MAGX-001214-500L00
MAGX-001214-500L0S
氮化镓HEMT的SiC脉冲功率晶体管
500W峰值， 1200-1400兆赫， 300 μs的脉冲， 10 ％占空比
特点
氮化镓对SiC耗尽型晶体管技术
内部匹配
共源配置
宽带AB类操作
*符合RoHS标准和260 ℃的回流焊
+ 50V的典型操作
5.3 * 10 MTTF
6
小时
牧师V1
应用
L波段脉冲雷达
MAGX-001214-500L00
描述
该MAGX - 001214-500L00是金属化金进行匹配
氮化镓（ GaN）的碳化硅（ SiC）的射频功率
晶体管脉冲L波段雷达应用进行了优化。
使用最先进的晶圆制造工艺的状态下，这些高
高性能晶体管提供高增益，效率，
带宽，以及耐用性在宽的带宽
今天的苛刻应用需求。高击穿
电压的允许下，更可靠，更稳定的运行
与旧的比较极端的不匹配负载条件
半导体技术。
MAGX-001214-500L0S
标准工作条件下典型的RF性能，P
OUT
= 500W （峰值）
频率。
（兆赫）
1200
1250
1300
1350
1400
P
IN
(W)
5.15
5.35
5.69
5.86
5.85
收益
（ dB）的
19.86
19.69
19.43
19.31
19.22
I
D
(A)
17.7
16.7
17.2
17.9
18.1
EFF 。
(%)
56.2
59.5
57.9
55.7
54.8
RL
（ dB）的
-12.7
-10.3
-10.9
-15.3
-17.5
垂
（ dB）的
0.29
0.30
0.33
0.36
0.38
+ 1分贝OD
(W)
568
561
554
547
549
订购信息
产品型号
MAGX-001214-500L00
MAGX-001214-500L0S
MAGX-001214-SB3PPR
描述
500瓦的GaN功率晶体管（法兰连接）
500瓦的GaN功率晶体管（无法兰）
1.2 - 1.4 GHz的评估板
*对有害物质的限制，欧盟指令2002/95 / EC 。
1
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北美
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传真： 978.366.2266
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MAGX-001214-500L00
MAGX-001214-500L0S
氮化镓HEMT的SiC脉冲功率晶体管
500W峰值， 1200-1400兆赫， 300 μs的脉冲， 10 ％占空比
绝对最大额定值
1, 2, 3, 4
参数
电源电压（V
DD
)
电源电压（V
GS
)
电源电流（I
DMAX
)
输入功率（P
IN
)
绝对最大值。结/通道温度
MTTF
脉冲功率耗散在85 C
热电阻， （T
J
= 70 C)
V
DD
= 50 V，I
DQ
= 400毫安，噘= 500 W， 300微秒脉冲/ 10 ％责任
工作温度
储存温度
安装温度
ESD最小。 - 带电器件模型（ CDM）
ESD最小。 - 人体模型（ HBM ）
1.操作该设备，这些参数中的任何一个以上的可能会造成永久性的损害。
2.输入功率限制下+ 3dB以上，实现P所需的额定驱动器
OUT
= 500W.
3.通道温度直接影响设备的平均无故障时间。通道温度应保持在尽可能低的水平以
最大限度地提高使用寿命。
4.对于饱和性能，建议（3 * V的总和
DD
+ ABS （V
GG
） ） <175 V.
牧师V1
极限
+65 V
-8 -2 V
21.5 A
P
IN
（标称值） + 3分贝
200 C
600年
583 W
0.30 ° C / W
-40至+95 C
-65到+150摄氏度
看到回流焊曲线
4000 V
1300 V
DC特性
参数
测试条件
符号最小值。
I
DS
V
GS （ TH）
G
M
-
-5
12.5
典型值。
1.0
-3.1
19.2
马克斯。
30
-2
-
单位
mA
V
S
漏源漏电流V
GS
= -8 V, V
DS
= 175 V
栅极阈值电压
正向跨导
V
DS
= 5 V，I
D
= 75毫安
V
DS
= 5 V，I
D
= 17.5毫安
动态特性
参数
输入电容
输出电容
反馈电容
测试条件
不适用 - 输入匹配
V
DS
= 50 V, V
GS
= -8 V ， F = 1兆赫
V
DS
= 50 V, V
GS
= -8 V ， F = 1兆赫
符号最小值。
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
不适用
-
-
典型值。
不适用
55
5.5
马克斯。
不适用
-
-
单位
pF
pF
pF
2
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MAGX-001214-500L00
MAGX-001214-500L0S
氮化镓HEMT的SiC脉冲功率晶体管
500W峰值， 1200-1400兆赫， 300 μs的脉冲， 10 ％占空比
电气规格：吨
A
= 25 °C
参数
测试条件
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
牧师V1
RF功能测试（V
DD
= 50 V ;我
DQ
= 400毫安; 300微秒/ 10 ％ ; 1400至00年兆赫）
输入功率
功率增益
漏EF网络效率
脉冲下垂
负载不匹配的稳定性
负载不匹配公差
P
OUT
= 500瓦峰值（ 50瓦AVG）
P
OUT
= 500瓦峰值（ 50瓦AVG）
P
OUT
= 500瓦峰值（ 50瓦AVG）
P
OUT
= 500瓦峰值（ 50瓦AVG）
P
OUT
= 500瓦峰值（ 50瓦AVG）
P
OUT
= 500瓦峰值（ 50瓦AVG）
P
IN
G
P
η
D
垂
VSWR -S
VSWR -T
-
17.5
50
-
-
-
6
19.2
56
0.4
3:1
5:1
8.9
-
-
0.7
-
-
朝鲜劳动党
dB
%
dB
-
-
参数
测试条件
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
扩展脉冲宽度条件（V
DD
= 42 V ;我
DQ
= 400毫安; 1.0毫秒/ 10％ ; 1400至00年兆赫）
典型的射频数据
输入功率
功率增益
漏EF网络效率
P
OUT
= 375 W峰值（ 37.5瓦AVG）
P
OUT
= 375 W峰值（ 37.5瓦AVG）
P
OUT
= 375 W峰值（ 37.5瓦AVG）
P
IN
G
P
η
D
-
-
-
5.3
18.5
55
-
-
-
朝鲜劳动党
dB
%
测试夹具阻抗
F（兆赫）
1200
1250
1300
1350
1400
Z
IF
()
1.2 - j1.2
1.2 - j0.9
1.3 - j0.6
1.4 - j0.3
1.6 + j0.0
Z
OF
()
1.8 + j0.5
1.9 + j0.4
2.0 + j0.3
1.9 + j0.2
1.7 + j0.1
3
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氮化镓HEMT的SiC脉冲功率晶体管
500W峰值， 1200-1400兆赫， 300 μs的脉冲， 10 ％占空比
射频功率传递曲线（与输入功率的输出功率）
700
牧师V1
600
500
P
OU牛逼
(W)
400
1200兆赫
1300兆赫
1400兆赫
300
200
100
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
P
IN
(W)
射频功率传递曲线（漏极效率与输出功率）
70
60
排水ê FF 。 （％）
1200兆赫
50
1300兆赫
1400兆赫
40
30
100
4
200
300
400
P
OU牛逼
(W)
500
600
700
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MAGX-001214-500L00
MAGX-001214-500L0S
氮化镓HEMT的SiC脉冲功率晶体管
500W峰值， 1200-1400兆赫， 300 μs的脉冲， 10 ％占空比
典型的射频数据与“扩展脉冲”的条件：
1.0毫秒脉冲， 10 ％占空比
V
DD
= 42 V，I
DQ
= 400毫安
牧师V1
525
450
375
P
OUT
(W)
1200兆赫
1300兆赫
1400兆赫
300
225
150
1
2
3
4
5
P
IN
(W)
6
7
8
9
需要注意的是漏极电压和RF输出功率降额以保持结温
在可接受的水平。
5
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北美
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传真： 978.366.2266
欧洲
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