MASWSS0117
砷化镓SPDT 2.7 V高功率开关
DC - 3.0 GHz的
特点
低工作电压： 2.7 V
高IP3 ： +56 dBm的
低插入损耗： 0.30分贝在1 GHz
高隔离度：25分贝1 GHz的
SC70 6引脚封装
0.5微米的GaAs pHEMT工艺
修订版V3
功能框图
描述
该MASWSS0117是GaAs pHEMT的MMIC单
单刀双掷（SPDT）在一个低的高功率开关
成本SC70 6引脚封装。该MASWSS0117是
非常适用于需要高功率，低
控制电压，低插入损耗，高隔离度，
小尺寸和低成本的要求。
典型的应用是用于CDMA手机系统
连接单独的收发器和/或GPS
功能与共用天线，以及其他
相关的手机及一般用途的应用。
该MASWSS0117可以在所有系统中使用
操作高达3.0 GHz的要求高功率低
控制电压。
该MASWSS0117是使用0.5微米制造
栅极长度的GaAs PHEMT工艺。过程
功能完整的钝化性能和
可靠性。
引脚配置
PIN号
1
2
3
4
5
6
引脚名称
V2
RFC
V1
RF1
GND
RF2
描述
VCONTROL 2
射频共
VCONTROL 1
RF端口1
射频地
RF端口2
MASWSS0117取向磁带
订购信息
1
产品型号
MASWSS0117
MASWSS0117TR
MASWSS0117TR-3000
MASWSS0117SMB
包
散装包装
1000件卷轴
3000件卷轴
抽样检验局
MASWSS0117器件标识
1.参考应用笔记M513的卷大小信息。
1
高级：
数据表包含有关产品M / A - COM技术解决方案的信息
北美
电话： 800.366.2266
欧洲
联系电话： +353.21.244.6400
正在考虑发展。性能是基于目标的规格，仿真结果，
印度
联系电话： +91.80.43537383
中国
联系电话： +86.21.2407.1588
和/或原型的测量。致力于发展无法得到保证。
访问www.macomtech.com额外的数据表和产品信息。
初步：
数据表包含有关产品M / A- COM技术信息
解决方案正在开发。性能是基于工程测试。规格
典型的。机械轮廓已定。工程样品和/或测试数据可以是可用的。
M / A - COM技术解决方案公司及其附属公司保留作出正确的
致力于生产数量难以保证。
更改产品（ S）或信息包含在此恕不另行通知。
MASWSS0117
砷化镓SPDT 2.7 V高功率开关
DC - 3.0 GHz的
电气规格：吨
A
= 25 ° C，V
C
= 0 V / 2.7 V，Z
0
= 50
2
参数
插入损耗
3
修订版V3
测试条件
DC - 1 GHz的
1 - 2 GHz的
2 - 3 GHz的
DC - 1 GHz的
1 - 2 GHz的
2 - 3 GHz的
DC - 3 GHz的
825兆赫
两个音， +24 dBm的总针， 5 MHz的间距
细胞频段：双音信号输入： =的Tx1 +22
dBm的@ 820兆赫， Tx2的= +22 dBm的@ 821 MHz时，
RX干扰= -23 dBm的@ 869兆赫。
对于PCS频段：双音信号输入： =的Tx1 +18
dBm的@ 1880兆赫， Tx2的= +18 dBm的@ 1881兆赫，
RX干扰= -23 dBm的@ 1960兆赫。
单位
dB
分钟。
—
—
—
23
—
—
—
—
—
典型值。
0.30
0.35
0.35
25
19
15
20
56
马克斯。
0.65
—
—
—
—
—
—
—
隔离
回波损耗
IP3
dB
dB
DBM
DBM
-99
—
交叉调制
DBM
DBM
ns
ns
mV
A
—
—
—
—
—
—
-94
38
70
100
25
5
—
—
—
—
—
20
P0.1dB
素养， TFALL
吨， Toff的
瞬变
控制电流
1.0 GHz的
10 ％至90％的射频，90％至10％的射频
50 ％对照，以90％的射频
50 ％对照，以10％的射频
在带
V
C
= 2.7 V
2.对于正电压控制，外部隔直流电容器，需要在所有RF端口。
3.插入损耗可以通过改变直流阻断电容值，例如被优化1000pF的100兆赫 - 1 GHz的39 pF的0.5 - 3 GHz的。
绝对最大额定值
4,5
参数
输入功率
（ 0.5 - 3 GHz的， 3 V控制）
工作电压
工作温度
储存温度
绝对最大
+38 dBm的
8.5伏特
-40 ° C至+ 85°C
-65 ° C至+ 150°C
真值表
6,7,8
V1
1
0
V2
0
1
ANT- RF1
On
关闭
ANT - RF2
关闭
On
4.超过任一项的这些限制或组合可能导致
永久性损坏此设备。
5， M / A - COM不建议持续经营近
这些生存极限。
6.对于正电压控制，外部隔直流电容器
要求所有RF端口。
7.差分电压，V （状态1 ） - V（状态0） ，必须是+2.7 V
最低限度，但不能超过8.5 V.
8. 0 = -5 V至2.3 V 1 = -2.3 V至+5 V.
2
高级：
数据表包含有关产品M / A - COM技术解决方案的信息
北美
电话： 800.366.2266
欧洲
联系电话： +353.21.244.6400
正在考虑发展。性能是基于目标的规格，仿真结果，
印度
联系电话： +91.80.43537383
中国
联系电话： +86.21.2407.1588
和/或原型的测量。致力于发展无法得到保证。
访问www.macomtech.com额外的数据表和产品信息。
初步：
数据表包含有关产品M / A- COM技术信息
解决方案正在开发。性能是基于工程测试。规格
典型的。机械轮廓已定。工程样品和/或测试数据可以是可用的。
M / A - COM技术解决方案公司及其附属公司保留作出正确的
致力于生产数量难以保证。
更改产品（ S）或信息包含在此恕不另行通知。
MASWSS0117
砷化镓SPDT 2.7 V高功率开关
DC - 3.0 GHz的
典型性能曲线与频率， 39 pF的
插入损耗
0.6
+25°C
+85°C
-40°C
修订版V3
隔离
40
+25°C
+85°C
-40°C
0.5
30
0.4
0.3
20
0.2
10
0.1
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
频率（GHz ）
频率（GHz ）
回波损耗
0
-5
-10
-15
-20
-25
-30
-35
0
1
2
3
4
5
6
+25°C
-40°C
+85°C
QUALI科幻阳离子
资格M / A - COM规范REL -201 ，
流程-2 。
办理程序
请遵循以下注意事项，以避免
伤害：
静电灵敏度
砷化镓集成电路是敏感
对静电放电（ESD） ，并且可以是
被静电损坏。适当的ESD控制
处理这些时应当使用一
设备。
频率（GHz ）
SC- 70塑料包装
3
高级：
数据表包含有关产品M / A - COM技术解决方案的信息
北美
电话： 800.366.2266
欧洲
联系电话： +353.21.244.6400
正在考虑发展。性能是基于目标的规格，仿真结果，
印度
联系电话： +91.80.43537383
中国
联系电话： +86.21.2407.1588
和/或原型的测量。致力于发展无法得到保证。
访问www.macomtech.com额外的数据表和产品信息。
初步：
数据表包含有关产品M / A- COM技术信息
解决方案正在开发。性能是基于工程测试。规格
典型的。机械轮廓已定。工程样品和/或测试数据可以是可用的。
M / A - COM技术解决方案公司及其附属公司保留作出正确的
致力于生产数量难以保证。
更改产品（ S）或信息包含在此恕不另行通知。
符合JEDEC湿度敏感度等级1要求。
砷化镓SPDT 2.7 V高功率开关
DC - 3.0 GHz的
特点
低工作电压： 2.7 V
高IP3 ： +56 dBm的
低插入损耗： 0.30分贝在1 GHz
高隔离度：25分贝1 GHz的
SC70 6引脚封装
0.5微米的GaAs pHEMT工艺
MASWSS0117
V2
功能框图
RF1
39 pF的
V1
描述
M / A - COM的MASWSS0117是GaAs PHEMT
MMIC单刀双掷（ SPDT ）大功率
切换以低成本，SC70 6引线封装。该
MASWSS0117非常适合应用
其中，高功率，低控制电压，低插入
损，高隔离度，体积小，成本低是
所需。
典型的应用是用于CDMA
手机
连接单独的收发器系统和/或
GPS功能到一个公共天线，以及
其他相关的听筒和通用
应用程序。该MASWSS0117可以在所有使用
操作高达3.0 GHz的高要求系统
功率在低控制电压。
该MASWSS0117是使用0.5微米制造
栅极长度的GaAs PHEMT工艺。过程
功能完整的钝化性能和
可靠性。
GND
RFC
39 pF的
RF2
39 pF的
引脚6
V2
销1
引脚配置
PIN号
1
2
3
4
5
6
引脚名称
V2
RFC
V1
RF1
GND
RF2
描述
VCONTROL 2
射频共
VCONTROL 1
RF端口1
射频地
RF端口2
MASWSS0117取向磁带
订购信息
1
产品型号
MASWSS0117
MASWSS0117TR
MASWSS0117TR-3000
MASWSS0117SMB
包
散装包装
1000件卷轴
3000件卷轴
抽样检验局
产品型号
MASWSS0117器件标识
销1
1.参考应用笔记M513的卷大小信息。
日期代码
引脚6
1
M / A - COM公司及其附属公司保留随时更改的权利
产品（S ）或包含，恕不另行通知信息。 M / A- COM使
关于是否适合任何保证，声明或保证其
产品用于任何特定目的，也没有M / A - COM承担任何责任
由此产生的任何产品（S）的使用或应用的任何或
信息。
北美
电话： 800.366.2266 /传真： 978.366.2266
欧洲
联系电话： 44.1908.574.200 /传真： 44.1908.574.300
亚洲/太平洋地区
联系电话： 81.44.844.8296 /传真： 81.44.844.8298
访问www.macom.com额外的数据表和产品信息。
砷化镓SPDT 2.7 V高功率开关
DC - 3.0 GHz的
电气规格：吨
A
= 25 ° C，V
C
= 0 V / 2.7 V，Z
0
= 50
2
参数
插入损耗
3
MASWSS0117
V2
测试条件
DC - 1 GHz的
1 - 2 GHz的
2 - 3 GHz的
DC - 1 GHz的
1 - 2 GHz的
2 - 3 GHz的
DC - 3 GHz的
825兆赫
两个音， +24 dBm的总针， 5 MHz的间距
细胞频段：双音信号输入： Tx1上= +22 dBm的@
820兆赫， Tx2的= +22 dBm的@ 821 MHz时，
RX干扰= -23 dBm的@ 869兆赫。
对于PCS频段：双音信号输入： Tx1上= +18 dBm的@
1880兆赫， Tx2的= +18 dBm的@ 1881兆赫，
RX干扰= -23 dBm的@ 1960兆赫。
单位
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
分钟。
—
—
—
23
—
—
—
—
—
典型值。
0.30
0.35
0.35
25
19
15
20
56
马克斯。
0.65
—
—
—
—
—
—
—
隔离
回波损耗
IP3
DBM
-99
—
交叉调制
DBM
DBM
nS
nS
mV
A
—
—
—
—
—
—
-94
38
70
100
25
5
—
—
—
—
—
20
P0.1dB
素养， TFALL
吨， Toff的
瞬变
控制电流
1.0 GHz的
10 ％至90％的射频，90％至10％的射频
50 ％对照，以90％的射频
50 ％对照，以10％的射频
在带
V
C
= 2.7 V
2.对于正电压控制，外部隔直流电容器，需要在所有RF端口。
3.插入损耗可以通过改变直流阻断电容值，例如被优化1000pF的100兆赫 - 1 GHz的39 pF的0.5 - 3 GHz的。
绝对最大额定值
4,5
参数
输入功率
（ 0.5 - 3 GHz的， 3 V控制）
工作电压
工作温度
储存温度
真值表
6,7,8
V1
1
0
绝对最大
+38 dBm的
8.5伏特
-40 ° C至+ 85°C
-65 ° C至+ 150°C
V2
0
1
ANT- RF1
On
关闭
ANT - RF2
关闭
On
4.超过任一项的这些限制或组合可能导致
永久性损坏此设备。
5， M / A - COM不建议持续经营近
这些生存极限。
6.对于正电压控制，外部隔直流电容器
要求所有RF端口。
7.差分电压，V （状态1 ） - V（状态0） ，必须是+2.7 V
最低限度，但不能超过8.5 V.
8. 0 = -5 V至2.3 V 1 = -2.3 V至+5 V.
2
M / A - COM公司及其附属公司保留随时更改的权利
产品（S ）或包含，恕不另行通知信息。 M / A- COM使
关于是否适合任何保证，声明或保证其
产品用于任何特定目的，也没有M / A - COM承担任何责任
由此产生的任何产品（S）的使用或应用的任何或
信息。
北美
电话： 800.366.2266 /传真： 978.366.2266
欧洲
联系电话： 44.1908.574.200 /传真： 44.1908.574.300
亚洲/太平洋地区
联系电话： 81.44.844.8296 /传真： 81.44.844.8298
访问www.macom.com额外的数据表和产品信息。
砷化镓SPDT 2.7 V高功率开关
DC - 3.0 GHz的
典型性能曲线与频率， 39 pF的
插入损耗
0.6
+25°C
+85°C
-40°C
MASWSS0117
V2
隔离
40
+25°C
+85°C
-40°C
0.5
30
0.4
0.3
20
0.2
10
0.1
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
频率（GHz ）
频率（GHz ）
回波损耗
0
-5
-10
-15
-20
-25
-30
-35
0
1
2
3
4
5
6
+25°C
-40°C
+85°C
QUALI科幻阳离子
资格M / A - COM规范REL -201 ，
流程-2 。
办理程序
请遵循以下注意事项，以避免
伤害：
静电灵敏度
砷化镓集成电路是敏感
对静电放电（ESD） ，并且可以是
被静电损坏。适当的ESD控制
处理这些时应当使用一
设备。
频率（GHz ）
SC- 70塑料包装
3
符合JEDEC湿度敏感度等级1要求。
M / A - COM公司及其附属公司保留随时更改的权利
产品（S ）或包含，恕不另行通知信息。 M / A- COM使
关于是否适合任何保证，声明或保证其
产品用于任何特定目的，也没有M / A - COM承担任何责任
由此产生的任何产品（S）的使用或应用的任何或
信息。
北美
电话： 800.366.2266 /传真： 978.366.2266
欧洲
联系电话： 44.1908.574.200 /传真： 44.1908.574.300
亚洲/太平洋地区
联系电话： 81.44.844.8296 /传真： 81.44.844.8298
访问www.macom.com额外的数据表和产品信息。
MASWSS0117
砷化镓SPDT 2.7 V高功率开关
DC - 3.0 GHz的
特点
低工作电压： 2.7 V
高IP3 ： +56 dBm的
低插入损耗： 0.30分贝在1 GHz
高隔离度：25分贝1 GHz的
SC70 6引脚封装
0.5微米的GaAs pHEMT工艺
修订版V2
功能框图
描述
M / A - COM的MASWSS0117是GaAs PHEMT
MMIC单刀双掷（ SPDT ）大功率
切换以低成本，SC70 6引线封装。该
MASWSS0117非常适合应用
其中，高功率，低控制电压，低插入
损，高隔离度，体积小，成本低是
所需。
典型的应用是用于CDMA手机系统
连接单独的收发器和/或GPS功能
系统蒸发散到公共天线，以及其他相关的
手机和一般用途的应用程序。该
MASWSS0117可以在所有系统的操作中使用
为3.0 GHz，需要高功率的低控制
电压。
该MASWSS0117是使用0.5微米制造
栅极长度的GaAs PHEMT工艺。过程
功能全面的钝化性能和了可靠性
性。
引脚配置
PIN号
1
2
3
4
5
6
引脚名称
V2
RFC
V1
RF1
GND
RF2
描述
VCONTROL 2
射频共
VCONTROL 1
RF端口1
射频地
RF端口2
MASWSS0117取向磁带
订购信息
1
产品型号
MASWSS0117
MASWSS0117TR
MASWSS0117TR-3000
MASWSS0117SMB
包
散装包装
1000件卷轴
3000件卷轴
抽样检验局
MASWSS0117器件标识
销1
1.参考应用笔记M513的卷大小信息。
产品型号
日期代码
引脚6
1
高级：
数据表包含有关产品M / A - COM技术解决方案的信息
北美
电话： 800.366.2266 /传真： 978.366.2266
正在考虑发展。性能是基于目标的规格，仿真结果，
欧洲
联系电话： 44.1908.574.200 /传真： 44.1908.574.300
和/或原型的测量。致力于发展无法得到保证。
亚洲/太平洋地区
联系电话： 81.44.844.8296 /传真： 81.44.844.8298
初步：
数据表包含有关产品M / A- COM技术信息
访问www.macomtech.com额外的数据表和产品信息。
解决方案正在开发。性能是基于工程测试。规格
典型的。机械轮廓已定。工程样品和/或测试数据可以是可用的。
M / A - COM技术解决方案公司及其附属公司保留作出正确的
致力于生产数量难以保证。
更改产品（ S）或信息包含在此恕不另行通知。
MASWSS0117
砷化镓SPDT 2.7 V高功率开关
DC - 3.0 GHz的
电气规格：吨
A
= 25 ° C，V
C
= 0 V / 2.7 V，Z
0
= 50
Ω
2
参数
插入损耗
3
修订版V2
测试条件
DC - 1 GHz的
1 - 2 GHz的
2 - 3 GHz的
DC - 1 GHz的
1 - 2 GHz的
2 - 3 GHz的
DC - 3 GHz的
825兆赫
两个音， +24 dBm的总针， 5 MHz的间距
细胞频段：双音信号输入： Tx1上= +22 dBm的@
820兆赫， Tx2的= +22 dBm的@ 821 MHz时，
RX干扰= -23 dBm的@ 869兆赫。
对于PCS频段：双音信号输入： Tx1上= +18 dBm的@
1880兆赫， Tx2的= +18 dBm的@ 1881兆赫，
RX干扰= -23 dBm的@ 1960兆赫。
单位
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
分钟。
—
—
—
23
—
—
—
—
—
典型值。
0.30
0.35
0.35
25
19
15
20
56
马克斯。
0.65
—
—
—
—
—
—
—
隔离
回波损耗
IP3
DBM
-99
—
交叉调制
DBM
DBM
nS
nS
mV
A
—
—
—
—
—
—
-94
38
70
100
25
5
—
—
—
—
—
20
P0.1dB
素养， TFALL
吨， Toff的
瞬变
控制电流
1.0 GHz的
10 ％至90％的射频，90％至10％的射频
50 ％对照，以90％的射频
50 ％对照，以10％的射频
在带
V
C
= 2.7 V
2.对于正电压控制，外部隔直流电容器，需要在所有RF端口。
3.插入损耗可以通过改变直流阻断电容值，例如被优化1000pF的100兆赫 - 1 GHz的39 pF的0.5 - 3 GHz的。
绝对最大额定值
4,5
参数
输入功率
（ 0.5 - 3 GHz的， 3 V控制）
工作电压
工作温度
储存温度
真值表
6,7,8
V1
1
0
绝对最大
+38 dBm的
8.5伏特
-40 ° C至+ 85°C
-65 ° C至+ 150°C
V2
0
1
ANT- RF1
On
关闭
ANT - RF2
关闭
On
4.超过任一项的这些限制或组合可能导致
永久性损坏此设备。
5， M / A - COM不建议持续经营近
这些生存极限。
6.对于正电压控制，外部隔直流电容器
要求所有RF端口。
7.差分电压，V （状态1 ） - V（状态0） ，必须是+2.7 V
最低限度，但不能超过8.5 V.
8. 0 = -5 V至2.3 V 1 = -2.3 V至+5 V.
2
高级：
数据表包含有关产品M / A - COM技术解决方案的信息
北美
电话： 800.366.2266 /传真： 978.366.2266
正在考虑发展。性能是基于目标的规格，仿真结果，
欧洲
联系电话： 44.1908.574.200 /传真： 44.1908.574.300
和/或原型的测量。致力于发展无法得到保证。
亚洲/太平洋地区
联系电话： 81.44.844.8296 /传真： 81.44.844.8298
初步：
数据表包含有关产品M / A- COM技术信息
访问www.macomtech.com额外的数据表和产品信息。
解决方案正在开发。性能是基于工程测试。规格
典型的。机械轮廓已定。工程样品和/或测试数据可以是可用的。
M / A - COM技术解决方案公司及其附属公司保留作出正确的
致力于生产数量难以保证。
更改产品（ S）或信息包含在此恕不另行通知。
MASWSS0117
砷化镓SPDT 2.7 V高功率开关
DC - 3.0 GHz的
典型性能曲线与频率， 39 pF的
插入损耗
0.6
+25°C
+85°C
-40°C
修订版V2
隔离
40
+25°C
+85°C
-40°C
0.5
30
0.4
0.3
20
0.2
10
0.1
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
频率（GHz ）
频率（GHz ）
回波损耗
0
-5
-10
-15
-20
-25
-30
-35
0
1
2
3
4
5
6
+25°C
-40°C
+85°C
QUALI科幻阳离子
资格M / A - COM规范REL -201 ，
流程-2 。
办理程序
请遵循以下注意事项，以避免
伤害：
静电灵敏度
砷化镓集成电路是敏感
对静电放电（ESD） ，并且可以是
被静电损坏。适当的ESD控制
处理这些时应当使用一
设备。
频率（GHz ）
SC- 70塑料包装
3
高级：
数据表包含有关产品M / A - COM技术解决方案的信息
北美
电话： 800.366.2266 /传真： 978.366.2266
符合JEDEC湿度敏感度等级1要求。
正在考虑发展。性能是基于目标的规格，仿真结果，
欧洲
联系电话： 44.1908.574.200 /传真： 44.1908.574.300
和/或原型的测量。致力于发展无法得到保证。
亚洲/太平洋地区
联系电话： 81.44.844.8296 /传真： 81.44.844.8298
初步：
数据表包含有关产品M / A- COM技术信息
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解决方案正在开发。性能是基于工程测试。规格
典型的。机械轮廓已定。工程样品和/或测试数据可以是可用的。
M / A - COM技术解决方案公司及其附属公司保留作出正确的
致力于生产数量难以保证。
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