可提供评估板
MAX11166/MAX11167
16位， 500KSPS / 250ksps的， ± 5V SAR ADC，具有
在TDFN内部参考
特点
●
●
●
●
●
●
●
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●
●
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●
●
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●
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●
●
●
概述
该MAX11166 / MAX11167 16位， 500KSPS / 250ksps的，
SAR ADC提供卓越的AC和DC性能
真双极性输入范围，体积小，和内部参考。
该MAX11166 / MAX11167衡量一个
Q5V
(10V
P-P
）输入
范围，同时从单一5V电源工作。获得专利
电荷泵架构允许高的直接采样
阻抗源。该MAX11166 / MAX11167集成
一个可选的6ppm的/有内部缓冲NC参考，可节省
的外部基准的成本和空间。
这些ADC实现92.6分贝SNR和-105dB THD 。该
MAX11166 / MAX11167保证16位无失码
和
Q0.5
LSB INL （典型值） 。
该MAX11166 / MAX11167通信使用过SPI
在2.5V ， 3V ，3.3V或5V逻辑兼容的串行接口。
串行接口可用于菊花链多
ADC的并行多通道应用和亲
国际志愿组织为简化系统同步繁忙的指标选项
chronization和定时。
该MAX11166 / MAX11167提供12引脚，3mm X
3mm时， TDFN封装，规定工作在-40°C的
至+ 85°C的温度范围内。
应用
●
数据采集系统
●
工业控制系统/过程控制
●
医疗器械
●
自动测试设备
选择指南
和
订购信息
出现在端
数据表。
高DC和AC精度
16位分辨率，无失码
信噪比： 92.6分贝
总谐波失真： -105dB在10kHz
±0.5 LSB INL （典型值）
± 0.2 LSB DNL （典型值）
内部基准和基准缓冲器节省成本
和电路板空间
6ppm的/°C的典型值
小巧的12引脚3mm x 3mm TDFN封装
双极± 5V模拟输入范围节省外部
信号调理
与低功耗单电源ADC
5V模拟电源
2.3V至5V数字电源
26.4mW在500KSPS
1μA关断模式
500KSPS吞吐量（ MAX11166 ）
250ksps的吞吐率（ MAX11167 ）
无流水线延迟/延迟
灵活的工业标准串行接口保存I / O
引脚
SPI / QSPI / MICROWIRE
/ DSP兼容
QSPI是Motorola， Inc.的商标。
MICROWIRE是国家的注册商标。
半导体公司。
相关配件及产品推荐给这部分使用，请参考
to
www.maximintegrated.com/MAX11166.related
.
典型工作电路
1F
V
DD
(5V)
1F
OVDD
（ 2.3V至5V ）
SCLK
50
±5V
MAX9632
500pF
AIN +
AIN-
16位ADC
接口
与控制
DIN
DOUT
CNVST
主持人
调节器
REF
MAX11166
MAX11167
REF
BUF
AGNDS
配置寄存器
内部参考
REFIO
GND
0.1F
10F
19-6445 ;转1 ; 12/12
MAX11166/MAX11167
16位， 500KSPS / 250ksps的， ± 5V SAR型ADC
，TDFN封装内部参考
V
DD
到GND ................................................ ............- 0.3V至+ 6V
OVDD到GND ....... -0.3V至下（V
DD
+ 0.3V ）和+ 6V
AIN +和GND ............................................... .........................
Q7V
AIN- ，楼盘， REFIO ， AGNDS
到GND ............... -0.3V至下（V
DD
+ 0.3V ）和+ 6V
SCLK ， DIN ， DOUT ， CNVST
到GND ............... -0.3V至下（V
DD
+ 0.3V ）和+ 6V
最大电流到任何引脚........................................... 50毫安
绝对最大额定值
连续功率耗散（T
A
= + 70NC ）
TDFN （减免18.2mW / NC以上+ 70NC ） .................. 1349mW
工作温度范围........................... -40°C至+ 85°C
结温................................................ ...... + 150°C
存储温度范围............................ -65NC至+ 150°C
引线温度（焊接， 10秒） ................................. + 300NC
焊接温度（回流） ....................................... + 260NC
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
封装热特性（注1 ）
TDFN
结至环境热阻（Q
JA
).......59.3NC/W
结到外壳热阻（Q
JC
） ........... 22.5NC / W
注1 ：
封装的热电阻是用在JEDEC规范JESD51-7记载的方法得到，用一个四层
板。有关封装的热注意事项的详细信息，请参阅
www.maximintegrated.com/thermal-tutorial 。
电气特性
(V
DD
= 4.75V至5.25V ，V
OVDD
= 2.3V至5.25V ，女
样品
= 500kHz的或为250kHz ，V
REF
= 4.096V ;牛逼
A
= T
民
给T
最大
中，除非另有
指出。典型值是在T
A
= + 25NC 。 ） （注2 ）
参数
模拟输入（注3 ）
输入电压范围
AIN +至AIN- ， K =
AIN +和GND
AIN-到GND
输入漏电流
输入电容
输入钳位电流保护
DC准确度（注4 ）
决议
无失码
偏移误差
偏移温度系数
增益误差
增益误差温度
系数
MAX11167 ，T
A
= T
民
给T
最大
积分非线性
INL
MAX11167 ，T
A
= + 25 ° C至+ 85°C
MAX11166 ，T
A
= T
民
给T
最大
MAX11166 ，T
A
= + 25 ° C至+ 85°C
微分非线性
正满量程误差
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符号
条件
民
典型值
最大
单位
5.000
4.096
-K x垂直
REF
-(V
DD
+
0.1)
-0.1
-10
-20
16
16
-1.5
±0.1
±2.4
±2
±1
-2.0
-1.0
-2.4
-1.5
-0.5
±0.5
±0.5
±0.5
±0.5
±0.2
+ K x垂直
REF
+(V
DD
+
0.1)
+0.1
V
绝对输入电压范围
V
A
pF
mA
位
位
采集阶段
两个输入端
N
+0.001
15
+10
+20
+1.5
±10
mV
μV/°C
最低位
PPM /°C的
+2.0
+1.0
+2.4
+1.5
+0.5
±14
最低位
最低位
最低位
DNL
MAXIM INTEGRATED
│
2
MAX11166/MAX11167
16位， 500KSPS / 250ksps的， ± 5V SAR型ADC
，TDFN封装内部参考
电气特性（续）
(V
DD
= 4.75V至5.25V ，V
OVDD
= 2.3V至5.25V ，女
样品
= 500kHz的或为250kHz ，V
REF
= 4.096V ;牛逼
A
= T
民
给T
最大
中，除非另有
指出。典型值是在T
A
= + 25NC 。 ） （注2 ）
参数
负满量程误差
模拟输入CMRR
电源抑制比（注5 ）
过渡噪声
参考（注7 ）
REF输出初始精度
REF输出温度
系数
REFIO输出初始精度
REFIO输出温度
系数
REFIO输出阻抗
REFIO输入电压范围
基准缓冲器的初始偏移
基准缓冲器温度
系数
外部补偿电容
REF电压输入范围
REF输入电容
REF负载电流
AC精度（注6 ）
VREF = 4.096V ，参考
模式3
信号 - 噪声比（注7）
SNR
在fIN = 10KHz的
VREF = 4.096V ，参考
模式1
VREF = 2.5V ，参考
模式3
内部参考，
参考模式0
VREF = 4.096V ，参考
模式3
信号与噪声失真
（注7 ）
SINAD
在fIN = 10KHz的
VREF = 4.096V ，参考
模式1
VREF = 2.5V ，参考
模式3
内部参考，
参考模式0
无杂散动态范围
总谐波失真
互调失真（注8 ）
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符号
CMRR
PSR
条件
民
典型值
-77
±3.0
0.5
最大
±13
单位
最低位
dB
最低位
最低位
RMS
V
REF
TC
REF
V
REFIO
TC
REFIO
参考模式0
参考模式0
参考模式0和2
参考模式0和2
参考模式0和2
参照模式1
参照模式1
参照模式1
4.092
4.096
±9
4.100
±17
4.100
±15
4.25
+500
±10
V
PPM /°C的
V
PPM /°C的
kΩ
V
V
μV/°C
F
4.092
4.096
±6
10
3
-500
4.096
±6
C
EXT
V
REF
需要参考的模式0和1 ，
推荐的参考模式2和3
参考模式2和3
参考模式2和3
V
REF
= 4.096V,
参考模式2
和3
MAX11167 ， 250ksps的
MAX11166 ， 500KSPS
10
2.5
20
65
130
4.25
V
pF
A
I
REF
91.5
92.6
92.4
dB
89.8
92.4
90
92.3
92.3
dB
89.5
91.8
SFDR
THD
IMD
96
105
-105
-115
-96
dB
dB
dB
MAXIM INTEGRATED
│
3
MAX11166/MAX11167
16位， 500KSPS / 250ksps的， ± 5V SAR型ADC
，TDFN封装内部参考
电气特性（续）
(V
DD
= 4.75V至5.25V ，V
OVDD
= 2.3V至5.25V ，女
样品
= 500kHz的或为250kHz ，V
REF
= 4.096V ;牛逼
A
= T
民
给T
最大
中，除非另有
指出。典型值是在T
A
= + 25NC 。 ） （注2 ）
参数
采样动态
吞吐量的采样率
瞬态响应
全功率带宽
孔径延迟
孔径抖动
电源
模拟电源电压
接口供电电压
模拟电源电流
V
DD
关断电流
V
OVDD
= 2.3V ， MAX11167
接口电源电流（注9 ）
I
OVDD
V
OVDD
= 5.25V ， MAX11167
V
OVDD
= 2.3V ， MAX11166
V
OVDD
= 5.25V ， MAX11166
OVDD关断电流
V
DD
= 5V, V
OVDD
= 3.3V ， MAX11167
参考模式= 2,3
V
DD
= 5V, V
OVDD
= 3.3V ， MAX11167
参考模式= 0，1
V
DD
= 5V, V
OVDD
= 3.3V ， MAX11166
参考模式= 2,3
V
DD
= 5V, V
OVDD
= 3.3V ， MAX11166
参考模式= 0，1
数字量输入（ DIN ， SCLK ， CNVST ）
输入电压高
输入电压低
输入滞后
输入电容
输入电流
数字输出（ DOUT ）
输出电压高
输出电压低
三态泄漏电流
三态输出电容
V
OH
V
OL
I
来源
= 2毫安
I
SINK
= 2毫安
-10
15
V
OVDD
- 0.4
0.4
+10
V
V
A
pF
V
IH
V
IL
V
HYS
C
IN
I
IN
V
IN
= 0V或V
OVDD
-10
0.7 x
V
OVDD
0.3× V
OVDD
± 0.05× V
OVDD
10
+10
V
V
V
pF
A
V
DD
V
OVDD
I
VDD
内部基准模式
外部基准模式
4.75
2.3
5.0
3.0
5.8
3.5
6.3
0.75
2.0
1.5
4.3
0.9
21.2
33.3
mW
26.4
40.5
5.25
5.25
6.5
4.0
10
0.85
2.4
2.0
5.0
10
A
mA
V
V
mA
A
MAX11166
MAX11167
满量程步骤
-3dB点
-0.1dB点
6
> 0.2
2.5
＆ LT ; 50
0.01
0.01
500
250
400
kSPS时
ns
兆赫
ns
ps
RMS
符号
条件
民
典型值
最大
单位
功耗
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MAXIM INTEGRATED
│
4
MAX11166/MAX11167
16位， 500KSPS / 250ksps的， ± 5V SAR型ADC
，TDFN封装内部参考
电气特性（续）
(V
DD
= 4.75V至5.25V ，V
OVDD
= 2.3V至5.25V ，女
样品
= 500kHz的或为250kHz ，V
REF
= 4.096V ;牛逼
A
= T
民
给T
最大
中，除非另有
指出。典型值是在T
A
= + 25NC 。 ） （注2 ）
参数
时序（注9 ）
转换之间的时间
转换时间
采集时间
CNVST脉冲宽度
SCLK周期（ CS模式）
t
CYC
t
CONV
t
ACQ
t
CNVPW
t
SCLK
MAX11166
MAX11167
CNVST上升到
现有数据
t
ACQ
= t
CYC
- t
CONV
CS
模式
V
OVDD
＆ GT ; 4.5V
V
OVDD
> 2.7V
V
OVDD
> 2.3V
V
OVDD
＆ GT ; 4.5V
SCLK周期（菊花链模式）
SCLK低电平时间
SCLK高电平时间
SCLK下降沿到数据有效
延迟
CNVST低到DOUT D15 MSB
有效（ CS模式）
CNVST高或最后SCLK
下降沿到DOUT高
阻抗
从DIN SCLK有效建立时间
下降沿
从DIN SCLK有效保持时间
下降沿
SCLK有效的建立时间
CNVST下降沿
SCLK有效保持时间为CNVST
下降沿
t
SCLK
t
SCLKL
t
SCLKH
V
OVDD
＆ GT ; 4.5V
t
DDO
V
OVDD
> 2.7V
V
OVDD
> 2.3V
t
EN
t
DIS
V
OVDD
> 2.7V
V
OVDD
＆ LT ; 2.7V
CS
模式
V
OVDD
＆ GT ; 4.5V
t
SDINSCK
V
OVDD
> 2.7V
V
OVDD
> 2.3V
t
HDINSCK
t
SSCKCNF
t
HSCKCNF
3
5
6
0
3
6
ns
ns
ns
ns
V
OVDD
> 2.7V
V
OVDD
> 2.3V
MAX11166
MAX11167
MAX11166
MAX11167
2
4
1.35
2.7
0.5
1
5
14
20
26
16
24
30
5
5
12
18
23
14
17
20
ns
ns
ns
ns
ns
ns
100000
100000
1.5
3.0
s
s
s
s
ns
符号
条件
民
典型值
最大
单位
ns
注2 ：
最大和最小极限完全生产测试过规定的电源电压范围，并在+ 25 ℃的温度
和+ 85°C 。低于+ 25°C的限制是通过设计和器件特性保证。典型值是无法保证的。
注3 ：
见
模拟输入
和
过电压输入钳位
部分。
注4 ：
见
释义
部分。
注5 ：
定义为正满量程编码转换的变化引起的
Q5%
变异在V
DD
电源电压。
注6 ：
10kHz的正弦波输入， -0.1dB低于满量程。
注7 ：
SEE
表4
对参考模式的定义。
注8 ：
f
IN1
= 9.4kHz ，女
IN2
= 10.7kHz ，在-6.1dB低于满量程的每个音。
注9 ：
C
负载
= 65pF在DOUT 。
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MAXIM INTEGRATED
│
5
QQ：2880707522 复制
