射频功率场效应晶体管
LDMOS ， 865 - 960兆赫， 90W ， 26V
5/14/04
初步
MAPLST0810-090CF
特点
专为865至960 MHz的宽带
商业和基站
应用程序。
在960MHz的典型CW RF性能，
26V
DC
:
P
OUT
： 90W （P
1dB
)
增益： 18分贝
效率： 50 ％
耐用性： 10 ： 1 VSWR @ 90W连续波，
26V ， 900MHz的
高增益，高效率，高
线性
内部输入匹配
优良的热稳定性
包装样式
P-238
最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
总功率耗散@ T
C
= 25 °C
储存温度
结温
符号
V
DSS
V
GS
P
D
T
英镑
T
J
等级
65
20
206
-40到+150
+200
单位
V
dc
V
dc
W
°C
°C
热特性
特征
热阻，结到外壳
符号
R
θJC
最大
0.85
单位
摄氏度/ W
注意 - 注意 - MOS器件很容易受到来自静电损坏。在处理和packag-注意事项
ING MOS器件应得到遵守。
RF功率LDMOS晶体管， 865-960兆赫， 90W ， 26V
MAPLST0810-90CF
5/14/04
初步
特征
直流特性@ 25C
漏源击穿电压
(V
GS
= 0伏，我
D
= 100 μAdc ）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 26伏，V
GS
= 0)
门源漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0)
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 100
A)
门静态电压
(V
DS
= 26伏直流，我
D
= 700 mA）的
漏源电压
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 1 A)
正向跨导
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 1 A)
动态特性@ 25C
输出电容
(V
DS
= 26伏，V
GS
= 0中，f = 1 MHz）的
反向传输电容
(V
DS
= 26伏，V
GS
= 0中，f = 1 MHz）的
RF功能测试@ 25C （在M / A - COM测试夹具）
共源放大器增益
(V
DD
= 26伏直流，我
DQ
= 700 mA时， F = 870兆赫，P
OUT
= 90 W)
漏EF网络效率
(V
DD
= 26伏直流，我
DQ
= 700 mA时， F = 870兆赫，P
OUT
= 90 W)
输入回波损耗
(V
DD
= 26伏直流，我
DQ
= 700 mA时， F = 870兆赫，P
OUT
= 90 W)
双色共源放大器增益
(V
DD
= 26伏直流，我
DQ
= 700毫安，女
1
= 870.0MHz ，女
2
= 870.1MHz ，
P
OUT
= 90 PEP ）
双色漏极效率
(V
DD
= 26伏直流，我
DQ
= 700毫安，女
1
= 870.0MHz ，女
2
= 870.1MHz ，
P
OUT
= 90 PEP ）
双音互调失真
(V
DD
= 26伏直流，我
DQ
= 700毫安，女
1
= 870.0MHz ，女
2
= 870.1MHz ，
P
OUT
= 90 PEP ）
输出VSWR容差
(V
DD
= 26伏直流，我
DQ
= 700 mA时， F = 900兆赫，P
OUT
= 90 W,
驻波比= 10 ：1，所有的相角在测试的频率）
符号
民
典型值
最大
单位
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
65
—
—
2
—
—
—
—
—
1
3
4
VDC
μAdc
μAdc
VDC
V
DS （ Q）
—
4.0
—
VDC
V
DS （ ON）
Gm
—
0.20
—
VDC
—
7
—
S
C
OSS
C
RSS
—
—
98
4.5
—
—
pF
pF
G
P
EFF （N ）
IRL
G
P
—
—
—
—
18
50
12
18
—
—
—
—
dB
%
dB
dB
EFF （N ）
—
38
—
%
IMD
—
-30
—
dBc的
Ψ
在输出功率不降低
试验前后
2
RF功率LDMOS晶体管， 865-960兆赫， 90W ， 26V
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初步
20
19
18
70
60
50
40
30
增益（ 26V ）
增益（ 28V ）
效率（ 26V ）
效率（ 28V ）
38
43
48
53
CW ： F = 870MHz的，V
DD
= 26 / 28V ，我
DQ
=700mA
8
7
EDGE ： 870MHz的，V
DD
= 26 / 28V ，我
DQ
=700mA
效率（％）
6
EVM （％）
5
4
3
2
1
0
38
40
42
44
46
48
P
OUT
（ dBm-平均）
EVM （ 26volts ）
EVM （ 28volts ）
增益（ dB）的
17
16
15
14
13
20
10
0
P
OUT
（ dBm-平均）
图1. CW功率增益和效率
与输出功率
图2. EDGE RMS EVM与输出
动力
-20
-25
-30
-35
-40
-45
-50
-55
-60
-65
2 -TONE ： F = 870MHz的，V
DD
= 26 / 28V ，我
DQ
= 700毫安
IMD （ DBC）
IM3 （ 26V ）
IM3 （ 28V ）
40
42
44
45
46
47
P
OUT
（ dBm的 - 平均。 ）
图3.双音互调主场迎战
输出功率
3
RF功率LDMOS晶体管， 865-960兆赫， 90W ， 26V
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初步
包装尺寸
测试夹具电路尺寸
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或此处包含的信息，恕不另行通知。 M / A - COM不作任何保证，
关于其产品的适用性的任何陈述或保证
特定用途，也不M / A - COM承担因承担任何责任
任何产品（ S）或信息的使用或应用。
4
北美：
电话： （ 800 ） 366-2266
亚洲/太平洋网络C：
电话： + 81-44-844-8296传真+ 81-44-844-8298
欧洲：
电话： +44 （ 1344 ） 869 595传真：+ 44 （ 1344 ） 300 020
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