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MASW-007075-000100
砷化镓SPDT开关吸收带
ASIC驱动器， DC- 3.0 GHz的
特点
典型的隔离36分贝（ 2000兆赫）
典型插入损耗为1.8分贝（ 2000兆赫）
积分ASIC TTL / CMOS驱动器
低DC功耗
50欧姆的标称阻抗
磁带和卷轴包装可用
可用的测试板
无铅SOW -24封装
100 ％雾锡电镀铜多
无卤素“绿色”模塑化合物
260℃回流焊
SW65-0114的*符合RoHS标准的版本
V4版本
功能框图
PIN 1 RFC
GND
GND
GND
GND
RF2
GND
GND引脚24
GND
GND
GND
GND
RF1
GND
GND
GND
GND
GND
C1 PIN码13
描述
M / A - COM的MASW - 007075-000100是GaAs MMIC
具有整体硅的ASIC吸收SPDT开关
驱动程序。该器件采用24引脚塑料封装。
该交换机能够提供出色的宽带性能
和可重复性，从直流到3 GHz ，而
保持低的直流功耗。该MASW-
007075-000100非常适合于无线
基础设施应用。陶瓷也可
包具有改进的性能。
VEE
GND
VCC
GND
PIN码12 C2
引脚配置
PIN号
1
功能
RFC
GND
GND
GND
GND
RF2
GND
V
EE
GND
V
CC
GND
C2
PIN号
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
功能
C1
GND
GND
GND
GND
GND
RF1
GND
GND
GND
GND
GND
订购信息
产品型号
MASW-007075-000100
MASW-007075-0001TR
MASW-007075-0001TB
2
3
包
散装包装
1000件卷轴
抽样检验局
4
5
6
7
8
9
10
11
12
注：参考应用笔记M513的卷大小
信息。
*对有害物质的限制，欧盟指令2002/95 / EC 。
1
高级：
数据表包含有关产品M / A - COM技术解决方案的信息
北美
电话： 800.366.2266
欧洲
联系电话： +353.21.244.6400
正在考虑发展。性能是基于目标的规格，仿真结果，
印度
联系电话： +91.80.4155721
中国
联系电话： +86.21.2407.1588
和/或原型的测量。致力于发展无法得到保证。
访问www.macomtech.com额外的数据表和产品信息。
初步：
数据表包含有关产品M / A- COM技术信息
解决方案正在开发。性能是基于工程测试。规格
典型的。机械轮廓已定。工程样品和/或测试数据可以是可用的。
M / A - COM技术解决方案公司及其附属公司保留作出正确的
致力于生产数量难以保证。
更改产品（ S）或信息包含在此恕不另行通知。
MASW-007075-000100
砷化镓SPDT开关吸收带
ASIC驱动器， DC- 3.0 GHz的
电气规格：吨
A
= 25 ° C，Z
0
= 50Ω
参数
插入损耗
隔离
（所有的武关）
VSWR
T
上升
T
秋天
T
关闭
T
on
瞬变
1 dB压缩
输入IP
3
V
CC
V
EE
V
IL
V
IH
林（输入漏电流）
ICC
（静态电源电流）
ΔICC
（附加电源电流每
TTL输入引脚）
I
EE
V4版本
测试条件
DC - 3.0 GHz的
DC - 3.0 GHz的
DC - 3.0 GHz的
On
关闭
10%/90%, 90%/10%
1
50％的TTL至90 ％/ 10％的射频
在带外（峰到峰）
0.05 GHz的
0.5 - 3.0 GHz的
两个音输入
0.05 GHz的
至+5 dBm的0.5 - 3.0 GHz的
—
—
低电平输入电压
高电平输入电压
VIN = V
CC
或GND
VCNTRL = V
CC
或GND
V
CC
=最大， VCNTRL = V
CC
- 2.1 V
单位
dB
dB
民
—
33
典型值
1.8
36
最大
2.2
—
—
—
ns
ns
mV
DBM
DBM
DBM
DBM
V
V
V
V
uA
uA
mA
—
—
—-
—
—
—
—
—
—
+4.5
-8.0
0.0
2.0
-1.0
—
—
1.7:1
2.1:1
15
50
50
+20
+27
+35
+46
+5.0
-5.0
—
—
—
250
—
2.2:1
2.2:1
50
150
150
—
—
—
—
+5.5
-4.75
0.8
5.0
1.0
400
1.0
V
EE
最小到最大， VIN = V
IL
或V
IH
mA
-1.0
-0.2
—
1.去耦电容（ 0.01 μF），需要对电源线。
绝对最大额定值
2,3
参数
马克斯。输入功率
0.05 GHz的
0.5 - 3.0 GHz的
4
V
CC
V
EE
V
CC
- V
EE
VIN
5
工作温度
储存温度
办理程序
请遵循以下注意事项，以避免
伤害：
绝对最大
+27 dBm的
+34 dBm的
-0.5V
≤
V
CC
≤
+7.0V
-8.5V
≤
V
EE
≤
+0.5V
-0.5V
≤
V
CC
- V
EE
≤
14.5V
-0.5V
≤
VIN
≤
V
CC
+ 0.5V
-40℃至+ 85℃
-65oC至+ 125℃
静电灵敏度
砷化镓集成电路是敏感
对静电放电（ESD） ，并且可以是
被静电损坏。适当的ESD控制
处理这些时应当使用一
设备。
真值表
TTL控制输入
C1
1
0
C2
0
1
2
2.超过任何一个这些限制或组合可能
导致该设备造成永久性损坏。
3， M / A - COM不建议持续经营近
这些生存极限。
4.当RF输入被施加到端的端口，所述
绝对最大功率为+30 dBm的。
5.标准CMOS TTL接口，闭锁就会发生，如果逻辑
之前的电源信号被施加。
RF常见到：
RF1
On
关闭
RF2
关闭
On
高级：
数据表包含有关产品M / A - COM技术解决方案的信息
北美
电话： 800.366.2266
欧洲
联系电话： +353.21.244.6400
正在考虑发展。性能是基于目标的规格，仿真结果，
印度
联系电话： +91.80.4155721
中国
联系电话： +86.21.2407.1588
和/或原型的测量。致力于发展无法得到保证。
访问www.macomtech.com额外的数据表和产品信息。
初步：
数据表包含有关产品M / A- COM技术信息
解决方案正在开发。性能是基于工程测试。规格
典型的。机械轮廓已定。工程样品和/或测试数据可以是可用的。
M / A - COM技术解决方案公司及其附属公司保留作出正确的
致力于生产数量难以保证。
更改产品（ S）或信息包含在此恕不另行通知。
MASW-007075-000100
砷化镓SPDT开关吸收带
ASIC驱动器， DC- 3.0 GHz的
典型性能曲线
插入损耗与频率
2.0
V4版本
隔离损耗与频率
90
80
插入损耗（dB ）
1.5
70
隔离度（dB ）
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
60
50
40
30
20
1.0
0.5
0.0
10
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
频率（GHz ）
-55C
25C
85C
频率（GHz ）
RFC VSWR与频率的关系
2.2
RF1 ， RF2 VSWR与频率的关系
2.2
2.0
2.0
1.8
RF1 - RF2 VSWR
RFC VSWR
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
1.6
1.4
1.2
1.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
频率（GHz ）
ON
关闭
频率（GHz ）
3
高级：
数据表包含有关产品M / A - COM技术解决方案的信息
北美
电话： 800.366.2266
欧洲
联系电话： +353.21.244.6400
正在考虑发展。性能是基于目标的规格，仿真结果，
印度
联系电话： +91.80.4155721
中国
联系电话： +86.21.2407.1588
和/或原型的测量。致力于发展无法得到保证。
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初步：
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解决方案正在开发。性能是基于工程测试。规格
典型的。机械轮廓已定。工程样品和/或测试数据可以是可用的。
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致力于生产数量难以保证。
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MASW-007075-000100
砷化镓SPDT开关吸收带
ASIC驱动器， DC- 3.0 GHz的
无铅，
SOW-24
V4版本
参考应用笔记M538无铅回流焊的建议。
4
高级：
数据表包含有关产品M / A - COM技术解决方案的信息
北美
电话： 800.366.2266
欧洲
联系电话： +353.21.244.6400
正在考虑发展。性能是基于目标的规格，仿真结果，
印度
联系电话： +91.80.4155721
中国
联系电话： +86.21.2407.1588
和/或原型的测量。致力于发展无法得到保证。
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解决方案正在开发。性能是基于工程测试。规格
典型的。机械轮廓已定。工程样品和/或测试数据可以是可用的。
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