砷化镓SP3T 2.5V高功率开关
DC - 2.5 GHz的
初步
2002年2月12日
MASWSS0033
特点
低谐波拐点电压2.5V <
低谐波> 65 dBc的，在34 dBm的& 1 GHz的
低插入损耗0.45分贝在1 GHz
高隔离18.5分贝在2 GHz
FQFP 12引线3x3毫米薄型封装
0.5微米的GaAs pHEMT工艺
功能原理图
GND
蚂蚁
100 pF的
销1
V3
RF3
100 pF的
GND
V1
RF1
100 pF的
描述
M / A - COM的MASWSS0033是GaAs PHEMT MMIC
在低成本的微型FQFP SP3T高功率开关
12引脚3x3毫米超薄封装。这个包
代表放低姿态比标准FQFP风格，
配备0.8mm的最大厚度。
该MASWSS0033非常适合应用
其中，高功率，低控制电压，低插入
损，高隔离度，小尺寸和低成本是重
quired 。典型的应用是用于GSM和DCS
连接单独的发送手机系统和
接收功能，以共同的天线，以及行吟诗人
手机和相关应用。这部分可以是
在工作频率高达2.5 GHz的要求所有系统中使用
高功率的低控制电压。
该MASWSS0033是使用0.5微米制造
栅极长度的GaAs PHEMT工艺。该工艺为特色的
Tures的充分钝化的性能和可靠性。
GND
GND
GND
RF2
100 pF的
引脚配置
针
号
1
2
3
4
引脚名称
V3
RF3
GND
GND
RF2
V2
GND
RF1
V1
GND
蚂蚁
GND
GND （桨）
描述
控制3
RF端口3
射频地
射频地
RF端口2
控制2
射频地
RF端口1
控制1
射频地
天线端口
射频地
射频地
绝对最大额定值
参数
最大输入功率（ 0.5 - 2.5 GHz的，
2.5V控制）
工作电压
工作温度
储存温度
1
5
6
7
8
9
10
11
12
13
绝对
最大
+38 dBm的
8.5伏特
-40
o
C至+ 85
o
C
-65
o
C至+150
o
C
1.超过任何一个这些限制或组合可能
会造成永久性的损害。
V2
砷化镓SP3T 2.5V高功率开关
MASWSS0033
V 1.04
参数
插入损耗
测试条件
DC - 1 GHz的
1 - 2 GHz的
2 - 2.5 GHz的
DC - 1 GHz的
1 - 2 GHz的
2 - 2.5 GHz的
DC - 2.5 GHz的
VC = 0V / 2.5V
1 GHz时， P
IN
= +34 dBm时， VC = 0V / 2.5V
1 GHz时， P
IN
= +34 dBm时， VC = 0V / 2.5V
10 ％至90％的射频，90％至10％的射频
双色+22 dBm时， 1 MHz的间距， 820兆赫，
双色+19 dBm时， 1 MHz的间距， 1950兆赫，
单位
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
dBc的
dBc的
S
DBM
DBM
分钟。
典型值。
0.5
0.6
0.8
马克斯。
0.65
0.8
1.0
隔离
23
18
15
25
18.5
16
20
38
回波损耗
P1dB
2
nd
谐波
3
rd
谐波
素养， TFALL
交叉调制
ANT - 细胞
3
ANT - PCS
3
交叉调制
ANT - 细胞
ANT - PCS
吨， Toff的
瞬变
栅极泄漏
65
65
1
59
57
两种音色+22 dBm的@ 820 & 821兆赫，
一个音调-27 dBm的@ 865 MHz的
两种音色+17 dBm的@ 1950 & 1951年兆赫，
一个音调-27 dBm的@ 1870 MHz的
50％的控制，以90％的射频，并且50％的控制，以10％的射频
在带
|维生素C | = 2.5V
DBM
DBM
S
mV
uA
-108
待定
1
10
100
2.插入损耗可以通过改变DC阻断电容值，即进行优化。 1000 pF的100兆赫 - 500兆赫， 100 pF适用
0.5千兆赫 - 2.5 GHz的。
3.
IP3的斜率随输入功率大约为1.5 ： 1 。
真值表
4
V1
+2.5到+ 5V
0 + 0.2V
0 + 0.2V
V2
0 + 0.2V
+2.5到+ 5V
0 + 0.2V
V3
0 + 0.2V
0 + 0.2V
+2.5到+ 5V
ANT- RF1
On
关闭
关闭
ANT - RF2
关闭
On
关闭
ANT - RF3
关闭
关闭
On
4.
外部隔直流电容器所需的所有RF端口
2
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
北美：
电话： （ 800 ） 366-2266 ，传真：（ 800 ） 618-8883
亚洲/太平洋网络C：
电话： + 81-44-844-8296传真+ 81-44-844-8298
欧洲：
电话： +44 （ 1344 ） 869 595传真：+ 44 （ 1344 ） 300 020
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砷化镓SP3T 2.5V高功率开关
典型性能曲线
插入损耗与频率，
25
o
C， 100 pF的
0
-0.1
-0.2
-0.3
-0.4
-0.5
-0.6
-0.7
-0.8
-0.9
-1
0.5
1
1.5
2
2.5
MASWSS0033
V 1.04
隔离与频率的关系，
25
o
C， 100 pF的
0
-5
-10
-15
-20
-25
-30
-35
0.5
1
频率（GHz ）
频率（GHz ）
1.5
2
2.5
谐波抑制与频率的关系，
25
o
C， 100 pF的
-60
PIN = 34 dBm的@ 1 GHz的
-65
-70
第三谐波
-75
二阶谐波
-80
-85
2
3
4
5
VCTRL （ V）
3
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
北美：
电话： （ 800 ） 366-2266 ，传真：（ 800 ） 618-8883
亚洲/太平洋网络C：
电话： + 81-44-844-8296传真+ 81-44-844-8298
欧洲：
电话： +44 （ 1344 ） 869 595传真：+ 44 （ 1344 ） 300 020
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砷化镓SP3T 2.5V高功率开关
FQFP 12引线3×3毫米的薄型
MASWSS0033
V 1.04
4
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
北美：
电话： （ 800 ） 366-2266 ，传真：（ 800 ） 618-8883
亚洲/太平洋网络C：
电话： + 81-44-844-8296传真+ 81-44-844-8298
欧洲：
电话： +44 （ 1344 ） 869 595传真：+ 44 （ 1344 ） 300 020
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办理程序
以下预防措施应遵守防止
伤害：
MASWSS0033
V 1.04
静电灵敏度
砷化镓集成电路的ESD敏感
并且可以通过静电损坏。适当的ESD
操作这些设备的技术时，应该使用。
订购信息
产品型号
MASWSS0033
MASWSS0033TR
MASWSS0033SMB
包
FQFP -N 12引脚薄型塑料包装
1000件卷轴
抽样检验局
5
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
北美：
电话： （ 800 ） 366-2266 ，传真：（ 800 ） 618-8883
亚洲/太平洋网络C：
电话： + 81-44-844-8296传真+ 81-44-844-8298
欧洲：
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