MASW-007072-000100
砷化镓SP2T吸收式开关与
ASIC驱动器， DC- 3.0 GHz的
特点
典型的隔离：30分贝（ 2000兆赫）
典型插入损耗： 0.75分贝（ 2000兆赫）
ASIC TTL / CMOS驱动器
低DC功耗
50欧姆的标称阻抗
磁带和卷轴包装可用
可用的测试板
无铅SOIC -16封装
100 ％雾锡电镀铜多
无卤素“绿色”模塑化合物
260℃回流焊
SW65-0313的*符合RoHS标准的版本
修订版V3
功能原理图
VEE
GND
GND
NC
GND
RF2
GND
GND
C1
VCC
GND
NC
GND
RF1
GND
RFC
描述
M / A - COM的MASW - 007072-000100是GaAs MMIC
具有整体硅的ASIC吸收SP2T开关
驱动程序。该器件采用16引脚塑料封装。
该交换机能够提供出色的宽带性能
和可重复性，从直流到3 GHz ，而
保持低的直流功耗。该MASW-
007072-000100非常适合于无线
基础设施应用。在一个还可以
陶瓷封装具有改进的性能。
引脚配置
1
PIN号
1
2
功能
V
EE
GND
GND
NC
GND
RF2
GND
GND
PIN号
9
10
11
12
13
14
15
16
功能
RFC
GND
RF1
GND
NC
GND
V
CC
C1
订购信息
产品型号
MASW-007072-000100
MASW-007072-0001TR
MASW-007072-0001TB
3
4
包
散装包装
1000件卷轴
抽样检验局
1.
5
6
7
8
NC =无连接
注：参考应用笔记M513的卷大小
信息。
*对有害物质的限制，欧盟指令2002/95 / EC 。
1
高级：
数据表包含有关产品M / A - COM技术解决方案的信息
北美
电话： 800.366.2266
欧洲
联系电话： +353.21.244.6400
正在考虑发展。性能是基于目标的规格，仿真结果，
印度
联系电话： +91.80.4155721
中国
联系电话： +86.21.2407.1588
和/或原型的测量。致力于发展无法得到保证。
访问www.macomtech.com额外的数据表和产品信息。
初步：
数据表包含有关产品M / A- COM技术信息
解决方案正在开发。性能是基于工程测试。规格
典型的。机械轮廓已定。工程样品和/或测试数据可以是可用的。
M / A - COM技术解决方案公司及其附属公司保留作出正确的
致力于生产数量难以保证。
更改产品（ S）或信息包含在此恕不另行通知。
MASW-007072-000100
砷化镓SP2T吸收式开关与
ASIC驱动器， DC- 3.0 GHz的
修订版V3
电气规格：吨
A
= 25 ° C，Z
0
= 50Ω
参数
插入损耗
测试条件
DC - 1.0 GHz的
DC - 2.0 GHz的
DC - 3.0 GHz的
DC - 1.0 GHz的
DC - 2.0 GHz的
DC - 3.0 GHz的
DC - 1.0 GHz的
DC - 2.0 GHz的
DC - 3.0 GHz的
10%/90%, 90%/10%
2
50％的TTL至90 ％/ 10％的射频
在带外（峰到峰）
0.05 GHz的
0.5 - 3.0 GHz的
两个音输入
0.05 GHz的
至+5 dBm的0.5 - 3.0 GHz的
—
—
低电平输入电压
高电平输入电压
VIN = V
CC
或GND
VCNTRL = V
CC
或GND
V
CC
=最大， VCNTRL = V
CC
- 2.1 V
单位
dB
dB
dB
dB
dB
dB
—
—
—
ns
ns
mV
DBM
DBM
DBM
DBM
V
V
V
V
uA
uA
mA
民
—
—
—
35
27
21
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
+4.5
-8.0
0.0
2.0
-1.0
—
—
典型值
0.6
0.75
1.2
38
30
24
1.2:1
1.3:1
1.7:1
15
50
50
+25
+30
+40
+46
+5.0
-5.0
—
—
—
250
—
最大
0.75
0.90
1.45
—
—
—
1.3:1
1.4:1
1.9:1
50
150
150
—
—
—
—
5.5
-4.75
0.8
5.0
1.0
400
1.0
隔离
（所有的武关）
VSWR
T
上升
T
秋天
T
关闭
T
on
瞬变
1 dB压缩
输入IP
3
V
CC
V
EE
V
IL
V
IH
林（输入漏电流）
ICC
（静态电源电流）
ΔICC
（附加电源电流每
TTL输入引脚）
I
EE
V
EE
最小到最大， VIN = V
IL
或V
IH
mA
-1.0
-0.2
—
2.去耦电容（ 0.01 μF），需要对电源线。
2
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修订版V3
绝对最大额定值
3,4
参数
马克斯。输入功率
0.05 GHz的
0.5 - 3.0 GHz的
5
V
CC
V
EE
V
CC
- V
EE
VIN
6
工作温度
储存温度
推荐PCB配置
绝对最大
+27 dBm的
+34 dBm的
-0.5V
≤
V
CC
≤
+7.0V
-8.5V
≤
V
EE
≤
+0.5V
-0.5V
≤
V
CC
- V
EE
≤
14.5V
-0.5V
≤
VIN
≤
V
CC
+ 0.5V
-40℃至+ 85℃
-65oC至+ 125℃
3.超过任一项的这些限制或组合可能导致
永久性损坏此设备。
4. M / A - COM不建议持续经营近
这些生存极限。
5.当RF输入被施加到端的端口，所述abso-
琵琶最大功率为+30 dBm的。
6.标准CMOS TTL接口，闭锁就会发生，如果逻辑显
之前电源纳尔被施加。
办理程序
请遵循以下注意事项，以避免
伤害：
真值表（开关）
C1
0
1
0 = TTL低; 1 = TTL高
静电灵敏度
砷化镓集成电路是敏感
对静电放电（ESD） ，并且可以是
被静电损坏。适当的ESD控制
处理这些时应当使用一
设备。
RF1
On
关闭
RF2
关闭
On
3
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典型性能曲线
典型插入损耗（dB ）
+ 2 5 °C
1.5
+ 8 5 °C
- 4 0 °C
典型VSWR
的F
2.0
1.8
ON
电压驻波比（ dB）的
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
损耗（dB）
1.0
1.6
1.4
1.2
0.5
0.0
0.0
1.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
FRE阙NCY （千兆赫）
频率（GHz ）
典型的隔离度（dB ）
80
70
隔离度（dB ）
60
50
40
30
20
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
FRE阙NCY （千兆赫）
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无铅，
SOIC-16
参考应用笔记M538无铅回流焊
建议。
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QQ：2881677436 复制
