MASW-008853
砷化镓SPDT 2.7 V高功率开关
DC - 5.0 GHz的
特点
低工作电压： 2.7 V
高IP3 ： +56 dBm的
低插入损耗为0.25 dB的直流 - 1 GHz的
高隔离度：25 dB的1 GHz的
0.5微米的GaAs pHEMT工艺
无铅SC70封装
100 ％雾锡电镀铜多
无卤素“绿色”模塑化合物
*符合RoHS标准和260 ℃的回流焊
M / A- COM产品
牧师V1
功能框图
销1
引脚6
RF1
39 pF的
V1
GND
RFC
39 pF的
描述
M / A - COM的MASW - 008853是GaAs PHEMT
MMIC单刀双掷（ SPDT ）大功率
切换在一个低成本的SC70 6引线封装。该
MASW - 008853非常适用于应用程序
其中，高功率，低控制电压，低插入
损，高隔离度，体积小，成本低是
所需。
典型的应用是用于CDMA手机系统
连接单独的收发器和/或GPS
功能与共用天线，以及其他
相关的手机及一般用途的应用。
该MASW - 008853可以在所有系统中使用OP-
展业务高达3 GHz需要高功率的低
控制电压。
该MASW - 008853是使用0.5微米制造
栅极长度的GaAs PHEMT工艺。过程
功能完整的钝化性能和
可靠性。
RF2
39 pF的
V2
引脚配置
PIN号
1
2
3
4
5
6
引脚名称
RF1
GND
RF2
V2
RFC
V1
描述
RF端口1
射频地
RF端口2
VCONTROL 2
射频共
VCONTROL 1
绝对最大额定值
3,4
参数
输入功率
（ 0.5 - 3 GHz的， 3 V控制）
绝对最大
+38 dBm的
8.5伏特
-40 ° C至+ 85°C
-65 ° C至+ 150°C
订购信息
1,2
产品型号
MASW-008853-000000
MASW-008853-TR3000
MASW-008853-001SMB
包
散装包装
3000件卷轴
抽样检验局
工作电压
工作温度
储存温度
1.参考应用笔记M513的卷大小信息。
2.所有样品板包括5个零件松动。
3.超过任一项的这些限制或组合可能导致
永久性损坏此设备。
4. M / A - COM不建议持续经营近
这些生存极限。
*对有害物质的限制，欧盟指令2002/95 / EC 。
1
高级：
数据表包含有关产品M / A - COM正在考虑信息
北美
电话： 800.366.2266 /传真： 978.366.2266
发展。性能是基于目标的规格，仿真的结果，和/或原型
欧洲
联系电话： 44.1908.574.200 /传真： 44.1908.574.300
测量。致力于发展无法得到保证。
亚洲/太平洋地区
联系电话： 81.44.844.8296 /传真： 81.44.844.8298
初步：
数据表包含有关产品M / A- COM已根据开发信息
访问www.macom.com额外的数据表和产品信息。
换货。性能是基于工程测试。规格是典型的。机械大纲有
得到修复。工程样品和/或测试数据可以是可用的。致力于生产中
M / A - COM公司及其附属公司保留更改产品（S ）或右
量不能保证。
此处包含的信息，恕不另行通知。
MASW-008853
砷化镓SPDT 2.7 V高功率开关
DC - 5.0 GHz的
电气规格：吨
A
= 25°C ，VC = 0 V / 2.7 V，Z
0
= 50
5
参数
插入损耗
6
测试条件
DC - 1 GHz的
1 - 2 GHz的
2 - 3 GHz的
DC - 1 GHz的
1 - 2 GHz的
2 - 3 GHz的
DC - 3 GHz的
825兆赫
两个音， +24 dBm的总针， 5 MHz的间距
细胞频段：
双音信号输入： Tx1上= +22 dBm的@ 820 MHz时，
TX2 = +22 dBm的@ 821 MHz时，
RX干扰= -23 dBm的@ 869兆赫。
对于PCS频段：
双音信号输入： Tx1上= +18 dBm的@ 1880兆赫，
TX2 = +18 dBm的@ 1881兆赫，
RX干扰= -23 dBm的@ 1960兆赫。
1 GHz的
10 ％至90％的射频，90％至10％的射频
50 ％对照，以90％的射频，
50 ％对照，以10％的射频
在带
VC = 2.7 V
单位
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
分钟。
—
—
—
23
—
—
—
—
典型值。
0.25
0.35
0.40
25
19
15
20
56
马克斯。
0.65
—
—
—
—
—
—
—
M / A- COM产品
牧师V1
隔离
回波损耗
IP3
DBM
—
-99
—
交叉调制
DBM
—
-94
—
P0.1dB
素养， TFALL
吨， Toff的
瞬变
控制电流
DBM
nS
nS
mV
A
—
—
—
—
—
38
70
100
25
5
—
—
—
—
20
5.对于正电压控制，外部隔直流电容器，需要在所有RF端口。
6.插入损耗可以通过改变直流阻断电容值，例如被优化1000 pF的100兆赫 - 1 GHz的39 pF的0.5千兆赫 - 3 GHz的。
真值表
7,8,9
V1
V2
ANT- RF1
ANT - RF2
QUALI科幻阳离子
资格M / A - COM规范REL -201 ，
流程-2 。
1
0
0
1
On
关闭
关闭
On
办理程序
请遵循以下注意事项，以避免
伤害：
7.对于正电压控制，外部隔直流电容器
要求所有RF端口。
8.差分电压，V （状态1 ） - V（状态0） ，必须是+2.7 V
最低限度，但不能超过8.5 V.
9. 0 = -5 V至2.3 V， 1 = -2.3 V至+5 V.
静电灵敏度
砷化镓集成电路是敏感
对静电放电（ESD） ，并且可以是
被静电损坏。适当的ESD控制
处理这些时应当使用一
设备。
2
高级：
数据表包含有关产品M / A - COM正在考虑信息
北美
电话： 800.366.2266 /传真： 978.366.2266
发展。性能是基于目标的规格，仿真的结果，和/或原型
欧洲
联系电话： 44.1908.574.200 /传真： 44.1908.574.300
测量。致力于发展无法得到保证。
亚洲/太平洋地区
联系电话： 81.44.844.8296 /传真： 81.44.844.8298
初步：
数据表包含有关产品M / A- COM已根据开发信息
访问www.macom.com额外的数据表和产品信息。
换货。性能是基于工程测试。规格是典型的。机械大纲有
得到修复。工程样品和/或测试数据可以是可用的。致力于生产中
M / A - COM公司及其附属公司保留更改产品（S ）或右
量不能保证。
此处包含的信息，恕不另行通知。
MASW-008853
砷化镓SPDT 2.7 V高功率开关
DC - 5.0 GHz的
典型性能曲线，为1000pF
插入损耗
0.00
-0.25
-0.50
M / A- COM产品
牧师V1
隔离
0
-10
-20
-0.75
-1.00
-1.25
-1.50
0
1
2
3
4
5
+25 C
-40 C
+85 C
-30
+25 C
-40 C
+85 C
-40
-50
0
1
2
3
4
5
频率（GHz ）
频率（GHz ）
RFC回波损耗
0
-10
-20
-30
-40
-50
-60
0
1
2
3
4
5
+25 C
-40 C
+85 C
LEAD -FREE
SC70塑料包装
频率（GHz ）
RF1 / RF2回波损耗
0
-10
-20
-30
+25 C
-40 C
+85 C
-40
-50
-60
0
1
2
3
4
5
参考应用笔记M538无铅回流焊
建议。
符合JEDEC湿度敏感度等级1要求。
频率（GHz ）
3
高级：
数据表包含有关产品M / A - COM正在考虑信息
北美
电话： 800.366.2266 /传真： 978.366.2266
发展。性能是基于目标的规格，仿真的结果，和/或原型
欧洲
联系电话： 44.1908.574.200 /传真： 44.1908.574.300
测量。致力于发展无法得到保证。
亚洲/太平洋地区
联系电话： 81.44.844.8296 /传真： 81.44.844.8298
初步：
数据表包含有关产品M / A- COM已根据开发信息
访问www.macom.com额外的数据表和产品信息。
换货。性能是基于工程测试。规格是典型的。机械大纲有
得到修复。工程样品和/或测试数据可以是可用的。致力于生产中
M / A - COM公司及其附属公司保留更改产品（S ）或右
量不能保证。
此处包含的信息，恕不另行通知。
MASW-008853
砷化镓SPDT 2.7 V高功率开关
DC - 5.0 GHz的
特点
低工作电压： 2.7 V
高功率： + 38dBm （典型值） P0.1dB
高IP3 ： +56 dBm的
低插入损耗为0.25 dB的1 GHz的
高隔离度：25 dB的1 GHz的
无铅SC70封装
100 ％雾锡电镀铜多
无卤素“绿色”模塑化合物
*符合RoHS标准和260 ℃的回流焊
修订版V2
功能框图
描述
M / A - COM的MASW - 008853是GaAs PHEMT
MMIC单刀双掷（ SPDT ）大功率
切换在一个低成本的SC70 6引线封装。该
MASW - 008853非常适用于应用程序
其中，高功率，低控制电压，低插入
损，高隔离度，小尺寸和低成本是
所需。
典型的应用是用于CDMA手机系统
连接单独的收发器和/或GPS
功能与共用天线，以及其他
相关的手机及一般用途的应用。
该MASW - 008853可以在所有系统中使用
操作高达5.0 GHz的要求高功率低
控制电压。
该MASW - 008853是使用0.5微米制造
栅极长度的GaAs PHEMT工艺。过程
功能完整的钝化性能和
可靠性。
引脚配置
PIN号
1
2
3
4
5
6
引脚名称
RF1
GND
RF2
V2
RFC
V1
描述
RF端口1
射频地
RF端口2
VCONTROL 2
射频共
VCONTROL 1
绝对最大额定值
3,4
参数
输入功率
（ 0.5 - 3 GHz的， 3 V控制）
绝对最大
+38 dBm的
8.5伏特
-40 ° C至+ 85°C
-65 ° C至+ 150°C
订购信息
1,2
产品型号
MASW-008853-000000
MASW-008853-TR3000
MASW-008853-001SMB
包
散装包装
3000件卷轴
抽样检验局
工作电压
工作温度
储存温度
1.参考应用笔记M513的卷大小信息。
2.所有样品板包括5个零件松动。
3.超过任一项的这些限制或组合可能导致
永久性损坏此设备。
4. M / A - COM不建议持续经营近
这些生存极限。
*对有害物质的限制，欧盟指令2002/95 / EC 。
1
高级：
数据表包含有关产品M / A - COM技术解决方案的信息
北美
电话： 800.366.2266 /传真： 978.366.2266
正在考虑发展。性能是基于目标的规格，仿真结果，
欧洲
联系电话： 44.1908.574.200 /传真： 44.1908.574.300
和/或原型的测量。致力于发展无法得到保证。
亚洲/太平洋地区
联系电话： 81.44.844.8296 /传真： 81.44.844.8298
初步：
数据表包含有关产品M / A- COM技术信息
访问www.macomtech.com额外的数据表和产品信息。
解决方案正在开发。性能是基于工程测试。规格
典型的。机械轮廓已定。工程样品和/或测试数据可以是可用的。
M / A - COM技术解决方案公司及其附属公司保留作出正确的
致力于生产数量难以保证。
更改产品（ S）或信息包含在此恕不另行通知。
MASW-008853
砷化镓SPDT 2.7 V高功率开关
DC - 5.0 GHz的
电气规格：吨
A
= 25 ° C，V
C
= 0 V / 2.7 V，Z
0
= 50
5
参数
测试条件
1 GHz的
2 GHz的
3 GHz的
4 GHz的
5 GHz的
1 GHz的
2 GHz的
3 GHz的
4 GHz的
5 GHz的
DC - 3 GHz的
825兆赫
两个音， +24 dBm的总针， 5 MHz的间距
双音信号输入： Tx1上= +22 dBm的@ 820 MHz时，
TX2 = +22 dBm的@ 821 MHz时，
R
X
干扰= -23 dBm的@ 869 MHz的
交叉调制
双音信号输入： Tx1上= +18 dBm的@ 1880兆赫，
TX2 = +18 dBm的@ 1881兆赫，
R
X
干扰= -23 dBm的@ 1960 MHz的
P0.1dB
素养， TFALL
吨， Toff的
瞬变
控制电流
1 GHz的
10 ％至90％的射频，90％至10％的射频
50 ％对照，以90％的射频，
50 ％对照，以10％的射频
在带
V
C
= 2.7 V
DBM
—
-94
—
单位
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
分钟。
—
—
—
—
—
23
—
—
—
—
—
—
典型值。
0.30
0.36
0.45
0.70
1.10
25
19
15
13
11
20
56
马克斯。
0.65
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
修订版V2
插入损耗
6
隔离
回波损耗
IP3
DBM
—
-99
—
DBM
nS
nS
mV
A
—
—
—
—
—
38
70
100
25
5
—
—
—
—
20
5.对于正电压控制，外部隔直流电容器，需要在所有RF端口。
6.插入损耗可以通过改变直流阻断电容值，例如被优化1000 pF的100兆赫 - 1 GHz的39 pF的0.5千兆赫 - 3 GHz的。
真值表
7,8,9
V1
V2
ANT- RF1
ANT - RF2
QUALI科幻阳离子
资格M / A - COM规范REL -201 ，
流程-2 。
1
0
0
1
On
关闭
关闭
On
办理程序
请遵循以下注意事项，以避免
伤害：
7.对于正电压控制，外部隔直流电容器
要求所有RF端口。
8.差分电压，V （状态1 ） - V（状态0） ，必须是+2.7 V
最低限度，但不能超过8.5 V.
9. 0 = -5 V至2.3 V， 1 = -2.3 V至+5 V.
静电灵敏度
砷化镓集成电路是敏感
对静电放电（ESD） ，并且可以是
被静电损坏。适当的ESD控制
处理这些时应当使用一
设备。
2
高级：
数据表包含有关产品M / A - COM技术解决方案的信息
北美
电话： 800.366.2266 /传真： 978.366.2266
正在考虑发展。性能是基于目标的规格，仿真结果，
欧洲
联系电话： 44.1908.574.200 /传真： 44.1908.574.300
和/或原型的测量。致力于发展无法得到保证。
亚洲/太平洋地区
联系电话： 81.44.844.8296 /传真： 81.44.844.8298
初步：
数据表包含有关产品M / A- COM技术信息
访问www.macomtech.com额外的数据表和产品信息。
解决方案正在开发。性能是基于工程测试。规格
典型的。机械轮廓已定。工程样品和/或测试数据可以是可用的。
M / A - COM技术解决方案公司及其附属公司保留作出正确的
致力于生产数量难以保证。
更改产品（ S）或信息包含在此恕不另行通知。
MASW-008853
砷化镓SPDT 2.7 V高功率开关
DC - 5.0 GHz的
典型性能曲线，为1000pF
插入损耗
0.00
-0.25
-0.50
修订版V2
隔离
0
-10
-20
-0.75
-1.00
-1.25
-1.50
0
1
2
3
4
5
+25 C
-40 C
+85 C
-30
+25 C
-40 C
+85 C
-40
-50
0
1
2
3
4
5
频率（GHz ）
频率（GHz ）
RFC回波损耗
0
-10
-20
-30
-40
-50
-60
0
1
2
3
4
5
LEAD -FREE
SC70塑料包装
+25 C
-40 C
+85 C
频率（GHz ）
RF1 / RF2回波损耗
0
-10
-20
+25 C
-40 C
+85 C
-30
-40
-50
-60
0
1
2
3
4
5
参考应用笔记M538无铅回流焊
建议。
符合JEDEC湿度敏感度等级1要求。
频率（GHz ）
3
高级：
数据表包含有关产品M / A - COM技术解决方案的信息
北美
电话： 800.366.2266 /传真： 978.366.2266
正在考虑发展。性能是基于目标的规格，仿真结果，
欧洲
联系电话： 44.1908.574.200 /传真： 44.1908.574.300
和/或原型的测量。致力于发展无法得到保证。
亚洲/太平洋地区
联系电话： 81.44.844.8296 /传真： 81.44.844.8298
初步：
数据表包含有关产品M / A- COM技术信息
访问www.macomtech.com额外的数据表和产品信息。
解决方案正在开发。性能是基于工程测试。规格
典型的。机械轮廓已定。工程样品和/或测试数据可以是可用的。
M / A - COM技术解决方案公司及其附属公司保留作出正确的
致力于生产数量难以保证。
更改产品（ S）或信息包含在此恕不另行通知。
QQ：2880707522 复制
