DA9279.003
2006年7月13日
MAS9279
集成电路10.00 - 52.00 MHz的VCTCXO
描述
该MAS9279是集成电路适合于
打造高端VCTCXO电信。
修整是通过一个串行总线与完成
校准信息被存储在内部
舞会。这意味着，没有返工的微调是
需要的。
只建水晶需要在VCTCXO
除了MAS9279 。该补偿方法是
完全模拟，连续工作无
产生的任何步骤或其它干扰。
四阶补偿
频率稳定度+/- 0.3
PPM
宽的频率范围
相位噪声极低
低电压
最小工作
温度-40 °
C
三态CMOS输出
特点
非常小的尺寸
最小的电流消耗
宽工作温度范围
相位噪声极低
可编程VC-灵敏度
最低工作温度-40 °
C
振荡器频率输出F
0
/ 2版本
可用的
应用
VCTCXO高端电信
系统
TCXO高端电信
系统
框图
DA
CLK
PV
第四
TERM
CUB
INF
SENS
LIN
4
F（ t）的
5
3
8
TE1
Σ
T
VREF
TMUX
TE2
F（ t）的
VC
CDAC1
6
4
VDD
CDAC2
OUT
VSS
X2
X1
1 (10)
DA9279.003
2006年7月13日
引脚说明
引脚说明
电源电压
编程输入
串行总线时钟输入
串行总线数据输入
温度输出
测试多路输出
电压控制输入
晶体振荡器的输出
水晶/变容二极管振荡器输入
电源地
缓冲输出
符号
VDD
PV
CLK
DA
TE1
TE2
VC
X1
X2
VSS
OUT
X坐标
149
561
1000
1565
2024
2016
147
1261
518
1549
1810
Y坐标
1340
1340
1340
1340
1340
140
140
140
140
140
140
3
3
记
注意：
因为模具的衬底在内部连接到GND ，模具必须被连接到GND或
悬空。确保GND是第一焊盘被粘合。拾取和放置，所有部件都组装
建议在ESD保护区进行。
注意：
垫坐标是从芯片到焊盘的中心的左下角测量。该
坐标可以根据锯切宽度和位置而变化，但是，焊盘之间的距离是准确的。
注3 ：
有效期为MAS9279A1 ， A3 ， A5和A7 。在MAS9279A2 ， A4 ， A6和A8 TE1和TE2管脚
交换。
绝对最大额定值
参数
电源电压
输入引脚电压
功耗
储存温度
ESD额定值; HBM
符号
V
DD
- V
SS
P
最大
T
ST
民
-0.3
V
SS
-0.3
-55
最大
6.0
V
DD
+ 0.3
100
150
2
单位
V
V
mW
o
C
kV
记
1)
2)
注1 ：
不适用于编程引脚PV
注2 ：
在X1和X2引脚最高的ESD额定值为1.5KV
推荐工作条件
参数
电源电压
电源电流
工作温度
拉晶灵敏度
拉晶灵敏度
晶体负载电容
晶体负载电容
符号
V
DD
I
CC
T
OP
S
S
C
L
C
L
条件
VDD = 3.3伏
-40
24
28
VC = 1.2V
VC = 1.2V
民
2.7
典型值
3.3
6.0
28
33
8
10
最大
5.5
+85
35
38
单位
V
mA
o
C
PPM / PF
PPM / PF
pF
pF
记
1
2
3
2
3
注1 ：
在26MHz的晶振
注2 ：
MAS9279A1 ， MAS9279A3 ， MAS9279A5 ， MAS9279A7
注3 ：
MAS9279A2 ， MAS9279A4 ， MAS9279A6 ， MAS9279A8
2 (10)
DA9279.003
2006年7月13日
电气特性
（推荐工作条件）
参数
频带
电压控制范围
电压控制灵敏度
电压控制灵敏度
电压控制灵敏度
频率与电源电压
频率与负载变化
输出电压（ 10 pF的， VDD 2.7 V ）
输出电压（ 10 pF的， VDD 5.0 V ）
上升和下降时间（ 10 - 50 pF的）
输出对称性
补偿范围± 1.0 ppm的
补偿范围± 0.75 ppm的
补偿范围± 0.3 PPM
补偿范围线性部分
补偿拐点
补偿范围立方部分
补偿CDAC1 （ 4位）
补偿CDAC2 （ 6位）
补偿CDAC1 （ 4位）
补偿CDAC2 （ 6位）
补偿CDAC1 （ 4位）
补偿CDAC2 （ 6位）
幅度的启动时间
三态输出缓冲器
在国家
关国
注1 ：
在TCXO离开Vc的浮动
注2 ：
23 PPM / PF水晶
注3 ：
28 PPM / PF结晶。
注4 ：
33 PPM / PF水晶
注5 ：
VDD的+/- 5％。
符号
f
o
V
C
V
CSENS
V
CSENS
V
CSENS
df
o
df
o
V
OUT
V
OUT
民
10.00
0
7.3
8.8
10.1
典型值
最大
52.00
VDD
10.4
13.4
14.5
±0.2
±0.2
单位
兆赫
V
PPM / V
PPM / V
PPM / V
PPM
PPM
VPP
VPP
ns
%
记
1)
2)
3)
4)
5)
6)
2.3
4.5
3
45-55
T
C
T
C
T
C
a1
INF
a3
C
X1
C
X2
C
X1
C
X2
C
X1
C
X2
T
开始
DA
-40
-20
10
-0.4
23
95
-1.5
-21
-2.6
-26
-3.0
-32
2
85
70
50
-0.1
31
2.4
27
2.1
32
2.6
36
o
o
o
C
C
C
9)
C
2) 7)
2) 8)
3) 7)
3) 8)
4) 7)
4) 8)
PPM / K
o
PPM
2
/K
3
PPM
PPM
PPM
PPM
PPM
PPM
ms
V
0
0.55
1.6
VDD
注6 ：
R = 10千欧+/- 10％ ，C = 10pF的+/- 10％
注7 ：
CDAC2=6.
注8 ：
CDAC1=4.
注9 ：
与LIN = 255温度补偿
在关断模式
3 (10)
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IC OUTLINES
VDD
PV
CLK
DA
TE1
VDD
PV
CLK
DA
TE2
1506um
MAS9279
1506um
MAS9279
VC
X2
X1
VSS
OUT
TE2
VC
X2
X1
VSS
OUT
TE1
死亡地图参考
2202um
死亡地图参考
2202um
图1 。
MAS9279A1 ， A3，A5 ，A7
图2中。
MAS9279A2 ， A4，A6 ， A8的
注1 ：
MAS9279垫是圆形，直径开放80微米。
注2 ：
CLK引脚可以连接到VSS或悬空，脚光伏应连接到地面或左
浮TE1脚必须悬空在VCTCXO模块最终用户应用程序。
注3 ：
模具图的参考是锯芯片的实际左下角。
在SB20 DIL封装样品
1
2
3
20
TE2
19
OUT
18
VSS
17
X1
MAS9279
YYWW
XXXXX.X
TE1
4
DA
5
CLK
6
PV
7
VDD
8
9
10
16
15
X2
14
VC
13
12
11
顶标：
YYWW =年，周
XXXXX.X =批号
4 (10)
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