砷化镓SP4T 2.5 V高功率开关
DC - 3.0 GHz的
特点
低工作电压： 2.5 V
低谐波： < -65 dBc的，在34 dBm的& 1 GHz的
低插入损耗： 0.65分贝在1 GHz
高隔离度：23分贝2 GHz的
4毫米16引脚PQFN封装
0.5微米的GaAs pHEMT工艺
MASWSS0118
V2
功能原理图
GND
GND
蚂蚁
39 pF的
PIN码16
销1
V1
RF1
39 pF的
V4
RF4
39 pF的
描述
M / A - COM的MASWSS0118是GaAs PHEMT
MMIC单刀4掷（ SP4T ）大功率
开关在一个低成本4毫米16引脚PQFN封装。
该MASWSS0118非常适合应用
其中，高功率，低控制电压，低插入
损，高隔离度，小尺寸和低成本是
所需。
典型的应用是用于GSM和DCS手机
连接单独的发送和接收系统
功能与共用天线，以及其他
手机和相关应用。这部分可以是
在工作频率高达3.0 GHz的所有系统使用
需要高功率，在低控制电压。
该MASWSS0118是使用0.5微米制造
栅极长度的GaAs PHEMT工艺。过程
功能完整的钝化性能和
可靠性。
GND
GND
RF3
39 pF的
GND
RF2
39 pF的
GND
引脚配置
PIN号
1
2
3
4
5
6
引脚名称
V1
RF1
GND
RF2
GND
V2
V3
GND
RF3
GND
GND
RF4
GND
V4
GND
蚂蚁
桨
2
GND
描述
控制1
RF端口1
射频地
RF端口2
射频地
控制2
控制3
射频地
RF端口3
射频地
射频地
RF端口4
射频地
控制4
射频地
天线端口
射频地
V2
订购信息
产品型号
MASWSS0118TR
MASWSS0118TR-3000
MASWSS0118SMB
7
包
1000件卷轴
3000件卷轴
抽样检验局
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
1.参考应用笔记M513的卷大小信息。
2.裸露焊盘集中在封装底部必须是
连接到RF和DC接地。
1
M / A - COM公司及其附属公司保留随时更改的权利
产品（S ）或包含，恕不另行通知信息。 M / A- COM使
关于是否适合任何保证，声明或保证其
产品用于任何特定目的，也没有M / A - COM承担任何责任
由此产生的任何产品（S）的使用或应用的任何或
信息。
北美
电话： 800.366.2266 /传真： 978.366.2266
欧洲
联系电话： 44.1908.574.200 /传真： 44.1908.574.300
亚洲/太平洋地区
联系电话： 81.44.844.8296 /传真： 81.44.844.8298
访问www.macom.com额外的数据表和产品信息。
V3
砷化镓SP4T 2.5 V高功率开关
DC - 3.0 GHz的
电气规格：吨
A
= 25 ° C，Z
0
= 50
3
参数
插入损耗
4
MASWSS0118
V2
测试条件
DC - 1 GHz的
1 - 2 GHz的
2 - 3 GHz的
DC - 1 GHz的
1 - 2 GHz的
2 - 3 GHz的
DC - 3 GHz的
双色+26 dBm时， 5 MHz的间距， > 50兆赫
V
C
= 0 V / 2.5 V
双色+26 dBm时， 5 MHz的间距， > 50兆赫
V
C
= 0 V / 2.5 V
V
C
= 0 V / 2.5 V
1 GHz时， P
IN
= +34 dBm时， V
C
= 0 V / 2.5 V
1 GHz时， P
IN
= +34 dBm时， V
C
= 0 V / 2.5 V
10％的射频，以90％的射频，90％至10％的射频，V
C
= 0 V / 2.5 V
50％的控制，以90％的射频，50％控制到10％的射频，V
C
= 0 V / 2.5 V
单位
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
dBc的
dBc的
S
S
mV
分钟。
—
—
—
27
21
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值。
0.65
0.80
1.00
29.0
23.0
18.5
20
57
81
38
-80
-68
0.2
0.2
35
10
马克斯。
0.85
1.00
—
—
—
—
—
—
—
—
-71
-65
—
—
—
50
隔离
回波损耗
IP3
IP2
P.1dB
2
nd
谐波
3
rd
谐波
素养， TFALL
吨， Toff的
瞬变
控制电流
V
C
= 0 V / 2.5 V ， 34 dBm的
A
3.外部隔直流电容器所需的所有RF端口。
4.插入损耗可以通过改变直流阻断电容值，例如被优化1000 pF的100兆赫 - 500兆赫， 39 pF的0.5千兆赫 - 3 GHz的。
绝对最大额定值
5,6
参数
输入功率
（ 0.5 - 3.0千兆赫， 2.5 V控制）
电压
工作温度
储存温度
真值表
7,8
V1
1
绝对最大
+38 dBm的
V2
0
1
V3
0
0
1
0
V4
0
0
0
1
ANT-
RF1
On
关闭
关闭
关闭
ANT-
RF2
关闭
On
关闭
关闭
ANT-
RF3
关闭
关闭
On
关闭
ANT-
RF4
关闭
关闭
关闭
On
± 8.5伏
-40°C至+ 85°C
-65 ° C至+ 150°C
°
°
0
0
0
0
0
5.超过任一项的这些限制或组合可能导致
永久性损坏此设备。
6， M / A - COM不建议持续经营近
这些生存极限。
7.差分电压，V （状态1 ） -V （状态2 ） ，必须是2.5 V
最低限度。
8. 0 = -5 V至2.5 V， 1 = -2.5 V至+5 V
办理程序
请遵循以下注意事项，以避免
伤害：
静电灵敏度
砷化镓集成电路是对敏感
静电放电（ESD ），并且可以由被损坏
静电。适当的ESD控制技术应
处理这些设备时使用。
2
M / A - COM公司及其附属公司保留随时更改的权利
产品（S ）或包含，恕不另行通知信息。 M / A- COM使
关于是否适合任何保证，声明或保证其
产品用于任何特定目的，也没有M / A - COM承担任何责任
由此产生的任何产品（S）的使用或应用的任何或
信息。
北美
电话： 800.366.2266 /传真： 978.366.2266
欧洲
联系电话： 44.1908.574.200 /传真： 44.1908.574.300
亚洲/太平洋地区
联系电话： 81.44.844.8296 /传真： 81.44.844.8298
访问www.macom.com额外的数据表和产品信息。
砷化镓SP4T 2.5 V高功率开关
DC - 3.0 GHz的
典型性能曲线
插入损耗与温度的关系
+25°C
1.6
1.4
+85°C
-40°C
40
35
MASWSS0118
V2
隔离与温度
+25°C
+85°C
-40°C
插入损耗（dB ）
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
隔离度（dB ）
30
25
20
15
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
频率（GHz ）
频率（GHz ）
1 GHz的二阶谐波抑制
25°C
-50
85°C
-40°C
1 GHz的三次谐波抑制
25°C
-50
-60
-70
-80
-90
-100
2.0
85°C
-40°C
-70
-80
-90
-100
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
谐波（ DBC）
-60
谐波（ DBC）
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
控制电压（V）
控制电压（V）
4毫米16引脚PQFN
3
M / A - COM公司及其附属公司保留随时更改的权利
产品（S ）或包含，恕不另行通知信息。 M / A- COM使
关于是否适合任何保证，声明或保证其
产品用于任何特定目的，也没有M / A - COM承担任何责任
由此产生的任何产品（S）的使用或应用的任何或
信息。
北美
电话： 800.366.2266 /传真： 978.366.2266
欧洲
联系电话： 44.1908.574.200 /传真： 44.1908.574.300
亚洲/太平洋地区
联系电话： 81.44.844.8296 /传真： 81.44.844.8298
访问www.macom.com额外的数据表和产品信息。
MASWSS0118
砷化镓SP4T 2.5 V高功率开关
DC - 3.0 GHz的
特点
低工作电压： 2.5 V
低谐波： < -65 dBc的，在34 dBm的& 1 GHz的
低插入损耗： 0.65分贝在1 GHz
高隔离度：23分贝2 GHz的
4毫米16引脚PQFN封装
0.5微米的GaAs pHEMT工艺
修订版V3
功能原理图
GND
PIN码16
销1
V1
RF1
RF4
39 pF的
GND
蚂蚁
39 pF的
V4
描述
M / A - COM的MASWSS0118是GaAs PHEMT
MMIC单刀4掷（ SP4T ）大功率
开关在一个低成本4毫米16引脚PQFN封装。
该MASWSS0118非常适合应用
其中，高功率，低控制电压，低插入
损，高隔离度，小尺寸和低成本是
所需。
典型的应用是用于GSM和DCS手机
连接单独的发送和接收系统
功能与共用天线，以及其他
手机和相关应用。这部分可以是
在工作频率高达3.0 GHz的所有系统使用
需要高功率，在低控制电压。
该MASWSS0118是使用0.5微米制造
栅极长度的GaAs PHEMT工艺。过程
功能完整的钝化性能和
可靠性。
GND
GND
RF3
39 pF的
39 pF的
GND
RF2
39 pF的
GND
引脚配置
PIN号
1
2
3
4
5
6
引脚名称
V1
RF1
GND
RF2
GND
V2
V3
GND
RF3
GND
GND
RF4
GND
V4
GND
蚂蚁
桨
2
GND
描述
控制1
RF端口1
射频地
RF端口2
射频地
控制2
控制3
射频地
RF端口3
射频地
射频地
RF端口4
射频地
控制4
射频地
天线端口
射频地
V2
订购信息
产品型号
MASWSS0118TR
MASWSS0118TR-3000
MASWSS0118SMB
1
7
包
1000件卷轴
3000件卷轴
抽样检验局
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
1.参考应用笔记M513的卷大小信息。
2.裸露焊盘集中在封装底部必须是
连接到RF和DC接地。
1
高级：
数据表包含有关产品M / A - COM技术解决方案的信息
北美
电话： 800.366.2266
欧洲
联系电话： +353.21.244.6400
正在考虑发展。性能是基于目标的规格，仿真结果，
印度
联系电话： +91.80.43537383
中国
联系电话： +86.21.2407.1588
和/或原型的测量。致力于发展无法得到保证。
访问www.macomtech.com额外的数据表和产品信息。
初步：
数据表包含有关产品M / A- COM技术信息
解决方案正在开发。性能是基于工程测试。规格
典型的。机械轮廓已定。工程样品和/或测试数据可以是可用的。
M / A - COM技术解决方案公司及其附属公司保留作出正确的
致力于生产数量难以保证。
更改产品（ S）或信息包含在此恕不另行通知。
V3
MASWSS0118
砷化镓SP4T 2.5 V高功率开关
DC - 3.0 GHz的
电气规格：吨
A
= 25 ° C，Z
0
= 50
Ω
3
参数
插入损耗
4
修订版V3
测试条件
DC - 1 GHz的
1 - 2 GHz的
2 - 3 GHz的
DC - 1 GHz的
1 - 2 GHz的
2 - 3 GHz的
DC - 3 GHz的
双色+26 dBm时， 5 MHz的间距， > 50兆赫
V
C
= 0 V / 2.5 V
双色+26 dBm时， 5 MHz的间距， > 50兆赫
V
C
= 0 V / 2.5 V
V
C
= 0 V / 2.5 V
1 GHz时， P
IN
= +34 dBm时， V
C
= 0 V / 2.5 V
1 GHz时， P
IN
= +34 dBm时， V
C
= 0 V / 2.5 V
10％的射频，以90％的射频，90％至10％的射频，V
C
= 0 V / 2.5 V
50％的控制，以90％的射频，50％控制到10％的射频，V
C
= 0 V / 2.5 V
单位
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
dBc的
dBc的
S
S
mV
分钟。
—
—
—
27
21
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值。
0.65
0.80
1.00
29.0
23.0
18.5
20
57
81
38
-80
-68
0.2
0.2
35
10
马克斯。
0.85
1.00
—
—
—
—
—
—
—
—
-71
-65
—
—
—
50
隔离
回波损耗
IP3
IP2
P.1dB
2
nd
谐波
3
rd
谐波
素养， TFALL
吨， Toff的
瞬变
控制电流
V
C
= 0 V / 2.5 V ， 34 dBm的
A
3.外部隔直流电容器所需的所有RF端口。
4.插入损耗可以通过改变直流阻断电容值，例如被优化1000pF的100兆赫 - 500兆赫， 39 pF的0.5 - 3 GHz的。
绝对最大额定值
5,6
参数
输入功率
（ 0.5 - 3.0千兆赫， 2.5 V控制）
电压
工作温度
储存温度
真值表
7,8
V1
1
绝对最大
+38 dBm的
V2
0
1
0
0
V3
0
0
1
0
V4
0
0
0
1
ANT-
RF1
On
关闭
关闭
关闭
ANT-
RF2
关闭
On
关闭
关闭
ANT-
RF3
关闭
关闭
On
关闭
ANT-
RF4
关闭
关闭
关闭
On
± 8.5伏
-40
°
C至+ 85
°
C
-65 ° C至+ 150°C
0
0
0
5.超过任一项的这些限制或组合可能导致
永久性损坏此设备。
6， M / A - COM不建议持续经营近
这些生存极限。
7.差分电压，V （状态1 ） -V （状态2 ） ，必须是2.5 V
最低限度。
8. 0 = -5 V至2.5 V， 1 = -2.5 V至+5 V
办理程序
请遵循以下注意事项，以避免
伤害：
静电灵敏度
砷化镓集成电路是敏感
对静电放电（ESD） ，并且可以是
被静电损坏。适当的ESD控制
处理这些时应当使用一
设备。
2
高级：
数据表包含有关产品M / A - COM技术解决方案的信息
北美
电话： 800.366.2266
欧洲
联系电话： +353.21.244.6400
正在考虑发展。性能是基于目标的规格，仿真结果，
印度
联系电话： +91.80.43537383
中国
联系电话： +86.21.2407.1588
和/或原型的测量。致力于发展无法得到保证。
访问www.macomtech.com额外的数据表和产品信息。
初步：
数据表包含有关产品M / A- COM技术信息
解决方案正在开发。性能是基于工程测试。规格
典型的。机械轮廓已定。工程样品和/或测试数据可以是可用的。
M / A - COM技术解决方案公司及其附属公司保留作出正确的
致力于生产数量难以保证。
更改产品（ S）或信息包含在此恕不另行通知。
MASWSS0118
砷化镓SP4T 2.5 V高功率开关
DC - 3.0 GHz的
典型性能曲线
插入损耗与温度的关系
+25°C
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
15
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
修订版V3
隔离与温度
-40°C
40
35
+25°C
+85°C
-40°C
+85°C
插入损耗（dB ）
隔离度（dB ）
30
25
20
f重新阙NC （G ^ h Z）
f重新阙NC （G ^ h Z）
1 GHz的二阶谐波抑制
25°C
-50
-60
-70
-80
-90
-100
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
85°C
-40°C
1 GHz的三次谐波抑制
25°C
-50
-60
85°C
-40°C
害ONIC （ DBC）
谐波（ DBC）
-70
-80
-90
-100
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
C 0 ntro升武LTA GE （ V）
C 0 NT RO L V ℃的GE （V ）
4毫米16引脚PQFN
3
高级：
数据表包含有关产品M / A - COM技术解决方案的信息
北美
电话： 800.366.2266
欧洲
联系电话： +353.21.244.6400
正在考虑发展。性能是基于目标的规格，仿真结果，
印度
联系电话： +91.80.43537383
中国
联系电话： +86.21.2407.1588
和/或原型的测量。致力于发展无法得到保证。
访问www.macomtech.com额外的数据表和产品信息。
初步：
数据表包含有关产品M / A- COM技术信息
解决方案正在开发。性能是基于工程测试。规格
典型的。机械轮廓已定。工程样品和/或测试数据可以是可用的。
M / A - COM技术解决方案公司及其附属公司保留作出正确的
致力于生产数量难以保证。
更改产品（ S）或信息包含在此恕不另行通知。
QQ：2880707522 复制
