射频功率场效应晶体管
LDMOS ， 800-1700兆赫， 15W ， 26V
7/27/06
初步
MAPL-000817-015CPC
特点
专为宽带商用
应用高达1.7GHz的
高增益，高效率，高
线性
典型的P1dB性能， 960MHz的，
26VDC ， CW
典型输出功率： 16.5W
增益： 17.0分贝
效率： 50 ％
10 ： 1 VSWR坚固的15W ，
26VDC ， 960MHz的
包装样式
MAPL-000817-015CPC
最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
总功率耗散@ T
C
= 25 °C
储存温度
结温
符号
V
DSS
V
GS
P
D
T
英镑
T
J
等级
65
+20, -20
31.25
-65到+150
150
单位
V
dc
V
dc
W
°C
°C
热特性
特征
热阻，结到外壳
符号
R
θJC
最大
4
单位
摄氏度/ W
注意 - 注意 - MOS器件很容易受到来自静电损坏。在处理和packag-注意事项
ING MOS器件应得到遵守。
RF功率LDMOS晶体管， 800-1700兆赫， 15W ， 26V
MAPL-000817-015CPC
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初步
特征
直流特性@ 25C
漏源击穿电压
(V
GS
= 0伏，我
D
= 30 μAdc ）
门静态电压
(V
ds
= 26伏直流，我
d
= 100 mA时）
漏源电压
(V
gs
= 10 VDC ，我
d
= 1 A)
RF功能测试@ 25C （在M / A - COM测试夹具） （ 1 ）
共源放大器增益
(V
DD
= 26伏直流，我
DQ
= 150 mA时， F = 960兆赫，P
OUT
= 15 W)
漏EF网络效率
(V
DD
= 26伏直流，我
DQ
= 150 mA时， F = 960兆赫，P
OUT
= 15 W)
输入回波损耗
(V
DD
= 26伏直流，我
DQ
= 150 mA时， F = 960兆赫，P
OUT
= 15 W)
输出VSWR容差
(V
DD
= 26伏直流，我
DQ
= 150 mA时， F = 960兆赫，P
OUT
= 15 W,
驻波比= 10 ：1，所有的相角在测试的频率）
共源放大器增益
(V
DD
= 26伏直流，我
DQ
= 150 mA时， F = 1670兆赫，P
OUT
= 15 W)
漏EF网络效率
(V
DD
= 26伏直流，我
DQ
= 150 mA时， F = 1670兆赫，P
OUT
= 15 W)
输入回波损耗
(V
DD
= 26伏直流，我
DQ
= 150 mA时， F = 1670兆赫，P
OUT
= 15 W)
符号
民
典型值
最大
单位
V
（ BR ） DSS
V
DS （ Q）
65
3
—
—
—
5
VDC
VDC
V
DS （ ON）
—
0.25
—
VDC
G
P
EFF （N ）
IRL
Ψ
—
—
—
17
50
-10
—
—
—
dB
%
dB
在输出功率不降低
试验前后
—
—
—
13.0
50
-10
—
—
—
dB
%
dB
G
P
EFF （N ）
IRL
(1)
获得在生产测试夹具设备规格。
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RF功率LDMOS晶体管， 800-1700兆赫， 15W ， 26V
MAPL-000817-015CPC
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初步
C1 ， C11钽面山。第100 μF ， 35 V
C2 ， C12陶瓷贴片电容， 0.1 μF
C3 ， C13陶瓷贴片电容1000 pF的
C4,C6,C14,C17
贴片电容， 39 pF的ATC100A
C5
贴片电容， 1.8 pF的ATC100A
C7,C8
贴片电容， 1.0 pF的ATC100A
C9 ， C10贴片电容， 2.7 pF的ATC100A
C15
贴片电容， 3.0 pF的ATC100A
C16
贴片电容， 3.3 pF的ATC100A
J1,J2
SMA连接器，全方位光谱2052-5636-02
L1
电感器， 72 NH， COILCRAFT 0603
L2
电感器， 18.5 NH， COILCRAFT A05T
P1,P2
连接器， AMP 640457-4
Q1
晶体管， MAPL - 000817-015CPC
R1
贴片电阻（ 0805 ） ， 10K欧姆
R2
贴片电阻（ 0805 ） ， 10欧姆
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
Z8
Z9
Z10
Z11
Z12
分布式微带元， 0.034 “× 0.046 ”
分布式微带元， 0.092 “× 0.046 ”
分布式微带元， 0.532 “× 0.046 ”
分布式微带元， 0.080 “× 0.026 ”
分布式微带元， 0.028 “× 0.178 ”
分布式微带元， 0.216 “× 0.178 ”
分布式微带元， 0.029 “× 0.178 ”
分布式微带元， 0.077 “× 0.178 ”
分布式微带元， 0.211 “× 0.178 ”
分布式微带元， 0.029 “× 0.178 ”
分布式微带元， 0.945 “× 0.046 ”
分布式微带元， 0.125 “× 0.046 ”
PC板罗杰斯（ RO4350 ） DUROID ， 0.020 “厚，
ER = 3.5 ， 1盎司纯铜双面
图1. 1620年至1670年MHz的测试夹具示意图
图2. 1620年至1670年MHz的测试夹具元件布局
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RF功率LDMOS晶体管， 800-1700兆赫， 15W ， 26V
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初步
20
20
18
18
16
16
14
14
增益（dB ）
增益（dB ）
12
12
10
10
8
8
6
6
4
4
2
2
0
0
5
5
7
7
9
9
11
11
的Pout （W）的
的Pout （W）的
13
13
15
15
17
17
增益1670MHz
增益1670MHz
增益1620MHz
增益1620MHz
EFF 1670MHz
EFF 1670MHz
EFF 1620MHz
EFF 1620MHz
CW ， 26V
DC
,
,
I
DQ
=150mA
CW ， 26V
DC
I
DQ
=150mA
60
60
55
55
50
50
排水 FFI效率（ ％ ）
排水 FFI效率（ ％ ）
45
45
40
40
35
35
30
30
25
25
20
20
15
15
10
10
图表
1. 1620年， 1670MHz ： CW功率增益和漏极效率与输出功率
24
24
CW ， 26V
DC
,
,
I
DQ
=150mA
CW ， 26V
DC
I
DQ
=150mA
70
70
60
60
50
50
40
40
30
30
20
20
10
10
0
0
43
43
22
22
20
20
增益（dB ）
增益（dB ）
18
18
16
16
14
14
12
12
10
10
30
30
增益（ 920MHz ）
增益（ 920MHz ）
增益（ 940MHz ）
增益（ 940MHz ）
增益（ 960MHz的）
增益（ 960MHz的）
EFF （ 920MHz ）
EFF （ 920MHz ）
EFF （ 940MHz ）
EFF （ 940MHz ）
EFF （ 960MHz的）
EFF （ 960MHz的）
31
31
32
32
33
33
34
34
35
35
36
36
37
37
38
38
39
39
40
40
41
41
42
42
的Pout （ dBm的）
的Pout （ dBm的）
图2. 920 ， 940 ， 960MHz的： CW功率增益和漏极效率与输出
动力
4
排水 FFI效率（ ％ ）
排水 FFI效率（ ％ ）
RF功率LDMOS晶体管， 800-1700兆赫， 15W ， 26V
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初步
包装尺寸
测试夹具电路尺寸
M / A - COM公司及其附属公司保留更改产品的权利（ S）
或此处包含的信息，恕不另行通知。 M / A - COM不作任何保证，
关于其产品的适用性的任何陈述或保证
特定用途，也不M / A - COM承担因承担任何责任
任何产品（ S）或信息的使用或应用。
访问www.macom.com额外的数据表和产品信息。
5
北美：
电话： （ 800 ） 366-2266
亚洲/太平洋网络C：
电话： + 81-44-844-8296传真+ 81-44-844-8298
欧洲：
电话： +44 （ 1344 ） 869 595传真：+ 44 （ 1344 ） 300 020
QQ：2880707522 复制
