MADR-009190-000100
四驱动程序的GaAs FET或PIN二极管
开关和衰减器
特点
高电压CMOS技术
四通道
正电压控制
采用TTL电平输入CMOS器件
低功耗
低成本的塑料SOIC -16封装
100 %雾锡电镀铜多
无卤素“绿色”模塑化合物
260℃回流焊
牧师V1
功能原理图
VCC
vopt的
逻辑C1
TTL缓冲器
电平转换器
输出A1
vopt的
DRIVER 1
VEE
逆变器
电平转换器
输出B1
描述
该MADR - 009190-000100是一个四通道驱动器
采用TTL控制输入转化为闸门控制
电压砷化镓场效应管微波开关和
衰减器。高速模拟CMOS技术
被用来实现低功耗的
中度到高的速度,包括最
微波开关应用。输出高电平
电平是任选0至+ 2.0V (相对于GND)至
优化FET控制互调产物
器件在低频率。用于驱动PIN二极管
电路中,输出之间的标称切换
+ 5V & -5V 。实际的驱动器的输出电压将
下驱动大电流时,由于电阻
tance的输出设备。
逻辑C2
相同
DRIVER 1
VEE
输出A2
输出B2
输出A3
逻辑C3
相同
DRIVER 1
输出B3
输出A4
逻辑C4
相同
DRIVER 1
输出B4
引脚配置
PIN号
1
功能
VEE
VCC
C4
C3
C2
C1
vopt的
地
PIN号
9
10
11
12
13
14
15
16
功能
输出A1
输出B1
输出A2
输出B2
输出A3
输出B3
输出A4
输出B4
订购信息
产品型号
MADR-009190-000100
MADR-009190-000DIE
MADR-009190-0001TR
1.
2.
1
2
包
散装包装
DIE
2
1000件卷轴
3
4
5
6
7
8
参考应用笔记M513的卷轴尺寸
信息。
模具销售额可在华夫格包中的100增量
件。
*对有害物质的限制,欧盟指令2002/95 / EC 。
1
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MADR-009190-000100
四驱动程序的GaAs FET或PIN二极管
开关和衰减器
保证工作范围(用于驱动FET或PIN设备)
3,4,7
符号
V
CC
V
EE
V
OPT 5,6
V
选择
- V
EE
V
CC
- V
EE
T
OPER
I
OH
I
OL
T
上升
, T
秋天
牧师V1
参数
正直流电源电压
负直流电源电压
可选直流输出电源电压
负电源电压范围
正到负电源电压范围
工作温度
直流输出电流 - 高
直流输出电流 - 低
最大输入信号上升和下降时间
单位
V
V
V
V
V
°C
mA
mA
ns
分钟。
4.5
-10.5
0
4.5
9.0
-40
-35
—
—
典型值。
5.0
-5.0
—
注5,6
10.0
+25
—
—
—
马克斯。
5.5
-4.5
V
CC
16.0
16.0
+85
—
35
500
3.不使用逻辑输入必须连接到GND或V
CC
.
4.所有电压都是相对于GND 。
5. V
选择
是建立在大多数情况下,当FET的驱动。以改善互调性能和1 dB压缩点
在低频,V砷化镓控制设备
选择
为1.0 2.0V ,可以提高到35。在GaAs的非线性特性
控制装置将在500 MHz的大致性能。应当指出的是,控制电流是在GaAs MMIC的意志
当阳性对照施加增加。
6.当这个驱动程序来驱动PIN二极管,V
选择
通常设置为+ 5.0V ,V字形
EE
设置为-5.0V 。
7. 0.01 uF的去耦电容所需的电源供应线。
办理程序
请遵循以下注意事项,以避免
伤害:
真值表
输入
Cn
An
V
EE
V
选择
输出
Bn
V
选择
V
EE
静电灵敏度
硅集成电路是对敏感
静电放电(ESD )而可能被损坏
通过静电。适当的ESD控制技术
处理这些设备时,应使用。
逻辑“0”的
逻辑“1”的
2
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MADR-009190-000100
四驱动程序的GaAs FET或PIN二极管
开关和衰减器
直流特性在保证工作范围
符号
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
IN
I
OH
I
OL
I
OH_SPIKE
牧师V1
参数
输入高电压
输入低电压
输出高电压
输出低电压
输入漏电流(每输入)
直流输出电流高
(每路输出)
直流输出电流,低
(每路输出)
高峰穗输出电流
(上升沿)
(每路输出)
高峰穗输出电流
(下降沿)
(每路输出)
静态电源电流
测试条件
保证高输入电压
保证低输入电压
I
OH
= -0.5毫安
I
OL
- 0.5毫安
V
IN
= V
CC
或GND ,V
EE
=分钟,
V
CC
=最大,V
选择
=最小值或最大值
V
CC
= 5.0V, V
EE
= -5.0V,
V
选择
= 5.0V
V
CC
= 5.0V, V
EE
= -5.0V,
V
选择
= 5.0V
V
CC
= 5.0V, V
EE
= -5.0V,
V
选择
= 5.0V ,C
L
= 25 pF的
V
CC
= 5.0V, V
EE
= -5.0V,
V
选择
= 5.0V ,C
L
= 25 pF的
V
IN
= V
CC
或GND ,V
EE
= -10.5V,
V
CC
= 5.5V, V
选择
= 5.5V,
无输出负载
V
CC
=最大,V
IN
= V
CC
-2.1V
V
IN
= V
CC
或GND ,V
EE
= -10.5V,
V
CC
= 5.5V, V
选择
= 5.5V,
无输出负载
V
IN
= V
CC
或GND ,V
EE
= -10.5V,
V
CC
= 5.5V, V
选择
= 5.5V,
无输出负载
V
CC
= 5.0V, V
EE
= -5.0V,
V
选择
= 5.0V, V
OUT
= -4.9V
+ 25 ° C,注8
V
CC
= 5.0V, V
EE
= -5.0V,
V
选择
= 5.0V, V
OUT
= 4.9V
+ 25 ° C,注8
单位
V
V
V
V
nA
mA
mA
mA
分钟。
2.0
—
V
选择
- 0.1
—
-250
-35
—
—
典型值。
—
—
—
—
—
—
—
35
马克斯。
—
0.8
—
V
EE
+ 0.1
250
—
35
—
I
OL_SPIKE
mA
—
50
—
I
CC
A
—
—
20
Δ
I
CC
I
EE
额外的电源电流
(每TTL输入引脚)
静态电源电流
mA
A
—
—
—
—
1.0
20
I
选择
静态电源电流
A
—
—
20
R
NFET
输出电阻NFET开
(以V
EE
)
输出电阻PFET开
(以V
选择
)
—
40
—
R
PFET
—
45
—
8.见的R剧情
NFET
和R
PFET
的变化随温度的驾驶4.99K和82欧姆的电阻性负载。 (注意,这对应于1
毫安和33 mA之间的电流在25℃ ) 。
3
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四驱动程序的GaAs FET或PIN二极管
开关和衰减器
AC特性在保证工作范围(驱动场效应管)
9
典型性能
符号
T
PLH
T
PHL
T
TLH
T
THL
T
SKEW
PRF (最大)
C
IN
C
PDC
C
PDE
9.
牧师V1
参数
传播延迟
传播延迟
输出转换时间(上升沿)
输出转换时间(下降沿)
延迟偏差
占空比为50%
输入电容
功率耗散电容
10
功率耗散电容
10
-40°C
20
20
5
4
2
DC
5
50
100
+85°C
22
22
5
5
2
—
5
50
100
+85°C
25
25
8
6
2
10
5
50
100
单位
ns
ns
ns
ns
ns
兆赫
pF
pF
pF
V
CC
= 4.5V, V
选择
- V
EE
=最小或最大值,V
选择
= 0V ,C
L
= 25 pF的输入LOGIC1 = 3V , LOGIC0 = 0V ,素养, TFALL = 6纳秒。
10.总功率耗散的计算由下列公式计算: PD = V
CC2
fC
PDC
+ V
EE2
fC
PDE
开关波形驱动场效应管
T
r
90%
输入的C
V
IN
1.3V
10%
T
PLH
OUTPUT B
T
TLH
90%
50%
10%
T
SKEW
90%
50%
10%
T
SKEW
产量
低
90%
1.3V
10%
T
PHL
T
THL
产量
高
逻辑0
输出电阻与温度的关系
11
120.0
T
f
逻辑1
PFET与82Ω负载
电阻(欧姆)
100.0
80.0
60.0
40.0
20.0
-55.0
NFET与82Ω负载
PFET与4.99K负荷
V
OUT
OUTPUT A
NFET与4.99K负荷
-25.0
5.0
35.0
温度(℃)
65.0
95.0
125.0
11.输出电阻被的条件下测定
V
CC
= 5.0V, V
选择
= 5.0V和V
EE
= -5.0V ,负载电阻
从输出器接地。
4
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四驱动程序的GaAs FET或PIN二极管
开关和衰减器
AC特性在保证工作范围(驱动PIN二极管)
12
典型性能
符号
T
PLH
T
PHL
T
TLH1
T
TLH2
T
THL
T
SKEW
PRF (最大)
C
IN
C
PDC
C
PDE
C
PDO
牧师V1
参数
传播延迟
传播延迟
输出转换时间(上升沿)
输出Setttling时(上升沿)
输出转换时间(下降沿)
延迟偏差
占空比为50%
输入电容
功率耗散电容
13
功率耗散电容
13
功率耗散电容
13
-40°C
20
20
5
2
4
2.5
DC
5
45
180
135
+85°C
22
22
5
5
4
2.5
—
5
45
180
135
+85°C
25
25
8
6
5
2.5
10
5
45
180
135
单位
ns
ns
ns
s
ns
ns
兆赫
pF
pF
pF
pF
12. V
CC
= 5.0V, V
EE
= -5V, V
选择
= 5.0V ,C
L
= 25 pF的输入逻辑“1” = 3V ,逻辑“0” = 0V ,素养, TFALL = 6纳秒
13.总功率耗散的计算由下列公式计算: PD = V
CC2
fC
PDC
+ V
EE2
fC
PDE
+ V
OPT2
fC
PDO
开关波形 - 主动销
14
T
r
90%
输入的C
V
IN
1.3V
10%
T
PLH
OUTPUT B
T
TLH2
T
TLH1
V
OH1
V
OH_Final
开关波形驱动35毫安
负载25 pF负载电容
90 %的V
OL
到V
OH_Final
90 %的V
OL
到V
OH1
50%
V
OUT
OUTPUT A
10%
V
OL
T
SKEW
驱动大电流时14这种影响只是表面的,只发生在上升沿。在“典型应用电路图
一个单刀双掷开关“注意,分流二极管的上升沿导。上会有隔离随时间略有影响,但在插入
不应该受到影响的损失。
5
高级:
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北美
电话: 800.366.2266
欧洲
联系电话: +353.21.244.6400
正在考虑发展。性能是基于目标的规格,仿真结果,
印度
联系电话: +91.80.4155721
中国
联系电话: +86.21.2407.1588
和/或原型的测量。致力于发展无法得到保证。
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初步:
数据表包含有关产品M / A- COM技术信息
解决方案正在开发。性能是基于工程测试。规格
典型的。机械轮廓已定。工程样品和/或测试数据可以是可用的。
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