射频功率场效应晶体管
LDMOS ， 800-1700兆赫， 15W ， 26V
1/11/06
初步
MAPL-000817-015C00
特点
专为宽带商用
应用高达1.7GHz的
高增益，高效率，高
线性
典型的P1dB性能， 960MHz的，
26VDC ， CW
典型输出功率： 16.5W
增益： 16.5分贝
效率： 50 ％
10 ： 1 VSWR坚固的15W ，
26VDC ， 960MHz的
包装样式
MAPL-000817-015C00
最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
总功率耗散@ T
C
= 25 °C
储存温度
结温
符号
V
DSS
V
GS
P
D
T
英镑
T
J
等级
65
+20, -20
31.25
-65到+150
150
单位
V
dc
V
dc
W
°C
°C
热特性
特征
热阻，结到外壳
符号
R
θJC
最大
4
单位
摄氏度/ W
注意 - 注意 - MOS器件很容易受到来自静电损坏。在处理和packag-注意事项
ING MOS器件应得到遵守。
RF功率LDMOS晶体管， 800-1700兆赫， 15W ， 26V
MAPL-000817-015C00
1/11/06
初步
特征
直流特性@ 25C
漏源击穿电压
(V
GS
= 0伏，我
D
= 30 μAdc ）
栅极阈值电压
(V
ds
= 26伏直流，我
d
= 100 mA时）
门静态电压
(V
ds
= 26伏直流，我
d
= 100 mA时）
漏源电压
(V
gs
= 10 VDC ，我
d
= 1 A)
RF功能测试@ 25C （在M / A - COM测试夹具） （ 1 ）
共源放大器增益
(V
DD
= 26伏直流，我
DQ
= 100 mA时， F = 960兆赫，P
OUT
= 15 W)
漏EF网络效率
(V
DD
= 26伏直流，我
DQ
= 100 mA时， F = 960兆赫，P
OUT
= 15 W)
输入回波损耗
(V
DD
= 26伏直流，我
DQ
= 100 mA时， F = 960兆赫，P
OUT
= 15 W)
输出VSWR容差
(V
DD
= 26伏直流，我
DQ
= 100 mA时， F = 960兆赫，P
OUT
= 15 W,
驻波比= 10 ：1，所有的相角在测试的频率）
共源放大器增益
(V
DD
= 26伏直流，我
DQ
= 100 mA时， F = 1670兆赫，P
OUT
= 15 W)
漏EF网络效率
(V
DD
= 26伏直流，我
DQ
= 100 mA时， F = 1670兆赫，P
OUT
= 15 W)
输入回波损耗
(V
DD
= 26伏直流，我
DQ
= 100 mA时， F = 1670兆赫，P
OUT
= 15 W)
符号
民
典型值
最大
单位
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
65
2
—
—
—
5
VDC
VDC
V
DS （ Q）
3
—
5
VDC
V
DS （ ON）
—
0.25
—
VDC
G
P
EFF （N ）
IRL
Ψ
—
—
—
17
50
-10
—
—
—
dB
%
dB
在输出功率不降低
试验前后
—
—
—
12.5
50
-10
—
—
—
dB
%
dB
G
P
EFF （N ）
IRL
(1)
获得在生产测试夹具设备规格。
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RF功率LDMOS晶体管， 800-1700兆赫， 15W ， 26V
MAPL-000817-015C00
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初步
C1,C7
钽面山第100 μF ， 35 V
C2,C8
陶瓷贴片电容， 0.1 μF
C3,C9
陶瓷贴片电容1000 pF的
C4,C10,C12
片式电容， 33 pF的ATC100A
C5
贴片电容， 10.0 pF的ATC100A
C6
贴片电容， 11.0 pF的ATC100A
C11
贴片电容， 8.2 pF的ATC100A
J1,J2
SMA连接器，全方位光谱2052-5636-02
L1
电感器， 18 NH， COILCRAFT 1206CS
L2
电感27 nH的， COILCRAFT 1206CS
P1,P2
连接器， AMP 640457-4
Q1
晶体管， MAPL - 000817-015C00
R1
贴片电阻（ 0805 ） ， 10K欧姆
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
Z8
Z9
分布式微带元， 0.125 “× 0.046 ”
分布式微带元， 0.506 “× 0.046 ”
分布式微带元， 0.080 “× 0.046 ”
分布式微带元， 0.020 “× 0.178 ”
分布式微带元， 0.253 “× 0.178 ”
分布式微带元， 0.315 “× 0.178 ”
分布式微带元， 0.312 “× 0.046 ”
分布式微带元， 0.613 “× 0.046 ”
分布式微带元， 0.125 “× 0.046 ”
PC板罗杰斯（ RO4350 ） DUROID ， 0.020 “厚，
ER = 3.5 ， 1盎司纯铜双面
图1： 920-960 MHz的测试夹具示意图
图2： 920-960 MHz的测试夹具元件布局
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RF功率LDMOS晶体管， 800-1700兆赫， 15W ， 26V
MAPL-000817-015C00
1/11/06
初步
C1,C6
钽面山第100 μF ， 35 V
C2,C7
陶瓷贴片电容， 0.1 μF
C3,C8
陶瓷贴片电容1000 pF的
C4,C9,C12
片式电容， 33 pF的ATC100A
C5
贴片电容， 4.7 pF的ATC100A
C10
贴片电容， 3.0 pF的ATC100A
C11
贴片电容， 3.3 pF的ATC100A
J1,J2
SMA连接器，全方位光谱2052-5636-02
L1
电感器， 18 NH， COILCRAFT 1206CS
L2
电感27 nH的， COILCRAFT 1206CS
P1,P2
连接器， AMP 640457-4
Q1
晶体管， MAPL - 000817-015C00
R1
贴片电阻（ 0805 ） ， 10K欧姆
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
Z8
Z9
Z10
分布式微带元， 0.125 “× 0.046 ”
分布式微带元， 0.533 “× 0.046 ”
分布式微带元， 0.080 “× 0.026 ”
分布式微带元， 0.127 “× 0.046 ”
分布式微带元， 0.146 “× 0.046 ”
分布式微带元， 0.077 “× 0.178 ”
分布式微带元， 0.211 “× 0.178 ”
分布式微带元， 0.029 “× 0.178 ”
分布式微带元， 0.920 “× 0.046 ”
分布式微带元， 0.125 “× 0.046 ”
PC板罗杰斯（ RO4350 ） DUROID ， 0.020 “厚，
ER = 3.5 ， 1盎司纯铜双面
图3. 1620年至1670年MHz的测试夹具示意图
图4. 1620年至1670年MHz的测试夹具元件布局
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RF功率LDMOS晶体管， 800-1700兆赫， 15W ， 26V
MAPL-000817-015C00
1/11/06
初步
图5. MAPL - 000817-015C00引脚连接
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