四偏置驱动程序的GaAs FET和PIN二极管开关
描述
四偏压驱动的MADRMA0001家族
可以被配置为TTL信号转化为阴性
所需的砷化镓场效应管略去电压开关或衰减器或者
可用于产生高达±每通道40毫安偏置系列
或并联PIN二极管开关。每个通道包含反相和
非反相输出逻辑的灵活性。高速设计
CMOS技术，驱动器达到较高的性能具有非常
低功耗。
MADRMA0001 & 2
MADR-007690-DR0002
特点
传播延迟小于25纳秒
互补输出
高的正和负输出电流
真正的TTL输入
低静态功耗
可在芯片和QFN- 20表面贴装封装格式
可提供无铅符合RoHS的封装或锡/铅电镀
包军事应用（无纯锡）
MADRMA0001 ：
DIE
MADRMA0002 ：
QFN - 20 ，电镀锡（锡， 100 ％ ）
MADR - 007690 - DR0002 ： QFN - 20 ，锡铅电镀（锡/铅， 85 ％ / 15 ％ ）
AC &直流特性在保证工作温度范围
符号
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
IN
大败
I
OH
I
OL
I
CC
T
PHL ，
T
PLH
T
THL ，
T
TLH
参数
输入高电压
输入低电压
输出高电压
输出低电压
输入电流
输出电阻
直流输出电流 - 高
直流输出电流 - 低
静态电源电流
传播延迟
输出转换时间
延迟偏差，则输出到输出B
最小脉冲宽度
最大PRF
测试条件
单位
V
V
民
2.0
-0.8
V
选择
– 0.1
—
-20
典型值
—
—
—
—
0
40
最大
VCC
0.8
-
V
EE
+ 0.1
20
60
40
-40
空载
空载
V
IN
= V
CC
或GND
设置由外部电阻， R2
或R3
设置由外部电阻， R2
或R3
V
CC
=最大， VIN = VCC或GND
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
V
V
A
mA
mA
A
nS
nS
nS
nS
兆赫
—
—
—
—
30
—
15
3
3
400
25
6
6
15
1
M / A - COM公司及其附属公司保留随时更改的权利
产品（S ）或包含，恕不另行通知信息。 M / A- COM使
关于是否适合任何保证，声明或保证其
产品用于任何特定目的，也没有M / A - COM承担任何责任
由此产生的任何产品（S）的使用或应用的任何或
信息。
北美
电话： 800.366.2266 /传真： 978.366.2266
欧洲
联系电话： 44.1908.574.200 /传真： 44.1908.574.300
亚洲/太平洋地区
联系电话： 81.44.844.8296 /传真： 81.44.844.8298
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四偏置驱动程序的GaAs FET和PIN二极管开关
绝对最大额定值
参数
绝对最大
V
CC
- 为4.5V至+ 6.0 V
V
EE
- 6.0 V至0.0 V
V
选择
等于Vcc的
V
CC
– V
EE
12 V
V
IN
-0.5 V到V
CC
+0.5 V
V
OUT
V
EE
到Vcc
IIN
= 25毫安
IOUT
= 50毫安
储存温度
-65 ° C至+ 150°C
工作温度
-40 ° C至+ 85°C
注意： TTL接口是CMOS结构。如果没有的Vcc
施加时，输入将是低阻抗。一旦VCC是
应用，驱动程序将作为无规定
闭锁式。
MADRMA0001 & 2
MADR-007690-DR0002
保证输入工作范围
符号
V
CC
V
EE
V
选择
T
A
TTL输入
参数
正DC电源
负直流电源
输出直流电源
工作温度
上升或下降时间
10％至90 ％，90％至10％的
单位
V
V
V
°C
nS
民
4.5
-5.5
0.0
-40
—
典型
5.0
-5.0
最大
5.5
-4.5
VCC
+85
500
注：所有电压都是相对于GND 。
开关波形
输入
C
V
IN
90%
1.3 V
10%
逻辑0
逻辑图
T
F
T
R
逻辑1
C
1
T
PHL
90%
50%
GND
A
1
B
1
T
PLH
OUTPUT A
V
OUT
C
2
V
EE
A
2
B
2
OUTPUT B
10%
T
TLH
T
THL
C
3
A
3
B
3
注意事项：
注：请参阅开关波形的定义
交换条件。用品必须被旁路
与0.01 F电容。未使用的输入必须连接到
地
C
4
A
4
B
4
真值表
输入 -
C
X
输出 -
A
X
输出 -
B
X
0
1
V
EE
V
选择
V
选择
V
EE
2
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北美
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四偏置驱动程序的GaAs FET和PIN二极管开关
MADRMA0001概要：
MADRMA0001 & 2
MADR-007690-DR0002
而管芯焊盘与封装引脚号不同，则各功能保持不变。
芯片的背面是内部连接到V型。它必须保持与他人隔离电压。
V
EE
B4
V
CC
C4
C3
A3
C2
B2
C1
A2
V
选择
GND
A1
B1
A4
B3
芯片尺寸： 48 ×64密耳
模具厚度： 10密耳最大
安装说明：
模具附件：
使用非导电环氧树脂。
引线键合：
邦德@ 160℃使用标准球或热压缩楔形接合技术。
对于DC垫连接，使用的球或楔形债券。
3
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北美
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四偏置驱动程序的GaAs FET和PIN二极管开关
MADRMA0002 / MADR - 007690 - DR0002概要：
20 PIN
MADRMA0001 & 2
MADR-007690-DR0002
对底脚1
所反映的部分
引脚1方形板
或切角
销1
日期代码&国家代码
符号
A
A1
A3
b
D
D1
E
E1
e
L
单位：毫米
民
喃
最大
0.80
0.90
1.10
0.00
0.02
0.05
-
0.25 REF
-
0.18
0.23
0.30
3.85
4.00
4.15
-
2.70
-
3.85
4.00
4.15
-
2.70
-
-
0.50
-
0.30
0.40
0.50
0.00
-
12
-
-
0.05
θ
M
引脚配置（ QFN - 20 ）
针
1
2
3
4
5
功能
GND
N / C
N / C
A1
B1
针
6
7
8
9
10
功能
A2
B2
N / C
A3
B3
针
11
12
13
14
15
功能
A4
B4
V
EE
N / C
V
CC
针
16
17
18
19
20
功能
C4
C3
C2
C1
V
选择
注：在包装背面的中心焊盘应悬空。桨不需要
热或电连接。
订购信息
产品型号
MADRMA0001
MADRMA0002
MADR-007690-DR0002
DIE
QFN - 20 ，镀锡
QFN - 20 ，锡铅电镀
描述
可用包装
华夫饼包（每包100或400芯片）
散装或磁带&卷（ 1K卷）
散装或磁带&卷（ 1K卷）
注：包装的选择要注意的是在任何报价或销售订单服务行项目。
4
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产品（S ）或包含，恕不另行通知信息。 M / A- COM使
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产品用于任何特定目的，也没有M / A - COM承担任何责任
由此产生的任何产品（S）的使用或应用的任何或
信息。
北美
电话： 800.366.2266 /传真： 978.366.2266
欧洲
联系电话： 44.1908.574.200 /传真： 44.1908.574.300
亚洲/太平洋地区
联系电话： 81.44.844.8296 /传真： 81.44.844.8298
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四偏置驱动程序的GaAs FET和PIN二极管开关
应用信息
MADRMA0001 & 2
MADR-007690-DR0002
输入逻辑电压（单位V ）不能超过0.5伏超过正电源（ Vcc的），也不去BE-
超过0.5 V.低GND
输入电流不应超过±25 mA的电流。
此装置应被视为任何TTL CMOS电路。上拉/下拉电阻应配合到Vcc或
GND 。未使用的输入必须连接到GND 。去耦电容（ 0.1 UF）应在Vcc的使用，
V形，且输出电流应限制在±40毫安。
逻辑“0”设置为J0 J1到低损耗状态
限制电阻（ R2，R3）为+/- 20 mA的输出电流设定
（ - VDIODE的Vcc ）/ I DE- R 1 = [：所述限流电阻器（ R2，R3）的值由下式确定
sired ] - 溃败
驱动PIN二极管开关：
驱动FET开关：
5
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北美
电话： 800.366.2266 /传真： 978.366.2266
欧洲
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亚洲/太平洋地区
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