MA4ST200系列
低电压/高Q硅超突变变容二极管
V4版本
特点
表面贴装封装
（ SOT -23 ， SC70 3LD ， SOD- 323 ）
在低电压下高Q
高电容比在低电压
SPC工艺卓越的C-V重复性
可作为单路和共阴极双
磁带和卷轴包装
专为商用无线应用
无铅（符合RoHS标准）可用当量
能与260 °C回流温度兼容性
绝对最大额定值
1,2
@ T
A
= + 25 ° C（除非另有说明）
参数
反向电压
正向电流
总功耗
工作温度
储存温度
绝对最大
12 V
50毫安
250毫瓦
-55 ° C至+125°C
-55 ° C至+125°C
描述
M / A - COM的MA4ST200系列是离子注入，
超突变结，硅调谐变容二极管的
SOT -23 ， SC70 3LD和SOD- 323表面贴装
包。这一系列的变容二极管的设计用于
高Q值和低电压操作。每个变容二极管
类型有一个Q比400更大的-2 V.这些二极管
提供与标准的锡/铅电镀，以及
我们符合RoHS标准的100％雾锡电镀
等效装置。
以上这些参数中的任何一个1.操作此设备的
可能会造成永久性的损害。
2.请参考应用笔记M538表面贴装
说明
典型的设备选择变频
320
330
340
350
主动寻呼机
CT2
SMR
PDC
GSM
IS-136/95
NMT
JCT
NMT
TACS
安培
应用
该MA4ST200系列调谐变容二极管是有用的
对于宽带调谐和低相位噪声的应用
系统蒸发散，如果电源电压被限制为5伏或
减。这些变容二极管已经专门DE-
在无线通信达签订使用
2.4 GHz频带。应用范围包括压控振荡器和
电压调谐滤波器。
个
全球定位系统
DCS1800
PHP
DECT
WLAN
0.25
0.5
0.75
1.0
频率（GHz ）
2.0
3.0
CON连接gurations
符合RoHS标准，
产品型号
MA4ST230
MA4ST240
MA4ST250
符合RoHS基地
产品型号
MAVR-000230
MAVR-000240
MAVR-000250
1
规格如有变更，恕不另行通知
高级：
数据表包含有关产品M / A - COM技术解决方案的信息
北美
电话： 800.366.2266
欧洲
联系电话： +353.21.244.6400
正在考虑发展。性能是基于目标的规格，仿真结果，
印度
联系电话： +91.80.4155721
中国
联系电话： +86.21.2407.1588
和/或原型的测量。致力于发展无法得到保证。
访问www.macomtech.com额外的数据表和产品信息。
初步：
数据表包含有关产品M / A- COM技术信息
解决方案正在开发。性能是基于工程测试。规格
典型的。机械轮廓已定。工程样品和/或测试数据可以是可用的。
M / A - COM技术解决方案公司及其附属公司保留作出正确的
致力于生产数量难以保证。
更改产品（ S）或信息包含在此恕不另行通知。
MA4ST200系列
低电压/高Q硅超突变变容二极管
V4版本
电气规格@ T
A
= +25 °C
击穿电压@ I
R
= 10
μ
A，V
b
= 12 V最小
反向漏电流@ V
R
= 10V ，我
R
= 100 nA（最大值）
C
T 4
（PF ）
F = 1MHz时， V
R
= 2.0 V
分钟。
MA4ST230
MA4ST240
MA4ST250
MAVR-000230-XXXXXX
MAVR-000240-XXXXXX
MAVR-000250-XXXXXX
4.5
3.0
2.3
电容
比
（PF ）
F = 1 MHz的
V
R
= 4.0 V
马克斯。
3.1
2.3
1.8
Q因子
产品型号
BASE
符合RoHS
型号基地
3
C
T0.5
/C
T4.0
典型值。
3.5
3.5
3.5
F = 50MHz的
V
R
= 2.0 V
分钟。
400
450
450
喃。
5.0
3.5
2.7
马克斯。
6.0
4.2
3.5
3.后缀定义包的款式，配置和包装信息。联系代表完整的零件识别。
示例： MA4ST250-1141T符合RoHS标准的版本是MAVR - 000250-11410T 。
4.电容@ 1兆赫
SPICE模型
征二极管
产品型号：
N = 1.1
CJ0 = （见下表）
VJ = （见下表）
FC = 0.5
BV = 12.0 V
M = （见下表）
Rs
Cp
包
寄生
Cj
寄生：
CP = 0.15 pF的
LS = 0.1 nH的
Ls
产品型号
MA4ST230
MA4ST240
MA4ST250
RoHS符合基本零件
号
MAVR-000230
MAVR-000240
MAVR-000250
CJ0 （PF ）
12.0
8.16
6.19
VJ （ V）
4.085
4.930
4.774
M
2.228
2.520
2.458
2
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北美
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欧洲
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正在考虑发展。性能是基于目标的规格，仿真结果，
印度
联系电话： +91.80.4155721
中国
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和/或原型的测量。致力于发展无法得到保证。
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解决方案正在开发。性能是基于工程测试。规格
典型的。机械轮廓已定。工程样品和/或测试数据可以是可用的。
M / A - COM技术解决方案公司及其附属公司保留作出正确的
致力于生产数量难以保证。
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低电压/高Q硅超突变变容二极管
V4版本
典型性能曲线
3
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低电压/高Q硅超突变变容二极管
V4版本
表壳款式
SOD- 323 （封装类型1141 ）
C
F
D
G
E
英寸
DIM 。
A
B
C
D
E
F
G
H
MILLIMETERS
分钟。
0.25
0.08
1.6
1.15
2.3
分钟。
0.010
0.003
0.063
0.045
0.091
马克斯。
0.043
0.004
0.008
0.016
0.006
0.075
0.057
0.106
马克斯。
1.1
0.1
0.2
0.4
0.15
1.9
1.45
2.7
H
A
B
SC - 70 ， 3引线（封装类型1146 ）
A
E
J
H
DIM 。
A
B
C
D
E
G
英寸
分钟。
马克斯。
0.071
0.045
0.071
0.047
0.010
0.031
0.000
0.004
0.004
0.087
0.053
0.094
0.057
0.016
0.039
0.004
0.007
0.010
MILLIMETERS
分钟。
马克斯。
1.80
1.15
1.80
1.19
0.25
0.80
0.00
0.10
0.10
2.20
1.35
2.40
1.45
0.41
1.00
0.10
0.18
0.25
10
°
M A X 。
C
B
F
G
H
J
F
D
SC- 79 （机箱样式1279 ）
DIM 。
A
B
C
D
E
F
G
H
I
英寸
分钟。
马克斯。
0.020
0.003
0.006
0.010
0.059
0.043
0.011
0.037
典型
.028
0.028
0.008
0.010
0.014
0.067
0.051
0.012
0.043
.035
MILLIMETERS
分钟。
马克斯。
0.50
0.08
0.15
0.25
0.08
1.50
0.28
0.94
0.71
0.71
0.20
0.25
0.36
0.15
1.30
0.30
1.09
0.89
4
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低电压/高Q硅超突变变容二极管
V4版本
安装信息
该图表明推荐
安装垫配置为SC- 79 ， SC70
3LD和SOD -323封装。锡膏
含助焊剂应进行筛选到垫
的厚度为0.005- 0.007英寸。塑料
包被放置在适当的位置，牢牢地粘附到
焊膏。
永久连接通过回流进行
焊接过程期间的标签
温度不超过275 ℃，体
温度不超过250 ℃，对于标准
模型和260 ℃下的符合RoHS标准
设备。
这些变容二极管是在这三个情况下可用
显示样式。订购时，请指定所需
通过增加的情况下指定（ 287病例风格
SOT -23 ，为1146 SC70 3LD ， 1141的SOD- 323 ）作为
后缀的型号。例如，
MA4ST230-1141指定MA4ST230变容二极管
在SOD- 323封装。型号
表示为一个单一的变容二极管。共阴极
对在SOT -23封装，并
加入“ CK ”，以该模型的端部指定的
号。例如MA4ST230CK -287指定
在MA4ST230变容二极管的共阴极对。
对于RoHS标准，使用以下
足以满足给定的封装形式
（基P / N后） ：
SC- 79 ： 12790T
SOD- 323 ： 11410T
SC70 3LD ： 1146FT
作为示例， RoHS指令的P / N对相应的P / N MAVR-
在SOD- 323 000230为：
MAVR-000230-1146FT.
SC- 79 （机箱样式1279 ）
0.020
0.50
0.020
0.50
0.053
1.35
Dimenstions ：英寸
mm
SOD- 323 （封装类型1141 ）
0.030
0.80
0.030
0.80
0.030
0.80
.090
2.2
Dimenstions ：英寸
mm
SC - 70 ， 3引线（封装类型1146 ）
0.030
0.80
0.030
0.80
0.075
1.9
0.030
0.80
0.030
0.80
Dimenstions ：英寸
mm
请参考应用笔记M538表面
安装说明。
5
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高级：
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解决方案正在开发。性能是基于工程测试。规格
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