砷化镓SP4T 2.5V高功率开关
DC - 3 GHz的
初步
2002年1月16日
MASWSS0020
特点
低电压操作2.5V
低谐波> 65 dBc的，在34 dBm的& 1 GHz的
低插入损耗0.6分贝在1 GHz
高隔离23分贝在2 GHz
微型FQFP 16引脚的4x4mm封装
0.5微米的GaAs pHEMT工艺
功能原理图
GND
PIN码16
销1
V1
RF1
39 pF的
GND
蚂蚁
39 pF的
V4
RF4
39 pF的
描述
M / A - COM的MASWSS0020是GaAs PHEMT MMIC
单刀4掷（ SP4T ）在低高功率开关
成本微型FQFP 16引脚的4x4mm封装。该
MASWSS0020非常适合应用场合的高
功率，低控制电压，低插入损耗，高间隔离
化，小型化和低成本是必需的。典型应用
系统蒸发散是为连接GSM和DCS系统的手机
单独的发射和接收功能，以共同的AN-
天线，以及其他手持设备和相关的应用。
这部分可以在工作频率高达3GHz的所有系统中使用
需要高功率，在低控制电压。
该MASWSS0020是使用0.5微米栅制造
长的GaAs PHEMT工艺。该工艺具有全
钝化性能和可靠性。
GND
GND
RF3
39 pF的
GND
RF2
39 pF的
GND
引脚配置
针
号
1
2
引脚名称
V1
RF1
GND
RF2
GND
V2
V3
GND
RF3
GND
GND
RF4
GND
V4
GND
蚂蚁
GND （桨）
描述
控制1
RF端口1
射频地
RF端口2
射频地
控制2
控制3
射频地
RF端口3
射频地
射频地
RF端口4
射频地
控制4
射频地
天线端口
射频地
绝对最大额定值
参数
最大输入功率（ 0.5 - 3 GHz的，
2.5V控制）
工作电压
工作温度
储存温度
1
3
4
5
6
7
绝对
最大
+38 dBm的
8.5伏特
-40°C至+ 85°C
-65
o
C至+150
o
C
o
o
8
9
10
11
1.超过任何一个这些限制或组合可能
会造成永久性的损害。
12
13
14
15
16
17
GND
V2
V3
砷化镓SP4T 2.5V高功率开关
电气规格：吨
A
= 25 ° C，Z
0
= 50
2
参数
插入损耗
测试条件
DC - 1 GHz的
1 - 2 GHz的
2 - 3 GHz的
DC - 1 GHz的
1 - 2 GHz的
2 - 3 GHz的
DC - 3 GHz的
双色+ 10dBm的， 5 MHz的间距， > 50兆赫
VC = 0V / 2.5V
VC = 0V / 2.5V
1 GHz时， P
IN
= +34 dBm时， VC = 0V / 2.5V
1 GHz时， P
IN
= +34 dBm时， VC = 0V / 2.5V
50％的控制，以90％的射频，并且50％的控制，以10％的射频
50 - 350兆赫
单位
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
dBc的
dBc的
65
65
25
21
分钟。
MASWSS0020
V 1.00
典型值。
0.6
0.8
1.0
29
23
18.5
20
57
38
马克斯。
0.8
1.0
隔离
回波损耗
IP3
P1dB
2
nd
谐波
3
rd
谐波
素养， TFALL
吨， Toff的
瞬变
栅极泄漏
uS
uS
1
1
mV
|维生素C | = 2.5V
uA
10
100
2.插入损耗可以通过改变DC阻断电容值，即进行优化。 1000 pF的100兆赫 - 500兆赫， 39 pF适用
0.5千兆赫 - 3 GHz的。
真值表
3
V1
+2.5到+ 5V
0 + 0.2V
0 + 0.2V
0 + 0.2V
V2
0 + 0.2V
+2.5到+ 5V
0 + 0.2V
0 + 0.2V
V3
0 + 0.2V
0 + 0.2V
+2.5到+ 5V
0 + 0.2V
V4
0 + 0.2V
0 + 0.2V
0 + 0.2V
+2.5到+ 5V
ANT- RF1
On
关闭
关闭
关闭
ANT - RF2
关闭
On
关闭
关闭
ANT - RF3
关闭
关闭
On
关闭
ANT - RF4
关闭
关闭
关闭
On
3.
外部隔直流电容器所需的所有RF端口
2
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
北美：
电话： （ 800 ） 366-2266 ，传真：（ 800 ） 618-8883
亚洲/太平洋网络C：
电话： + 81-44-844-8296传真+ 81-44-844-8298
欧洲：
电话： +44 （ 1344 ） 869 595传真：+ 44 （ 1344 ） 300 020
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砷化镓SP4T 2.5V高功率开关
典型性能曲线
插入损耗与频率，
25
o
C， 39 pF的
-0.5
-0.6
-0.7
-25
MASWSS0020
V 1.00
隔离与频率的关系，
25
o
C， 39 pF的
-15
-20
-0.8
-0.9
-1
0.5
1
1.5
2
频率（GHz ）
2.5
3
-30
-35
0.5
1
1.5
2
频率（GHz ）
2.5
3
谐波抑制与控制电压，
25
o
C， 39 pF的
-60
PIN = 34 dBm的@ 1 GHz的
-65
-70
-75
-80
-85
2.2
2.4
2.6
控制电压（V）
2.8
3
第三谐波
二阶谐波
3
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
北美：
电话： （ 800 ） 366-2266 ，传真：（ 800 ） 618-8883
亚洲/太平洋网络C：
电话： + 81-44-844-8296传真+ 81-44-844-8298
欧洲：
电话： +44 （ 1344 ） 869 595传真：+ 44 （ 1344 ） 300 020
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砷化镓SP4T 2.5V高功率开关
FQFP 16引脚4×4毫米
MASWSS0020
V 1.00
4
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
北美：
电话： （ 800 ） 366-2266 ，传真：（ 800 ） 618-8883
亚洲/太平洋网络C：
电话： + 81-44-844-8296传真+ 81-44-844-8298
欧洲：
电话： +44 （ 1344 ） 869 595传真：+ 44 （ 1344 ） 300 020
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砷化镓SP4T 2.5V高功率开关
办理程序
以下预防措施应遵守防止
伤害：
MASWSS0020
V 1.00
静电灵敏度
砷化镓集成电路的ESD敏感
并且可以通过静电损坏。适当的ESD
操作这些设备的技术时，应该使用。
订购信息
产品型号
MASWSS0020
MASWSS0020TR
MASWSS0020SMB
包
FQFP -N 16引脚塑料封装
1000件卷轴
抽样检验局
5
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
北美：
电话： （ 800 ） 366-2266 ，传真：（ 800 ） 618-8883
亚洲/太平洋网络C：
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欧洲：
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