射频功率场效应晶体管
LDMOS ，二一一零年至2170年兆赫， 15W ， 28V
8/20/03
初步
MAPLST2122-015CF
特点
适用于W -CDMA基站
在2.1至2.2千兆赫频率的应用
乐队。适合于TDMA，CDMA，和
多载波功率放大器应用。
在P 15W输出功率
1dB
（ CW ）
12分贝最小增益为P
1dB
（ CW ）
W- CDMA的典型性能：
(28V
DC
， -45dBc ACPR ， 5MHz的偏移量，
4.096MHz BW ）
输出功率： 2.2W （ TYP。）
增益： 13分贝（典型值）。
效率： 17 ％ （典型值）。
10 ： 1 VSWR耐用性（ CW @ 15W ，
28V ， 2110MHz ）
包装样式
MAPLST2122-015CF
最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
总功率耗散@ T
C
= 25 °C
储存温度
结温
符号
V
DSS
V
GS
P
D
T
英镑
T
J
等级
65
20
54.7
-40到+150
+200
单位
V
dc
V
dc
W
°C
°C
热特性
特征
热阻，结到外壳
符号
R
Θ
JC
最大
3.2
单位
摄氏度/ W
注意 - 注意 - MOS器件很容易受到来自静电损坏。在处理和包装的预防措施
MOS器件应观察。
RF功率LDMOS晶体管， 2110至2170年兆赫， 15W ， W- CDMA
MAPLST2122-015CF
8/20/2003
初步
特征
直流特性@ 25C
特征
漏源击穿电压
关闭
(V
GS
= 0伏，我
D
= 20 μAdc ）
特征
零栅极电压漏极漏电流
28
(V
DS
= 65伏，V
GS
= 0)
DS
GS
门源漏漏
零栅极电压DrainCurrent电流
(V
GS
= 5伏，V
(V
DS
= 26VDC ，V
DS
==0)
0)
GS
栅极阈值电压
门源漏电流
(V
ds
= 28伏直流，我
d
= 1 mA）的
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0)
门静态电压
基本特征
毫安）
(V
ds
= 28伏直流，我
d
= 250
漏源电压
(V
gs
= 10 VDC ，我
d
= 1 A)
正向跨导
(V
gs
= 10 VDC ，我
d
= 1 A)
动态特性@ 25C
反向传输电容
动态特性（ 1 ）
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0中，f = 1 MHz）的
RF功能测试@ 25C （在M / A - COM测试夹具） （ 2 ）
双色共源放大器功率增益
(V
DS
= 28伏直流电，P
OUT
=
（以
PEP 。我
DQ
= 150毫安，
功能测试
15 W
M / A - COM测试夹具）
F1 = 2170.0兆赫， F2 = 2170.1兆赫）
双色漏极效率
(V
DS
= 28伏直流电，P
OUT
= 15瓦PEP 。我
DQ
= 150毫安，
F1 = 2170.0兆赫， F2 = 2170.1兆赫）
双音三阶互调
(V
DS
= 28伏直流电，P
OUT
= 15瓦PEP 。我
DQ
= 150毫安，
F1 = 2170.0兆赫， F2 = 2170.1兆赫）
输入回波损耗
(V
DS
= 28伏直流电，P
OUT
= 15瓦PEP 。我
DQ
= 150毫安，
F1 = 2170.0兆赫， F2 = 2170.1兆赫）
双色共源放大器功率增益
(V
DS
= 28伏直流电，P
OUT
= 15瓦PEP 。我
DQ
= 150毫安，
F1 = 2110.0兆赫， F2 = 2110.1兆赫）
双色漏极效率
(V
DS
= 28伏直流电，P
OUT
= 15瓦PEP 。我
DQ
= 150毫安，
F1 = 2110.0兆赫， F2 = 2110.1兆赫）
双音三阶互调
(V
DS
= 28伏直流电，P
OUT
= 15瓦PEP 。我
DQ
= 150毫安，
F1 = 2110.0兆赫， F2 = 2110.1兆赫）
输入回波损耗
(V
DS
= 28伏直流电，P
OUT
= 15瓦PEP 。我
DQ
= 150毫安，
F1 = 2110.0兆赫， F2 = 2110.1兆赫）
输出VSWR容差
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 30 W，I
DQ
= 250 mA时， F = 2110兆赫，
驻波比= 10 ：1，所有的相角在测试的频率）
G
ps
12
12.8
—
dB
C
RSS
—
0.9
—
pF
符号
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
DSS
I
GSS
I
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
V
DS （ Q）
V
DS （ ON）
Gm
民
民
65
—
—
—
—
2.5
—
2.5
—
—
典型值
典型值
—
—
—
—
—
3.0
—
3.5
0.2
1.0
最大
最大
—
101
11
4.0
1
4.5
—
—
单位
单位
VDC
μAdc
μAdc
μAdc
μAdc
VDC
μAdc
VDC
VDC
S
(2)
EFF （N ）
—
32
—
%
IMD
—
-30
—
dBc的
IRL
—
-12
—
dB
G
ps
12
12.8
—
dB
EFF （N ）
—
32
—
%
IMD
—
-30
—
dBc的
IRL
—
-12
-10
dB
Ψ
在输出功率不降低
试验前后
2
RF功率LDMOS晶体管， 2110至2170年兆赫， 15W ， W- CDMA
MAPLST2122-015CF
8/20/2003
初步
C1,C5
钽电解面山。第100 μF
C2,C6
陶瓷贴片电容， 0.1 μF
C3,C7
陶瓷贴片电容1000 pF的
C4,C8,C10,C15
贴片电容， 8.2 pF的ATC100B
C9
贴片电容， 1.5 pF的ATC100B
C11 ， C12贴片电容， 0.1 pF的ATC100B
C13 ， C14贴片电容， 0.7 pF的ATC100B
C16
贴片电容， 0.5 pF的ATC100B
Z1-Z9
分布式微带元
J1,J2
SMA连接器，全方位光谱2052-5636-02
L1
电感器， 8 NH， COILCRAFT A03T
L2
电感器， 18.5 NH， COILCRAFT A05T
P1,P2
连接器， AMP 640457-4
Q1
晶体管， MAPLST2122-015WF
R1
贴片电阻（ 0805 ） ， 10万欧
R2
贴片电阻（ 0805 ） ， 1K欧姆
PC板Taconix （ TLX - 8 ）编织聚四氟乙烯玻璃
铁氟龙.031 “厚， ER = 2.55 ， 1盎司铜
两旁
图1. 2110年至2170年MHz的测试夹具示意图
图2. 2110年至2170年MHz的测试夹具元件布局
3
RF功率LDMOS晶体管， 2110至2170年兆赫， 15W ， W- CDMA
MAPLST2122-015CF
8/20/2003
初步
14.0
13.5
13.0
12.5
12.0
11.5
11.0
10.5
为5MHz偏移/ 4.096MHz BW ， 15 DTCH
25.0
22.5
20.0
17.5
15.0
12.5
10.0
7.5
效率（％）
增益（ dB）的
增益（ 150毫安）
10.0
9.5
9.0
0.20
0.25
0.32
0.40
0.50
0.63
0.79
1.00
1.26
增益（ 100毫安）
EFF （ 150毫安）
EFF （ 100毫安）
1.58
2.00
2.51
3.16
5.0
2.5
0.0
P
OUT
（ W-的魅力。 ）
图1， W- CDMA功率增益和漏极效率与输出功率
P
OUT
（ W-平均）
0.20
0.25
0.32
0.40
0.50
0.63
0.79
1.00
1.26
1.58
2.00
2.51
3.16
-30
为5MHz偏移/ 4.096MHz BW ， 15 DTCH
-35
ACPR （ DBC）
-40
-45
-50
ACPR （ 150毫安）
-55
ACPR （ 100毫安）
图2， W- CDMA邻道功率比与输出功率
4
RF功率LDMOS晶体管， 2110至2170年兆赫， 15W ， W- CDMA
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8/20/2003
初步
包装尺寸
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关于其产品的适用性的任何陈述或保证
特定用途，也不M / A - COM承担因承担任何责任
任何产品（ S）或信息的使用或应用。
访问www.macom.com额外的数据表和产品信息。
5
北美：
电话： （ 800 ） 366-2266
亚洲/太平洋网络C：
电话： + 81-44-844-8296传真+ 81-44-844-8298
欧洲：
电话： +44 （ 1344 ） 869 595传真：+ 44 （ 1344 ） 300 020
QQ：2881677436 复制
