MADRCC0006 ， MADR - 009151-000DIE
单驱动器，用于砷化镓FET开关和衰减器
牧师V5
特点
高速CMOS技术
单通道
正电压控制
低功耗
低成本的塑料SOIC- 8封装
100 ％雾锡电镀铜多
无卤素“绿色”模塑化合物
260℃回流焊
MADRCC0006是符合RoHS *标准版
SWD-109
功能原理图
描述
该MADRCC0006采用的是单通道驱动器
翻译TTL控制输入到门控
电压砷化镓场效应管微波开关和
衰减器。高速模拟CMOS技术
被用来实现低功耗的
中度到高的速度，包括最
微波开关应用。输出高电平
电平是任选0至+ 2.0V （相对于GND）至
优化控制的互调产物
器件在低频率。
引脚配置
3
PIN号
1
功能
OUTPUT A
GND
VCC
C1 ，逻辑
VEE
vopt的
GND
OUTPUT B
订购信息
产品型号
订购信息
MADRCC0006
1
2
3
包
SOIC-8
4
5
6
7
8
产品型号
MADRCC0006TR
MADR-0009151-000DIE
1.
2.
包
1000件卷轴SOIC -8
DIE
2
参考应用笔记M513的卷轴尺寸
信息。
模具销售额可在华夫格包中的100增量
件。
3.
在模具的底部应隔离部件编号
MADR-009151-000DIE.
*对有害物质的限制，欧盟指令2002/95 / EC 。
1
高级：
数据表包含有关产品M / A - COM技术解决方案的信息
北美
电话： 800.366.2266
欧洲
联系电话： +353.21.244.6400
正在考虑发展。性能是基于目标的规格，仿真结果，
印度
联系电话： +91.80.4155721
中国
联系电话： +86.21.2407.1588
和/或原型的测量。致力于发展无法得到保证。
访问www.macomtech.com额外的数据表和产品信息。
初步：
数据表包含有关产品M / A- COM技术信息
解决方案正在开发。性能是基于工程测试。规格
典型的。机械轮廓已定。工程样品和/或测试数据可以是可用的。
M / A - COM技术解决方案公司及其附属公司保留作出正确的
致力于生产数量难以保证。
更改产品（ S）或信息包含在此恕不另行通知。
MADRCC0006 ， MADR - 009151-000DIE
单驱动器，用于砷化镓FET开关和衰减器
牧师V5
保证工作范围
符号
V
CC
V
EE
V
OPT 5
V
选择
-V
EE
V
CC
-V
EE
T
A
I
OH
I
OL
T
上升
, T
秋天
参数
4
正直流电源电压
负直流电源电压
可选直流输出电源电压
负电源电压范围
正到负电源电压范围
工作环境温度
直流输出电流 - 高
直流输出电流 - 低
最大输入信号上升和下降时间
单位
V
V
V
V
V
°C
mA
mA
ns
分钟。
4.5
-8.5
0
4.5
9.0
-40
—
—
—
典型值。
5.0
-5.0
1.0
6.5
10.0
+25
—
—
—
马克斯。
5.5
-4.5
2.0
11.0
14.0
+85
-1.0
1.0
500
4.所有电压都是相对于GND 。
5. V
选择
接地对于大多数应用。以改善互调性能和GaAs控制的1 dB压缩点
在低频率的设备，V
选择
为1.0 2.0V ，可以提高到35。在GaAs控制装置的非线性特性
将在500MHz近似性能。应当指出的是，控制电流是在GaAs MMIC的将增加正时
控制适用。
直流特性在保证工作范围
符号
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
IN
I
CC
Δ
I
CC
参数
输入高电压
输入低电压
输出高电压
输出低电压
输入漏电流
静态电源电流
额外的电源电流，每
TTL输入引脚
测试条件
保证高输入电压
保证低输入电压
I
OH
= -1毫安
I
OL
= 1毫安
V
IN
= V
CC
或GND
V
CC
=最大
V
选择
=最小值或最大值
V
CC
=最大
V
EE
=最大
V
EE
=最大
V
EE
=分钟
V
EE
=分钟
V
IN
= V
CC
或GND
V
IN
= V
CC
-2.1V
单位
V
V
V
V
A
A
mA
分钟。
2.0
—
V
选择
-0.1
—
—
—
—
典型值。
—
—
—
—
.01
—
—
马克斯。
—
0.8
—
V
EE
+0.1
10
100
1.0
办理程序
请遵循以下注意事项，以避免
伤害：
真值表
输入
C1
逻辑“0”的
逻辑“1”的
静电灵敏度
硅集成电路是对敏感
静电放电（ESD ）而可能被损坏
通过静电。适当的ESD控制技术
处理这些设备时，应使用。
2
输出
A
V
EE
V
选择
B
V
选择
V
EE
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北美
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欧洲
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单驱动器，用于砷化镓FET开关和衰减器
牧师V5
AC特性在保证工作范围
6
符号
T
PLH
T
PHL
T
TLH
T
THL
T
SKEW
C
IN
C
PDC
C
PDE
参数
传播延迟
传播延迟
输出上升转换时间
输出下降转换时间
延迟偏差，则输出到输出B
输入电容
功率耗散电容
7
功率耗散电容
7
-55 + 25°C
22
22
9.0
8.0
4.0
10
10
140
<+85°C
25
25
9.0
8.0
4.0
10
10
140
<+125°C
30
30
9.0
8.0
4.0
10
10
140
单位
ns
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
6. V
CC
= 4.5V, V
选择
- V
EE
=最小或最大值，V
选择
= 0V ，C
L
= 25 pF的，素养， TFALL = 6ns的。这些条件表示在最坏的情况为缓慢的延迟。
7.总功率耗散的计算由下列公式计算： PD = V
CC 2
fC
PDC
+ (V
选择
-V
EE
)
2
fC
PDE
绝对最大额定值
8,9,10
符号
V
CC
V
EE
V
选择
V
选择
-V
EE
V
CC
-V
EE
V
I
I
I
V
O
P
D11
V
O
T
英镑
参数
正直流电源电压
负直流电源
电压
可选直流输出电源
电压
输出到负电源
电压范围
正到负电源
电压范围
直流输入电压
DC输入电流
直流输出电压
在静止空气中的功耗
直流输出电流
储存温度
民
-0.5
-9.0
-0.5
-0.5
-0.5
-0.5
-25
V
EE
–
0.5
—
-25
-65
最大
7.0
0.5
VCC +0.5
11.0
14.0
V
CC
+0.5
25
V
选择
+0.5
500
25
150
单位
V
V
开关波形
V
V
V
V
mA
V
mW
mA
°C
8.所有电压参考GND 。所有输入和输出
合并闩锁保护的结构。
9.超过任一项的这些限制或组合可能导致
永久性损坏此设备。
10， M / A - COM不建议持续经营近
这些生存极限。
11.减免-7毫瓦/°C， 65 ° C至85°C 。
3
高级：
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北美
电话： 800.366.2266
欧洲
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印度
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中国
联系电话： +86.21.2407.1588
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解决方案正在开发。性能是基于工程测试。规格
典型的。机械轮廓已定。工程样品和/或测试数据可以是可用的。
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致力于生产数量难以保证。
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牧师V5
无铅，
SOIC-8
参考应用笔记M538无铅回流焊
建议。
4
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欧洲
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印度
联系电话： +91.80.4155721
中国
联系电话： +86.21.2407.1588
和/或原型的测量。致力于发展无法得到保证。
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致力于生产数量难以保证。
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单驱动器，用于砷化镓FET开关和衰减器
牧师V5
外形绘图
垫CON组fi guration
12,13
模具尺寸： 1080 X 1240微米（标称）
垫号
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
X（ μm）的
公称
0
138
138
138
313.75
838.5
942
942
942
1080
Y（微米）
公称
0
1042
835.5
636.75
198
198
378
558
1042
1240
垫尺寸（微米）
模具的左下边缘
92 x 92
92 x 92
92 x 92
92 x 92
92 x 92
92 x 92
92 x 92
92 x 92
模具的右上边缘
12.所有的X，Y方向的尺寸焊盘中心。
13.模具厚度为9.5密耳。
5
高级：
数据表包含有关产品M / A - COM技术解决方案的信息
北美
电话： 800.366.2266
欧洲
联系电话： +353.21.244.6400
正在考虑发展。性能是基于目标的规格，仿真结果，
印度
联系电话： +91.80.4155721
中国
联系电话： +86.21.2407.1588
和/或原型的测量。致力于发展无法得到保证。
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