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1995年4月
MA5104
DS3580-3.2
MA5104
辐射HARD 4096× 1位的静态RAM
的MA5104 4k的静态RAM构成为4096× 1位，并且
采用CMOS - SOS高性能，辐射硬制造，
3μm的技术。
该装置具有通过控制单独的输入和输出端
片选和写使能。本设计采用了6晶体管单元和
具有完全静态操作，无需时钟或定时选通。
地址输入缓冲区被取消当片选在高
状态。
操作模式
读
写
待机
CS
L
L
H
WE
H
L
X
I / O
D OUT
d。在
高Z
ISB2
动力
ISB1
特点
s
3微米的CMOS工艺SOS
s
闭锁免费
s
快速存取时间为90ns的典型
s
总剂量10
6
Rad公司（SI ）
s
瞬时翻转>10
10
Rad公司（SI ） /秒
s
SEU <10
-10
错误/ bitday
s
单5V电源
s
三态输出
s
低待机电流10μA典型
s
-55 ° C至+ 125°C操作
s
所有输入和输出完全TTL或CMOS
兼容
s
全静态操作
图1 ：真值表
图2 ：框图
1
MA5104
特性和额定值
符号
V
CC
V
I
T
A
T
S
参数
电源电压
输入电压
工作温度
储存温度
分钟。
-0.5
-0.3
-55
-65
马克斯。
7
V
DD
+0.3
125
150
单位
V
V
°C
°C
强调以上这些，可能会造成永久性的
损坏设备。这是一个值仅为
该器件在这些condltions functlonal操作
或者在任何其它条件超出上述指示的
本规范的操作部分，是不是暗示
暴露在绝对maxlmum极限条件下，
扩展perlods可能会影响器件的可靠性。
图3 ：绝对最大额定值
注意到对于表4和表5：
1.特性适用于预辐射在T
A
= -55 ° C至+ 125°C与V
DD
= 5V
±10%
并张贴10万拉德（ Si）的总剂量
辐射在T
A
= 25 ℃， V
DD
= 5V
±10%
（特性在更高的辐射水平应要求提供） 。
2，最坏的情况在T
A
= + 125°C ，保证，但在T没有测试
A
= -55°C.
A组编组1 ， 2 ， 3 。
符号
V
DD
V
lH
V
lL
V
OH
V
OL
I
LI
I
LO
I
PUI
I
PDI
I
DD
I
SB1
I
SB2
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
输出高电压
输出低电压
输入漏电流（注2）
输出漏电流（注2 ）
输入上拉电流
输入漏电流
电源电流
选择的电源电流
待机电源电流
条件
-
-
-
I
OH1
= -1mA
I
OL
= 2毫安
除了所有输入
CS
输出禁用，V
OUT
= V
SS
或V
DD
V
IN
= V
SS
on
CS
仅输入
V
IN
= V
SS
on
CS
仅输入
f
RC
= 1MHz时，
CS
= 50 ％大关：空间
CS
= V
SS
芯片已禁用
分钟。
4.5
V
DD
/2
V
SS
2.4
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
5.0
-
-
-
-
-
-
-
-
12
25
50
马克斯。
5.5
V
DD
0.8
-
0.4
±10
±20
-100
5
16
35
3000
单位
V
V
V
V
V
A
A
A
A
mA
mA
A
图4 ：电气特性
符号
V
DR
I
DDR
参数
V
CC
数据保留
数据保持电流
条件
CS
= V
DR
CS
= V
DR
, V
DR
= 2.0V
分钟。
2.0
-
典型值。
-
30
马克斯。
-
2000
单位
V
A
图5 ：数据保持特性
2
MA5104
AC特性
试验对表5和表6的条件：
1.输入脉冲= V
SS
到3.0V 。
2.时间测量的参考电平= 1.5V 。
3.过渡处测量
±500mV
从稳定状态。
4.这个参数进行采样，而不是100 ％测试。
注意到对于表6和表7：
特性适用于预辐射在T
A
= -55 ° C至+ 125°C与V
DD
= 5V ±10％ ，并张贴10万拉德（ Si）的总剂量辐射
在T
A
= 25 ℃， V
DD
= 5V
±10%.
A组子群9 ， 10 ， 11 。
符号
T
AVAVR
T
AVQV
T
ELQV
T
ELQX
(4)
T
ELQZ
(4)
T
AXQX
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片选择到输出有效
片选输出活跃
芯片选择到输出三州
从地址变更输出保持
民
135
-
-
10
10
10
最大
-
135
135
-
50
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
图6 ：读周期AC电气特性
符号
T
AVAVW
T
AVWL
T
WLWH
T
WHAV
T
DVWH
T
NHDX
T
WLQZ
(4)
T
ELWL
T
ELWH
T
AVWH
T
WHQX
(4)
参数
写周期Tlme
地址建立时间
把脉冲宽度
写恢复时间
数据建立时间
数据保持时间
写使能输出到三州
片选写低
芯片的选择要写入的结束
地址有效到写结束
输出端主动写
民
135
10
50
5
35
5
10
25
85
80
5
最大
-
-
-
-
-
-
50
-
-
-
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
图7 ：写周期AC电气特性
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
条件
V
l
= 0V
V
O
= 0V
分钟。
-
-
典型值。
6
8
马克斯。
10
12
单位
pF
pF
注：t
A
= 25℃和f = 1MHz的。通过鉴定或分析得到的数据;不是常规测量。
图8 ：电容
3
MA5104
符号
F
T
参数
基本功能
条件
V
DD
= 4.5V - 5.5V ，频率为1MHz =
V
IL
= V
SS
, V
IH
= V
DD
, V
OL
≤
1.5V, V
OH
≥
1.5V
TEMP = -55 ° C至+ 125°C ， GPS模式集
A组亚组7 ， 8A，8B
图9 ：功能
小组
1
2
3
7
8A
8B
9
10
11
德网络nition
在+ 25°C表4和表5规定的静态特性
在+ 125°C的表4和表5规定的静态特性
在-55°C表4和表5规定的静态特性
在+ 25°C表9中指定的功能特性
在+ 125°C表9中指定的功能特性
在-55°C表9规定的功能特性
开关在表6和表7规定的特性，在+ 25°C
开关在表6和表7规定的特性在+ 125°C
开关在表6和表7规定的特性，在-55°C
图10 ：子群的定义
4
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