MASW-007221
砷化镓SPDT开关
DC - 3.0 GHz的
特点
低插入损耗： < 0.3分贝@ 900 MHz的
低功耗： < 15 μA @ -2.3伏
正或负2.3到8伏的控制
无铅SC- 70 （ SOT- 363 ）封装
100 ％雾锡电镀铜多
无卤素“绿色”模塑化合物
260℃回流焊
*符合RoHS的标准版本， SW- 456
牧师V1
功能原理：阳性对照
电压
销1
RF1
1000 pF的
GND
RFC
1000 pF的
RF2
1000 pF的
V
CTL
2
V
CTL
1
描述
M / A - COM的MASW - 007221是GaAs单片
切换中的无铅的SC- 70（ SOT- 363 ）表面
贴装塑料封装。该MASW - 007221是
理想地适合于各种应用，其中非常低的功率
耗，低插入损耗，非常小的尺寸，并
低成本是必需的。典型的应用是在
双频系统中的小间切换
信号成分是必需的，即，滤波器组，
单波段低噪声放大器的，转换器等。
该MASW - 007221可申请最多可使用
到0.25瓦的系统，如蜂窝，PCS ，
DCS1800 ， GSM，CDMA， W-CDMA和其它
模拟/数字无线通信系统。
该MASW - 007221是使用成熟0.5制造
微米pHEMT工艺。该工艺具有全
钝化性能和可靠性。
功能原理：阴性对照
电压
销1
RF1
V
CTL
1
GND
RFC
RF2
V
CTL
2
引脚配置
针
1
2
功能
RF1
GND
RF2
V
CTL
2
RFC
V
CTL
1
描述
射频输入/输出
射频地
射频输入/输出
电压控制2
射频共
电压控制1
2,3
订购信息
1
产品型号
MASW-007221-000000
MASW-007221-TR3000
包
散装包装
3000件卷轴
3
4
5
6
1.参考应用笔记M513的卷大小信息。
绝对最大额定值
参数
输入功率（ 0.5 - 3.0 GHz的）
3 V控制
5 V控制
工作电压
工作温度
储存温度
绝对最大
+30 dBm的
+33 dBm的
8.5伏特
-40 ° C至+ 85°C
-65 ° C至+ 150°C
2.超出任一项的这些限制或组合可能导致
永久性损坏此设备。
3， M / A - COM不建议持续经营近
这些生存极限。
1
*对有害物质的限制，欧盟指令2002/95 / EC 。
高级：
数据表包含有关产品M / A - COM技术解决方案的信息
北美
电话： 800.366.2266 /传真： 978.366.2266
正在考虑发展。性能是基于目标的规格，仿真结果，
欧洲
联系电话： 44.1908.574.200 /传真： 44.1908.574.300
和/或原型的测量。致力于发展无法得到保证。
亚洲/太平洋地区
联系电话： 81.44.844.8296 /传真： 81.44.844.8298
初步：
数据表包含有关产品M / A- COM技术信息
访问www.macomtech.com额外的数据表和产品信息。
解决方案正在开发。性能是基于工程测试。规格
典型的。机械轮廓已定。工程样品和/或测试数据可以是可用的。
M / A - COM技术解决方案公司及其附属公司保留作出正确的
致力于生产数量难以保证。
更改产品（ S）或信息包含在此恕不另行通知。
MASW-007221
砷化镓SPDT开关
DC - 3.0 GHz的
参数
插入损耗
5
牧师V1
电气连接特定的阳离子：
T
A
= 25 ° C，V
CTL
= 0， -2.3伏（除非另有说明）中，Z
0
= 50
测试条件
DC - 1 GHz的
1 - 2 GHz的
2 - 3 GHz的
DC - 1 GHz的
1 - 2 GHz的
2 - 3 GHz的
DC - 3 GHz的
500兆赫 - 3 GHz的
500兆赫 - 3 GHz的
2音900兆赫， 5兆赫间距（ 3.0 V）
2音900兆赫， 5兆赫间距（ 3.0 V）
10 ％至90％的射频，90％至10％的射频
50 ％对照，以90％的射频，控制到10％的射频
带内
V
CTL
= -2.3 V
单位
dB
dB
dB
dB
dB
dB
比
DBM
DBM
DBM
DBM
ns
ns
mV
A
分钟。
—
—
—
20
15
10
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值。
0.35
0.45
0.56
22
17
12
1.2:1
21
27
81
52
25
25
25
4
马克斯。
0.5
0.6
0.8
—
—
—
1.4:1
—
—
—
—
—
—
—
15
隔离
V
SWR
P
1dB
（ 2.3V电源）
P
1dB
（ 3V电源）
输入IP
2
输入IP
3
素养， TFALL
吨， Toff的
瞬变
控制电流
4.外部隔直流电容器所使用的正电压控制时，需要对所有RF端口。
5.插入损耗可以通过改变直流阻断电容值，例如被优化1000 pF的100兆赫 - 1 GHz的39 pF的0.5千兆赫 - 3 GHz的。
真值表
模式
（控制）
积极
6
V1
0 ± 0.2 V
2.3至+8 V
V2
2.3至+8 V
0 ± 0.2 V
-2.3 V至-8 V
0 ± 0.2 V
RFC -
RF1
关闭
On
On
关闭
RFC -
RF2
On
关闭
关闭
On
LEAD -FREE
SC- 70 （ SOT- 363 ）
负
7
0 ± 0.2 V
-2.3 V至-8 V
6.外部隔直流电容器所需的所有RF端口。
用于正控制电压1000pF的电容器。为
更高的工作频率，更小的值的隔直流钙
pacitors可以被取代。
7.如果使用阴性对照，隔直流电容器不
在RF端口要求。
QUALI科幻阳离子
资格M / A- COM
流程-2 。
规范
REL-201,
办理程序
请遵循以下注意事项，以避免
伤害：
参考应用笔记M538无铅回流焊
建议。
静电灵敏度
砷化镓集成电路是对敏感
静电放电（ESD ）而可能被损坏
通过静电。适当的ESD控制技术
处理这些设备时，应使用。
2
高级：
数据表包含有关产品M / A - COM技术解决方案的信息
北美
电话： 800.366.2266 /传真： 978.366.2266
正在考虑发展。性能是基于目标的规格，仿真结果，
欧洲
联系电话： 44.1908.574.200 /传真： 44.1908.574.300
和/或原型的测量。致力于发展无法得到保证。
亚洲/太平洋地区
联系电话： 81.44.844.8296 /传真： 81.44.844.8298
初步：
数据表包含有关产品M / A- COM技术信息
访问www.macomtech.com额外的数据表和产品信息。
解决方案正在开发。性能是基于工程测试。规格
典型的。机械轮廓已定。工程样品和/或测试数据可以是可用的。
M / A - COM技术解决方案公司及其附属公司保留作出正确的
致力于生产数量难以保证。
更改产品（ S）或信息包含在此恕不另行通知。
MASW-007221
砷化镓SPDT开关
DC - 3.0 GHz的
典型性能曲线
插入损耗与频率随温度
0.0
+25 C
-40 C
+85 C
牧师V1
驻波比过温
2.0
+25 C
-40 C
+85 C
-0.2
1.8
-0.4
1.6
-0.6
1.4
-0.8
1.2
-1.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
1.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
频率（GHz ）
频率（GHz ）
隔离与频率随温度
-10
插入损耗与频率
（ 2.3 V控制， 1000 pF电容的RF端口）
0.0
-0.1
-0.2
-15
-20
-0.3
-25
-0.4
-0.5
-0.6
-35
-0.7
-40
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
-0.8
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
-30
频率（GHz ）
频率（GHz ）
隔离与频率的关系
（ 2.3 V控制， 1000 pF电容的RF端口）
-10
VSWR与频率的关系
（ 2.3 V控制， 1000 pF电容的RF端口）
2.0
-15
1.8
-20
1.6
-25
-30
1.4
-35
1.2
-40
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
1.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
频率（GHz ）
频率（GHz ）
3
高级：
数据表包含有关产品M / A - COM技术解决方案的信息
北美
电话： 800.366.2266 /传真： 978.366.2266
正在考虑发展。性能是基于目标的规格，仿真结果，
欧洲
联系电话： 44.1908.574.200 /传真： 44.1908.574.300
和/或原型的测量。致力于发展无法得到保证。
亚洲/太平洋地区
联系电话： 81.44.844.8296 /传真： 81.44.844.8298
初步：
数据表包含有关产品M / A- COM技术信息
访问www.macomtech.com额外的数据表和产品信息。
解决方案正在开发。性能是基于工程测试。规格
典型的。机械轮廓已定。工程样品和/或测试数据可以是可用的。
M / A - COM技术解决方案公司及其附属公司保留作出正确的
致力于生产数量难以保证。
更改产品（ S）或信息包含在此恕不另行通知。
RoHS指令
柔顺
砷化镓SPDT开关
DC - 3.0 GHz的
特点
低插入损耗： < 0.3分贝@ 900 MHz的
低功耗： < 15 μA @ -2.3伏
正或负2.3到8伏的控制
无铅SC- 70 （ SOT- 363 ）封装
100 ％雾锡电镀铜多
无卤素“绿色”模塑化合物
260℃回流焊
*符合RoHS的标准版本， SW- 456
MASW-007221
V1
功能原理：
正控制电压
销1
RF1
1000 pF的
GND
RFC
1000 pF的
RF2
V
CTL
2
V
CTL
1
描述
M / A - COM的MASW - 007221是GaAs单片
切换中的无铅的SC- 70（ SOT- 363 ）表面
贴装塑料封装。该MASW - 007221是
理想地适合于各种应用，其中非常低的功率
耗，低插入损耗，非常小的尺寸，并
低成本是必需的。典型的应用是在
双频系统中的小间切换
信号成分是必需的，即，滤波器组，
单波段低噪声放大器的，转换器等。
该MASW - 007221可申请最多可使用
到0.25瓦的系统，如蜂窝，PCS ，
DCS1800 ， GSM，CDMA， W-CDMA和其它
模拟/数字无线通信系统。
该MASW - 007221是使用成熟0.5制造
微米pHEMT工艺。该工艺具有全
钝化性能和可靠性。
1000 pF的
功能原理：
消极的控制电压
销1
RF1
V
CTL
1
GND
RFC
RF2
V
CTL
2
引脚配置
针
1
2
3
4
5
6
功能
RF1
GND
RF2
V
CTL
2
RFC
V
CTL
1
描述
射频输入/输出
射频地
射频输入/输出
电压控制2
射频共
电压控制1
订购信息
产品型号
MASW-007221-000000
MASW-007221-TR3000
1
包
散装包装
3000件卷轴
绝对最大额定值
2,3
参数
输入功率（ 0.5 - 3.0 GHz的）
3 V控制
5 V控制
工作电压
工作温度
储存温度
2.
3.
绝对最大
+30 dBm的
+33 dBm的
8.5伏特
-40 ° C至+ 85°C
-65 ° C至+ 150°C
1.参考应用笔记M513的卷大小信息。
超出这些限制的任何一种或组合可能导致
永久性损坏此设备。
M / A - COM不建议持续近操作
这些生存极限。
1
*对有害物质的限制，欧盟指令2002/95 / EC 。
M / A - COM公司及其附属公司保留随时更改的权利
产品（S ）或包含，恕不另行通知信息。 M / A- COM使
关于是否适合任何保证，声明或保证其
产品用于任何特定目的，也没有M / A - COM承担任何责任
由此产生的任何产品（S）的使用或应用的任何或
信息。
北美
电话： 800.366.2266 /传真： 978.366.2266
欧洲
联系电话： 44.1908.574.200 /传真： 44.1908.574.300
亚洲/太平洋地区
联系电话： 81.44.844.8296 /传真： 81.44.844.8298
访问www.macom.com额外的数据表和产品信息。
RoHS指令
柔顺
砷化镓SPDT开关
DC - 3.0 GHz的
MASW-007221
V1
电气规格：吨
A
= 25 ° C，V
CTL
= 0， -2.3伏
（除非另有规定编）
, Z
0
= 50
4
参数
插入损耗
5
测试条件
DC - 1 GHz的
1 - 2 GHz的
2 - 3 GHz的
DC - 1 GHz的
1 - 2 GHz的
2 - 3 GHz的
DC - 3 GHz的
500兆赫 - 3 GHz的
500兆赫 - 3 GHz的
2音900兆赫， 5兆赫间距（ 3.0 V）
2音900兆赫， 5兆赫间距（ 3.0 V）
10 ％至90％的射频，90％至10％的射频
50 ％对照，以90％的射频，控制到10％的射频
带内
V
CTL
= -2.3 V
单位
dB
dB
dB
dB
dB
dB
比
DBM
DBM
DBM
DBM
ns
ns
mV
A
分钟。
—
—
—
20
15
10
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值。
0.35
0.45
0.56
22
17
12
1.2:1
21
27
81
52
25
25
25
4
马克斯。
0.5
0.6
0.8
—
—
—
1.4:1
—
—
—
—
—
—
—
15
隔离
V
SWR
P
1dB
（ 2.3V电源）
P
1dB
（ 3V电源）
输入IP
2
输入IP
3
素养， TFALL
吨， Toff的
瞬变
控制电流
4.
5.
外部隔直流电容器所使用的正电压控制时，需要对所有RF端口。
插入损耗可通过改变直流阻断电容值，例如被优化1000 pF的100兆赫 - 1 GHz的39 pF的0.5千兆赫 - 3 GHz的。
真值表
模式
（控制）
积极
6
LEAD -FREE
SC- 70 （ SOT- 363 ）
V1
V2
2.3至+8 V
0 ± 0.2 V
-2.3 V至-8 V
0 ± 0.2 V
RFC -
RF1
关闭
On
On
关闭
RFC -
RF2
On
关闭
关闭
On
0 ± 0.2 V
2.3至+8 V
负
7
0 ± 0.2 V
-2.3 V至-8 V
6.
7.
外部隔直流电容器所需的所有RF上
端口。用于正控制电压1000pF的电容器。
对于更高的工作频率，更小的值隔直流
电容器可以被取代。
如果使用阴性对照，隔直流电容器不
在RF端口要求。
QUALI科幻阳离子
资格M / A- COM
流程-2 。
规范
REL-201,
办理程序
请遵循以下注意事项，以避免
伤害：
参考应用笔记M538无铅回流焊
建议。
静电灵敏度
砷化镓集成电路是对敏感
静电放电（ESD ）而可能被损坏
通过静电。适当的ESD控制技术
处理这些设备时，应使用。
2
M / A - COM公司及其附属公司保留随时更改的权利
产品（S ）或包含，恕不另行通知信息。 M / A- COM使
关于是否适合任何保证，声明或保证其
产品用于任何特定目的，也没有M / A - COM承担任何责任
由此产生的任何产品（S）的使用或应用的任何或
信息。
北美
电话： 800.366.2266 /传真： 978.366.2266
欧洲
联系电话： 44.1908.574.200 /传真： 44.1908.574.300
亚洲/太平洋地区
联系电话： 81.44.844.8296 /传真： 81.44.844.8298
访问www.macom.com额外的数据表和产品信息。
RoHS指令
柔顺
砷化镓SPDT开关
DC - 3.0 GHz的
典型性能曲线
插入损耗与频率随温度
驻波比过温
MASW-007221
V1
0.0
-0.1
-0.2
-0.3
-0.4
-0.5
-0.6
-0.7
-0.8
-0.9
-1.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
+25°C
-40°C
+85°C
2.0
1.9
1.8
1.7
1.6
1.5
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
0.0
-40°C
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
+85°C
+25°C
频率（GHz ）
频率（GHz ）
隔离与频率随温度
插入损耗与频率
（ 2.3 V控制， 1000 pF电容的RF端口）
0.0
-0.1
-0.2
-0.3
-0.4
-0.5
-0.6
-0.7
-0.8
-0.9
-1.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0
-10.0
-15.0
-20.0
-25.0
-30.0
-35.0
-40.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
频率（GHz ）
频率（GHz ）
隔离与频率的关系
（ 2.3 V控制， 1000 pF电容的RF端口）
-10.0
-15.0
-20.0
-25.0
-30.0
-35.0
-40.0
-45.0
-50.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
VSWR与频率的关系
（ 2.3 V控制， 1000 pF电容的RF端口）
2.0
1.9
1.8
1.7
1.6
1.5
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
频率（GHz ）
频率（GHz ）
3
M / A - COM公司及其附属公司保留随时更改的权利
产品（S ）或包含，恕不另行通知信息。 M / A- COM使
关于是否适合任何保证，声明或保证其
产品用于任何特定目的，也没有M / A - COM承担任何责任
由此产生的任何产品（S）的使用或应用的任何或
信息。
北美
电话： 800.366.2266 /传真： 978.366.2266
欧洲
联系电话： 44.1908.574.200 /传真： 44.1908.574.300
亚洲/太平洋地区
联系电话： 81.44.844.8296 /传真： 81.44.844.8298
访问www.macom.com额外的数据表和产品信息。
QQ：2880707522 复制
