MAC8SD ， MAC8SM ， MAC8SN
首选设备
敏感的双向可控硅门
硅双向晶闸管
专为工业和消费类应用的全波
交流负载，如家电控制，加热器控制，马达控制
控件和其他电源转换应用。
特点
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敏感栅允许由微控制器和其他触发
逻辑电路
统一的门极触发电流在三个象限; Q1 ， Q2和Q3
高抗dv / dt的 - 25 V / ms最小在110℃
整流高的di / dt - 8.0 A / ms最小在110℃
我最大值
GT
, V
GT
我
H
指定易于设计
通态电流额定值的8安培RMS在70℃
高浪涌电流能力 - 70安培
阻断电压为800伏特
坚固耐用，经济TO- 220AB封装
无铅包可用*
1
单位
V
400
600
800
I
T（ RMS ）
I
TSM
8.0
70
A
A
1
I
2
t
P
GM
P
G（ AV ）
T
J
T
英镑
20
16
0.35
-40到+110
-40到+150
A
2
美国证券交易委员会
W
W
°C
°C
2
3
4
双向可控硅
8 RMS安培
400通800伏
MT2
G
MT1
记号
图
MAC8SxG
AYWW
2
TO220AB
CASE 221A -09
方式4
x
A
Y
WW
G
= D，M或N
=大会地点
=年
=工作周
= Pb-Free包装
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
等级
重复峰值断态电压（注1 ）
(T
J
= -40 110℃ ，
正弦波， 50到60赫兹，门打开）
MAC8SD
MAC8SM
MAC8SN
开启状态RMS电流
（完整周期的正弦波， 60赫兹，T
C
= 70°C)
峰值不重复浪涌电流
（一个完整周期的正弦波， 60赫兹，
T
J
= 110°C)
电路熔断思考
（T = 8.3毫秒）
符号
V
DRM ，
V
RRM
价值
3
引脚分配
主终端1
主终端2
门
主终端2
峰值功率门
（脉冲宽度
≤
1.0
女士，
T
C
= 70°C)
平均功耗门
（T = 8.3毫秒，T
C
= 70°C)
工作结温范围
存储温度范围
订购信息
设备
MAC8SD
MAC8SDG
MAC8SM
MAC8SMG
MAC8SN
MAC8SNG
包
TO220AB
TO220AB
（无铅）
TO220AB
TO220AB
（无铅）
TO220AB
TO220AB
（无铅）
航运
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
1. V
DRM
和V
RRM
对于所有类型的可以在一个连续的基础上被应用。闭塞
电压不得与恒定电流源，使得测试
该器件的额定电压都超标。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
1
2005年12月 - 修订版5
出版订单号：
MAC8S/D
MAC8SD ， MAC8SM ， MAC8SN
热特性
特征
热阻，
结到外壳
结到环境
符号
R
QJC
R
qJA
T
L
价值
2.2
62.5
260
单位
° C / W
°C
最大的铅焊接温度的目的1/8“案件从10秒
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明; ELECTRICALS应用在两个方向上）
特征
开关特性
重复峰值阻断电流
(V
D
=额定V
DRM
, V
RRM
;门打开）
基本特征
峰值通态电压（注） （我
TM
=
11A)
门极触发电流（连续直流） （V
D
= 12 V ，R
L
= 100
W)
MT2 （ + ）中，G （+）
MT2 （ + ）中，G （ - ）
MT2 （ - ）中，G （ - ）
保持电流（V
D
= 12V ，门打开，启动电流=
150mA)
擎住电流（V
D
= 24V ，我
G
= 5毫安）
MT2 （ + ）中，G （+）
MT2 （ - ）中，G （ - ）
MT2 （ + ）中，G （ - ）
门极触发电压（连续DC ） （V
D
= 12 V ，R
L
= 100W)
MT2 （ + ）中，G （+）
MT2 （ + ）中，G （ - ）
MT2 （ - ）中，G （ - ）
动态特性
变化率换向电流的
V
D
= 400 V，I
TM
= 3.5 A，换向dv / dt的= 10 V
米/秒，
门打开，T
J
= 110 ° C，F = 500赫兹，缓冲：C
S
= 0.01
MF，
R
S
=15
W,
参见图16 ）
断态电压临界上升率
(V
D
=速度V
DRM
，指数波形，R
GK
= 510
W,
T
J
= 110°C)
2.指示脉冲测试：脉冲宽度
≤
2.0毫秒，占空比
≤
2%.
的di / dt
(c)
8.0
10
A / MS
V
TM
I
GT
I
H
I
L
V
GT
0.45
0.45
0.45
0.62
0.60
0.65
1.5
1.5
1.5
5.0
10
5.0
15
20
15
V
2.0
3.0
3.0
3.0
5.0
5.0
5.0
10
mA
mA
1.85
V
mA
T
J
= 25°C
T
J
= 110°C
I
DRM
,
I
RRM
mA
0.01
2.0
符号
民
典型值
最大
单位
dv / dt的
25
75
V / ms的
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2
MAC8SD ， MAC8SM ， MAC8SN
双向晶闸管电压电流特性
（双向设备）
+电流
1象限
MainTerminal 2 +
符号
V
DRM
I
DRM
V
RRM
I
RRM
V
TM
I
H
参数
重复峰值正向关闭状态电压
峰值正向阻断电流
反向重复峰值断态电压
峰值反向电流阻断
最大通态电压
保持电流
象限3
MainTerminal 2 -
I
H
V
TM
I
RRM
在V
RRM
在国家
I
H
V
TM
关国
+电压
I
DRM
在V
DRM
象限定义的三端双向可控硅
MT2正
（正半周）
+
（+）， MT2
（+）， MT2
第二象限
() I
GT
门
MT1
REF
(+) I
GT
门
MT1
REF
我象限
I
GT
（ - ） MT2
（ - ） MT2
+ I
GT
第三象限
() I
GT
门
MT1
REF
(+) I
GT
门
MT1
REF
第四象限
MT2负
（负半周）
所有极性引用给MT1 。
与同相的信号（使用标准的AC线）象限I和III被使用。
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3
MAC8SD ， MAC8SM ， MAC8SN
P（ AV ） ，平均功耗（瓦）
T C ，最大允许外壳温度（ ° C）
110
25
a
a
100
a
= 30和60°
90
a
a
20
180°
120°
DC
a
=导通角
15
60°
90°
80
10
a
= 30°
5
a
=导通角
70
90°
180°
DC
60
0
2
4
6
8
10
I
T（ RMS ）
， RMS通态电流（ AMPS ）
12
0
0
2
4
6
8
10
I
T（ RMS ）
， RMS通态电流（ AMPS ）
12
图1. RMS电流降额
图2.最大通态功耗
R（ T） ，瞬态热阻（标准化）
I T ， INSTANTANOUS通态电流（ AMPS ）
100
典型@ T
J
= 25°C
最大@
T
J
= 110°C
10
1
Z
QJC （T ）
= R
QJC （T ）
R（ t）的
0.1
1
最大@
T
J
= 25°C
0.1
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
5.5
V
T
，瞬时导通电压（伏）
6
0.01
0.1
1
10
100
吨，时间（ ms）的
1000
1@
4
10
图3.通态特性
图4.瞬态热响应
10
I H ，保持电流（毫安）
I L ，擎住电流（毫安）
25
8
20
6
MT2负
4
MT2正
2
15
10
Q3
5
Q1
0
40 25
10
5
20
35
50
65
80
T
J
，结温（ ° C）
95
110
0
40 25
10
5
20
35
50
65
T
J
，结温（ ° C）
80
95
110
图5.典型的保持电流对战
结温
图6.典型的闭锁电流对
结温
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4
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