a
特点
低失调电压： 50 V最大
低噪声电压为100赫兹， 1毫安： 1.0纳伏/ √Hz的最大值
高增益（H
FE
） ：500分钟，在我
C
= 1毫安
300分钟，我
C
= 1 A
出色的对数一致性，R
BE
0.3
低失调电压漂移： 0.1 V / C最大值
改进的直接替代LM194 / 394
提供裸片形式
低噪声，匹配
双单片晶体管
MAT02
引脚连接
TO-78
（H后缀）
记
衬底连接到外壳上的TO- 78封装。子
施特拉特通常连接到最负的电路
势，但可以浮置。
产品说明
绝对最大额定值
1
在MAT02系列NPN双单片转录的设计
电阻取值是非常低噪声，低漂移和低R优化
BE
.
精密Monolithics公司独家氮化硅“款三
钝化“的过程稳定的关键设备参数
在温度和使用时间的广泛范围。另外，高
电流增益（H
FE
）的MAT02的被保持在一个宽
范围集电极电流。的特殊特性
MAT02包括偏移电压50
V
MAX（ A / E级）和
150
V
最高F级。设备的性能，规定工作在
整个军用温度范围内以及在25 ℃。
跨过发射极 - 基极被提供输入保护二极管
结，以防止器件特性劣化
由于反向偏置的发射极电流。衬底被夹持
到最负的发射极的寄生隔离结
通过保护二极管产生。这导致了完整间隔离
晶体管之间和灰。
该MAT02应在任何应用中，其中低噪声
是当务之急。该MAT02可以用作一个输入级，使
放大器具有小于1.0纳伏/ √Hz的在100Hz的噪声电压。
其他应用，如对数/反对数电路中，可以使用EX-
在MAT02的cellent记录相符。典型的散装电阻
距离受到只有0.3
0.4
.
该MAT02的电气字符
开创性意义的接近理想晶体管的操作时，在
的1的集电极电流范围
A
到10毫安。对于应用程序重新
quiring多个设备看到MAT04四匹配晶体管
数据表。
集电极 - 基极电压（ BV
CBO
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40 V
集电极 - 发射极电压（ BV
首席执行官
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40 V
集电极集电极电压（ BV
CC
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40 V
发射极 - 发射极电压（ BV
EE
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40 V
集电极电流（I
C
） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20毫安
发射极电流（I
E
） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20毫安
总功耗
外壳温度
≤
40°C
2
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.8 W
环境温度
≤
70°C
3
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 500毫瓦
工作温度范围
MAT02A 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 ° C至+ 125°C
MAT02E ， F。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -25 ° C至+ 85°C
工作结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 ° C至+ 150°C
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 150°C
引线温度（焊接， 60秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 300℃
结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 150°C
笔记
1
绝对最大额定值适用于DICE和包装设备。
2
评级适用于使用散热控制情况下的应用。
线性降额在16.4毫瓦/ ℃的外壳温度高于40°C 。
3
评级适用于不使用散热的应用;设备中唯一的自由空气。
降额直线在6.3毫瓦/ ℃的环境温度高于70℃。
订购指南
1
模型
MAT02AH
2
MAT02EH
MAT02FH
V
OS
最大
温度
(T
A
= + 25℃ ）范围
50
V
50
V
150
V
-55 ° C至+ 125°C
-55 ° C至+ 125°C
-55 ° C至+ 125°C
包
选项
TO-78
TO-78
TO-78
笔记
1
老化可在商用和工业温度范围内零部件
TO -CAN封装。
2
为完全符合处理设备符合MIL -STD- 883 ，部分后添加/ 883
号。咨询工厂的883数据表。
版本C
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