铝镓砷倒装芯片PIN二极管
100MHz至50GHz的
特点
MA4AGFCP910
修订版2.0
顶视图中显示的是二极管结最多
阴极
更低的串联电阻5.2Ω
超低电容， 18器f F
高开关截止频率50GHz的
3纳秒的开关速度
推动了标准的TTL
氮化硅钝化
聚酰亚胺划伤保护
描述
M / A - COM的MA4AGFCP910是铝
砷化镓倒装芯片PIN二极管。这些
器件被制造在OMCVD外延
使用过程中的晶片设计用于高设备
均匀性和极低的寄生效应。该
二极管具有极低的RC产品，
（0.1 ps的）和3ns的开关特性。
它们与氮化硅充分钝化和
有划痕的聚合物的附加层
保护。该保护涂层防止
损伤到接线和阳极登机桥
在处理。
包装外形
电气连接特定的阳离子在T
A
= 25
°
C
参数和测试条件
符号
单位
1兆赫& DC
特定网络阳离子
民
总电容为-5 V
RF电阻在10毫安
在正向电压10毫安
反向击穿电压为10微安
3
少数载流子寿命
Ct
Rs
Vf
Vb
pF
伏
伏
nS
50
1.33
75
4.0
1.4
典型值。
0.018
最大
0.021
10 GHz的参考
1,2
数据
民
典型值。
0.018
5.2
马克斯。
.021
6.0
τ
L
注意事项：
1.
电容是通过测量单系列二极管隔离在一个50欧姆的线路在10 GHz的决定。
2.正向串联电阻，通过测量单系列二极管插入损耗在50欧姆线10 GHz的决定。
在最大额定电压3.反向电流不会超过10微安。
规格如有变更，恕不另行通知
M / A- COM公司
43南大街，伯灵顿， MA 01803 USA
电话： 617-564-3100
1
铝镓砷倒装芯片PIN二极管
应用
MA4AGFCP910
修订版2.0
该MA4AGFCP910的20 fF的电容可以通过毫米波开关的使用和切换移相器
应用程序。这种二极管被设计为在脉冲或连续波的应用，其中单一的数字纳秒开关速度是使用
所需。对于表面贴装的MA4AGFCP910的低电容使得它非常适合在微波炉使用
multithrow开关组件，其中每个“关”的端口的串联电容不利地加载输入端口，并影响
VSWR 。
绝对最大额定值@ 25°C
参数
工作温度
储存温度
结温
耗散RF &直流电源
RF C.W.入射功率
安装温度
最大额定值
-65
°C
+125
°C
-65
°C
+150
°C
+175
°C
50毫瓦
+23 dBm的C.W.
+300
°C
10秒
记
：超过这些限制可能造成永久性损坏。
设备的安装步骤
以下指导原则应该遵守，以避免损坏砷化镓倒装芯片。
清洁度
这些装置应在干净的环境中进行处理。
不要试图安装后清理模具。
静电灵敏度
砷化镓PIN二极管的ESD敏感，会因静电而损坏。适当的ESD技术，应该使用
当处理这些设备。这些器件的额定0级， （ 0-199V ）每HBM MIL -STD- 883 ，方法3015.7
〔C = 100pF的± 10％时， R = 1.5kW的±1％ 。尽管测试裸片通50V ESD，他们必须在无静电的环境下操作。
一般处理
这些设备有一个聚合物层，该层为结面积和阳极空气桥提供划伤保护。模具可
用塑料镊子处理或拿起，放在同一个＃ 27尖端的真空铅笔。
使用导电银环氧树脂和焊接装配要求
这些芯片被设计成插在与接线端向下硬或软的基质。他们应该被安装在silk-
使用导电银环氧树脂，在厚度约为1-2密耳，并在约90℃下固化，以筛选出电路
150
°C
每个制造商的时间表。对于延长固化时间> 30分钟后，温度必须低于200
°C.
富Sn焊料不会由于钨金属化下的金色触点方案建议。 Indalloy或
80金/ 20锡焊料是可以接受的。最大焊接温度必须是< 300
°C
为< 10秒。
规格如有变更，恕不另行通知
M / A- COM公司
43南大街，伯灵顿， MA 01803 USA
电话： 617-564-3100
5
QQ：2880707522 复制
