MAGX-000912-250L00
氮化镓HEMT的SiC脉冲功率晶体管
250W峰值， 960-1215兆赫， 128μs的脉冲， 10 ％占空比
特点
氮化镓耗尽型HEMT微波晶体管
内部匹配
常见源配置
宽带AB类操作
符合RoHS
+ 50V的典型操作
生产V1
11年8月18日
114年的MTTF
（通道温度< 200 ° C）
应用
航空电子： S模式， TCAS ， JTIDS ， DME和TACAN 。
产品说明
该MAGX - 000912-250L00是金属化金进行匹配
氮化镓（ GaN）的碳化硅射频功率晶体管
民用和军用航空电子脉冲放大器的优化
应用960 MHz至1215 MHz范围内，如模式 -
S， TCAS ， JTIDS ， DME和TACAN 。采用最先进的
晶片的制造工艺，这些高性能
晶体管提供高增益，效率，带宽，
耐用性在很宽的带宽，为当今要求苛刻
应用需求。高击穿电压允许可靠
在极端不匹配的负载条件下稳定运行
无与伦比的与旧的半导体技术。
在噘= 250W峰值典型的射频性能
频率
（兆赫）
960
1030
1090
1150
1215
针
(W)
3.4
4.2
3.4
3.4
3.5
收益
（ dB）的
18.7
17.8
18.7
18.7
18.6
坡
（ dB）的
-
-
-
-
1.0
Id
(A)
8.5
8.3
8.2
8.2
8.6
EFF
(%)
58.8
60.1
61.1
60.7
58.0
平均- EFF
(%)
-
-
-
-
59.7
RL
（ dB）的
-8.8
-12.7
-9.3
-8.6
-11.5
垂
（ dB）的
0.4
0.4
0.4
0.3
0.4
订购信息
MAGX - 000912-250L00 250W GaN功率晶体管
MAGX - 000912 - SB1PPR评估夹具
1
高级：
数据表包含有关产品M / A- COM技术信息
解决方案正在考虑发展。性能是基于目标规格，可模拟
迟来的结果，和/或原型的测量。致力于发展无法得到保证。
初步：
数据表包含有关产品M / A- COM技术信息
解决方案正在开发。性能是基于工程测试。规格
典型的。机械轮廓已定。工程样品和/或测试数据可以是可用
能。致力于生产数量难以保证。
北美
电话： 800.366.2266 /传真： 978.366.2266
欧洲
联系电话： 44.1908.574.200 /传真： 44.1908.574.300
亚洲/太平洋地区
联系电话： 81.44.844.8296 /传真： 81.44.844.8298
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M / A - COM技术解决方案及其关联公司保留随时更改的权利
产品（S ）或包含，恕不另行通知信息。
MAGX-000912-250L00
氮化镓HEMT的SiC脉冲功率晶体管
250W峰值， 960-1215兆赫， 128μs的脉冲， 10 ％占空比
绝对最大额定值表（ 1 ， 2 ， 3 ）
电源电压（V
DD
)
电源电压（V
GS
)
电源电流（I
DMAX
)
输入功率（P
IN
)
绝对最大值。结/通道温度
+65V
-8至-2V
14.2 APK
40 dBm的
200 C
生产V1
11年8月18日
平均无故障时间（T
J
<200°C)
脉冲功率消耗在85℃
热电阻， （ TJ = 70 °C）
V
DD
= 50V ，我
DQ
= 250毫安，噘= 250W
128us脉冲/ 10 ％责任
工作温度
储存温度
安装温度
ESD最小。 - 机器模型（ MM ）
ESD最小。 - 人体模型（ HBM ）
MSL等级
114年
朝鲜劳动党460
0.25C/W
-40 + 95℃
-65 + 150℃
看到回流焊曲线
50V
>250V
MSL1
（ 1 ）本设备这些参数中的任何一个上面的操作可能会造成永久性的损害。
（2 ）通道温度直接影响设备的平均无故障时间。通道温度应尽可能低，
可能最大化寿命。
（ 3 ）对于饱和的性能，推荐（3 * VDD + ABS（ VGG ） ） <175总和
参数
DC特性
漏极 - 源极漏电流
栅极阈值电压
正向跨导
测试条件
符号
民
典型值
最大
单位
V
GS
= -8V, V
DS
= 175V
V
DS
= 5V ，我
D
= 30毫安
V
DS
= 5V ，我
D
= 7.0毫安
I
DS
V
GS （ TH）
G
M
-
-5
5.0
0.4
-3.1
7.7
12
-2
-
mA
V
S
动态特性
输入电容
输出电容
反馈电容
不适用，输入内部匹配
V
DS
= 50V, V
GS
= -8V ， F = 1MHz的
V
DS
= 50V, V
GS
= -8V ， F = 1MHz的
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
不适用
-
-
不适用
22
2.2
不适用
-
-
pF
pF
pF
2
高级：
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解决方案正在考虑发展。性能是基于目标规格，可模拟
迟来的结果，和/或原型的测量。致力于发展无法得到保证。
初步：
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典型的。机械轮廓已定。工程样品和/或测试数据可以是可用
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北美
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欧洲
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亚洲/太平洋地区
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氮化镓HEMT的SiC脉冲功率晶体管
250W峰值， 960-1215兆赫， 128μs的脉冲， 10 ％占空比
电气规格：吨
C
= 25 ± 5°C (
室内环境
)
参数
测试条件
符号
民
典型值
最大
单位
生产V1
11年8月18日
RF功能测试（V
DD
=
50V
,
I
DQ
=
250mA
,
128us / 10 ％的关税， 960-1215MHz ）
输入功率
功率增益
漏EF网络效率
负载不匹配的稳定性
负载不匹配公差
噘嘴= 250W峰值（平均25W ）
噘嘴= 250W峰值（平均25W ）
噘嘴= 250W峰值（平均25W ）
噘嘴= 250W峰值（平均25W ）
噘嘴= 250W峰值（平均25W ）
P
IN
G
P
η
D
VSWR -S
VSWR -T
-
16.7
52
5:1
10:1
3.5
18.5
59.7
-
-
5.3
-
-
-
-
朝鲜劳动党
dB
%
-
-
测试夹具阻抗
ZIF
F（兆赫）
960
1030
1090
1150
1215
Z
IF
(Ω)
2.6 - j4.6
2.8 - j3.6
2.8 - j3.9
2.7 - j3.5
2.8 - j3.1
Z
OF
(Ω)
4.0 + j0.0
3.7 - j0.4
3.6 - j0.4
3.5 - j0.4
3.6 - j0.5
输入
网
ZOF
产量
网
3
高级：
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解决方案正在考虑发展。性能是基于目标规格，可模拟
迟来的结果，和/或原型的测量。致力于发展无法得到保证。
初步：
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解决方案正在开发。性能是基于工程测试。规格
典型的。机械轮廓已定。工程样品和/或测试数据可以是可用
能。致力于生产数量难以保证。
北美
电话： 800.366.2266 /传真： 978.366.2266
欧洲
联系电话： 44.1908.574.200 /传真： 44.1908.574.300
亚洲/太平洋地区
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MAGX-000912-250L00
氮化镓HEMT的SiC脉冲功率晶体管
250W峰值， 960-1215兆赫， 128μs的脉冲， 10 ％占空比
射频功率传递曲线（与输入功率的输出功率）
350
生产V1
11年8月18日
300
的Pout （W）的
250
200
960兆赫
1030兆赫
1090兆赫
1150兆赫
1215兆赫
150
100
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
销（W）的
3.5
4.0
4.5
5.0
射频功率传递曲线（漏极效率与输出功率）
76.0
68.0
60.0
52.0
960兆赫
1030兆赫
1090兆赫
1150兆赫
1215兆赫
EFF （ ％ ）
44.0
36.0
100
150
200
的Pout （W）的
250
300
350
4
高级：
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解决方案正在考虑发展。性能是基于目标规格，可模拟
迟来的结果，和/或原型的测量。致力于发展无法得到保证。
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典型的。机械轮廓已定。工程样品和/或测试数据可以是可用
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欧洲
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联系电话： 81.44.844.8296 /传真： 81.44.844.8298
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MAGX-000912-250L00
氮化镓HEMT的SiC脉冲功率晶体管
250W峰值， 960-1215兆赫， 128μs的脉冲， 10 ％占空比
测试夹具电路尺寸
生产V1
11年8月18日
测试夹具装配
5
高级：
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迟来的结果，和/或原型的测量。致力于发展无法得到保证。
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解决方案正在开发。性能是基于工程测试。规格
典型的。机械轮廓已定。工程样品和/或测试数据可以是可用
能。致力于生产数量难以保证。
北美
电话： 800.366.2266 /传真： 978.366.2266
欧洲
联系电话： 44.1908.574.200 /传真： 44.1908.574.300
亚洲/太平洋地区
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