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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第2972页 > MASWSS0070
砷化镓SPDT 2.8 V高功率开关
DC - 3.0 GHz的
特点
低工作电压: 2.8V
高IP3 : +60 dBm的
低插入损耗: 0.40分贝在1.0 GHz的
高隔离度: 24.5分贝在1.0 GHz的
SOT- 26封装
0.5微米的GaAs pHEMT工艺
MASWSS0029
V2
功能原理图
销1
引脚6
RF1
39 pF的
GND
RF2
39 pF的
V1
RFC
39 pF的
V2
描述
M / A - COM的MASWSS0029是GaAs PHEMT
MMIC单刀双掷( SPDT )大功率
切换在一个低成本的SOT- 26封装。
MASWSS0029非常适合应用
其中,高功率,低控制电压,低插入
损,高隔离度,体积小,成本低是
所需。
典型的应用是用于CDMA手机系统
连接单独的收发器和/或GPS功能
系统蒸发散到公共天线,以及其他相关的
手机和一般用途的应用程序。这部分
可以在运行高达3.0 GHz的所有系统中使用
需要高功率,在低控制电压。
该MASWSS0029是使用0.5微米制造
栅极长度的GaAs PHEMT工艺。过程
功能完整的钝化性能和
可靠性。
引脚配置
PIN号
1
2
3
4
5
6
引脚名称
RF1
GND
RF2
V2
RFC
V1
描述
RF端口1
射频地
RF端口2
控制2
RF通用端口
控制1
订购信息
1
产品型号
MASWSS0029
MASWSS0029TR
MASWSS0029SMB
绝对最大额定值
2,3
散装包装
1000件卷轴
抽样检验局
参数
输入功率
( 0.5 - 3 GHz的, 3 V控制)
工作电压
工作温度
储存温度
绝对最大
+35 dBm的
8.5伏特
-40 ° C至+ 85°C
-65 ° C至+ 150°C
1.参考应用笔记M513的卷大小信息。
2.超出任一项的这些限制或组合可能导致
永久性损坏此设备。
3, M / A - COM不建议持续经营近
这些生存极限。
1
M / A - COM公司及其附属公司保留随时更改的权利
产品(S )或包含,恕不另行通知信息。 M / A- COM使
关于是否适合任何保证,声明或保证其
产品用于任何特定目的,也没有M / A - COM承担任何责任
由此产生的任何产品(S)的使用或应用的任何或
信息。
北美
电话: 800.366.2266 /传真: 978.366.2266
欧洲
联系电话: 44.1908.574.200 /传真: 44.1908.574.300
亚洲/太平洋地区
联系电话: 81.44.844.8296 /传真: 81.44.844.8298
访问www.macom.com额外的数据表和产品信息。
砷化镓SPDT 2.8 V高功率开关
DC - 3.0 GHz的
电气规格:吨
A
= 25 ° C,Z
0
= 50
4
参数
插入损耗
5
MASWSS0029
V2
测试条件
V
C
= 0 V, 2.8 V
频率
DC - 1 GHz的
1 - 2 GHz的
2 - 3 GHz的
DC - 1 GHz的
1 - 2 GHz的
2 - 3 GHz的
DC - 2 GHz的
2 - 3 GHz的
0.05 - 3 GHz的
单位
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
nS
nS
mV
uA
分钟。
23
典型值。
0.40
0.50
0.60
24.5
18.5
13
20
16
60
34
200
250
14
马克斯。
0.65
60
隔离
V
C
= 0 V, 2.8 V
回波损耗
IP3
P0.1dB
素养, TFALL
吨, Toff的
瞬变
栅极泄漏
V
C
= 0 V, 2.8 V
V
C
= 0 V, 2.8 V
两个音, +29 dBm的总针, 1 MHz的间距
V
C
= 0 V, 3 V
10 %至90%的射频,90%至10%的射频
50 %对照,以90%的射频,
和50%的控制,以10%的射频
在带
V
C
= 2.8 V
4.外部隔直流电容器所需的所有RF端口。
5.插入损耗可以通过改变直流阻断电容值,例如被优化1000 pF的100 - 500兆赫, 39 pF的0.5 - 3.0 GHz的。
真值表
V1
+2.8 V
0V
SOT- 26塑料包装
V2
0V
+2.8 V
ANT- RF1
On
关闭
ANT - RF2
关闭
On
办理程序
请遵循以下注意事项,以避免
伤害:
静电灵敏度
砷化镓集成电路是敏感
对静电放电(ESD) ,并且可以是
被静电损坏。适当的ESD控制
处理这些时应当使用一
设备。
符合JEDEC湿度敏感度等级1要求
2
M / A - COM公司及其附属公司保留随时更改的权利
产品(S )或包含,恕不另行通知信息。 M / A- COM使
关于是否适合任何保证,声明或保证其
产品用于任何特定目的,也没有M / A - COM承担任何责任
由此产生的任何产品(S)的使用或应用的任何或
信息。
北美
电话: 800.366.2266 /传真: 978.366.2266
欧洲
联系电话: 44.1908.574.200 /传真: 44.1908.574.300
亚洲/太平洋地区
联系电话: 81.44.844.8296 /传真: 81.44.844.8298
访问www.macom.com额外的数据表和产品信息。
砷化镓SPDT 2.8 V高功率开关
DC - 3.0 GHz的
典型性能曲线
插入损耗与频率, 25 ° C, 39 pF的
1.0
MASWSS0029
V2
隔离与频率, 25 ° C, 39 pF的
35
30
0.8
25
0.6
20
15
10
0.4
0.2
5
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
频率(GHz )
频率(GHz )
3
M / A - COM公司及其附属公司保留随时更改的权利
产品(S )或包含,恕不另行通知信息。 M / A- COM使
关于是否适合任何保证,声明或保证其
产品用于任何特定目的,也没有M / A - COM承担任何责任
由此产生的任何产品(S)的使用或应用的任何或
信息。
北美
电话: 800.366.2266 /传真: 978.366.2266
欧洲
联系电话: 44.1908.574.200 /传真: 44.1908.574.300
亚洲/太平洋地区
联系电话: 81.44.844.8296 /传真: 81.44.844.8298
访问www.macom.com额外的数据表和产品信息。
MASWSS0070
宽带砷化镓SPDT开关
DC - 6.0 GHz的
特点
的802.11a + b / g的双频应用
宽带绩效: DC - 6.0 GHz的
低插入损耗: 0.75分贝@ 5.8 GHz的
高隔离度:22 dB的5.8 GHz的
低成本3毫米12引脚PQFN封装
快速开关速度: 0.5微米的GaAs PHEMT
V4版本
功能原理图
GND
RFC
GND
V
C1
RF1
GND
V
C2
RF2
GND
描述
M / A - COM的MASWSS0070是宽带砷化镓
PHEMT MMIC SPDT开关可在一个较低的成本3
毫米12引脚PQFN封装。该MASWSS0070是
理想地适合于各种应用,其中非常小的尺寸
和低成本是必需的。
典型的应用是用于无线局域网的IEEE 802.11a
和802.11b / g PC卡和接入点。其他
应用包括无绳电话和基
站。设计用于高功率,这种SPDT开关
保持高线性度高达6.0 GHz的。
该MASWSS0070是使用0.5微米制造
栅极长度的GaAs PHEMT工艺。过程
功能完整的钝化性能和
可靠性。
GND
GND
GND
引脚配置
PIN号
1
2
3
4
引脚名称
V
C1
RF1
GND
GND
GND
GND
GND
RF2
V
C2
GND
RFC
GND
2
描述
控制1
RF端口
RF端口
控制2
RF端口
RF和DC地面
订购信息
产品型号
MASWSS0070
MASWSS0070TR
MASWSS0070TR-3000
MASWSS0070SMB
1
5
散装包装
7英寸, 1000件卷轴
13英寸, 3000件卷轴
抽样检验局
(包括5个样品)
6
7
8
9
10
11
12
13
1.参考应用笔记M513的卷大小信息。
2.裸露焊盘集中在封装底部必须是
连接到RF和DC接地。
1
高级:
数据表包含有关产品M / A - COM技术解决方案的信息
北美
电话: 800.366.2266 /传真: 978.366.2266
正在考虑发展。性能是基于目标的规格,仿真结果,
欧洲
联系电话: 44.1908.574.200 /传真: 44.1908.574.300
和/或原型的测量。致力于发展无法得到保证。
亚洲/太平洋地区
联系电话: 81.44.844.8296 /传真: 81.44.844.8298
初步:
数据表包含有关产品M / A- COM技术信息
访问www.macomtech.com额外的数据表和产品信息。
解决方案正在开发。性能是基于工程测试。规格
典型的。机械轮廓已定。工程样品和/或测试数据可以是可用的。
M / A - COM技术解决方案公司及其附属公司保留作出正确的
致力于生产数量难以保证。
更改产品( S)或信息包含在此恕不另行通知。
MASWSS0070
宽带砷化镓SPDT开关
DC - 6.0 GHz的
电气规格:吨
A
= 25 ° C,Z
0
= 50
Ω,
V
C
= 0
V
/ 3
五, 8 pF电容
3
参数
4
V4版本
测试条件
2 - 3 GHz的
3 - 4 GHz的
4 - 5 GHz的
5 - 6 GHz的
2 - 6 GHz的
DC - 6 GHz的
两个音,为+5 dBm /音, 5 MHz的间距
V
C
= 0.0 V / 3 V @ 2.4 GHz的
V
C
= 0.0 V / 3 V @ 5.8 GHz的
V
C
= 0.0 V / 5 V @ 2.4 GHz的
V
C
= 0.0 V / 5 V @ 5.8 GHz的
两个音,为+5 dBm /音, 5 MHz的间距
V
C
= 0.0 V / 3 V @ 2.4 GHz的
V
C
= 0.0 V / 3 V @ 5.8 GHz的
V
C
= 0.0 V / 5 V @ 2.4 GHz的
V
C
= 0.0 V / 5 V @ 5.8 GHz的
V
C
= 0.0 V / 3 V @ 2.4 GHz的
V
C
= 0.0 V / 3 V @ 5.8 GHz的
V
C
= 0.0 V / 5 V @ 2.4 GHz的
V
C
= 0.0 V / 5 V @ 5.8 GHz的
2.4 GHz的,P
IN
= +20 dBm的
5.3千兆赫,P
IN
= +20 dBm的
5.8 GHz的,P
IN
= +20 dBm的
2.4 GHz的,P
IN
= +20 dBm的
5.3千兆赫,P
IN
= +20 dBm的
5.8 GHz的,P
IN
= +20 dBm的
10 %至90%的射频和90 %至10%的射频
50 %对照,以90%的射频,50%控制在10%的射频
单位
dB
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
nS
nS
mV
分钟。
22
典型值。
0.55
0.55
0.65
0.75
25
20
91
81
99
91
52
50
53
51
32
29
37
35
-88
-91
-77
-87
-81
-85
13
35
14
10
马克斯。
0.9
0.9
1.0
1.1
25
插入损耗
隔离
回波损耗
IIP2
IIP3
输入P - 1分贝
二阶谐波
第三谐波
T-兴起,T -秋天
吨, Toff的
瞬变
控制电流
|V
C
| = 3 V
mA
3.对于正电压控制,外部隔直流电容器,需要在所有RF端口。
4.插入损耗可以通过改变直流阻断电容值进行优化。
2
高级:
数据表包含有关产品M / A - COM技术解决方案的信息
北美
电话: 800.366.2266 /传真: 978.366.2266
正在考虑发展。性能是基于目标的规格,仿真结果,
欧洲
联系电话: 44.1908.574.200 /传真: 44.1908.574.300
和/或原型的测量。致力于发展无法得到保证。
亚洲/太平洋地区
联系电话: 81.44.844.8296 /传真: 81.44.844.8298
初步:
数据表包含有关产品M / A- COM技术信息
访问www.macomtech.com额外的数据表和产品信息。
解决方案正在开发。性能是基于工程测试。规格
典型的。机械轮廓已定。工程样品和/或测试数据可以是可用的。
M / A - COM技术解决方案公司及其附属公司保留作出正确的
致力于生产数量难以保证。
更改产品( S)或信息包含在此恕不另行通知。
MASWSS0070
宽带砷化镓SPDT开关
DC - 6.0 GHz的
3毫米12引脚PQFN
V4版本
评估板
3
高级:
数据表包含有关产品M / A - COM技术解决方案的信息
北美
电话: 800.366.2266 /传真: 978.366.2266
正在考虑发展。性能是基于目标的规格,仿真结果,
欧洲
联系电话: 44.1908.574.200 /传真: 44.1908.574.300
和/或原型的测量。致力于发展无法得到保证。
亚洲/太平洋地区
联系电话: 81.44.844.8296 /传真: 81.44.844.8298
初步:
数据表包含有关产品M / A- COM技术信息
访问www.macomtech.com额外的数据表和产品信息。
解决方案正在开发。性能是基于工程测试。规格
典型的。机械轮廓已定。工程样品和/或测试数据可以是可用的。
M / A - COM技术解决方案公司及其附属公司保留作出正确的
致力于生产数量难以保证。
更改产品( S)或信息包含在此恕不另行通知。
MASWSS0070
宽带砷化镓SPDT开关
DC - 6.0 GHz的
应用原理
应用1:
优化的802.11a ( 5-6千兆赫)
数量
C3
V4版本
描述
电容器,3.0 pF的, 0402 ,SMT, 5%的(C1- C3)的
3
GND
RFC GND
应用二:
优化支持802.11b / g ( 2.4千兆赫)
VC2
C2
RF2
VC1
C1
RF1
GND
数量
3
描述
电容器,8.0 pF的, 0402 ,SMT, 5%的(C1- C3)的
真值表
5
控制V1
1
GND
控制V2
0
1
RFC- RF1 RFC- RF2
On
关闭
关闭
On
GND
GND
GND
0
5. 1 = 2.9 V至+5 V , 0 = 0 V + 0.2 V.
绝对最大额定值
6,7
参数
输入电源(3 V)控制
输入功率@ 5 V控制
工作电压
工作温度
储存温度
绝对最大
+32 dBm的
+34 dBm的
8.5伏特
-40
°
C至+ 85
°
C
-65 ° C至+150
°
C
6.超过任一项的这些限制或组合可能导致
永久性损坏此设备。
7. M / A - COM不建议持续经营近
这些生存极限。
4
高级:
数据表包含有关产品M / A - COM技术解决方案的信息
北美
电话: 800.366.2266 /传真: 978.366.2266
正在考虑发展。性能是基于目标的规格,仿真结果,
欧洲
联系电话: 44.1908.574.200 /传真: 44.1908.574.300
和/或原型的测量。致力于发展无法得到保证。
亚洲/太平洋地区
联系电话: 81.44.844.8296 /传真: 81.44.844.8298
初步:
数据表包含有关产品M / A- COM技术信息
访问www.macomtech.com额外的数据表和产品信息。
解决方案正在开发。性能是基于工程测试。规格
典型的。机械轮廓已定。工程样品和/或测试数据可以是可用的。
M / A - COM技术解决方案公司及其附属公司保留作出正确的
致力于生产数量难以保证。
更改产品( S)或信息包含在此恕不另行通知。
MASWSS0070
宽带砷化镓SPDT开关
DC - 6.0 GHz的
典型性能曲线与0/3 V控制, 8 pF电容
插入损耗
1.2
V4版本
隔离
40
0.9
+85°C
-40°C
+25°C
30
0.6
20
+85°C
-40°C
+25°C
0.3
10
0.0
1
2
3
4
5
6
0
1
2
3
4
5
6
频率(GHz )
频率(GHz )
回波损耗
0
QUALI科幻阳离子
资格M / A - COM规范REL - 201 , Proc-
ESS流-2 。
-10
+85°C
-40°C
+25°C
办理程序
请遵循以下注意事项,以避免
伤害:
-20
静电灵敏度
-30
-40
1
2
3
4
5
6
砷化镓集成电路是敏感
对静电放电(ESD) ,并且可以被损坏
熟化用静电。适当的ESD控制技
处理这些描述时niques应使用
恶习。
频率(GHz )
5
高级:
数据表包含有关产品M / A - COM技术解决方案的信息
北美
电话: 800.366.2266 /传真: 978.366.2266
正在考虑发展。性能是基于目标的规格,仿真结果,
欧洲
联系电话: 44.1908.574.200 /传真: 44.1908.574.300
和/或原型的测量。致力于发展无法得到保证。
亚洲/太平洋地区
联系电话: 81.44.844.8296 /传真: 81.44.844.8298
初步:
数据表包含有关产品M / A- COM技术信息
访问www.macomtech.com额外的数据表和产品信息。
解决方案正在开发。性能是基于工程测试。规格
典型的。机械轮廓已定。工程样品和/或测试数据可以是可用的。
M / A - COM技术解决方案公司及其附属公司保留作出正确的
致力于生产数量难以保证。
更改产品( S)或信息包含在此恕不另行通知。
MASWSS0070
宽带砷化镓SPDT开关
DC - 6.0 GHz的
特点
的802.11a + b / g的双频应用
宽带绩效: DC - 6.0 GHz的
低插入损耗: 0.75分贝@ 5.8 GHz的
高隔离度:22 dB的5.8 GHz的
低成本3毫米12引脚PQFN封装
快速开关速度: 0.5微米的GaAs PHEMT
牧师V5
功能原理图
GND
RFC
GND
V
C1
RF1
GND
V
C2
RF2
GND
描述
该MASWSS0070是宽带的GaAs pHEMT制
MMIC SPDT开关可在一个较低的成本3毫米12
铅PQFN封装。该MASWSS0070是理想
适合于各种应用,其中非常小的尺寸和低
成本是必需的。
典型的应用是用于无线局域网的IEEE 802.11a
和802.11b / g PC卡和接入点。其他
应用包括无绳电话和基
站。设计用于高功率,这种SPDT开关
保持高线性度高达6.0 GHz的。
该MASWSS0070是使用0.5微米制造
栅极长度的GaAs PHEMT工艺。过程
功能完整的钝化性能和
可靠性。
GND
GND
GND
引脚配置
PIN号
1
2
3
引脚名称
V
C1
RF1
GND
GND
GND
GND
GND
RF2
V
C2
GND
RFC
GND
3
描述
控制1
RF端口
RF端口
控制2
RF端口
RF和DC地面
订购信息
产品型号
MASWSS0070
MASWSS0070TR
MASWSS0070TR-3000
MASWSS0070SMB
1,2
4
5
散装包装
1000件卷轴
3000件卷轴
6
7
8
9
10
抽样检验局
11
12
13
1.参考应用笔记M513的卷大小信息。
2.样品板包括5松动的部分。
3.裸焊盘集中在封装底部必须是
连接到RF和DC接地。
1
高级:
数据表包含有关产品M / A - COM技术解决方案的信息
北美
电话: 800.366.2266
欧洲
联系电话: +353.21.244.6400
正在考虑发展。性能是基于目标的规格,仿真结果,
印度
联系电话: +91.80.43537383
中国
联系电话: +86.21.2407.1588
和/或原型的测量。致力于发展无法得到保证。
访问www.macomtech.com额外的数据表和产品信息。
初步:
数据表包含有关产品M / A- COM技术信息
解决方案正在开发。性能是基于工程测试。规格
典型的。机械轮廓已定。工程样品和/或测试数据可以是可用的。
M / A - COM技术解决方案公司及其附属公司保留作出正确的
致力于生产数量难以保证。
更改产品( S)或信息包含在此恕不另行通知。
MASWSS0070
宽带砷化镓SPDT开关
DC - 6.0 GHz的
电气规格:吨
A
= 25 ° C,Z
0
= 50
Ω,
V
C
= 0
V
/ 3
五, 8 pF电容
4
参数
插入损耗
5
测试条件
2 - 3 GHz的
3 - 4 GHz的
4 - 5 GHz的
5 - 6 GHz的
2 - 6 GHz的
DC - 6 GHz的
两个音,为+5 dBm /音, 5 MHz的间距
V
C
= 0.0 V / 3 V @ 2.4 GHz的
V
C
= 0.0 V / 3 V @ 5.8 GHz的
V
C
= 0.0 V / 5 V @ 2.4 GHz的
V
C
= 0.0 V / 5 V @ 5.8 GHz的
两个音,为+5 dBm /音, 5 MHz的间距
V
C
= 0.0 V / 3 V @ 2.4 GHz的
V
C
= 0.0 V / 3 V @ 5.8 GHz的
V
C
= 0.0 V / 5 V @ 2.4 GHz的
V
C
= 0.0 V / 5 V @ 5.8 GHz的
V
C
= 0.0 V / 3 V @ 2.4 GHz的
V
C
= 0.0 V / 3 V @ 5.8 GHz的
V
C
= 0.0 V / 5 V @ 2.4 GHz的
V
C
= 0.0 V / 5 V @ 5.8 GHz的
2.4 GHz的,P
IN
= +20 dBm的
5.3千兆赫,P
IN
= +20 dBm的
5.8 GHz的,P
IN
= +20 dBm的
2.4 GHz的,P
IN
= +20 dBm的
5.3千兆赫,P
IN
= +20 dBm的
5.8 GHz的,P
IN
= +20 dBm的
10 %至90%的射频和90 %至10%的射频
50 %对照,以90%的射频,50%控制在10%的射频
单位
dB
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
ns
ns
mV
|V
C
| = 3 V
A
分钟。
22
典型值。
0.55
0.55
0.65
0.75
25
20
91
81
99
91
52
50
53
51
32
29
37
35
-88
-91
-77
-87
-81
-85
13
35
14
10
马克斯。
0.9
0.9
1.0
1.1
25
牧师V5
隔离
回波损耗
IIP2
IIP3
输入P - 1分贝
二阶谐波
第三谐波
T-兴起,T -秋天
吨, Toff的
瞬变
控制电流
4.对于正电压控制,外部隔直流电容器必须在所有RF端口。
5.插入损耗可以通过改变直流阻断电容值进行优化。
2
高级:
数据表包含有关产品M / A - COM技术解决方案的信息
北美
电话: 800.366.2266
欧洲
联系电话: +353.21.244.6400
正在考虑发展。性能是基于目标的规格,仿真结果,
印度
联系电话: +91.80.43537383
中国
联系电话: +86.21.2407.1588
和/或原型的测量。致力于发展无法得到保证。
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解决方案正在开发。性能是基于工程测试。规格
典型的。机械轮廓已定。工程样品和/或测试数据可以是可用的。
M / A - COM技术解决方案公司及其附属公司保留作出正确的
致力于生产数量难以保证。
更改产品( S)或信息包含在此恕不另行通知。
MASWSS0070
宽带砷化镓SPDT开关
DC - 6.0 GHz的
绝对最大额定值
6,7
参数
输入电源(3 V)控制
输入功率@ 5 V控制
工作电压
工作温度
储存温度
绝对最大
+32 dBm的
+34 dBm的
8.5伏特
-40
°
C至+ 85
°
C
-65 ° C至+150
°
C
C1
RF1
GND
RF2
VC1
GND
RFC GND
C3
牧师V5
应用原理
VC2
C2
6.超过任一项的这些限制或组合可能导致
永久性损坏此设备。
7. M / A - COM技术解决方案不建议可持
附近的这些生存极限tained操作。
GND
GND
GND
GND
真值表
8
控制V1
1
0
控制V2
0
1
RFC- RF1 RFC- RF2
On
关闭
关闭
On
应用# 1
:
优化的802.11a ( 5-6千兆赫)
数量
3
描述
电容器,3.0 pF的, 0402 ,SMT, 5%的(C1- C3)的
8.1 = 2.9 V至+5 V , 0 = 0 V + 0.2 V.
应用# 2
:
优化支持802.11b / g ( 2.4千兆赫)
数量
3
描述
电容器,8.0 pF的, 0402 ,SMT, 5%的(C1- C3)的
评估板
3
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MASWSS0070
宽带砷化镓SPDT开关
DC - 6.0 GHz的
典型性能曲线与0/3 V控制, 8 pF电容
插入损耗
1.2
牧师V5
隔离
40
0.9
+85°C
-40°C
+25°C
30
0.6
20
+85°C
-40°C
+25°C
0.3
10
0.0
1
2
3
4
5
6
0
1
2
3
4
5
6
频率(GHz )
频率(GHz )
回波损耗
0
-10
+85°C
-40°C
+25°C
-20
-30
-40
1
2
3
4
5
6
频率(GHz )
4
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宽带砷化镓SPDT开关
DC - 6.0 GHz的
3毫米12引脚PQFN
牧师V5
QUALI科幻阳离子
资格M / A - COM规范REL -201 ,
流程-2 。
办理程序
请遵循以下注意事项,以避免
伤害:
静电灵敏度
砷化镓集成电路是敏感
对静电放电(ESD) ,并且可以是
被静电损坏。适当的ESD控制
处理这些时应当使用一
设备。
5
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