MASW-003103-1364
HMIC
TM
硅PIN二极管开关SP3T
50兆赫 - 20 GHz的
特点
从50兆赫到指定的20 GHz的
可使用高达26 GHz的
低插入损耗
高隔离度
低寄生电容和电感
符合RoHS众志成城封装
坚固耐用，全单片
玻璃封装建设
高达+38 dBm的C.W.功率处理
1
@ +25°C
氮化硅钝化
聚合物划伤保护
修订版V2
功能原理图
J3
描述
该MASW - 003103-1364是众志成城
通过系列宽带单片SP3T开关和
并联连接的硅PIN二极管。这部分是
设计用作一个中等信号，高
在应用程序中高达20 GHz的高性能交换机。
这种表面贴装
芯片级配置
用最小的宽带性能优化
相关的寄生效应通常与混合动力相关
结合梁式引线和PIN MIC设计
需要芯片和导线组件的二极管。
该MASW - 003103-1364使用M / A-制造
COM技术的专利HMIC （异类
微波集成电路）的过程中，美国专利
5268310 。这个过程允许掺入
作为串联和并联二极管的硅底座
或者通过嵌入他们的低损耗通路，低
色散玻璃。通过使用之间的间距小
元素，硅和玻璃的这种组合提供了
HMIC设备低损耗，高隔离
通过低频率的毫米波性能。
选择性背面金属化应用于生产
表面贴装器件。上部是完全
封装有氮化硅，并且具有
额外的聚合物层的划伤和冲击
保护。
这些保护性涂层可防止
损伤到接线和阳极登机桥
在处理和组装。
1.
1
功率容量测试执行@ 2GHz的
J2
J4
J1
引脚配置
2
针
J1
J2
J3
J4
功能
RFC
RF1
RF2
RF3
2.裸露焊盘集中在芯片底部必须CON组
订购信息
产品型号
MASW-003103-13640G
MASW-003103-13645P
MASW-003103-13640P
MASW-003103-001SMB
包
50件包胶
500件卷轴
3000件卷轴
抽样检验局
高级：
数据表包含有关产品M / A - COM技术解决方案的信息
北美
电话： 800.366.2266
欧洲
联系电话： +353.21.244.6400
正在考虑发展。性能是基于目标的规格，仿真结果，
印度
联系电话： +91.80.43537383
中国
联系电话： +86.21.2407.1588
和/或原型的测量。致力于发展无法得到保证。
访问www.macomtech.com额外的数据表和产品信息。
初步：
数据表包含有关产品M / A- COM技术信息
解决方案正在开发。性能是基于工程测试。规格
典型的。机械轮廓已定。工程样品和/或测试数据可以是可用的。
M / A - COM技术解决方案公司及其附属公司保留作出正确的
致力于生产数量难以保证。
更改产品（ S）或信息包含在此恕不另行通知。
MASW-003103-1364
HMIC
TM
硅PIN二极管开关SP3T
50兆赫 - 20 GHz的
电气规格：吨
A
= 25 ° C，P
IN
= 0 dBm的，Z
0
= 50
,
20mA/-10V
参数
插入损耗
频率
6 GHz的
13 GHz的
20 GHz的
6 GHz的
13 GHz的
20 GHz的
6 GHz的
13 GHz的
20 GHz的
6 GHz的
13 GHz的
20 GHz的
—
—
2 GHz的
单位
dB
分钟。
—
—
—
50
37
25
19
14
14
—
—
—
—
—
—
典型值。
0.50
0.8
1.2
54
40
31
25
22
21
57
42
30
20
—
36
马克斯。
0.6
1.1
1.4
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
80
—
修订版V2
隔离
dB
输入回波损耗
dB
输出至输出隔离
开关速度
3
额定电压
4
输入0.1分贝压缩点
3.
4.
dB
ns
V
DBM
典型开关速度来回测10 ％至90 ％的TTL兼容的驱动程序驱动检测到的RF信号。
无论是在并联或串联PIN二极管的最大反向漏电流应为0.5 uA最大@ -80伏。
绝对最大额定值
5,6
参数
工作温度
储存温度
结温
外加反向电压
RF CW入射功率
偏置电流+ 25°C
绝对最大
-65 ° C至+125°C
-65 ° C至+150°C
+175 °C
|-80 V|
38dBm CW @ 2GHz的， + 25°C
33dBm的CW @ 20GHz的， + 25C
= 50毫安
办理程序
请遵循以下注意事项，以避免
伤害：
静电灵敏度
这些器件的额定电流为1A级人体。
适当的ESD控制技术，应使用
当处理这些设备。
最大工作条件结合RF
PWR ，直流偏置， &温度： 33dBm的CW @每20毫安
二极管@ + 85C @ 2GHz的
5.
6.
超出这些限制的任何一种或组合可能导致
永久性损坏此设备。
M / A- COM技术不建议持续运行
附近的这些生存极限。
2
高级：
数据表包含有关产品M / A - COM技术解决方案的信息
北美
电话： 800.366.2266
欧洲
联系电话： +353.21.244.6400
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印度
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中国
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和/或原型的测量。致力于发展无法得到保证。
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解决方案正在开发。性能是基于工程测试。规格
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MASW-003103-1364
HMIC
TM
硅PIN二极管开关SP3T
50兆赫 - 20 GHz的
典型性能曲线
在发E rtio N L S S小@ 2 0米A， -1 0V
RF在投入RFO ü TP ü TS （J 1至J 2 ， J3 ， J4 ）
0 .0
J1 T O服务 2
J1 T O服务 3
J1 T O服务 4
修订版V2
ISO LA TIO N @ 2 0米A， -1 0 V
RF在投入RFO ü TP ü TS （ J1到J 2 ，J 3 ，J 4 ）
0
J1 T O服务 2
J1 T O服务 3
J1 T O服务 4
-0 .5
-2 0
插入损耗（dB ）
-1 .0
隔离度（dB ）
-4 0
-1 .5
-6 0
-2 .0
0
5
10
15
20
25
30
-8 0
0
5
10
15
20
25
30
f重新Q ü EN （G ^ h Z）
f重新Q ü EN （G ^ h Z）
在P ü吨 TU RN 1。· S S小@ 2 0米A， -1 0 V
RF在投入RFO ü TP ü TS （J 1至J 2 ， J3 ， J4 ）
0
J1 T O服务 2
J1 T O服务 3
J1 T O服务 4
ü TP ü吨 TU RN 1。· S S小@ 2 0米A， -1 0 V
RF在投入RFO ü TP ü TS （ J1到J 2 ，J 3 ，J 4 ）
0
J1 T O服务 2
J1 T O服务 3
J1 T O服务 4
输入回波损耗（dB ）
-1 0
输出回波损耗（dB ）
-1 0
-2 0
-2 0
-3 0
-3 0
-4 0
0
5
10
15
20
25
30
-4 0
0
5
10
15
20
25
30
f重新Q ü EN （G ^ h Z）
f重新Q ü EN （G ^ h Z）
ü TP UT与O ü TP UT是O LA TIO N @ 2 0米A， -1 0 V
2到J 3 A N D，J 3至J 4
0
J2 T O服务 3
MASW - 003103-1364最大输入功率曲线
基板温度固定@ 25degC
12
输出至输出隔离度（dB ）
J3 T O服务 4
10
输入功率（瓦）
8
2GHz的， 5.8W
-2 0
-4 0
6
4
2
20GHz的， 2W
10GHz的， 2.75W
-6 0
0
-8 0
0
5
10
15
20
25
30
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
插入损耗（dB ）
3
f重新Q ü EN （G ^ h Z）
高级：
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硅PIN二极管开关SP3T
50兆赫 - 20 GHz的
偏置控制
该MASW - 003103-1364的最佳操作是通过同时施加负的直流电压来实现
和低损耗开关臂J2，J3 ， J4的或，和正的直流电压电流，并且把剩余的电流
开关臂，如下面的应用电路。 DC回报是通过R2上的J1 / RF COM路径来实现的。
在低损耗状态，串联二极管必须正向偏置电流和并联二极管的反向偏置
与电压。在隔离臂，并联二极管是正向偏置电流和串联二极管被反向
偏置电压。
修订版V2
驱动程序连接
控制层（DC电流和电压）
B2
-15V
7
在-20mA
在6V + 20毫安
在6V + 20毫安
B3
+20mA
-15V
7
在-20mA
在6V + 20毫安
B4
在6V + 20毫安
在6V + 20毫安
-15V
7
在-20mA
条件
RF输出
J1-J2
低损耗
隔离
隔离
条件
RF输出
J1-J3
隔离
低损耗
隔离
条件
RF输出
J1-J4
隔离
隔离
低损耗
7.施加到离臂的电压可以为20毫安是通过旁路二极管施加在离臂长而变化。
应用电路
8,9,10,11,12
例如：
J1到J2 →低损耗
R1 = 250
R2 = 450
B2 = -15V
B3，B4 = 6V
4
注意事项：
8.假设Vf的1V 20mA时
9. R1 = 5V / 0.02A = 250Ω ; R2 = 9V / 0.02A = 450Ω
10. P
R1
0.02A = 0.02A X ×250 =为0.1W
11. P
R2
0.02A = 0.02A X ×450 = 0.18 W
12.电感的RF偏置扼流圈。宽频带的PIN二极管开关的工作频带宽度通常取决于偏置康波
堂费，特别是RF偏压扼流圈。有人建议，该频率响应可与所有的偏压部件附签
之前安装的PIN二极管。
高级：
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HMIC
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硅PIN二极管开关SP3T
50兆赫 - 20 GHz的
外形图足迹
修订版V2
顶视图
2065
J3
SIDE VIEW
125
680
后视图
1960
200
290 200
J3
200
684
1655
J2
J1
680
200 200 200
1540
200
200 200 200
J4
J4
285
200
J2
200 290
200 285
J1
单位在微米
地面半径为200um的心
在I / O端子。
MASW-003103-1364
暗淡
宽度
长
厚度
英寸
民
0.06417
0.08031
0.00394
最大
0.06614
0.08228
0.00591
民
1.630
2.040
0.100
mm
最大
1.680
2.090
0.150
5
高级：
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