2.3-4.1 GHz的移相器
特点
6位移相器( 0° 354 , CW)
TTL控制输入
MSAG 工艺
MAPCGM0003-DIE
RO -P - DS - 3045一
初步信息
描述
该
MAPCGM0003-Die
是一个6位的移相器与杆
等位基因输入控制。该产品完全匹配50
欧姆的输入和输出两者。它可以用来转播
覃的5.6相移354顺时针。
使用M / A - COM的可重复性,高perform-制造
ANCE和高度可靠的砷化镓多功能自对准
栅MESFET的过程中,每个设备被100%的RF测试
晶圆保证性能达标。
M / A - COM的MSAG 工艺具有强大的硅类
制造工艺,离子im-的平面加工
种植晶体管,多个植入能力,使
在单电源,低噪声,开关和数字场效应管
为便于使用,芯片,和聚酰亚胺划伤保护
用自动化的生产过程。利用
难熔金属和无铂的在栅极
金属配方防止氢中毒时,
在密封包装的使用。
主要应用
卫星通信
相控阵雷达
电气特性:T已
B
= 40°C
1
, Z
0
= 50Ω, V
EE
= -5V
参数
带宽
插入损耗
输入电压驻波比(在参考)
输出电压驻波比(在参考)
RMS相位误差
相位范围
增益变化对所有移相器的设置
源出电流
输入三阶截
输入1dB压缩点
符号
f
IL
VSWR
VSWR
RMS
Ф
G
I
EE
糸井
P
1dB
典型
2.3-4.1
5.7
1.5:1
1.2:1
6
354
<3
& LT ; 10
36
23
dB
mA
DBM
DBM
单位
GHz的
dB
1. T
B
= MMIC灯头温度
1
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产品(S )或包含,恕不另行通知信息。 M / A- COM使
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由此产生的任何产品(S)的使用或应用的任何或
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北美
电话: 800.366.2266 /传真: 978.366.2266
欧洲
联系电话: 44.1908.574.200 /传真: 44.1908.574.300
亚洲/太平洋地区
联系电话: 81.44.844.8296 /传真: 81.44.844.8298
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2.3-4.1 GHz的移相器
最高工作条件
1
参数
输入功率
源电源电压
源电流(无RF )
结温
储存温度
符号
P
IN
V
EE
I
EEQ
T
j
T
英镑
绝对最大
30
-4.8
20
180
-55到+150
MAPCGM0003-DIE
RO -P - DS - 3045一
初步信息
单位
DBM
V
mA
°C
°C
1.操作超出这些范围可能降低产品的可靠性。操作在比的典型值,其它可
导致外的保证范围的性能。
推荐工作条件
特征
源极电压
控制电压
逻辑高
逻辑低
符号
V
EE
V
控制垫
3
0
5
0
5
0.4
V
V
民
-5.2
典型值
-5
最大
-4.8
单位
V
操作说明
这个装置是静态的,光敏感。数码
电路的操作可在高强度被削弱
灯,如显微镜的光。请小心处理。
操作设备,请按照下列步骤操作。
1.启动:应用V
EE
= -5 V.
2.应用逻辑电压控制电路,列
在推荐工作条件
3.
关机:设置V
EE
= 0
2
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0
MAPCGM0003-DIE
RO -P - DS - 3045一
初步信息
6.0
插入损耗
输入VSWR
输出VSWR
-2
5.0
-4
4.0
-6
3.0
-8
2.0
-10
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
1.0
频率(GHz )
图1.参考状态的插入损耗,输入和输出VSWR与频率的关系
20
16
12
8
4
0
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
频率(GHz )
图2.未改正的RMS相位误差在所有阶段的国家与频率的关系
3
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2.3-4.1 GHz的移相器
0
-40
-80
-120
-160
-200
-240
-280
-320
-360
-400
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
MAPCGM0003-DIE
RO -P - DS - 3045一
初步信息
4.5
频率(GHz )
图3.相对相移与频率的关系全相位国
10
8
6
4
2
0
-2
-4
-6
-8
-10
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
频率(GHz )
4
图4.损耗变化在所有阶段的国家与频率的关系
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2.3-4.1 GHz的移相器
6
MAPCGM0003-DIE
RO -P - DS - 3045一
初步信息
5
4
3
2
1
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
频率(GHz )
图5.输入VSWR在所有阶段的国家与频率的关系
6
5
4
3
2
1
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
频率(GHz )
5
图6.输出VSWR在所有阶段的国家与频率的关系
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