MAC997系列
首选设备
敏感的双向可控硅门
硅双向晶闸管
专为固态继电器, MPU接口, TTL逻辑和使用
其它轻工或消费类应用。提供中
廉价的TO-92封装是容易适用于在使用中
自动插入设备。
单件注塑成型包装
阻断电压为600伏
敏感的闸门四种触发方式(象限)触发所有
触发源的可能的组合,并且特别是对于电路
该源栅极驱动
所有的扩散和Glassivated结对的最大的一致性
参数和可靠性
增强抗噪声能力( dv / dt的20 V /微秒在110 ° C最小)
整流的di / dt为1.6安培/毫秒,在110 ℃下
的8安培高浪涌电流
器件标识:设备类型,例如,对于MAC997A6 : MAC7A6 ,日期
CODE
http://onsemi.com
双向可控硅
0.8安培RMS
400通600伏
MT2
G
MT1
w
这些器件采用无铅封装( S)提供。本文规格
适用于标准和无铅器件。请参阅我们的网站:
www.onsemi.com特定无铅订购的部件编号,或
请联系您当地的安森美半导体销售办事处或代表处。
1
单位
伏
等级
重复峰值断态电压
(T
J
=
40
到+ 110℃)
(1)
正弦波50到60赫兹,门打开
MAC997A6,B6
MAC997A8,B8
开启状态RMS电流
完整周期的正弦波50到60赫兹
(T
C
= +50°C)
峰值不重复浪涌电流
一个完整周期,正弦波60赫兹
(T
C
= 110°C)
电路熔断思考( T = 8.3毫秒)
峰值栅极电压
(t
v
2.0
女士,
T
C
= +80°C)
峰值功率门
(t
v
2.0
女士,
T
C
= +80°C)
平均功耗门
(T
C
= 80 ° C,T
v
8.3毫秒)
栅极峰值电流
(t
v
2.0
女士,
T
C
= +80°C)
工作结温范围
存储温度范围
符号
V
DRM ,
V
RRM
400
600
I
T( RMS )
0.8
AMP
1
2
I
TSM
8.0
安培
3
价值
2
3
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
TO-92 (TO- 226AA )
CASE 029
12风格
引脚分配
主终端1
门
主终端2
I
2
t
V
GM
P
GM
P
G( AV )
I
GM
T
J
T
英镑
.26
5.0
5.0
0.1
1.0
40
to
+110
40
to
+150
A
2
s
伏
瓦
瓦
AMP
°C
°C
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第8页。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司, 2006年
三月, 2006-第3版
1
出版订单号:
MAC997/D
MAC997系列
(1) V
DRM
和V
RRM
对于所有类型的可以在一个连续的基础上被应用。闭塞
电压不得与恒定电流源,使得测试
该器件的额定电压都超标。
热特性
特征
热阻,结到外壳
热阻,结到环境
最大的铅焊接温度的目的,持续10秒
符号
R
θJC
R
θJA
T
L
最大
75
200
260
单位
° C / W
° C / W
°C
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明; ELECTRICALS应用在两个方向上)
特征
符号
民
典型值
最大
单位
开关特性
重复峰值阻断电流
(V
D
=额定V
DRM
, V
RRM
;门打开)
T
J
= 25°C
T
J
= +110°C
I
DRM
, I
RRM
—
—
—
—
10
100
μA
μA
基本特征
峰值通态电压
(I
TM
=
".85
A峰值;脉冲宽度
v
2.0毫秒,占空比
v
2.0%)
门极触发电流(连续直流)
(V
D
= 12伏,R
L
= 100欧姆)
MT2 ( + )中,G (+)
MAC997A6,A8
MT2 ( + )中,G ( - )
MT2 ( - )中,G ( - )
MT2 ( - )中,G (+)
MT2 ( + )中,G (+)
MT2 ( + )中,G ( - )
MT2 ( - )中,G ( - )
MT2 ( - )中,G (+)
MAC997B6,B8
V
TM
I
GT
—
—
—
—
—
—
—
—
I
L
—
—
—
—
—
—
—
—
5.0
5.0
5.0
7.0
3.0
3.0
3.0
5.0
mA
—
—
—
—
1.6
10.5
1.5
2.5
15
20
15
15
伏
—
—
—
—
V
GD
0.1
.66
.77
.84
.88
—
2.0
2.0
2.0
2.5
—
伏
—
—
1.9
伏
mA
擎住电流(V
D
= 12 V,I
G
= 10 mA)的
MT2 ( + )中,G (+),所有类型
MT2 ( + )中,G ( - )的所有类型
MT2 ( - )中,G ( - )的所有类型
MT2 ( - )中,G (+),所有类型
门极触发电压(连续直流)
(V
D
= 12伏,R
L
= 100欧姆)
MT2 ( + )中,G (+),所有类型
MT2 ( + )中,G ( - )的所有类型
MT2 ( - )中,G ( - )的所有类型
MT2 ( - )中,G (+),所有类型
GATE非触发电压
(V
D
= 12 V ,R
L
= 100欧姆,T
J
= 110°C)
所有四个象限
保持电流
(V
D
= 12 VDC,起爆电流为200 mA时,门打开)
开启时间
(V
D
=额定V
DRM
, I
TM
= 1.0的PK ,我
G
= 25 mA)的
V
GT
I
H
t
gt
—
—
1.5
2.0
10
—
mA
μs
动态特性
变化率换向电流的
(V
D
= 400 V,I
TM
= 0.84 A,换向dv / dt的= 1.5 V / μs的,门打开,
T
J
= 110℃中,f = 250Hz的,具有缓冲)
断态电压临界上升率
(V
D
=额定V
DRM
,指数波形,门打开,T
J
= 110°C)
通态电流上升的重复率的关键
脉冲宽度= 20
μs,
IPKmax = 15 A, DIG / DT = 1 A / μs的, F = 60赫兹
的di / dt (三)
1.6
—
—
A / MS
dv / dt的
的di / dt
20
—
60
—
—
10
V / μs的
A / μs的
http://onsemi.com
2
MAC997系列
双向晶闸管电压电流特性
(双向设备)
+电流
1象限
MainTerminal 2 +
符号
V
DRM
I
DRM
V
RRM
I
RRM
V
TM
I
H
参数
重复峰值正向关闭状态电压
峰值正向阻断电流
反向重复峰值断态电压
峰值反向电流阻断
最大通态电压
保持电流
象限3
MainTerminal 2
I
H
V
TM
I
RRM
在V
RRM
在国家
I
H
V
TM
关国
+电压
I
DRM
在V
DRM
象限定义的三端双向可控硅
MT2正
(正半周)
+
(+), MT2
(+), MT2
第二象限
() I
GT
门
MT1
REF
(+) I
GT
门
MT1
REF
我象限
I
GT
( - ) MT2
( - ) MT2
+ I
GT
第三象限
() I
GT
门
MT1
REF
(+) I
GT
门
MT1
REF
MT2负
(负半周)
第四象限
所有极性引用给MT1 。
与同相的信号(使用标准的AC线)象限I和III被使用。
http://onsemi.com
3
MAC997系列
敏感的双向可控硅门
硅双向晶闸管
专为固态继电器, MPU接口, TTL逻辑和使用
其它轻工或消费类应用。提供中
廉价的TO-92封装是容易适用于在使用中
自动插入设备。
单件注塑成型包装
阻断电压为600伏
敏感的闸门四种触发方式(象限)触发所有
触发源的可能的组合,并且特别是对于电路
该源栅极驱动
所有的扩散和Glassivated结对的最大的一致性
参数和可靠性
增强抗噪声能力( dv / dt的20 V /微秒在110 ° C最小)
整流的di / dt为1.6安培/毫秒,在110 ℃下
的8安培高浪涌电流
器件标识:设备类型,例如,对于MAC997A6 : MAC7A6 ,日期
CODE
最大额定值
( TJ = 25° C除非另有说明)
等级
重复峰值断态电压
( TJ = -40至+ 110 ° C) ( 1 )
正弦波50到60赫兹,门打开
MAC997A6,B6
MAC997A8,B8
开启状态RMS电流
完整周期的正弦波50到60赫兹
( TC = + 50 ° C)
峰值不重复浪涌电流
一个完整周期,正弦波60赫兹
(TC = 110℃)
电路熔断思考( T = 8.3毫秒)
峰值栅极电压
(t
2.0
m
S, TC = + 80 ° C)
符号
VDRM ,
VRRM
400
600
IT ( RMS )
0.8
AMP
价值
单位
伏
1
2
3
首选设备
http://onsemi.com
双向可控硅
0.8安培RMS
400通600伏
MT2
G
MT1
TO-92 (TO- 226AA )
CASE 029
12风格
引脚分配
ITSM
8.0
安培
1
2
I2t
VGM
PGM
PG (AV)
IGM
TJ
TSTG
.26
5.0
5.0
0.1
1.0
-40
+110
-40
+150
A2s
伏
3
主终端1
门
主终端2
v
v
v
订购信息
瓦
瓦
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第8页。
峰值功率门
(t
2.0
m
S, TC = + 80 ° C)
平均功耗门
( TC = 80 ° C,T
8.3毫秒)
v
栅极峰值电流
(t
2.0
m
S, TC = + 80 ° C)
工作结温范围
存储温度范围
AMP
°C
°C
(1)在VDRM和VRRM所有类型可以在一个连续的基础上被应用。闭塞
电压不得与恒定电流源,使得测试
该器件的额定电压都超标。
半导体元件工业有限责任公司, 2000
1
2000年5月 - 第2版
出版订单号:
MAC997/D
MAC997系列
热特性
特征
热阻,结到外壳
热阻,结到环境
最大的铅焊接温度的目的,持续10秒
符号
R
θJC
R
θJA
TL
最大
75
200
260
单位
° C / W
° C / W
°C
电气特性
( TC = 25 ° C除非另有说明; ELECTRICALS适用于两个方向)
特征
符号
民
典型值
最大
单位
开关特性
重复峰值阻断电流
( VD =额定VDRM , VRRM ;门开)
IDRM , IRRM
TJ = 25°C
TJ = + 110℃
—
—
—
—
10
100
A
A
基本特征
峰值通态电压
( ITM = 0.85 A峰值,脉宽
& QUOT ;
v
2.0毫秒,占空比
v
2.0%)
VTM
IGT
—
—
1.9
伏
mA
门极触发电流(连续直流)
( VD = 12 VDC, RL = 100欧姆)
MT2 ( + )中,G (+)
MAC997A6,A8
MT2 ( + )中,G ( - )
MT2 ( - )中,G ( - )
MT2 ( - )中,G (+)
MT2 ( + )中,G (+)
MT2 ( + )中,G ( - )
MT2 ( - )中,G ( - )
MT2 ( - )中,G (+)
MAC997B6,B8
—
—
—
—
—
—
—
—
IL
—
—
—
—
VGT
—
—
—
—
VGD
0.1
—
—
—
—
—
—
—
—
5.0
5.0
5.0
7.0
3.0
3.0
3.0
5.0
mA
擎住电流( VD = 12V, IG = 10 mA)的
MT2 ( + )中,G (+),所有类型
MT2 ( + )中,G ( - )的所有类型
MT2 ( - )中,G ( - )的所有类型
MT2 ( - )中,G (+),所有类型
门极触发电压(连续直流)
( VD = 12 VDC, RL = 100欧姆)
MT2 ( + )中,G (+),所有类型
MT2 ( + )中,G ( - )的所有类型
MT2 ( - )中,G ( - )的所有类型
MT2 ( - )中,G (+),所有类型
GATE非触发电压
( VD = 12V, RL = 100欧姆, TJ = 110 ° C)
所有四个象限
保持电流
( VD = 12伏,启动电流为200 mA时,门打开)
开启时间
( VD =额定VDRM , ITM = 1.0的PK , IG = 25 mA)的
1.6
10.5
1.5
2.5
15
20
15
15
伏
.66
.77
.84
.88
—
2.0
2.0
2.0
2.5
—
伏
IH
TGT
—
—
1.5
2.0
10
—
mA
s
动态特性
变化率换向电流的
( VD = 400 V , ITM = 0.84 A,换向dv / dt的= 1.5 V / μs的,门打开,
TJ = 110 ° C,F = 250赫兹,与缓冲)
断态电压临界上升率
( VD =额定VDRM ,指数波形,门打开, TJ = 110 ° C)
通态电流上升的重复率的关键
脉冲宽度= 20
s,
IPKmax = 15 A, DIG / DT = 1 A / μs的, F = 60赫兹
的di / dt (三)
1.6
—
—
A / MS
dv / dt的
的di / dt
20
—
60
—
—
10
V / μs的
A / μs的
http://onsemi.com
2
MAC997系列
双向晶闸管电压电流特性
(双向设备)
+电流
1象限
MainTerminal 2 +
符号
VDRM
IDRM
VRRM
IRRM
VTM
IH
参数
重复峰值正向关闭状态电压
峰值正向阻断电流
反向重复峰值断态电压
峰值反向电流阻断
最大通态电压
保持电流
IH
象限3
VTM
MainTerminal 2 -
IRRM在VRRM
在国家
VTM
IH
关国
+电压
IDRM在VDRM
象限定义的三端双向可控硅
MT2正
(正半周)
+
(+), MT2
(+), MT2
第二象限
( - )的IGT
门
MT1
REF
(+), IGT
门
MT1
REF
我象限
IGT -
( - ) MT2
( - ) MT2
+ IGT
第三象限
( - )的IGT
门
MT1
REF
(+), IGT
门
MT1
REF
第四象限
–
MT2负
(负半周)
所有极性引用给MT1 。
与同相的信号(使用标准的AC线)象限I和III被使用。
http://onsemi.com
3