DA9275.007
2004年2月19日
MAS9275
集成电路10.00 - 36.00 MHz的VCXO
描述
MAS9275是一VCXO的集成电路在制造中使用
VCXO模块电信和其他
应用程序。要构建一个完整的VCXO只有一个
附加的成分，晶体，是必要的。
方波（ CMOS）的输出
相位噪声极低
低功耗
宽电源电压范围
非常高集成度
低成本
特点
非常小的尺寸
最小的电流消耗
宽工作温度范围
相位噪声<-130 dBc的/赫兹在1 kHz偏置
方波（ CMOS）的输出
应用
VCXO的电信系统
VCXO为机顶盒
VCXO的MPEG
框图
PD
VC
OUT
MAS9275
VDD
VSS
X1
X'TAL
X2
1 (10)
DA9275.007
2004年2月19日
引脚说明
引脚说明
水晶/变容二极管振荡器输入
电压控制输入
电源地
缓冲输出
电源电压
三州
晶体振荡器的输出
符号
X1
VC
VSS
OUT
VDD
PD
X2
X坐标
209
425
600
1029
841
379
197
Y坐标
161
165
175
1030
1016
1028
1030
记
注意：
因为模具的衬底在内部连接到GND ，模具必须被连接到GND或
悬空。请确保GND是第一焊盘被粘合。拾取和放置和所有组分
组装，建议在ESD保护区进行。
注意：
垫坐标是从芯片到焊盘的中心的左下角测量。该
坐标可以根据锯切宽度和位置而变化，但是，焊盘之间的距离是准确的。
绝对最大额定值
参数
电源电压
输入引脚电压
功耗
储存温度
ESD额定值
符号
V
DD
-
V
SS
P
最大
T
ST
HBM
条件
民
-0.3
V
SS
-0.3
-55
最大
6.0
V
DD
+ 0.3
100
120
2
单位
V
V
mW
o
C
kV
记
推荐工作条件
参数
电源电压
电源电流
工作温度
电压控制线
阻抗
拉晶灵敏度
晶体负载电容
符号
V
DD
I
DD
T
OP
Vc
IMP
S
C
L
条件
VDD = 2.8 V
-40
MAS9275A,
MAS9275B
V
C
= 1.65 V
MAS9275A1
MAS9275B2
MAS9275B3
MAS9275C2
MAS9275C3
MAS9275C4
1
30
8
10
10.5
10
10.5
10.5
民
2.5
典型值
2.8
2.3
最大
5.5
+85
单位
V
mA
o
C
M
PPM / PF
pF
2)
2)
2)
记
1)
注1 ：
它是推荐连接一个1 nF的电容到VDD端子（在一个模块中或在端
应用程序）。
注2 ：
晶体负载电容通常是8.2 pF的，当V
C
= 2.5 V.
2 (10)
DA9275.007
2004年2月19日
电气特性
（推荐工作条件）
参数
频带
电压控制范围
电压控制灵敏度
输出电压（ 10 pF的， VDD 2.7 V ）
输出电压（ 10 pF的， VDD 5.0 V ）
上升和下降时间（ 10 - 50 pF的）
输出对称性
启动时间
三态输出缓冲器
在国家
关国
三态输出缓冲器
在国家
关国
符号
f
o
V
C
V
CSENS
V
OUT
V
OUT
民
10.00
0
典型值
最大
36.00
VDD
单位
兆赫
V
PPM / V
VPP
VPP
记
1)
2)
100
2.3
4.5
10
40-60
ns
%
ms
V
3)
4)
T
开始
PD
0
1.6
PD
1.6
0
2
0.55
VDD
V
VDD
0.55
注1 ：
的R
S
＆ LT ; 20
晶振提供36 MHz的最高频率。同的R
S
= 70
水晶最大
频率通常为20兆赫。
注2 ：
VC的灵敏度值取决于所使用的晶体。有30 PPM / pF的晶体典型值是：
A1 > 100 PPM / V ， B2 > 75 PPM / V ， B3 > 60 PPM / V， C2 > 75 PPM / V ， C3 > 60 PPM / V， C4 > 55 PPM / V 。
注3 ：
MAS9275A ， MAS9275B
注4 ：
MAS9275C
注5 ：
如果三态输出缓冲器是浮动的（即PD引脚未连接） ，振荡器是在所有车型
（ MAS9275A ， -B和-C ）
IC OUTLINES
1290 m
X2
PD
VDD
OUT
X1
VC
VSS
MAS9275
死亡地图参考
1220 m
注1 ：
MAS9275垫是圆形，直径开放80微米。
注2 ：
模具图的参考是锯芯片的实际左下角。
3 (10)
DA9275.007
2004年2月19日
外部元件的选择
MAS9275需要的外部元件正常工作的最小数目。
石英晶体
该MAS9275 VCXO功能包括的
外部晶体和集成的VCXO振荡器
电路。为了确保最佳的系统性能
（频率引入范围）和可靠性，一个晶体
设备与建议的参数（示
下面）必须被使用，并且在布局准则
下面的部分必须被遵循。该
石英晶体振荡的频率是
其“切割”，并通过负载电容确定
推荐的晶体参数：
在25 ° C初始精度为± 20 ppm的
温度稳定性± 30 ppm的
晶体负载电容为10pF （见下面注1 ）
水晶并联电容， C0 2 pF的典型
C0 / C1比典型
≤
300
等效串联电阻20
最大。晶体具有较高的ESR ，如果频率是< 36 MHz的都可以使用。看
注2在第3页电气特性。
外部晶体连接在尽量靠近芯片越好，应该是对在同一侧
PCB作为MAS9275 。应该有晶体引脚和X1和X2器件引脚之间没有通路。那里
应无信号迹线的下方或接近晶体。
注： 1 。
如果带负荷比标称晶体负载电容等晶体中推荐定义
第2页的操作条件一起使用MAS9275 ，晶体必须具有频率，以抵消
有标称频率，在VC = 1.65 V或VC = 2.5 V.请见下表偏移频率与
晶体负载。 （数值为典型的晶体S = 30 PPM / PF ）。
晶振频率
晶体负载
A1
B2，C2
B3，C3 ， C4的
B3，C3 ， C4的
V
C
电压
1.65 V
1.65 V
1.65 V
2.5 V
19.68
8
+0
+60
+85
+30
19.68
27.00
40.00
10
12.5
16
晶体频率偏移
-60
-150
-240
0
-75
-180
+25
-50
-155
-30
-105
-210
兆赫
pF
PPM
PPM
PPM
PPM
连接到它。 MAS9275集成芯片
可变负载电容的“拉” （改变）
频率的晶体。指定晶体
与MAS9275B2使用被设计为具有零
频率误差时的片+杂散的总
电容为10pF （见注1 2页
其他电容的选择） 。
注意：
19.68 MHz晶体与10 pF负载电容使用MAS9275B2或C2可能不需要的频率
因为小的偏差补偿
例如：
对于应用程序使用MAS9275B2或C2与27.00 MHz的标称频率为12.5 pF负载晶体有
具有27.00兆赫+（（ 27.00兆赫/ 10的频率
6
）×（ - 90 ））= 26.99757兆赫。
4 (10)
DA9275.007
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MAS9275
集成电路10.00 - 36.00 MHz的VCXO
描述
MAS9275是一VCXO的集成电路在制造中使用
VCXO模块电信和其他
应用程序。要构建一个完整的VCXO只有一个
附加的成分，晶体，是必要的。
方波（ CMOS）的输出
相位噪声极低
低功耗
宽电源电压范围
非常高集成度
低成本
特点
非常小的尺寸
最小的电流消耗
宽工作温度范围
相位噪声<-130 dBc的/赫兹在1 kHz偏置
方波（ CMOS）的输出
应用
VCXO的电信系统
VCXO为机顶盒
VCXO的MPEG
框图
PD
VC
OUT
MAS9275
VDD
VSS
X1
X'TAL
X2
1 (10)
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引脚说明
引脚说明
水晶/变容二极管振荡器输入
电压控制输入
电源地
缓冲输出
电源电压
三州
晶体振荡器的输出
符号
X1
VC
VSS
OUT
VDD
PD
X2
X坐标
209
425
600
1029
841
379
197
Y坐标
161
165
175
1030
1016
1028
1030
记
注意：
因为模具的衬底在内部连接到GND ，模具必须被连接到GND或
悬空。请确保GND是第一焊盘被粘合。拾取和放置和所有组分
组装，建议在ESD保护区进行。
注意：
垫坐标是从芯片到焊盘的中心的左下角测量。该
坐标可以根据锯切宽度和位置而变化，但是，焊盘之间的距离是准确的。
绝对最大额定值
参数
电源电压
输入引脚电压
功耗
储存温度
ESD额定值
符号
V
DD
-
V
SS
P
最大
T
ST
HBM
条件
民
-0.3
V
SS
-0.3
-55
最大
6.0
V
DD
+ 0.3
100
120
2
单位
V
V
mW
o
C
kV
记
推荐工作条件
参数
电源电压
电源电流
工作温度
电压控制线
阻抗
拉晶灵敏度
晶体负载电容
符号
V
DD
I
DD
T
OP
Vc
IMP
S
C
L
条件
VDD = 2.8 V
-40
MAS9275A,
MAS9275B
V
C
= 1.65 V
MAS9275A1
MAS9275B2
MAS9275B3
MAS9275C2
MAS9275C3
MAS9275C4
1
30
8
10
10.5
10
10.5
10.5
民
2.5
典型值
2.8
2.3
最大
5.5
+85
单位
V
mA
o
C
M
PPM / PF
pF
2)
2)
2)
记
1)
注1 ：
它是推荐连接一个1 nF的电容到VDD端子（在一个模块中或在端
应用程序）。
注2 ：
晶体负载电容通常是8.2 pF的，当V
C
= 2.5 V.
2 (10)
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电气特性
（推荐工作条件）
参数
频带
电压控制范围
电压控制灵敏度
输出电压（ 10 pF的， VDD 2.7 V ）
输出电压（ 10 pF的， VDD 5.0 V ）
上升和下降时间（ 10 - 50 pF的）
输出对称性
启动时间
三态输出缓冲器
在国家
关国
三态输出缓冲器
在国家
关国
符号
f
o
V
C
V
CSENS
V
OUT
V
OUT
民
10.00
0
典型值
最大
36.00
VDD
单位
兆赫
V
PPM / V
VPP
VPP
记
1)
2)
100
2.3
4.5
10
40-60
ns
%
ms
V
3)
4)
T
开始
PD
0
1.6
PD
1.6
0
2
0.55
VDD
V
VDD
0.55
注1 ：
的R
S
＆ LT ; 20
晶振提供36 MHz的最高频率。同的R
S
= 70
水晶最大
频率通常为20兆赫。
注2 ：
VC的灵敏度值取决于所使用的晶体。有30 PPM / pF的晶体典型值是：
A1 > 100 PPM / V ， B2 > 75 PPM / V ， B3 > 60 PPM / V， C2 > 75 PPM / V ， C3 > 60 PPM / V， C4 > 55 PPM / V 。
注3 ：
MAS9275A ， MAS9275B
注4 ：
MAS9275C
注5 ：
如果三态输出缓冲器是浮动的（即PD引脚未连接） ，振荡器是在所有车型
（ MAS9275A ， -B和-C ）
IC OUTLINES
1290 m
X2
PD
VDD
OUT
X1
VC
VSS
MAS9275
死亡地图参考
1220 m
注1 ：
MAS9275垫是圆形，直径开放80微米。
注2 ：
模具图的参考是锯芯片的实际左下角。
3 (10)
DA9275.007
2004年2月19日
外部元件的选择
MAS9275需要的外部元件正常工作的最小数目。
石英晶体
该MAS9275 VCXO功能包括的
外部晶体和集成的VCXO振荡器
电路。为了确保最佳的系统性能
（频率引入范围）和可靠性，一个晶体
设备与建议的参数（示
下面）必须被使用，并且在布局准则
下面的部分必须被遵循。该
石英晶体振荡的频率是
其“切割”，并通过负载电容确定
推荐的晶体参数：
在25 ° C初始精度为± 20 ppm的
温度稳定性± 30 ppm的
晶体负载电容为10pF （见下面注1 ）
水晶并联电容， C0 2 pF的典型
C0 / C1比典型
≤
300
等效串联电阻20
最大。晶体具有较高的ESR ，如果频率是< 36 MHz的都可以使用。看
注2在第3页电气特性。
外部晶体连接在尽量靠近芯片越好，应该是对在同一侧
PCB作为MAS9275 。应该有晶体引脚和X1和X2器件引脚之间没有通路。那里
应无信号迹线的下方或接近晶体。
注： 1 。
如果带负荷比标称晶体负载电容等晶体中推荐定义
第2页的操作条件一起使用MAS9275 ，晶体必须具有频率，以抵消
有标称频率，在VC = 1.65 V或VC = 2.5 V.请见下表偏移频率与
晶体负载。 （数值为典型的晶体S = 30 PPM / PF ）。
晶振频率
晶体负载
A1
B2，C2
B3，C3 ， C4的
B3，C3 ， C4的
V
C
电压
1.65 V
1.65 V
1.65 V
2.5 V
19.68
8
+0
+60
+85
+30
19.68
27.00
40.00
10
12.5
16
晶体频率偏移
-60
-150
-240
0
-75
-180
+25
-50
-155
-30
-105
-210
兆赫
pF
PPM
PPM
PPM
PPM
连接到它。 MAS9275集成芯片
可变负载电容的“拉” （改变）
频率的晶体。指定晶体
与MAS9275B2使用被设计为具有零
频率误差时的片+杂散的总
电容为10pF （见注1 2页
其他电容的选择） 。
注意：
19.68 MHz晶体与10 pF负载电容使用MAS9275B2或C2可能不需要的频率
因为小的偏差补偿
例如：
对于应用程序使用MAS9275B2或C2与27.00 MHz的标称频率为12.5 pF负载晶体有
具有27.00兆赫+（（ 27.00兆赫/ 10的频率
6
）×（ - 90 ））= 26.99757兆赫。
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