°C

= +25°C

= +125°C

400

0.95

1.16

2.5

3.5

2.1

3.2

3.3

4.6

2.8

4.2

DH_PEAK

HS_MAX

BST_MAX

ON_HP

ON_HN

≤

10.5V （注4 ）

≤

10.5V （注4 ）

= 12V，我

= 100毫安

（源）

= 12V，我

= 100毫安

（塌陷）

（注5 ）

BST

= 0V或浮动，我

= 1毫安（沉没）

= 10nF电容，V

= 0V

= 10nF电容，V

= 12V

= +25°C

= +125°C

= +25°C

= +125°C

400

0.94

1.16

175

189

2.5

3.5

2.1

3.2

3.3

4.6

2.8

4.2

2.5

MΩ

-1

+0.001

民

典型值

最大

单位

MAX15012/MAX15013

_______________________________________________________________________________________

175V / 2A ，高速，

半桥MOSFET驱动器

MAX15012/MAX15013

电气特性（续）

= V

BST

= + 8V至+ 12.6V ，V

= GND = 0V ，T

= T

= -40° C到+ 125 ℃，除非另有说明。典型值是在V

BST

= + 12V和T

= + 25°C 。）（注2 ）

参数

符号

= 1000pF的

上升时间

= 5000pF

= 10,000pF

= 1000pF的

下降时间

= 5000pF

= 10,000pF

导通传播延迟时间

关断传播延迟时间

延迟匹配之间的驱动程序 -

低，驱动高

内置非重叠

最小脉冲宽度输入逻辑

（注6 ）

PW -MIN

= V

BST

= 12V

= V

BST

= 8V

D· ON

D- OFF

MATCH

图1 ，C

= 1000pF的

（注5 ）

图1 ，C

= 1000pF的

（注5 ）

CMOS

TTL

CMOS

TTL

条件

民

典型值

135

170

最大

单位

开关特性用于高边和低边驱动器（V

= V

BST

= +12V)

= 1000pF的，如图1 （注5 ）

注2 ：

所有设备都100 ％在T测试

= + 125°C 。极限超温通过设计保证。

注3 ：

确保在V

-to - GND或BST至HS瞬态电压不超过13.2V 。

注4 ：

最大工作电压（V

）线性降低，从12.6V到10.5V ，其最大电压（V

HS_MAX

）增加

从125V到175V 。见

典型工作特性

和

应用信息

部分。

注5 ：

通过设计保证，但未经生产测试。

注6 ：

见

最小输入脉冲宽度

部分。

_______________________________________________________________________________________

175V / 2A ，高速，

半桥MOSFET驱动器

MAX15012/MAX15013

典型工作特性

（典型值是在V

= V

BST

= + 12V和T

= + 25 ℃，除非另有说明）。

欠压锁定

和V

BST

瑞星）与温度的关系

MAX15012 / 13 TOC01

和BST欠压闭锁

滞后与温度

0.9

0.8

UVLO迟滞（ V）

0.7

0.6

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

0μA

UVLO

VDD

迟滞

UVLO

BST

迟滞

MAX15012 / 13 toc02

与V

MAX15012 / 13 toc03

7.5

7.4

7.3

7.2

UVLO （ V）

7.1

7.0

6.9

6.8

6.7

6.6

6.5

UVLO

BST

UVLO

VDD

1.0

IN_H = GND

IN_L = V

2V/div

50μA/div

4ms/div

-40 -25 -10 5 20 35 50 65 80 95 110 125

温度（℃）

-40 -25 -10 5 20 35 50 65 80 95 110 125

温度（℃）

DDO

+ I

BSTO

与V

=为250kHz ）

3.0

2.8

2.6

2.4

2.2

2.0

1.8

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

MAX15012 / 13 toc04

内部BST二极管

（ I-V）特性

180

160

140

二极管

（MA ）

120

100

= +125°C

= +25°C

= 0°C

= -40°C

MAX15012 / 13 toc05

200

DDO

+ I

BSTO

（MA ）

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13

(V)

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1.0

1.1

- V

BST

(V)

静态电流

与V

（无转换）

MAX15012 / 13 toc06

BST静态电流

与BST电压

BST

(μA)

= +125°C

BST

= V

+ 1V,

无开关

MAX15012 / 13 toc07

160

140

120

100

(μA)

= -40°C

(V)

= +25°C

= V

BST

= GND

IN_H = GND

IN_L = V

= +125°C

= -40 ° C，T

= 0° C，T

= +25°C

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15

BST

(V)

_______________________________________________________________________________________