a
特点
低失调电压： 200 V最大
高电流增益： 400分钟
出色的电流增益匹配： 2 ％以下
低噪声电压为100赫兹， 1毫安： 2.5纳伏/ √Hz的最大值
出色的对数一致性： RBE = 0.6最大
匹配保证所有晶体管
提供裸片形式
整体匹配
四晶体管
MAT04
引脚连接
14引脚CERDIP （Y后缀）
14引脚塑料DIP （P后缀）
14引脚SO （S后缀）
产品说明
该MAT04是一款四单片NPN晶体管，提供EX-
cellent参数匹配精密放大器和非线性
耳朵电路应用。性能特点
MAT04包括高增益（400最小）在宽范围的
集电极电流，低噪声（2.5纳伏/ √Hz的最大值在100赫兹，
I
C
= 1 mA）的和卓越的对数一致性。该
MAT04还采用了200的低失调电压
V
紧
电流增益匹配，要在2％以内。的每个晶体管
MAT04是单独测试数据表规格。为
匹配参数（偏移电压，输入偏置电流，并
增益匹配），每一双晶体管的组合是
验证，以满足规定的限制。设备性能有保证
在25℃和在工业和军事温度范围。
匹配参数的长期稳定性是保证
保护二极管两端的每一个的基极 - 发射极结
晶体管。这些二极管防止β和匹配 - 退化
荷兰国际集团由于反向偏置基极 - 发射极间电流特性。
优越的对数一致性和精确匹配
在MAT04的特点使它成为一个很好的选择
在数和反对数电路使用。该MAT04是一个理想的选择
应用中的低噪声和高增益是必需的。
Rev. D的
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一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.
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传真： 781 / 326-8703
ADI公司， 2002年
MAT04–SPECIFICATIONS
(@ T
A
= 25℃，除非另有说明。每个晶体管的单独测试。匹配
参数（V
OS
, I
OS
,
h
FE
）每一个双晶体管组合验证，以满足规定的限制。在端点做，除非另有说明，所有的测试。 ）
参数
电流增益
电流增益匹配
失调电压
偏移电压随
集电极电流
偏移电压随V
CB
散装射极电阻
输入偏置电流
输入失调电流
击穿电压
集电极饱和电压
集电极 - 基极漏电流
噪声电压密度
符号
h
FE
h
FE
V
OS
V
OS
/I
C
V
OS
/V
CB
r
BE
I
B
I
OS
BV
首席执行官
V
CE （ SAT ）
I
CBO
e
n
f
T
C
敖包
C
EBO
条件
10
A ≤
I
C
≤
1毫安
0 V
≤
V
CB
≤
30 V
1
I
C
= 100
A
0 V
≤
V
CB
≤
30 V
2
10
A ≤
I
C
≤
1毫安
0 V
≤
V
CB
≤
30 V
3
10
A ≤
I
C
≤
1毫安
V
CB
= 0 V
3
10
A ≤
I
C
≤
1毫安
0 V
≤
V
CB
≤
30 V
3
10
A ≤
I
C
≤
1毫安
V
CB
= 0 V
4
I
C
= 100
A
0 V
≤
V
CB
≤
30 V
I
C
= 100
A;
V
CB
= 0 V
I
C
= 10
A
I
B
= 100
A;
I
C
= 1毫安
V
CB
= 40 V
V
CB
= 0 V ; F
O
= 10赫兹
I
C
= 1毫安; F
O
= 100赫兹
f
O
= 1千赫
5
I
C
= 1毫安; V
CE
= 10 V
V
CB
= 15 V ;我
E
= 0
F = 1 MHz的
V
BE
= 0 V ;我
C
= 0
F = 1 MHz的
MAT04E
最小典型最大
400
800
0.5
50
5
50
0.4
125
0.6
40
0.03
5
2
1.8
1.8
300
10
40
0.06
3
2.5
2.5
2
200
25
100
0.6
250
5
40
0.03
5
2
1.8
1.8
300
10
40
0.06
4
3
3
MAT04F
最小典型最大
300
600
1
100
10
100
0.4
165
2
4
400
50
200
0.6
330
13
%
V
V
V
nA
nA
V
V
pA
纳伏/赫兹÷
纳伏/赫兹÷
纳伏/赫兹÷
兆赫
pF
pF
单位
电气特性
增益带宽积
输出电容
输入电容
笔记
1
在我测的电流增益
C
= 10
A,
100
A
和1 mA 。
2
电流增益匹配被定义为：
h
FE
100(
I
B
)(
h
FE
=
I
C
民
)
测量我
C
= 10
A
并保证通过设计对我指定范围
C
.
通过设计保证。
5
样品测试。
3
4
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
–2–
Rev. D的
MAT04
电气特性
（在-25℃
≤
T
参数
符号
条件
85℃ MAT04E ， -40℃
≤
T
A
85℃ MAT04F ，除非
另有说明。每个晶体管的单独测试。匹配参数（V
OS
, I
OS
）每一个双晶体管组合
验证，以满足规定的限制。在端点做，除非另有说明，所有的测试。 ）
A
MAT04E
最小典型最大
MAT04F
最小典型最大
单位
电流增益
失调电压
平均偏移
电压漂移
输入偏置电流
输入失调电流
平均偏移
电流漂移
击穿电压
集电极 - 基
漏电流
集电极 - 发射极
漏电流
集电极 - 基
漏电流
h
FE
V
OS
TCV
OS
I
B
I
OS
TCI
OS
BV
首席执行官
I
CBO
I
CES
I
CS
10
A ≤
I
C
≤
1毫安
0 V
≤
V
CB
≤
30 V
1
10
A ≤
I
C
≤
1毫安
0 V
≤
V
CB
≤
30 V
2
I
C
= 100
A
V
CB
= 0 V
3
I
C
= 100
A
0 V
≤
V
CB
≤
30 V
I
C
= 100
A
V
CB
= 0 V
I
C
= 100
A
V
CB
= 0 V
I
C
= 10
A
V
CB
= 40 V
V
CE
= 40 V
225 625
60
0.2
260
1
200 500
120 520
0.4
2
V
μV/°C
nA
nA
PA / ℃，
V
nA
nA
nA
160 445
4
50
40
0.5
5
40
20
200 500
8
100
40
0.5
5
0.7
V
CS
= 40 V
0.7
Rev. D的
–3–
MAT04
绝对最大额定值
1
集电极 - 基极电压（ BV
CBO
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40 V
集电极 - 发射极电压（ BV
首席执行官
) . . . . . . . . . . . . . . . . . 40 V
集电极集电极电压（ BV
CC
) . . . . . . . . . . . . . . . . . 40 V
发射极 - 发射极电压（ BV
EE
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40 V
集电极电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30毫安
发射极电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30毫安
基板（引脚4到引脚11 ）电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30毫安
工作温度范围
MAT04EY 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -25 ° C至+ 85°C
MAT04FY ， FP ， FS 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至+ 85°C
储存温度
Y封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 150°C
P封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65∞C至+ 125∞C
引线温度（焊接， 60秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 300℃
2
DICE特性
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.
9.
10.
11.
12.
13.
14.
Q1集电极
Q1基极
Q1发射
基板
Q2发射
Q2基
Q2集电极
Q3集电极
Q3基地
Q3发射
基板
Q4发射
Q4基极
Q4集电极
套餐类型
14引脚CERDIP
14引脚塑料DIP
14引脚SO
JA
JC
单位
° C / W
° C / W
° C / W
芯片尺寸0.060
×
0.060英寸， 3600平方米。毫米
(1.52
×
1.52毫米，2.31平方毫米）
108
83
120
16
39
36
笔记
1
绝对最大额定值适用于DICE和包装件，除非
另有说明。
2
JA
被指定为最坏的情况下的安装条件下，即
JA
为特定网络版的
设备插座CERDIP和P - DIP封装;
JA
被指定为设备
焊接到印刷电路板上的SO封装。
订购指南
模型
MAT04EY
*
MAT04FY
*
MAT04FP
MAT04FS
T
A
= 25 C
V
OS
最大
200
V
400
V
400
V
400
V
温度
范围
-25 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
包
描述
CERDIP
CERDIP
P-DIP-14
14引脚SO
包
选项
Q-14
Q-14
N-14
SO-14
笔记
*
不用于新设计; 2002年4月过期。
小心
ESD （静电放电）敏感器件。静电荷高达4000 V容易
积聚在人体和测试设备，可排出而不被发现。
虽然MAT04具有专用ESD保护电路，可能永久的损坏
发生在受到高能静电放电设备。因此，适当的ESD
预防措施建议，以避免性能下降或功能丧失。
警告！
ESD敏感器件
–4–
Rev. D的
QQ：2880707522 复制
