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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第957页 > MAT01
a
特点
低V
OS
(V
BE
比赛） ： 40 V （典型值） ， 100 V最大
低TCV
OS
： 0.5 V / C最大值
高
FE
： 500分钟
优秀
FE
线性度从10 nA的10 mA的
低噪声电压： 0.23 V P-P - 0.1 Hz至10 Hz
高击穿： 45 V分钟
提供裸片形式
产品说明
整体匹配
双晶体管
MAT01
引脚连接
TO-78
（H后缀）
该MAT01是一款单芯片双NPN晶体管。独家
氮化硅“三重钝化”的过程提供了极好的
在温度和时间关键参数的稳定性。
匹配特性包括失调电压40
V,
温
0.15 perature漂移
μV / ° C，
和H
FE
0.7 ％的匹配。很
高
FE
设置在集电极电流的6十年范围内，
包括一个特殊的
FE
的590处的唯一的集电极电流
10 nA的。高增益低集电极电流使
MAT01非常适合低功耗，低层次的输入级使用。
注：基质被连接到壳体。
老化电路
REV 。一
信息ADI公司提供的被认为是准确和
可靠的。但是，没有责任承担由Analog Devices其
使用，也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯
这可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或
否则，在ADI公司的任何专利或专利权。
一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.
联系电话： 617 / 329-4700
万维网网站： http://www.analog.com
传真： 617 / 326-8703
ADI公司，1997
MAT01–SPECIFICATIONS
电气特性
参数
符号
(@ V
CB
= 15 V，I
C
= 10 A，T
A
= 25℃，除非另有说明。 ）
民
MAT01AH
典型值
最大
民
MAT01GH
典型值
民
单位
条件
击穿电压
失调电压
偏移电压稳定
第一个月
长期
失调电流
偏置电流
电流增益
BV
首席执行官
V
OS
V
OS
/时间
I
OS
I
B
h
FE
h
FE
e
n
p-p
e
n
RMS
e
n
V
OS /
V
CB
I
OS /
V
CB
I
CBO
I
CES
I
CC
V
CE （ SAT ）
f
T
C
OB
C
CC
I
C
= 100
A
（注1 ）
（注2 ）
45
0.04
2.0
0.2
0.1
13
590
770
840
0.7
0.8
0.23
0.60
7.0
6.1
6.0
0.5
2
15
50
20
0.12
0.8
450
2.8
8.5
9.0
7.6
7.5
3.0
15
50
200
200
0.20
0.1
45
0.10
2.0
0.2
0.2
18
430
560
610
1.0
1.2
0.23
0.60
7.0
6.1
6.0
0.8
3
25
90
30
0.12
0.8
450
2.8
8.5
9.0
7.6
7.5
8.0
70
200
400
400
0.25
0.5
V
mV
μV /月
μV /月
nA
nA
0.6
20
250
3.0
3.2
40
电流增益匹配
低频噪声
电压
宽带噪声
电压
噪声电压
密度
I
C
= 10 nA的
I
C
= 10
A
I
C
= 10毫安
I
C
= 10
A
100 nA的
≤
I
C
≤
10毫安
0.1赫兹到10赫兹
3
1赫兹到10千赫兹
f
O
= 10赫兹
3
f
O
= 100赫兹
3
f
O
= 1000赫兹
3
0
≤
V
CB
≤
30 V
0
≤
V
CB
≤
30 V
V
CB
= 30 V，I
E
= 0
4
V
CE
= 30 V, V
BE
= 0
4, 5
V
CC
= 30 V
5
I
B
= 0.1毫安，我
C
= 1毫安
I
B
= 1毫安，我
C
= 10毫安
V
CE
= 10 V，I
C
= 10毫安
V
CB
= 15 V，I
E
= 0
V
CC
= 0
500
8.0
%
%
V
p-p
V
RMS
纳伏/赫兹÷
纳伏/赫兹÷
纳伏/赫兹÷
V/V
PA / V
pA
pA
pA
V
V
兆赫
pF
pF
0.4
0.4
失调电压变化
偏移电流变化
集电极 - 基
漏电流
集电极 - 发射极
漏电流
收藏家，收藏家
漏电流
集电极饱和
电压
增益带宽积
输出电容
收藏家，收藏家
电容
电气特性
(@ V
参数
符号
条件
CB
= 15 V，I
C
= 10 A， -55℃
≤
T
A
≤
125 ℃，除非另有说明。 ）
民
MAT01AH
典型值
最大
民
MAT01GH
典型值
民
单位
失调电压
平均偏移
电压漂移
失调电流
平均偏移
电流漂移
偏置电流
电流增益
集电极 - 基
漏电流
集电极 - 发射极
漏电流
收藏家，收藏家
漏电流
V
OS
TCV
OS
I
OS
TCI
OS
Ι
Β
h
FE
I
CBO
I
CES
I
CC
（注6 ）
0.06
0.15
0.9
10
28
400
15
50
30
0.15
0.50
8.0
90
60
77
80
300
200
0.14
0.35
1.5
15
36
300
25
90
50
0.70
1.8
15.0
150
130
mV
μV/°C
nA
PA / ℃，
nA
（注7 ）
167
T
A
= 125°C ，V
CB
= 30 V,
I
E
= 0
4
T
A
= 125°C ，V
CE
= 30 V,
V
BE
= 0
4, 6
T
A
= 125°C ，V
CC
= 30 V,
（注6 ）
200
400
400
nA
nA
nA
–2–
REV 。一
MAT01
典型电气特性
(@ V
参数
符号
CB
= 15 V和I
C
= 10 A，T
A
= 25 ℃，除非另有说明。 ）
MAT01N
典型
单位
条件
平均失调电压漂移
平均失调电流漂移
集电极 - 发射极漏
当前
集电极 - 基极漏
当前
增益带宽积
偏移电压稳定
TCV
OS
TCI
OS
I
CES
I
CBO
f
T
V
OS
/T
V
CE
= 30 V, V
BE
= 0
V
CB
= 30 V，I
E
= 0
V
CE
= 10 V，I
C
= 10毫安
第一个月（注1 ）
长期（注2 ）
0.35
15
90
25
450
2.0
0.2
μV/°C
PA / ℃，
pA
pA
兆赫
μV /月
μV /月
笔记
1
排除操作的第一个小时，以便稳定。
2
参数说明第一个月运行后的长期平均漂移。
3
样品测试。
4
集电极 - 基极（我
CBO
）与集电极 - 发射极（一
CES
）漏电流可能
减小的210倍的因子由衬底（封装）连接到
一电位，该电位是比任集电极电压低。
5
I
CC
我
CES
由我测量有保证
CBO
.
6
7
用V保证
OS
TEST
（ TCV
OS
由我保证
OS
测试极限超温。
V
OS
为
V
OS
T
V
BE
) T = 298
°
K
对于T
A
= 25°C.
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
晶圆测试极限
(@ V
参数
CB
= 15 V，I
C
= 10 A，T
A
= 25 ℃，除非另有说明。 ）
条件
MAT01N
范围
单位
符号
击穿电压
失调电压
失调电流
偏置电流
电流增益
电流增益匹配
失调电压变化
偏移电流变化
集电极饱和电压
BV
首席执行官
V
OS
I
OS
I
B
h
FE
h
FE
V
OS
/V
CB
V
OS
/V
CB
V
CE （SAT）
I
C
= 100
A
0
≤
V
CB
≤
30 V
0
≤
V
CB
≤
30 V
I
B
= 0.1毫安，我
C
= 1毫安
45
0.5
3.2
40
250
8.0
8.0
70
0.25
V分钟
毫伏最大
nA的最大
nA的最大
民
％最大
V/V
最大
PA / V最大
V最大
记
电气测试在晶片探针进行到如图所示的范围。由于变化的装配方法和正常产量损失，包装后的产率不
为保证标准的产品的骰子。咨询工厂的基础上，通过大量样本的组装和测试骰子很多资质洽谈规格。
REV 。一
–3–
MAT01
绝对最大额定值
1
集电极 - 基极电压（ BV
CBO
)
MAT01AH ， GH ，N 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 45 V
集电极 - 发射极电压（ BV
首席执行官
)
MAT01AH ， GH ，N 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 45 V
集电极集电极电压（ BV
CC
)
MAT01AH ， GH ，N 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 45 V
发射极 - 发射极电压（ BV
EE
)
MAT01AH ， GH ，N 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 45 V
发射极 - 基极电压（ BV
EBO
)
2
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5 V
集电极电流（I
C
） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.25毫安
发射极电流（I
E
） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25毫安
总功耗
外壳温度
≤
40°C
3
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.8 W
环境温度
≤
70°C
4
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 500毫瓦
工作环境温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 ° C至+ 125°C
工作结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 ° C至+ 150°C
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 150°C
引线温度（焊接， 60秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 300℃
DICE结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 150°C
笔记
1
绝对最大额定值适用于DICE和包装设备。
2
电压超过额定值所示可导致反向偏置的应用
h的降解
FE
和H
FE
匹配特性。不要试图测量
BV
EBO
比所示的5 V等级更高。
3
评级适用于使用散热控制情况下的应用。
线性降额在16.4毫瓦/ ℃的情况下，温度高于40 ℃。
4
评级适用于不使用散热片的应用;设备中唯一的自由空气。减额
线性度在6.3毫瓦/ ℃的环境温度高于70℃。
订购指南
1
模型
MAT01AH
2
MAT01GH
V
OS
最大
(T
A
= +25 C)
0.1毫伏
0.5毫伏
温度
范围
-55 ° C至+ 125°C
-55 ° C至+ 125°C
包
选项
TO-78
TO-78
笔记
1
老化可在商用和工业温度范围内零部件
TO -CAN封装。
2
为完全符合处理设备符合MIL -STD- 883 ，部分后添加/ 883
号。咨询工厂的883数据表。
DICE特性
1.
2.
3.
5.
6.
7.
收集器（ 1 ）
基（1）
发射器（1）
辐射源（2）
基座（2 ）
收集器（ 2 ）
DIE SIZE 0.035
×
0.025英寸， 875平方密耳
(0.89
×
0.64毫米， 0.58平方毫米）
小心
ESD （静电放电）敏感器件。静电荷高达4000 V容易
积聚在人体和测试设备，可排出而不被发现。
虽然MAT01具有专用ESD保护电路，可能永久的损坏
发生在受到高能静电放电设备。因此，适当的ESD
预防措施建议，以避免性能下降或功能丧失。
警告！
ESD敏感器件
–4–
REV 。一
MAT01
图1.失调电压
与温度的关系
图4.失调电压随时间变化
图7.基射极电压
与集电极电流
图2.电流增益
与集电极电流
图5.电流增益
与温度的关系
图8.饱和电压
与集电极电流
图3.噪声电压
图6.噪声电流密度
图9.增益带宽
与集电极电流
REV 。一
–5–
数据表
特点
低V
OS
(V
BE
比赛） ： 40 μV典型， 100 μV最大
低TCV
OS
： 0.5 μV / ° C（最大值）
高
FE
： 500最低
优秀
FE
线性度从10 nA的10 mA的
低噪声电压： 0.23 μV峰峰值从0.1 Hz至10 Hz
高击穿： 45 V分钟
整体匹配
双晶体管
MAT01
引脚连接图
MAT01
顶视图
（不按比例）
C
1
C
2
1
6
B
1 2
E
1 3
5
B
2
应用
电子秤
噪音低，运算放大器，前端
电流镜和灌/拉电流
低噪声仪表放大器
电压控制衰减器
对数放大器
4
E
2
00282-001
笔记
1.衬底连接到外壳。
图1 。
概述
该
MAT01
是一款单芯片双NPN晶体管。独家
氮化硅三重钝化工艺提供了极好的
在温度和时间关键参数的稳定性。
选配特征包括偏移40 μV电压，
0.15 μV/ ℃，且h的温度漂移
FE
0.7 ％的匹配。
高
FE
设置在集电器的一个六十年范围
目前，包括特殊
FE
590在集电极
目前只有10呐。高增益低集电极电流
使
MAT01
非常适用于低功耗应用，低电平输入
阶段。
信息ADI公司提供的被认为是准确和可靠。然而，没有
责任承担ADI公司供其使用，也为专利或其他任何侵权行为
第三方可能导致其使用的权利。规格如有变更，恕不另行通知。没有
获发牌照以暗示或其他方式ADI公司的任何专利或专利权。
商标和注册商标均为其各自所有者的财产。
版本C
文档反馈
一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.
电话： 781.329.4700 1973至2013年ADI公司保留所有权利。
技术支援
www.analog.com
MAT01
目录
特点................................................. ............................................. 1
应用................................................. ...................................... 1
引脚连接图............................................... ................. 1
概述................................................ ......................... 1
修订历史................................................ ............................... 2
规格................................................. .................................... 3
电气特性................................................ ............. 3
绝对最大额定值............................................... ............. 5
数据表
ESD注意事项................................................ ................................... 5
典型性能特征.............................................. 6
测试电路................................................ ........................................ 8
应用信息................................................ ................. 9
典型应用................................................ ....................... 10
外形尺寸................................................ ....................... 11
订购指南................................................ .......................... 11
修订历史
4月13日 - 修订版。 B到C版
更新格式................................................ ..................通用
添加应用部分，删除的图2 ，
重新编号按顺序................................................ ................ 1
删除表3 ，重新编号按顺序.................................. 4
更改表3 .............................................. .............................. 5
更改典型性能特性部分........... 6
更新的外形尺寸............................................... ........ 11
更改订购指南.............................................. ............ 11
2月2日 - 修订版。 A到版本B
编辑功能............................................... .................................. 1
删除晶圆测试限制.............................................. .................. 3
删除DICE特点............................................... ........... 3
编辑表5 .............................................. ..................................... 7
版本C | 12页2
数据表
特定网络阳离子
电气特性
V
CB
= 15 V，I
C
= 10 μA ，T
A
= 25 ℃，除非另有说明。
表1中。
参数
电压
击穿电压
失调电压
偏移电压稳定
第一个月
1
长期
2
当前
失调电流
偏置电流
电流增益
符号
BV
首席执行官
V
OS
V
OS
/时间
测试条件/评论
I
C
= 100 A
MAT01AH
最小典型最大
45
0.04
2.0
0.2
0.1
13
590
770
840
0.7
0.8
0.23
0.60
7.0
6.1
6.0
0.5
2
15
50
20
0.12
0.8
450
2.8
8.5
0.6
20
250
3.0
0.1
MAT01GH
最小值典型值最小值
45
0.10
2.0
0.2
0.2
18
430
560
610
1.0
1.2
0.23
0.60
7.0
6.1
6.0
0.8
3
25
90
30
0.12
0.8
450
2.8
8.5
3.2
40
0.5
MAT01
单位
V
mV
μV /月
μV /月
nA
nA
I
OS
I
B
h
FE
电流增益匹配
噪音
低频噪声电压
宽带噪声电压
噪声电压密度
h
FE
I
C
= 10 nA的
I
C
= 10 A
I
C
= 10毫安
I
C
= 10 A
100 nA的≤我
C
= 10毫安
0.1赫兹到10赫兹
3
1赫兹到10千赫兹
f
O
= 10赫兹
3
f
O
= 100赫兹
3
f
O
= 1000赫兹
3
0 ≤ V
CB
≤ 30 V
0 ≤ V
CB
≤ 30 V
V
CB
= 30 V，I
E
= 0
4
V
CE
= 30 V, V
BE
= 0
4, 5
V
CC
= 30 V
5
I
B
= 0.1毫安，我
C
= 1毫安
I
B
= 1毫安，我
C
= 10毫安
V
CE
= 10 V，I
C
= 10毫安
V
CB
= 15 V，I
E
= 0
V
CC
= 0
500
8.0
%
%
μV P-P
μV RMS
纳伏/赫兹÷
纳伏/赫兹÷
纳伏/赫兹÷
V/V
PA / V
pA
pA
pA
V
V
兆赫
pF
pF
e
n
p-p
e
n
RMS
e
n
0.4
9.0
7.6
7.5
3.0
15
50
200
200
0.20
0.4
9.0
7.6
7.5
8.0
70
200
400
400
0.25
失调电压/电流
失调电压变化
偏移电流变化
泄漏
集电极基极漏电流
集电极到发射极漏电流
集电极集电极漏电流
饱和
集电极饱和电压
增益带宽积
电容
输出电容
集电极集电极电容
1
2
V
OS
/V
CB
I
OS
/V
CB
I
CBO
I
CES
I
CC
V
CE （ SAT ）
f
T
C
OB
C
CC
排除操作的第一个小时，以便稳定。
参数说明第一个月运行后的长期平均漂移。
3
样品测试。
4
集电极基地（I
CBO
）和集电极到发射极（一
CES
）的泄漏电流可以通过2至10倍的因子减小由衬底（封装）连接到
电位比任一集电极电压低。
5
I
CC
我
CES
由我测量有保证
CBO
.
版本C |第12页3
MAT01
V
CB
= 15 V，I
C
= 10 μA ， -55 ° C≤牛逼
A
≤+ 125 ℃，除非另有说明。
表2中。
参数
失调电压/电流
失调电压
平均失调电压漂移
1
失调电流
平均失调电流漂移
2
偏置电流
电流增益
漏电流
集电极基极漏电流
集电极到发射极漏电流
集电极集电极漏电流
1
数据表
符号
V
OS
TCV
OS
I
OS
TCI
OS
Ι
Β
h
FE
I
CBO
I
CES
I
CC
测试条件/评论
MAT01AH
最小典型最大
0.06
0.15
0.9
10
28
400
15
50
30
0.15
0.50
8.0
90
60
MAT01GH
最小值典型值最小值
0.14
0.35
1.5
15
36
300
25
90
50
0.70
1.8
15.0
150
130
单位
mV
μV/°C
nA
PA / ℃，
nA
167
T
A
= 125°C ，V
CB
= 30 V，I
E
= 0
3
T
A
= 125°C ，V
CE
= 30 V, V
BE
= 0
1, 3
T
A
= 125°C ，V
CC
= 30 V
1
77
80
300
200
200
400
400
nA
nA
nA
V
用V保证
OS
TEST
TCVOS
OS
为
VOS
<<
VBE
,
T
= 298 K时对于T
A
= 25°C.
T
2
由我保证
OS
测试极限超温。
3
集电极基地（I
CBO
）和集电极到发射极（一
CES
）的泄漏电流可以通过2至10倍的因子减小由衬底（封装）连接到
电位比任一集电极电压低。
(
)
版本C |第12页4
数据表
绝对最大额定值
表3中。
参数
1
的击穿电压
集电极基极电压（ BV
CBO
)
集电极到发射极电压（ BV
首席执行官
)
集电极集电极电压（ BV
CC
)
发射极发射极电压（ BV
EE
)
发射器基极电压（ BV
EBO
)
2
当前
收集器（我
C
)
发射器（我
E
)
总功耗
外壳温度≤ 40℃
3
环境温度= 70℃
4
温度范围
操作
连接点
存储
引线温度（焊接， 60秒）
1
2
MAT01
注意，超出上述绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力
只有等级;该器件在这些或任何功能操作
上述其他条件下的作战指示
本规范的部分，是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响
器件的可靠性。
等级
45 V
45 V
45 V
45 V
5V
25毫安
25毫安
1.8 W
500毫瓦
-55 ° C至+ 125°C
-55 ° C至+ 150°C
-65 ° C至+ 150°C
300°C
ESD警告
绝对最大额定值适用于封装器件。
电压超过额定值所示可导致反向偏置的应用
h的降解
FE
和H
FE
匹配特性。不要尝试
测量BV
EBO
比5 V的评价更高。
3
评级适用于应用程序中使用的散热控制情况
温度。线性降额在16.4毫瓦/ ℃的情况下，温度高于
40°C.
4
评级适用于不使用散热片的应用;设备中唯一的自由空气。
减功率线性度在6.3毫瓦/ ℃的环境温度高于70℃。
版本C |第12页5
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