MASWSS0204
砷化镓SPDT 2.7 V高功率开关
DC - 3.0 GHz的
特点
低工作电压： 2.7 V
高IP3 ： +56 dBm的
低插入损耗： 0.30分贝在1 GHz
高隔离度：25分贝1 GHz的
0.5微米的GaAs pHEMT工艺
无铅SC70封装
无卤素“绿色”模塑化合物
260℃回流焊
MASWSS0117的*符合RoHS标准的版本
修订版V3
功能框图
描述
该MASWSS0204是GaAs pHEMT的MMIC单
单刀双掷（SPDT）在一个低的高功率开关
成本SC70 6引脚封装。该MASWSS0204是
非常适用于需要高功率，低
控制电压，低插入损耗，高隔离度，
小尺寸和低成本的要求。
典型的应用是用于CDMA
手机
连接单独的收发器系统和/或
GPS功能到一个公共天线，以及
其他相关的听筒和通用
应用程序。该MASWSS0204可以在所有使用
操作高达3 GHz需要高功率系统
在低控制电压。
该MASWSS0204是使用0.5微米制造
栅极长度的GaAs PHEMT工艺。过程
功能完整的钝化性能和
可靠性。
引脚配置
PIN号
1
2
3
4
5
6
引脚名称
V2
RFC
V1
RF1
GND
RF2
描述
VCONTROL 2
射频共
VCONTROL 1
RF端口1
射频地
RF端口2
MASWSS0204取向磁带
订购信息
1,2
产品型号
MASWSS0204
MASWSS0204TR-3000
MASWSS0204SMB
包
散装包装
3000件卷轴
抽样检验局
注意：
磁带和卷轴提供的设备是反向
的，在应用中所示的方向注M513 。
1.参考应用笔记M513的卷大小信息。
2.所有样品板包括5个零件松动。
*对有害物质的限制，欧盟指令2002/95 / EC 。
1
高级：
数据表包含有关产品M / A - COM技术解决方案的信息
北美
电话： 800.366.2266
欧洲
联系电话： +353.21.244.6400
正在考虑发展。性能是基于目标的规格，仿真结果，
印度
联系电话： +91.80.43537383
中国
联系电话： +86.21.2407.1588
和/或原型的测量。致力于发展无法得到保证。
访问www.macomtech.com额外的数据表和产品信息。
初步：
数据表包含有关产品M / A- COM技术信息
解决方案正在开发。性能是基于工程测试。规格
典型的。机械轮廓已定。工程样品和/或测试数据可以是可用的。
M / A - COM技术解决方案公司及其附属公司保留作出正确的
致力于生产数量难以保证。
更改产品（ S）或信息包含在此恕不另行通知。
MASWSS0204
砷化镓SPDT 2.7 V高功率开关
DC - 3.0 GHz的
电气规格：吨
A
= 25°C ，VC = 0 V / 2.7 V，Z
0
= 50
3
参数
插入损耗
4
修订版V3
测试条件
DC - 1 GHz的
1 - 2 GHz的
2 - 3 GHz的
DC - 1 GHz的
1 - 2 GHz的
2 - 3 GHz的
DC - 3 GHz的
825兆赫
两个音， +24 dBm的总针， 5 MHz的间距
对于细胞频段：双音信号输入：
T
X
1 = +22 dBm的@ 820 MHz时，
T
X
2 = +22 dBm的@ 821 MHz时，
R
X
干扰= -23 dBm的@ 869兆赫。
用于PCS频段：双音信号输入：
T
X
1 = +18 dBm的@ 1880兆赫，
T
X
2 = +18 dBm的@ 1881兆赫，
R
X
干扰= -23 dBm的@ 1960兆赫。
单位
dB
分钟。
—
—
—
23
—
—
—
—
典型值。
0.30
0.35
0.35
25
19
15
20
56
马克斯。
0.65
—
—
—
—
—
—
—
隔离
回波损耗
IP3
dB
dB
DBM
DBM
—
-99
—
交叉调制
DBM
—
-94
—
P0.1dB
素养， TFALL
吨， Toff的
瞬变
控制电流
1 GHz的
10 ％至90％的射频，90％至10％的射频
50 ％对照，以90％的射频，
50 ％对照，以10％的射频
在带
V
C
= 2.7 V
DBM
ns
ns
mV
A
—
—
—
—
—
38
70
100
25
5
—
—
—
—
20
3.对于正电压控制，外部隔直流电容器，需要在所有RF端口。
4.插入损耗可以通过改变直流阻断电容值，例如被优化1000 pF的100兆赫 - 1 GHz的39 pF的0.5 - 3 GHz的。
绝对最大额定值
5,6
参数
输入功率
（ 0.5 - 3 GHz的， 3 V控制）
工作电压
工作温度
储存温度
绝对最大
+38 dBm的
8.5伏特
-40 ° C至+ 85°C
-65 ° C至+ 150°C
真值表
7,8,9
V1
1
0
V2
0
1
ANT- RF1
On
关闭
ANT - RF2
关闭
On
5.超过任一项的这些限制或组合可能导致
永久性损坏此设备。
6， M / A - COM技术不建议持续
操作邻近这些生存极限。
7.对于正电压控制，外部隔直流电容器
要求所有RF端口。
8.差分电压，V （状态1 ） - V（状态0） ，必须是+2.7 V
最低限度，但不能超过8.5 V.
9. 0 = -5 V至2.3 V， 1 = -2.3 V至+5 V.
2
高级：
数据表包含有关产品M / A - COM技术解决方案的信息
北美
电话： 800.366.2266
欧洲
联系电话： +353.21.244.6400
正在考虑发展。性能是基于目标的规格，仿真结果，
印度
联系电话： +91.80.43537383
中国
联系电话： +86.21.2407.1588
和/或原型的测量。致力于发展无法得到保证。
访问www.macomtech.com额外的数据表和产品信息。
初步：
数据表包含有关产品M / A- COM技术信息
解决方案正在开发。性能是基于工程测试。规格
典型的。机械轮廓已定。工程样品和/或测试数据可以是可用的。
M / A - COM技术解决方案公司及其附属公司保留作出正确的
致力于生产数量难以保证。
更改产品（ S）或信息包含在此恕不另行通知。
MASWSS0204
砷化镓SPDT 2.7 V高功率开关
DC - 3.0 GHz的
典型性能曲线， 39 pF的
插入损耗
0.6
+25°C
+85°C
-40°C
修订版V3
QUALI科幻阳离子
资格M / A - COM规范REL -201 ，
流程-2 。
0.5
0.4
办理程序
0.3
0.2
请遵循以下注意事项，以避免
伤害：
0.1
静电灵敏度
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0.0
0.5
频率（GHz ）
隔离
40
砷化镓集成电路是敏感
对静电放电（ESD） ，并且可以是
被静电损坏。适当的ESD控制
处理这些时应当使用一
设备。
30
+25°C
+85°C
-40°C
LEAD -FREE
SC70塑料包装
20
10
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
频率（GHz ）
回波损耗
0
5
10
15
20
+25°C
+85°C
-40°C
25
30
35
0.0
参考应用笔记M538无铅回流焊
建议。
符合JEDEC湿度敏感度等级1要求。
电镀是100 ％雾锡铜线。
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
频率（GHz ）
3
高级：
数据表包含有关产品M / A - COM技术解决方案的信息
北美
电话： 800.366.2266
欧洲
联系电话： +353.21.244.6400
正在考虑发展。性能是基于目标的规格，仿真结果，
印度
联系电话： +91.80.43537383
中国
联系电话： +86.21.2407.1588
和/或原型的测量。致力于发展无法得到保证。
访问www.macomtech.com额外的数据表和产品信息。
初步：
数据表包含有关产品M / A- COM技术信息
解决方案正在开发。性能是基于工程测试。规格
典型的。机械轮廓已定。工程样品和/或测试数据可以是可用的。
M / A - COM技术解决方案公司及其附属公司保留作出正确的
致力于生产数量难以保证。
更改产品（ S）或信息包含在此恕不另行通知。
MASWSS0204
砷化镓SPDT 2.7 V高功率开关
DC - 3.0 GHz的
特点
低工作电压： 2.7 V
高IP3 ： +56 dBm的
低插入损耗： 0.30分贝在1 GHz
高隔离度：25分贝1 GHz的
0.5微米的GaAs pHEMT工艺
无铅SC70封装
无卤素“绿色”模塑化合物
260℃回流焊
MASWSS0117的*符合RoHS标准的版本
修订版V2
功能框图
描述
M / A - COM的MASWSS0204是GaAs PHEMT
MMIC单刀双掷（ SPDT ）大功率
切换在一个低成本的SC70 6引线封装。该
MASWSS0204非常适合应用
其中，高功率，低控制电压，低插入
损，高隔离度，体积小，成本低是
所需。
典型的应用是用于CDMA
手机
连接单独的收发器系统和/或
GPS功能到一个公共天线，以及
其他相关的听筒和通用
应用程序。该MASWSS0204可以在所有使用
操作高达3 GHz需要高功率系统
在低控制电压。
该MASWSS0204是使用0.5微米制造
栅极长度的GaAs PHEMT工艺。过程
功能完整的钝化性能和
可靠性。
引脚配置
PIN号
1
2
3
4
5
6
引脚名称
V2
RFC
V1
RF1
GND
RF2
描述
VCONTROL 2
射频共
VCONTROL 1
RF端口1
射频地
RF端口2
MASWSS0204取向磁带
订购信息
1,2
产品型号
MASWSS0204
MASWSS0204TR-3000
MASWSS0204SMB
包
散装包装
3000件卷轴
抽样检验局
注意：
磁带和卷轴提供的设备是反向
的，在应用中所示的方向注M513 。
1.参考应用笔记M513的卷大小信息。
2.所有样品板包括5个零件松动。
*对有害物质的限制，欧盟指令2002/95 / EC 。
1
高级：
数据表包含有关产品M / A - COM技术解决方案的信息
北美
电话： 800.366.2266 /传真： 978.366.2266
正在考虑发展。性能是基于目标的规格，仿真结果，
欧洲
联系电话： 44.1908.574.200 /传真： 44.1908.574.300
和/或原型的测量。致力于发展无法得到保证。
亚洲/太平洋地区
联系电话： 81.44.844.8296 /传真： 81.44.844.8298
初步：
数据表包含有关产品M / A- COM技术信息
访问www.macomtech.com额外的数据表和产品信息。
解决方案正在开发。性能是基于工程测试。规格
典型的。机械轮廓已定。工程样品和/或测试数据可以是可用的。
M / A - COM技术解决方案公司及其附属公司保留作出正确的
致力于生产数量难以保证。
更改产品（ S）或信息包含在此恕不另行通知。
MASWSS0204
砷化镓SPDT 2.7 V高功率开关
DC - 3.0 GHz的
电气规格：吨
A
= 25°C ，VC = 0 V / 2.7 V，Z
0
= 50
3
参数
插入损耗
4
修订版V2
测试条件
DC - 1 GHz的
1 - 2 GHz的
2 - 3 GHz的
DC - 1 GHz的
1 - 2 GHz的
2 - 3 GHz的
DC - 3 GHz的
825兆赫
两个音， +24 dBm的总针， 5 MHz的间距
细胞频段：双音信号输入： =的Tx1 +22
dBm的@ 820兆赫， Tx2的= +22 dBm的@ 821 MHz时，
RX干扰= -23 dBm的@ 869兆赫。
对于PCS频段：双音信号输入： =的Tx1 +18
dBm的@ 1880兆赫， Tx2的= +18 dBm的@ 1881兆赫，
RX干扰= -23 dBm的@ 1960兆赫。
单位
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
分钟。
—
—
—
23
—
—
—
—
—
典型值。
0.30
0.35
0.35
25
19
15
20
56
马克斯。
0.65
—
—
—
—
—
—
—
隔离
回波损耗
IP3
DBM
-99
—
交叉调制
DBM
DBM
ns
ns
mV
A
—
—
—
—
—
—
-94
38
70
100
25
5
—
—
—
—
—
20
P0.1dB
素养， TFALL
吨， Toff的
瞬变
控制电流
1 GHz的
10 ％至90％的射频，90％至10％的射频
50 ％对照，以90％的射频，
50 ％对照，以10％的射频
在带
V
C
= 2.7 V
3.对于正电压控制，外部隔直流电容器，需要在所有RF端口。
4.插入损耗可以通过改变直流阻断电容值，例如被优化1000 pF的100兆赫 - 1 GHz的39 pF的0.5 - 3 GHz的。
绝对最大额定值
5,6
参数
输入功率
（ 0.5 - 3 GHz的， 3 V控制）
工作电压
工作温度
储存温度
绝对最大
+38 dBm的
8.5伏特
-40 ° C至+ 85°C
-65 ° C至+ 150°C
真值表
7,8,9
V1
1
0
V2
0
1
ANT- RF1
On
关闭
ANT - RF2
关闭
On
5.超过任一项的这些限制或组合可能导致
永久性损坏此设备。
6， M / A - COM不建议持续经营近
这些生存极限。
7.对于正电压控制，外部隔直流电容器
要求所有RF端口。
8.差分电压，V （状态1 ） - V（状态0） ，必须是+2.7 V
最低限度，但不能超过8.5 V.
9. 0 = -5 V至2.3 V， 1 = -2.3 V至+5 V.
2
高级：
数据表包含有关产品M / A - COM技术解决方案的信息
北美
电话： 800.366.2266 /传真： 978.366.2266
正在考虑发展。性能是基于目标的规格，仿真结果，
欧洲
联系电话： 44.1908.574.200 /传真： 44.1908.574.300
和/或原型的测量。致力于发展无法得到保证。
亚洲/太平洋地区
联系电话： 81.44.844.8296 /传真： 81.44.844.8298
初步：
数据表包含有关产品M / A- COM技术信息
访问www.macomtech.com额外的数据表和产品信息。
解决方案正在开发。性能是基于工程测试。规格
典型的。机械轮廓已定。工程样品和/或测试数据可以是可用的。
M / A - COM技术解决方案公司及其附属公司保留作出正确的
致力于生产数量难以保证。
更改产品（ S）或信息包含在此恕不另行通知。
MASWSS0204
砷化镓SPDT 2.7 V高功率开关
DC - 3.0 GHz的
典型性能曲线， 39 pF的
插入损耗
0.6
+25°C
+85°C
-40°C
修订版V2
LEAD -FREE
SC70塑料包装
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
频率（GHz ）
隔离
40
30
+25°C
+85°C
-40°C
参考应用笔记M538无铅回流焊
建议。
符合JEDEC湿度敏感度等级1要求。
电镀是100 ％雾锡铜线。
20
QUALI科幻阳离子
10
资格M / A - COM规范REL -201 ，
流程-2 。
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0
0.5
办理程序
请遵循以下注意事项，以避免
伤害：
频率（GHz ）
回波损耗
0
5
10
15
20
25
30
35
0.0
+25°C
+85°C
-40°C
静电灵敏度
砷化镓集成电路是敏感
对静电放电（ESD） ，并且可以是
被静电损坏。适当的ESD控制
处理这些时应当使用一
设备。
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
频率（GHz ）
3
高级：
数据表包含有关产品M / A - COM技术解决方案的信息
北美
电话： 800.366.2266 /传真： 978.366.2266
正在考虑发展。性能是基于目标的规格，仿真结果，
欧洲
联系电话： 44.1908.574.200 /传真： 44.1908.574.300
和/或原型的测量。致力于发展无法得到保证。
亚洲/太平洋地区
联系电话： 81.44.844.8296 /传真： 81.44.844.8298
初步：
数据表包含有关产品M / A- COM技术信息
访问www.macomtech.com额外的数据表和产品信息。
解决方案正在开发。性能是基于工程测试。规格
典型的。机械轮廓已定。工程样品和/或测试数据可以是可用的。
M / A - COM技术解决方案公司及其附属公司保留作出正确的
致力于生产数量难以保证。
更改产品（ S）或信息包含在此恕不另行通知。
RoHS指令
柔顺
砷化镓SP3T 2.7 V的CDMA -GPS开关
DC - 2.5 GHz的
特点
均衡（对称） RF端口
低交叉调制
低插入损耗： 0.55分贝在1 GHz
高隔离度：21分贝2 GHz的
0.5微米的GaAs pHEMT工艺
无铅3毫米12引脚PQFN封装
100 ％雾锡电镀铜多
无卤素“绿色”模塑化合物
260℃回流焊
MASWSS0060的*符合RoHS标准的版本
MASWSS0200
V1
功能原理图
引脚12
100 pF的
GND
蚂蚁
销1
V1
RF1
V3
GND
RF3
100 pF的
100 pF的
描述
M / A - COM的MASWSS0200是业界领先
的GaAs PHEMT MMIC单刀三掷（ SP3T ）
在无铅3毫米12导CDMA的GPS开关
PQFN封装。该MASWSS0200是唯一
被配置为从一个共同的使能开关
天线端口到CDMA蜂窝，CDMA PCS，或GPS
端口。
设计是对称的，并且已经完全
对优秀的交叉调制优化
在所有三个路径的性能，同时仍保持
优异的插入损耗和隔离。注意
由于设计是对称的，则用户可以指定
CDMA手机， CDMA PCS和GPS港口RF1 ，
RF2和RF3在他或她的自由裁量权。
该MASWSS0200是使用0.5微米制造
栅极长度的GaAs PHEMT工艺。过程
功能完整的钝化性能和
可靠性。
GND
GND
GND
RF2
引脚配置
PIN号
1
2
3
4
5
6
7
8
功能
V1
RF1
GND
GND
RF2
V2
GND
RF3
V3
GND
蚂蚁
GND
GND （桨）
100 pF的
V2
描述
控制1
RF端口1
地
地
RF端口2
控制2
射频地
RF端口3
控制3
射频地
天线端口
射频地
射频地
订购信息
产品型号
MASWSS0200TR-3000
MASWSS0200SMB
包
3000件卷轴
样品的评估板
9
10
11
12
13
注：参考应用笔记M513的卷大小
信息。
*对有害物质的限制，欧盟指令2002/95 / EC 。
1
M / A - COM公司及其附属公司保留随时更改的权利
产品（S ）或包含，恕不另行通知信息。 M / A- COM使
关于是否适合任何保证，声明或保证其
产品用于任何特定目的，也没有M / A - COM承担任何责任
由此产生的任何产品（S）的使用或应用的任何或
信息。
北美
电话： 800.366.2266 /传真： 978.366.2266
欧洲
联系电话： 44.1908.574.200 /传真： 44.1908.574.300
亚洲/太平洋地区
联系电话： 81.44.844.8296 /传真： 81.44.844.8298
访问www.macom.com额外的数据表和产品信息。
RoHS指令
柔顺
砷化镓SP3T 2.7 V的CDMA -GPS开关
DC - 2.5 GHz的
电气规格：吨
A
= 25 ° C，Z
0
= 50
1
参数
插入损耗
2
（全路径）
隔离
MASWSS0200
V1
测试条件
1.0 GHz的
1.5 GHz的
2.0 GHz的
DC - 1.0 GHz的
1.0 - 2.0 GHz的
2.0 - 2.5 GHz的
DC - 2.5 GHz的
两个音， +22 dBm的/音， 1 MHz的间距， 820兆赫
两个音， +22 dBm的/音， 1 MHz的间距， 1880兆赫
对于细胞频段：双音信号输入：
TX1 = +22 dBm的@ 820兆赫， Tx2的= +22 dBm的@ 821 MHz时，
RX干扰= -23 dBm的@ 869 MHz的
用于PCS频段：双音信号输入：
TX1 = +18 dBm的@ 1880兆赫， Tx2的= +18 dBm的@ 1881兆赫，
RX干扰= -23 dBm的@ 1960 MHz的
单位
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
分钟。
—
—
—
23
18
16
—
—
—
—
典型值。
0.55
0.60
0.70
27
21
20
20
62
61
-101
马克斯。
0.70
0.75
0.90
—
—
—
—
—
—
—
回波损耗
（所有RF端口）
IP3
交叉调制
DBM
—
-102
—
P.1dB
素养， TFALL
吨， Toff的
瞬变
控制电流
VC = 0 V / 2.7 V ， 1 GHz的
10 ％至90％的射频，90％至10％的射频， 900兆赫
50％的控制，以90％的射频，并且50％的控制，以10％的射频， 900兆赫
在带
VC = 0 V / 2.7 V
DBM
S
S
mV
A
—
—
—
—
—
36
0.06
0.09
70
—
—
—
—
—
30
1.外部隔直流电容器所需的所有RF端口。
2.插入损耗可以通过改变直流阻断电容值，例如被优化1000 pF的100兆赫 - 500兆赫， 100 pF的0.5 - 2.5 GHz的。
绝对最大额定值
3,4
参数
输入功率
（ 0.5 - 2.5千兆赫， 2.7 V控制）
控制电压
工作温度
储存温度
真值表
5,6
V1
1
0
0
5.
6.
绝对最大
+36 dBm的
± 8.5伏
-40
°
C至+ 85
°
C
-65
°
C至+150
°
C
V2
0
1
0
V3
0
0
1
ANT- RF1 ANT- RF2 ANT- RF3
On
关闭
关闭
关闭
On
关闭
关闭
关闭
On
3.超过任一项的这些限制或组合可能导致
永久性损坏此设备。
4. M / A - COM不建议持续经营近
这些生存极限。
差分电压，V （状态1 ） -V （状态0）必须是2.6 V
最小和不得超过8.5 V.
0 = -5 V至2.4 V ， 1 = -2.4 V至5 V.
2
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产品（S ）或包含，恕不另行通知信息。 M / A- COM使
关于是否适合任何保证，声明或保证其
产品用于任何特定目的，也没有M / A - COM承担任何责任
由此产生的任何产品（S）的使用或应用的任何或
信息。
北美
电话： 800.366.2266 /传真： 978.366.2266
欧洲
联系电话： 44.1908.574.200 /传真： 44.1908.574.300
亚洲/太平洋地区
联系电话： 81.44.844.8296 /传真： 81.44.844.8298
访问www.macom.com额外的数据表和产品信息。
RoHS指令
柔顺
砷化镓SP3T 2.7 V的CDMA -GPS开关
DC - 2.5 GHz的
典型性能曲线@ + 25°C
VSWR
1.5
MASWSS0200
V1
隔离
35
RF1-RF2
RF2-RF1
RF3-RF2
1.4
30
1.3
25
1.2
1.1
20
1.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
15
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
频率（GHz ）
频率（GHz ）
插入损耗
1.0
RF1
RF2
RF3
QUALI科幻阳离子
资格M / A - COM规范REL -201 ，
流程-2 。
0.8
0.6
办理程序
请遵循以下注意事项，以避免
伤害：
0.4
0.2
静电灵敏度
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0.0
0.5
频率（GHz ）
LEAD -FREE
3毫米12引脚PQFN
砷化镓集成电路是敏感
对静电放电（ESD） ，并且可以是
被静电损坏。适当的ESD控制
处理这些时应当使用一
设备。
参考应用笔记M538无铅回流焊的建议。
3
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