MAGX-000035-030000
氮化镓HEMT功率晶体管
30W CW ， 30兆赫 - 3.5 GHz的
特点
氮化镓耗尽型HEMT微波晶体管
常见源配置
没有内部匹配
宽带AB类操作
耐热增强型铜/钼/铜包
符合RoHS
+ 50V的典型操作
生产V1
12年2月10日
600年MTTF
（通道温度< 200 ° C）
应用
对于脉冲或连续波应用通用
商用无线基础设施
- WCDMA ，LTE， WIMAX
民用和军用雷达
军事和商业通信
公共广播电台
工业，科学和医疗
卫通
仪器仪表
航空电子学
产品说明
该MAGX - 000035-030000是金金属化镓无与伦比
氮化镓（GaN ），碳化硅射频功率晶体管适用于
各种射频功率放大器应用。采用最先进的
晶圆制造工艺，这些高性能的晶体管
提供高增益，效率，带宽，耐用性比多
倍频程带宽为当今苛刻的应用需求。该
MAGX - 000035-030000采用耐热增强型构造
铜/钼/铜法兰式陶瓷封装可提供卓越
散热性能。高击穿电压允许可靠
在极端不匹配的负载条件下稳定运行
无与伦比的与旧的半导体技术。
典型CW RF性能
频率。
（兆赫）
30
100
500
1500
3000
3500
噘
（W AVE）
58
44
43
42
35
30
收益
（ dB）的
40
32
27
20
13
12
EFF
(%)
80
65
66
59
55
53
订购信息
MAGX-000035-030000
MAGX-000035-SB1PPR
30W GaN功率晶体管
1.5 GHz的评估板
1
高级：
数据表包含有关产品M / A- COM技术信息
解决方案正在考虑发展。性能是基于目标规格，可模拟
迟来的结果，和/或原型的测量。致力于发展无法得到保证。
初步：
数据表包含有关产品M / A- COM技术信息
解决方案正在开发。性能是基于工程测试。规格
典型的。机械轮廓已定。工程样品和/或测试数据可以是可用
能。致力于生产数量难以保证。
北美
电话： 800.366.2266 /传真： 978.366.2266
欧洲
联系电话： 44.1908.574.200 /传真： 44.1908.574.300
亚洲/太平洋地区
联系电话： 81.44.844.8296 /传真： 81.44.844.8298
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M / A - COM技术解决方案及其关联公司保留随时更改的权利
产品（S ）或包含，恕不另行通知信息。
MAGX-000035-030000
氮化镓HEMT功率晶体管
30W CW ， 30兆赫 - 3.5 GHz的
绝对最大额定值（ 1 ， 2 ， 3 ）
电源电压（ VDD）的
电源电压（ VGG ）
电源电流（ ID1）
输入功率（Pin ）
结/通道温度
生产V1
12年2月10日
极限
+65V
-8至0V
1200毫安
+30 dBm的
200 C
平均无故障时间（T
J
<200°C)
连续功率耗散（ PDISS ）在85 C
脉冲功率耗散（ PAVG ）在85 C
热电阻， （ Tchannel = 200 ℃） ， CW
热电阻， （ Tchannel = 200 ℃） ，脉冲
500US ， 10 ％占空比
工作温度
储存温度
ESD最小。 - 机器模型（ MM ）
ESD最小。 - 人体模型（ HBM ）
600年
30 W
65 W
4.2 ° C / W
2 ° C / W
-40 + 95℃
-65 + 150℃
50 V
>250 V
（ 1 ）本设备这些参数中的任何一个上面的操作可能会造成永久性的损害。
（2 ）通道温度直接影响设备的平均无故障时间。通道温度应保持在尽可能低的最大限度地提高寿命。
（ 3 ）对于饱和的性能，推荐（3 * VDD + ABS（ VGG ） ） <175总和
参数
DC特性
漏极 - 源极漏电流
栅极阈值电压
正向跨导
测试条件
符号
民
典型值
最大
单位
V
GS
= -8V, V
DS
= 175V
V
DS
= 5V ，我
D
= 6毫安
V
DS
= 5V ，我
D
= 1.5毫安
I
DS
V
GS （ TH）
G
M
-
-5
1.0
-
-3
-
2.5
-2
-
mA
V
S
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
DS
= 0v, V
GS
= -8V ， F = 1MHz的
V
DS
= 50V, V
GS
= -8V ， F = 1MHz的
V
DS
= 50V, V
GS
= -8V ， F = 1MHz的
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
-
-
-
13.2
5.6
0.5
-
-
-
pF
pF
pF
2
高级：
数据表包含有关产品M / A- COM技术信息
解决方案正在考虑发展。性能是基于目标规格，可模拟
迟来的结果，和/或原型的测量。致力于发展无法得到保证。
初步：
数据表包含有关产品M / A- COM技术信息
解决方案正在开发。性能是基于工程测试。规格
典型的。机械轮廓已定。工程样品和/或测试数据可以是可用
能。致力于生产数量难以保证。
北美
电话： 800.366.2266 /传真： 978.366.2266
欧洲
联系电话： 44.1908.574.200 /传真： 44.1908.574.300
亚洲/太平洋地区
联系电话： 81.44.844.8296 /传真： 81.44.844.8298
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MAGX-000035-030000
氮化镓HEMT功率晶体管
30W CW ， 30兆赫 - 3.5 GHz的
电气规格：吨
C
= 25 ± 5°C (
室内环境
)
参数
测试条件
符号
民
典型值
最大
单位
生产V1
12年2月10日
RF功能测试
VDD = 50V ， IDQ = 100 mA时，单频优化的数据
CW输出功率（ P2DB ） 1 .5GHz
PIN = 0.7W大道
噘嘴= 5W大道
PIN = 0.7W大道
PIN = 1W大道
PIN = 1W大道
P
OUT
G
P
η
D
VSWR -S
VSWR -T
30
18
50
5:1
10:1
42
20
60
-
-
-
W AVE
dB
%
小信号增益@ 1.5 GHz的
漏极效率@ 1.5 GHz的
负载不匹配的稳定性
负载不匹配公差
-
-
-
-
测试夹具阻抗
ZIF
F（兆赫）
30
100
500
1500
3000
ZIF- OPT （ Ω ）
71 + j 255
7.7 + j 66.6
3.19 + j 13.8
1.4 + j 0.16
3.1 - j 9.96
ZOF -OPT （ Ω ）
24.9 - j 6.8
22.14 - j 4.33
21.8 + j 9.94
9.31 + j 9.34
3.32 + j 1.2
输入
网
ZOF
产量
网
3
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北美
电话： 800.366.2266 /传真： 978.366.2266
欧洲
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30W CW ， 30兆赫 - 3.5 GHz的
生产V1
12年2月10日
小信号增益与频率
（单点
optmized ）
50
40
30
20
10
0
30
100
500
1500
3000
3500
增益（dB ）
频率（MHz）
效率与频率， P2DB
（单点optmized ）
100
80
60
40
20
0
30
100
500
1500
3000
3500
效率（％）
频率（MHz）
CW输出功率（ P2DB ）与频率
（单
点optmized ）
70
60
50
40
30
20
10
0
30
100
500
1500
3000
3500
的Pout （W）的
频率（MHz）
4
高级：
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典型的。机械轮廓已定。工程样品和/或测试数据可以是可用
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北美
电话： 800.366.2266 /传真： 978.366.2266
欧洲
联系电话： 44.1908.574.200 /传真： 44.1908.574.300
亚洲/太平洋地区
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氮化镓HEMT功率晶体管
30W CW ， 30兆赫 - 3.5 GHz的
POUT VS引脚
中（f = 1.5 GHz）的
55
生产V1
12年2月10日
50
的Pout （ dBm的）
45
40
35
30
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
PIN （ DBM）
-12.00
IMD3 （ DBC） ， F0 = 1.5GHz的， DF = 5MHz时，
-17.00
-22.00
-27.00
-32.00
-37.00
-42.00
IMD3(Idq=100mA)
IMD3(Idq=150mA)
IMD3(Idq=200mA)
IMD3(Idq=250mA)
-47.00
-52.00
0.10
1.00
10.00
100.00
噘嘴- AVG（ W）
5
高级：
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典型的。机械轮廓已定。工程样品和/或测试数据可以是可用
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北美
电话： 800.366.2266 /传真： 978.366.2266
欧洲
联系电话： 44.1908.574.200 /传真： 44.1908.574.300
亚洲/太平洋地区
联系电话： 81.44.844.8296 /传真： 81.44.844.8298
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