MA4AGSW2
SPDT铝镓砷PIN二极管开关
符合RoHS
特点
超宽频带： 50 MHz至50 GHz的
功能性带宽： 50 MHz至70 GHz的
0.7分贝插入损耗，
33分贝隔离在50 GHz的
低电流消耗。
-10mA低损耗状态
+ 10毫安的隔离状态
M / A - COM独特的AlGaAs异质结
V4版本
阳极技术。
氮化硅钝化
聚合物划伤保护
黄色区域表示焊垫
描述
M / A - COM的MA4AGSW2是铝镓
砷化镓，单刀双掷（SPDT） ， PIN二极管
开关。开关功能增强的AlGaAs阳极
它使用的是M / A- COM公司的专利异质形成
结技术。铝镓砷技术的产生
用更少的开关损耗比用设备制造
传统的砷化镓工艺。不亚于0.3分贝
可以在50千兆赫来实现减少插入损耗。
该装置被制成一个OMCVD外延晶片上
采用专为高均匀度的设备工艺
和极低的寄生效应。内部的二极管
芯片具有低的串联电阻，低电容，
和快速的开关速度。他们完全钝化
与氮化硅和有一个额外的聚合物
层的划伤保护。所述保护性涂层
防止损坏
搬运和组装期间
对
结二极管和芯片阳极空气桥。片外
偏置电路是必需的。
绝对最大额定值@ T
AMB
= +25°C
参数
工作温度
储存温度
事件C.W.射频功率
击穿电压
偏置电流
大会温度
结温
最大额定值
-55 ° C至+ 125°C
-55 ° C至+ 150°C
+ 23dBm的C.W.
25V
= 25毫安
+ 300℃ < 10秒
+175°C
应用
的AlGaAs及低的高电子迁移率
所使用的PIN二极管的电容使该开关
非常适合快速响应，高频率，多掷
开关设计。铝镓砷PIN二极管开关的
切换雷达系统阵列的理想选择，
辐射计，测试设备等多总成
组件。
最大组合操作条件射频功率，直流
偏置和温度： +23 dBm的CW @ 10 MA（每二极管） @
+85°C.
1
高级：
数据表包含有关产品M / A - COM技术解决方案的信息
北美
电话： 800.366.2266 /传真： 978.366.2266
正在考虑发展。性能是基于目标的规格，仿真结果，
欧洲
联系电话： 44.1908.574.200 /传真： 44.1908.574.300
和/或原型的测量。致力于发展无法得到保证。
亚洲/太平洋地区
联系电话： 81.44.844.8296 /传真： 81.44.844.8298
初步：
数据表包含有关产品M / A- COM技术信息
访问www.macomtech.com额外的数据表和产品信息。
解决方案正在开发。性能是基于工程测试。规格
典型的。机械轮廓已定。工程样品和/或测试数据可以是可用的。
M / A - COM技术解决方案公司及其附属公司保留作出正确的
致力于生产数量难以保证。
更改产品（ S）或信息包含在此恕不另行通知。
MA4AGSW2
SPDT铝镓砷PIN二极管开关
符合RoHS
V4版本
电气规格@ T
A
= 25℃ +/- 10毫安偏置电流
（在晶圆测量值）
RF连接特定的阳离子
参数
插入损耗
频带
0.05 - 18GHz的
18 - 50GHz的
0.05 - 18GHz的
18 - 50GHz的
0.05 - 18GHz的
18 - 50GHz的
0.05 - 18GHz的
18 - 50GHz的
10GHZ
民
---
---
45
28
---
---
---
---
---
典型值
0.5
0.7
47
33
22
21
25
22
20
最大
0.6
0.9
---
---
---
---
---
---
---
单位
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
nS
隔离
输入回波损耗
输出回波损耗
开关速度
（10％ - 90％的射频电压）
*
*注意：
典型的开关速度从10 ％开始，到90％所检测的射频电压由一个TTL驱动的
兼容的驱动程序。驱动器输出并联RC网络使用390 pF的之间的电容 - 560 pF和
150之间的电阻 - 220欧姆达到20 ns上升时间和下降时间。
2
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北美
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联系电话： 44.1908.574.200 /传真： 44.1908.574.300
和/或原型的测量。致力于发展无法得到保证。
亚洲/太平洋地区
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解决方案正在开发。性能是基于工程测试。规格
典型的。机械轮廓已定。工程样品和/或测试数据可以是可用的。
M / A - COM技术解决方案公司及其附属公司保留作出正确的
致力于生产数量难以保证。
更改产品（ S）或信息包含在此恕不另行通知。
MA4AGSW2
SPDT铝镓砷PIN二极管开关
符合RoHS
典型R.F.性能（探测晶片） @ + 25°C
V4版本
典型插入损耗@ -10毫安
0
-0.1
-0.2
-0.3
-0.4
-0.5
-0.6
-0.7
-0.8
-0.9
-1
0.00
10.00
20.00
30.00
40.00
50.00
IL （分贝）
频率（ GHz）的
J2
J3
典型的隔离@ 10毫安
0
-10
-20
ISOL （分贝）
-30
-40
-50
-60
-70
-80
0.00
10.00
20.00
30.00
40.00
50.00
频率（ GHz）的
J2
3
J3
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SPDT铝镓砷PIN二极管开关
符合RoHS
典型的射频性能（探测晶片） @ + 25°C
V4版本
典型输出回波损耗@ -10毫安
0
-5
ORL （ dB）的
-10
-15
-20
-25
-30
0.00
10.00
20.00
30.00
40.00
50.00
频率（ GHz）的
J2
J3
典型的输入回波损耗@ -10毫安
0
-5
IRL （ dB）的
-10
-15
-20
-25
-30
0.00
5.00
10.00
15.00
20.00
25.00
30.00
35.00
40.00
45.00
50.00
频率（ GHz）的
J2
J3
4
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SPDT铝镓砷PIN二极管开关
符合RoHS
在MA4AGSW2开关的操作
同时施加一个负的直流电流，以低损耗端口和正的直流电流提供给
是必需的MA4AGSW2 ，铝镓砷，PIN开关的操作其余隔离式开关端口。该
管芯的背面侧区域是RF和DC回接地层。直流回路连接到公共端口
J1 。正向偏置电压在J2 & J3将不超过± 1.6伏，并且通常为± 1.4伏的电源电流
± 30mA），口径。在低损耗状态，串联二极管必须是正向偏置和旁路二极管反向偏置。而
为隔离端口，该并联二极管是正向偏置的串联二极管被反向偏置。偏置网络
如下图所示应该产生> 30分贝射频到直流隔离设计。
最低的插入损耗， P1dB为， IP
3
和开关速度是通过使用在直流电压上拉电阻器来实现
返回路径， （J1） 。的最小值| -2V |推荐这个节点的回报，这是可以实现的了
标准， ± 5V TTL控制PIN二极管驱动器。
V4版本
MA4AGSW2原理与典型的外部2-18 GHz的偏置网络
典型的驱动器连接
控制层（直流电流）
J2
J3
-10mA
+10mA
5
高级：
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RF输出状态
J2-J1
低损耗
隔离
J3-J1
隔离
低损耗
+10mA
-10mA
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