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RO -P -DS- 3051 - -
5位数字移相器
6.0-18.0 GHz的
初步信息
MAPCGM0004-DIE
特点
6.0-18.0 GHz的砷化镓MMIC相
5位数字移相器
6.0 -18.0 GHz的操作
360度覆盖, LSB = 11.2
TTL控制输入
自对准MSAG
MESFET工艺
主要应用
卫星通信
相控阵雷达
电子战
描述
MAPCGM0004-Die
是一个5位的移相器并行
TTL输入控制。本产品完全匹配到50欧姆
在输入和输出两者。该器件具有360°的相位
覆盖与LSB 11.2 ° 。
每个设备都在晶片上100%的RF测试,以确保
性能达标。该器件采用捏造
M / A - COM的可重复的,高性能和高
可靠的GaAs多功能自对准栅( MSAG
)
MESFET工艺。
电气特性:T已
B
= 40°C
1
, Z
0
= 50, V
EE
= -5V
参数
带宽
插入损耗@ 12 GHz时,参考国家
插入损耗@ 18 GHz时,参考国家
输入电压驻波比,所有国家
输出电压驻波比,所有国家
RMS相位误差
RMS相位误差,校准
峰峰值增益变化,所有国家
当前
输入三阶截
输入1dB压缩点
符号
f
IL
IL
VSWR
VSWR
φ
RMS
φ
RMS
G
I
EE
糸井
P1dB
典型
6.0 -18.0
12
17
1.6:1
1.6:1
10
6
<2
& LT ; 10
30
19
dB
mA
DBM
DBM
单位
GHz的
dB
dB
1. T
B
= MMIC灯头温度
RO -P -DS- 3051 - -
2/7
5位数字移相器
最高工作条件
1
参数
输入功率
源电源电压
结温
储存温度
符号
P
IN
V
EE
T
j
T
英镑
绝对最大
24
-6.0
180
-55到+150
MAPCGM0004-DIE
单位
DBM
V
°C
°C
1.操作超出这些范围可能降低产品的可靠性。操作在比的典型值,其它可
导致外的保证范围的性能。
推荐工作条件
特征
源极电压
控制电压
逻辑高
逻辑低
符号
V
EE
V
控制垫
3
0
5
0
5
0.4
V
V
-5.2
典型值
-5
最大
-4.8
单位
V
操作说明
这个装置是静态的,光敏感。数字电路
操作可在高强度的光被削弱,
例如显微镜的光。请小心处理。对
操作设备,请按照下列步骤操作。
1.启动:应用V
EE
= -5 V.
2.应用逻辑电压控制电路,列
在推荐工作条件
3.
关机:设置V
EE
= 0
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
客服:电话。 ( 888 ) -563-3949
电子邮件: macom_adbu_ics@tycoelectronics.com
北美:
电话: ( 800 ) 366-2266
亚洲/太平洋网络C:
电话: + 81-44-844-8296传真+ 81-44-844-8298
欧洲:
电话: +44 ( 1344 ) 869 595传真:+ 44 ( 1344 ) 300 020
V 1.00
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RO -P -DS- 3051 - -
3/7
5位数字移相器
25.0
22.5
20.0
插入损耗
输入VSWR
MAPCGM0004-DIE
6
5
插入损耗(dB )
17.5
15.0
12.5
10.0
7.5
5.0
2.5
0.0
6
输出VSWR
4
3
2
1
8
10
12
14
16
18
频率(GHz )
图1.参考状态的插入损耗,输入和输出VSWR与频率的关系
30
25
平均误差
RMS误差
20
RMS误差,校准
移相器误差( ° )
15
10
5
0
-5
-10
6
8
10
12
14
16
18
频率(GHz )
品质因数2.移相器的数字:平均误差VS参考状态, RMS
错误和校准的RMS误差超过所有国家
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VSWR
RO -P -DS- 3051 - -
4/7
5位数字移相器
400
MAPCGM0004-DIE
350
300
相对相移(度)
250
200
150
100
50
0
6
8
10
12
14
16
18
频率(GHz )
图3.相对相位与移相器状态
5
4
3
2
增益变化(分贝)
1
0
-1
-2
-3
-4
-5
6
8
10
12
14
16
18
频率(GHz )
图4.相对增益变化VS移相器状态
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5/7
5位数字移相器
6
MAPCGM0004-DIE
5
输入VSWR
4
3
2
1
6
8
10
12
14
16
18
频率(GHz )
图5.输入电压驻波比VS移相器状态
6
5
输出VSWR
4
3
2
1
6
8
10
12
14
16
18
频率(GHz )
图6.输出电压驻波比VS移相器状态
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    -
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