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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第721页 > MAT12
初步的技术数据
特点
低失调电压(V
OS
):50 μV最大
极低的电压噪声: 1nV / √Hz的最大@ 100Hz的
高增益(H
FE
):
500分钟,我
C
= 1毫安
300分钟,我
C
= 1μA
出色的对数一致性,R
BE
= 0.3 Ω
低失调电压漂移: 0.1 μV /°C最大
高增益带宽积: 200MHz的
低噪声,匹配
双单片晶体管
MAT12
引脚配置
注:基材是连接到外壳上的TO- 78封装。基材是
通常连接到最负的电势,但可
可浮动
概述
在MAT12系列NPN双单片晶体管的设计是非常低噪声,低漂移和优化
低R
BE
。在MAT12的特殊特性包括失调电压50
V
max和高电流增益(H
FE
)
其保持在宽范围的集电极电流。设备的性能指标是指整个
的温度范围内以及在25℃ 。
跨过发射极 - 基极结中提供输入保护二极管,以防止设备的劣化
由于特性的反向偏置的发射极电流。基板由夹紧到最负发射器
通过保护二极管产生的寄生隔离结。这导致之间完全隔离
晶体管。
该MAT12是非常适合应用在低噪音是当务之急。该MAT12可以用作输入
阶段,使得放大器具有小于1.0纳伏噪声电压/ √Hz的在100赫兹。其它的应用,如
登录/反对数电路,可以使用MAT12的出色的记录相符。典型的体电阻只有0.3
Ω
0.4
Ω.
该MAT12的电气特性接近的理想晶体管时,通过操作
1μA的集电极电流范围10 mA的。
REV 。 A蛋白
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责任承担ADI公司供其使用,也为专利或其他任何侵权行为
第三方可能导致其使用的权利。规格如有变更,恕不另行通知。没有
获发牌照以暗示或其他方式ADI公司的任何专利或专利权。
商标和注册商标均为其各自所有者的财产。
一个技术的方式, P.O. 9106箱,诺伍德,MA 02062-9106 , U.S.A.
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传真: 781.461.3113
2010 ADI公司保留所有权利。
MAT12
特定网络阳离子
电气特性; V
CB
= 15V
V
CB
= 15 V,I
O
= 10μA ,T
A
= 25 ° C,除非另有规定ED 。
表1中。
参数
电流增益
符号
h
FE
条件
I
C
= 1毫安(注1 )
-25C≤T
A
≤+85C
I
C
= 100μA
-25C≤T
A
≤+85C
I
C
= 10μA
-25C≤T
A
≤+85C
I
C
= 1μA
-25C≤T
A
≤+85C
10μA = I
C
= 1毫安(注2)
I
C
= 1mA时, V
CB
= 0 (注3)
f
O
= 10Hz的
f
O
= 100Hz的
f
O
= 1kHz时
f
O
= 10kHz的
初步的技术数据
500
325
500
275
400
225
300
200
典型值
605
590
550
485
最大
单位
电流增益匹配
噪声电压密度
Δh
FE
e
N
0.5
2
%
1.6
0.9
0.85
0.85
2
1
1
1
纳伏/赫兹÷
纳伏/赫兹÷
纳伏/赫兹÷
纳伏/赫兹÷
失调电压
V
OS
V
CB
= 0, 1μA ≤我
C
= 1毫安
-25C≤T
A
≤+85C
0 ≤ V
CB
≤ V
最大
(注4 )
1μA ≤我
C
= 1毫安(注5 )
1μA ≤我
C
≤ 1毫安(注5 )
V
CB
=0
10
50
70
25
μV
uV
μV
偏移电压随V
CB
ΔV
OS
/ΔV
CB
10
偏移电压随我
C
失调电压漂移
ΔV
OS
/ΔI
C
ΔV
OS
/ΔT
5
0.08
0.03
40
25
0.3
0.3
μV
μV/°C
μV/°C
V
-25C≤T
A
≤+85C
-25C≤T
A
≤ + 85°C ,V
OS
调整到零
击穿电压
增益带宽积
集电极 - 基极漏电流
BV
首席执行官
f
T
I
CBO
I
C
= 100mA时V
CE
= 10V
V
CB
=V
最大
-25C≤T
A
≤+85C
V
CC
=V
最大
(注6,7 )
-25C≤T
A
≤+85C
V
BE
= 0 (注6,7)
-25C≤T
A
≤+85C
200
25
2
35
3
35
3
200
兆赫
pA
nA
pA
nA
pA
nA
集电极集电极漏电流
I
CC
200
集电极 - 发射极漏电流
I
CES
200
牧师PRA |第4页2
初步的技术数据
输入偏置电流
I
B
I
C
= 10μA
-25C≤T
A
≤+85C
I
C
= 10μA
-25C≤T
A
≤+85C
I
C
= 10μA (注6 )
-25C≤T
A
≤+85C
25
45
0.6
8
MAT12
nA
nA
nA
nA
输入失调电流
I
OS
输入失调电流漂移
ΔI
OS
/ΔT
40
90
PA / ℃,
偏置电流变化与V
CB
ΔI
OS
/ΔV
CB
0 ≤ V
CB
≤ V
最大
(注4 )
30
70
PA / V
集电极饱和电压
输出电容
体积电阻
集电极 - 集电极电容
V
CE ( SAT )
C
OB
r
BE
C
CC
I
C
= 1mA时,我
B
=100μA
V
CB
= 15V ,我
E
=0
10μA≤I
C
≤10mA (注6 )
V
CC
= 0
0.05
23
0.3
35
0.1
0.5
V
pF
Ω
pF
注意事项:
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
电流增益保证与集电极 - 基极电压(V
CB
)横扫从0到V
最大
在指定的集电极电流。
电流增益匹配(△H
FE
)定义为:的Δh
FE
= (100(ΔI
B
)( h
FE分钟
)/I
C
)
噪声电压密度得到了保证,但不是100 %测试
这是V的最大变化
OS
为V
CB
从0V扫到40V 。
测量我
C
= 10μA ,并保证通过设计对我指定范围
C
通过设计保证
I
CC
CES
被我验证了测量
CBO
牧师PRA |第4页3
MAT12
绝对最大额定值
表2中。
参数
集电极 - 基极电压( BV
CBO
)
集电极 - 发射极电压( BV
首席执行官
)
集电极集电极电压( BV
CC
)
发射极 - 发射极电压( BV
EE
)
集电极电流(I
C
)
发射极电流(I
E
)
存储温度范围H套餐
工作温度范围
结温范围RM, CP包
引线温度(焊接, 60秒)
1
初步的技术数据
热阻
等级
40 V
40V
40V
40V
20毫安
20毫安
-65 ° C至+ 150°C
-25 ° C至+ 85°C
-65 ° C至+ 150°C
300°C
θ
JA
被指定为最坏的条件下,也就是说,一个设备
焊在电路板的表面贴装封装。
表3.热阻
套餐类型
的TO- 78 (H)的
θ
JA
待定
θ
JC
待定
单位
摄氏度/ W
ESD警告
差分输入电压被限制在5伏或电源电压,取
是以下。
注意,超出上述绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力
只有等级;该器件在这些或任何功能操作
上述其他条件下的作战指示
本规范的部分,是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响
器件的可靠性。
2010 ADI公司保留所有权利。商标
注册商标均为其各自所有者的财产。
PR09044-0-4/10(PrA)
牧师PRA |第4页4
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音频,双匹配
NPN晶体管
MAT12
特点
极低的电压噪声: 1内华达州/ √Hz的最大@ 100赫兹
出色的电流增益匹配: 0.5 %的典型
低失调电压(V
OS
) : 200 μV最大
出色的失调电压漂移: 0.03 μV / ° C典型值
高增益带宽积: 200兆赫
引脚配置
C
1 1
B
1 2
E
1 3
4
6
C
2
5
B
2
E
2
图1. 6引脚TO- 78
概述
该MAT12是一款双通道, NPN匹配晶体管对是
专为满足超低的要求
噪音音响系统。
凭借其极低的输入基地扩展电阻( RBB '
通常是28 Ω )和高电流增益(H
FE
一般超过
600在我
C
= 1毫安), MAT12能够实现出色的信号 -
噪比。高电流增益效果优于中
性能比集成商业系统
可单片放大器。
电流增益的良好的匹配(△H
FE
)至约0.5%的
低V
OS
小于10μV的典型使MAT12理想
对于对称平衡的设计,从而降低高次
放大器的谐波失真。
匹配参数的稳定性是通过保护保证
二极管两端的基极发射极结。这些二极管防止
由于反向β和匹配特性下降
偏置的基极发射极结。
该MAT12也是准确而可靠的理想选择
电流偏置和镜像电路。此外,因为
一个电流反射镜的精确度指数降低与
V的不匹配
BE
晶体管对之间,所述低V
OS
of
在MAT12不需要失调调整,在大多数电路
应用程序。
该MAT12是一个很好的替代MAT02 ,其
性能和特点都保证在
扩展温度范围为-40 ° C至+ 85°C 。
第0版
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09044-001
1.衬底连接
TO案件TO- 78封装。
2,基材通常是
连最
负电势,
但也可以是浮动的。
MAT12
目录
特点................................................. ............................................. 1
引脚配置................................................ ............................. 1
概述................................................ ......................... 1
修订历史................................................ ............................... 2
规格................................................. .................................... 3
电气特性................................................ ............. 3
绝对最大额定值............................................... ............. 4
热阻................................................ ....................... 4
ESD注意事项................................................ ................................... 4
典型性能特征.............................................. 5
应用信息................................................ ................. 8
快速的对数放大器............................................... ........... 8
外形尺寸................................................ ....................... 10
订购指南................................................ .......................... 10
修订历史
7/10—Revision
0 :初始版
第0版|第12页2
MAT12
特定网络阳离子
电气特性
V
CB
= 15 V,I
O
= 10 μA ,T
A
= 25 ° C,除非另有规定ED 。
表1中。
参数
DC和AC特性
电流增益
1
符号
h
FE
测试条件/评论
I
C
= 1毫安
-40 ° C≤牛逼
A
≤ +85°C
I
C
= 10 μA
-40 ° C≤牛逼
A
≤ +85°C
10 μA ≤我
C
= 1毫安
I
C
= 1毫安, V
CB
= 0 V
f
O
= 10赫兹
f
O
= 100赫兹
f
O
= 1千赫
f
O
= 10千赫
I
C
= 1毫安
V
CB
= 0 V,I
C
= 1毫安
-40 ° C≤牛逼
A
≤ +85°C
0 V ≤ V
CB
≤ V
最多4个
1 μA ≤我
C
= 1毫安
5
1 μA ≤我
C
= 1毫安
5
, V
CB
= 0 V
-40 ° C≤牛逼
A
≤ +85°C
-40 ° C≤牛逼
A
= + 85°C ,V
OS
修剪至0 V
I
C
= 100毫安, V
CE
= 10 V
V
CB
= V
最大
-40 ° C≤牛逼
A
≤ +85°C
V
CC
= V
最大
-40 ° C≤牛逼
A
≤ +85°C
V
CE
= V
最大
, V
BE
= 0 V
-40 ° C≤牛逼
A
≤ +85°C
I
C
= 10 μA
-40 ° C≤牛逼
A
≤ +85°C
I
C
= 10 μA
-40 ° C≤牛逼
A
≤ +85°C
I
C
= 10 μA , -40 ° C≤牛逼
A
≤ +85°C
I
C
= 1毫安,我
B
= 100 μA
V
CB
= 15 V,I
E
= 0 μA
10 μA ≤我
C
= 10毫安
V
CC
= 0 V
300
300
200
200
典型值
605
550
0.5
1.6
0.9
0.85
0.85
0.4
10
10
5
0.08
0.03
40
200
25
3
35
4
35
4
500
500
500
50
50
6.2
13
150
0.2
1.6
5
2
1
1
1
200
220
50
70
1
0.3
%
纳伏/赫兹÷
纳伏/赫兹÷
纳伏/赫兹÷
纳伏/赫兹÷
μV P-P
μV
μV
μV
μV
μV/°C
μV/°C
V
兆赫
pA
nA
pA
nA
pA
nA
nA
nA
nA
nA
PA / ℃,
V
pF
Ω
pF
最大
单位
电流增益匹配
2
噪声电压密度
3
Δh
FE
e
N
低频噪声( 0.1 Hz至10 Hz )
失调电压
偏移电压随V
CB
偏移电压随我
C
失调电压漂移
击穿电压,集电极到发射极
增益带宽积
集电极 - 基极漏电流
集电极 - 集电极漏电流
6, 7
集电极 - 发射极漏电流
6, 7
输入偏置电流
输入失调电流
输入失调电流漂移
6
集电极饱和电压
输出电容
体积电阻
6
集电极 - 集电极电容
1
2
e
N
p-p
V
OS
ΔV
OS
/ΔV
CB
ΔV
OS
/ΔI
C
ΔV
OS
/ΔT
BV
首席执行官
f
T
I
CBO
I
CC
I
CES
I
B
I
OS
ΔI
OS
/ΔT
V
CE (SAT)
C
OB
R
BE
C
CC
40
0.05
23
0.3
35
电流增益是有保证与集电极 - 基极电压(V
CB
)横扫从0 V到V
最大
在指定的集电极电流。
电流增益匹配(△H
FE
)被定义如下:的Δh
FE
= (100(ΔI
B
)(h
FE分钟
)/I
C
).
3
噪声电压密度得到了保证,但不是100 %测试。
4
这是V的最大变化
OS
为V
CB
被横扫从0 V至40 V.
5
测量我
C
= 10 μA ,并保证通过设计对我指定范围
C
.
6
通过设计保证。
7
I
CC
CES
由I的测量验证
CBO
.
第0版|第12页3
MAT12
绝对最大额定值
表2中。
参数
的击穿电压
集电极 - 基极电压( BV
CBO
)
的击穿电压
集电极 - 发射极电压( BV
首席执行官
)
的击穿电压
集电极 - 集电极电压( BV
CC
)
的击穿电压
发射极 - 发射极电压( BV
EE
)
集电极电流(I
C
)
发射极电流(I
E
)
存储温度范围
工作温度范围
结温范围
引线温度(焊接, 60秒)
等级
40 V
40 V
40 V
40 V
20毫安
20毫安
-65 ° C至+ 150°C
-40 ° C至+ 85°C
-65 ° C至+ 150°C
300°C
热阻
θ
JA
被指定为最坏的条件下,也就是说,一个设备
焊在电路板的表面贴装封装。
表3.热阻
套餐类型
6引脚TO- 78
θ
JA
150
θ
JC
45
单位
° C / W
ESD警告
注意,超出上述绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力
只有等级;该器件在这些或任何功能操作
上述其他条件下的作战指示
本规范的部分,是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响
器件的可靠性。
第0版|第12页4
MAT12
典型性能特性
T
A
= 25 ° C,V
CE
= 5V ,除非另有规定。
CH1 4.92V P-P
900
800
700
T
A
= +125°C
电流增益(H
FE
)
600
500
400
T
A
= +25°C
1
T
A
= –55°C
300
200
09044-002
CH1 2.00V
M4.00s
A CH1信
15.8V
0.01
0.1
1
集电极电流(毫安)
图2.低频噪声( 0.1 Hz至10 Hz ) ,我
C
= 1毫安,增益=千万
900
800
图5.电流增益与集电极电流(V
CB
= 0 V)
1k
噪声电压密度(NV / HZ)
1mA
100
电流增益(H
FE
)
700
I
C
= 1μA测试
10
600
500
400
300
1A
200
100
I
C
= 10μA测试
1
I
C
= 1毫安测试
09044-003
1
10
100
频率(Hz)
1k
10k
100k
–50
0
50
100
150
温度(℃)
图3.噪声电压密度与频率的关系
100
0.70
0.65
图6.电流增益与温度的关系(不包括我
CBO
)
80
基极发射极电压V
BE
(V)
总噪声(NV / HZ)
0.60
0.55
V
CE
= 5V
0.50
0.45
0.40
0.35
0.30
0.001
60
R
S
= 100k
40
20
R
S
= 10k
R
S
= 1k
09044-004
0.01
0.1
1
0.01
0.1
1
10
集电极电流,I
C
(MA )
集电极电流,I
C
(MA )
图4.总噪声与集电极电流, F = 1千赫
图7.基极发射极电压与集电极电流
第0版|第12页5
09044-007
0
0.001
09044-006
0.1
0.1
0
–100
09044-005
100
0.001
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    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    MAT12
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    -
    -
    -
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联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号2-1-1102
MAT12
√ 欧美㊣品
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