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MADR-009190-000100
四驱动程序的GaAs FET或PIN二极管
开关和衰减器
特点
高电压CMOS技术
四通道
正电压控制
采用TTL电平输入CMOS器件
低功耗
低成本的塑料SOIC -16封装
100 %雾锡电镀铜多
无卤素“绿色”模塑化合物
260℃回流焊
牧师V1
功能原理图
VCC
vopt的
逻辑C1
TTL缓冲器
电平转换器
输出A1
vopt的
DRIVER 1
VEE
逆变器
电平转换器
输出B1
描述
该MADR - 009190-000100是一个四通道驱动器
采用TTL控制输入转化为闸门控制
电压砷化镓场效应管微波开关和
衰减器。高速模拟CMOS技术
被用来实现低功耗的
中度到高的速度,包括最
微波开关应用。输出高电平
电平是任选0至+ 2.0V (相对于GND)至
优化FET控制互调产物
器件在低频率。用于驱动PIN二极管
电路中,输出之间的标称切换
+ 5V & -5V 。实际的驱动器的输出电压将
下驱动大电流时,由于电阻
tance的输出设备。
逻辑C2
相同
DRIVER 1
VEE
输出A2
输出B2
输出A3
逻辑C3
相同
DRIVER 1
输出B3
输出A4
逻辑C4
相同
DRIVER 1
输出B4
引脚配置
PIN号
1
功能
VEE
VCC
C4
C3
C2
C1
vopt的
PIN号
9
10
11
12
13
14
15
16
功能
输出A1
输出B1
输出A2
输出B2
输出A3
输出B3
输出A4
输出B4
订购信息
产品型号
MADR-009190-000100
MADR-009190-000DIE
MADR-009190-0001TR
1.
2.
1
2
散装包装
DIE
2
1000件卷轴
3
4
5
6
7
8
参考应用笔记M513的卷轴尺寸
信息。
模具销售额可在华夫格包中的100增量
件。
*对有害物质的限制,欧盟指令2002/95 / EC 。
1
高级:
数据表包含有关产品M / A - COM技术解决方案的信息
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欧洲
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正在考虑发展。性能是基于目标的规格,仿真结果,
印度
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中国
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和/或原型的测量。致力于发展无法得到保证。
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解决方案正在开发。性能是基于工程测试。规格
典型的。机械轮廓已定。工程样品和/或测试数据可以是可用的。
M / A - COM技术解决方案公司及其附属公司保留作出正确的
致力于生产数量难以保证。
更改产品( S)或信息包含在此恕不另行通知。
MADR-009190-000100
四驱动程序的GaAs FET或PIN二极管
开关和衰减器
保证工作范围(用于驱动FET或PIN设备)
3,4,7
符号
V
CC
V
EE
V
OPT 5,6
V
选择
- V
EE
V
CC
- V
EE
T
OPER
I
OH
I
OL
T
上升
, T
秋天
牧师V1
参数
正直流电源电压
负直流电源电压
可选直流输出电源电压
负电源电压范围
正到负电源电压范围
工作温度
直流输出电流 - 高
直流输出电流 - 低
最大输入信号上升和下降时间
单位
V
V
V
V
V
°C
mA
mA
ns
分钟。
4.5
-10.5
0
4.5
9.0
-40
-35
典型值。
5.0
-5.0
注5,6
10.0
+25
马克斯。
5.5
-4.5
V
CC
16.0
16.0
+85
35
500
3.不使用逻辑输入必须连接到GND或V
CC
.
4.所有电压都是相对于GND 。
5. V
选择
是建立在大多数情况下,当FET的驱动。以改善互调性能和1 dB压缩点
在低频,V砷化镓控制设备
选择
为1.0 2.0V ,可以提高到35。在GaAs的非线性特性
控制装置将在500 MHz的大致性能。应当指出的是,控制电流是在GaAs MMIC的意志
当阳性对照施加增加。
6.当这个驱动程序来驱动PIN二极管,V
选择
通常设置为+ 5.0V ,V字形
EE
设置为-5.0V 。
7. 0.01 uF的去耦电容所需的电源供应线。
办理程序
请遵循以下注意事项,以避免
伤害:
真值表
输入
Cn
An
V
EE
V
选择
输出
Bn
V
选择
V
EE
静电灵敏度
硅集成电路是对敏感
静电放电(ESD )而可能被损坏
通过静电。适当的ESD控制技术
处理这些设备时,应使用。
逻辑“0”的
逻辑“1”的
2
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四驱动程序的GaAs FET或PIN二极管
开关和衰减器
直流特性在保证工作范围
符号
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
IN
I
OH
I
OL
I
OH_SPIKE
牧师V1
参数
输入高电压
输入低电压
输出高电压
输出低电压
输入漏电流(每输入)
直流输出电流高
(每路输出)
直流输出电流,低
(每路输出)
高峰穗输出电流
(上升沿)
(每路输出)
高峰穗输出电流
(下降沿)
(每路输出)
静态电源电流
测试条件
保证高输入电压
保证低输入电压
I
OH
= -0.5毫安
I
OL
- 0.5毫安
V
IN
= V
CC
或GND ,V
EE
=分钟,
V
CC
=最大,V
选择
=最小值或最大值
V
CC
= 5.0V, V
EE
= -5.0V,
V
选择
= 5.0V
V
CC
= 5.0V, V
EE
= -5.0V,
V
选择
= 5.0V
V
CC
= 5.0V, V
EE
= -5.0V,
V
选择
= 5.0V ,C
L
= 25 pF的
V
CC
= 5.0V, V
EE
= -5.0V,
V
选择
= 5.0V ,C
L
= 25 pF的
V
IN
= V
CC
或GND ,V
EE
= -10.5V,
V
CC
= 5.5V, V
选择
= 5.5V,
无输出负载
V
CC
=最大,V
IN
= V
CC
-2.1V
V
IN
= V
CC
或GND ,V
EE
= -10.5V,
V
CC
= 5.5V, V
选择
= 5.5V,
无输出负载
V
IN
= V
CC
或GND ,V
EE
= -10.5V,
V
CC
= 5.5V, V
选择
= 5.5V,
无输出负载
V
CC
= 5.0V, V
EE
= -5.0V,
V
选择
= 5.0V, V
OUT
= -4.9V
+ 25 ° C,注8
V
CC
= 5.0V, V
EE
= -5.0V,
V
选择
= 5.0V, V
OUT
= 4.9V
+ 25 ° C,注8
单位
V
V
V
V
nA
mA
mA
mA
分钟。
2.0
V
选择
- 0.1
-250
-35
典型值。
35
马克斯。
0.8
V
EE
+ 0.1
250
35
I
OL_SPIKE
mA
50
I
CC
A
20
Δ
I
CC
I
EE
额外的电源电流
(每TTL输入引脚)
静态电源电流
mA
A
1.0
20
I
选择
静态电源电流
A
20
R
NFET
输出电阻NFET开
(以V
EE
)
输出电阻PFET开
(以V
选择
)
40
R
PFET
45
8.见的R剧情
NFET
和R
PFET
的变化随温度的驾驶4.99K和82欧姆的电阻性负载。 (注意,这对应于1
毫安和33 mA之间的电流在25℃ ) 。
3
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四驱动程序的GaAs FET或PIN二极管
开关和衰减器
AC特性在保证工作范围(驱动场效应管)
9
典型性能
符号
T
PLH
T
PHL
T
TLH
T
THL
T
SKEW
PRF (最大)
C
IN
C
PDC
C
PDE
9.
牧师V1
参数
传播延迟
传播延迟
输出转换时间(上升沿)
输出转换时间(下降沿)
延迟偏差
占空比为50%
输入电容
功率耗散电容
10
功率耗散电容
10
-40°C
20
20
5
4
2
DC
5
50
100
+85°C
22
22
5
5
2
5
50
100
+85°C
25
25
8
6
2
10
5
50
100
单位
ns
ns
ns
ns
ns
兆赫
pF
pF
pF
V
CC
= 4.5V, V
选择
- V
EE
=最小或最大值,V
选择
= 0V ,C
L
= 25 pF的输入LOGIC1 = 3V , LOGIC0 = 0V ,素养, TFALL = 6纳秒。
10.总功率耗散的计算由下列公式计算: PD = V
CC2
fC
PDC
+ V
EE2
fC
PDE
开关波形驱动场效应管
T
r
90%
输入的C
V
IN
1.3V
10%
T
PLH
OUTPUT B
T
TLH
90%
50%
10%
T
SKEW
90%
50%
10%
T
SKEW
产量
90%
1.3V
10%
T
PHL
T
THL
产量
逻辑0
输出电阻与温度的关系
11
120.0
T
f
逻辑1
PFET与82Ω负载
电阻(欧姆)
100.0
80.0
60.0
40.0
20.0
-55.0
NFET与82Ω负载
PFET与4.99K负荷
V
OUT
OUTPUT A
NFET与4.99K负荷
-25.0
5.0
35.0
温度(℃)
65.0
95.0
125.0
11.输出电阻被的条件下测定
V
CC
= 5.0V, V
选择
= 5.0V和V
EE
= -5.0V ,负载电阻
从输出器接地。
4
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12
典型性能
符号
T
PLH
T
PHL
T
TLH1
T
TLH2
T
THL
T
SKEW
PRF (最大)
C
IN
C
PDC
C
PDE
C
PDO
牧师V1
参数
传播延迟
传播延迟
输出转换时间(上升沿)
输出Setttling时(上升沿)
输出转换时间(下降沿)
延迟偏差
占空比为50%
输入电容
功率耗散电容
13
功率耗散电容
13
功率耗散电容
13
-40°C
20
20
5
2
4
2.5
DC
5
45
180
135
+85°C
22
22
5
5
4
2.5
5
45
180
135
+85°C
25
25
8
6
5
2.5
10
5
45
180
135
单位
ns
ns
ns
s
ns
ns
兆赫
pF
pF
pF
pF
12. V
CC
= 5.0V, V
EE
= -5V, V
选择
= 5.0V ,C
L
= 25 pF的输入逻辑“1” = 3V ,逻辑“0” = 0V ,素养, TFALL = 6纳秒
13.总功率耗散的计算由下列公式计算: PD = V
CC2
fC
PDC
+ V
EE2
fC
PDE
+ V
OPT2
fC
PDO
开关波形 - 主动销
14
T
r
90%
输入的C
V
IN
1.3V
10%
T
PLH
OUTPUT B
T
TLH2
T
TLH1
V
OH1
V
OH_Final
开关波形驱动35毫安
负载25 pF负载电容
90 %的V
OL
到V
OH_Final
90 %的V
OL
到V
OH1
50%
V
OUT
OUTPUT A
10%
V
OL
T
SKEW
驱动大电流时14这种影响只是表面的,只发生在上升沿。在“典型应用电路图
一个单刀双掷开关“注意,分流二极管的上升沿导。上会有隔离随时间略有影响,但在插入
不应该受到影响的损失。
5
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    电话:18922805453
    联系人:连
    地址:福田区华强北路1019号华强广场D座23楼

    MADR-009190-000100
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    MADR-009190-000100
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:0755-84502810
联系人:甘先生
地址:深圳市龙岗区布澜路76号东久创新科技园7栋A1306室/香港九龙观塘成业街19-21号成业工业大厦8/F14室
MADR-009190-000100
MACOM
24+
4600
SOP
原装现货假一罚十!可含税长期供货
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电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
MADR-009190-000100
MA/COM
2443+
23000
20
一级代理专营,原装现货,价格优势
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电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
MADR-009190-000100
MACOM Technology Solutions
24+
13250
原厂封装
全新原装现货,原厂代理。
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电话:075584505750
联系人:刘生
地址:龙岗区横岗街道华侨新村社区荣德时代广场A2301
MADR-009190-000100
MACOM
22+
18260
NA
原装代理现货,价格最优
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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
MADR-009190-000100
MA/COM
15+
200
专业分销
全新原装正品/质量有保证
QQ: 点击这里给我发消息

电话:18926544209/18025435189
联系人:夏小姐/朱先生
地址:深圳市福田区华强北街道福强社区振华路89号恒邦时代大厦1栋1514
MADR-009190-000100
MACOM
24+
32000
NA
百分百原装现货,价格优势,欢迎查询!
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电话:0755-83777708/83777607/82799993
联系人:朱咸华
地址:美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜
MADR-009190-000100
MACOM
25+23+
21500
NA
绝对全新原装现货!原装原标原包渠道优势!
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联系人:李先生
地址:深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室
MADR-009190-000100
MACOM
2407+
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电话:0755-83376489 83376282 83376549 83600718
联系人:销售部
地址:广东省深圳市深圳南山区科技园产学研楼706
MADR-009190-000100
M/A-COM专营微波射频
25+
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普通
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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
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22+
32570
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