摩托罗拉
半导体技术资料
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通过MAC6071 / D
超前信息
敏感的双向可控硅门
硅双向晶闸管
。 。 。主要为全波交流控制应用中，如调光器的设计，
马达控制，加热控制和电源;或是其他地方，全波硅
需要栅极控制的固态器件。三端双向可控硅晶闸管型从切换
堵为导通状态用于施加阳极电压与正的任一极性
或负门极触发。
敏感的触发门（A和B版本）兼容的独特的直接
耦合TTL ， HTL ， CMOS和运算放大器集成电路逻辑
功能
门极触发4模式 - MAC6071A ， B， MAC6073A ， B， MAC6075A ，B
阻断电压为600伏
所有的扩散和玻璃钝化结大中华区参数均匀性
和稳定性
体积小，坚固耐用， Thermopad建设实现低热阻，高耐热
散热和耐用性
MAC6071A,B
*
MAC6073A,B
*
MAC6075A,B
*
*摩托罗拉的首选设备
双向可控硅
4安培RMS
200通600伏
MT1
MT2
G
MT2
G
MT1 MT2
CASE 77-08
(TO-225AA)
风格5
最大额定值
（ TJ = 25° C除非另有说明）
等级
重复峰值断态电压（ 1 ）
（门打开， TJ = 25 110 ° C）
MAC6071A,B
MAC6073A,B
MAC6075A,B
IT （ RMS ）
ITSM
I2t
PGM
PG （AV）
VGM
TJ
TSTG
—
符号
VDRM
200
400
600
4
30
3.7
10
0.5
5
-40到+110
-40到+150
8
安培
安培
A2s
瓦
瓦
伏
°C
°C
英寸磅。
价值
单位
伏
通态电流有效值（ TC = 85°C ）
峰值浪涌电流（一个完整周期， 60赫兹， TJ = -40至+ 110 ° C）
电路熔断思考（ T = 8.3毫秒）
峰值功率门
平均功耗门
峰值栅极电压
工作结温范围
存储温度范围
安装扭矩（ 6-32螺钉） （ 2 ）
1. VDRM所有类型可以在一个连续的基础上被应用。阻断电压不得与恒定电流源，使得测试
该器件的额定电压都超标。
2.额定扭矩适用与使用压缩垫圈（ B52200F006 ）的。安装扭矩超过6英寸英镑不会明显降低
外壳到散热器的热阻。主终端2和散热片接触垫是常见的。
用于焊接的目的（无论是终端的连接或设备安装） ，焊接温度不得超过+ 200 ° C，持续10秒。
铅弯曲选项向厂家咨询。
本文件包含的新产品信息。在此说明和信息，如有变更，恕不另行通知。
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
摩托罗拉晶闸管设备数据
摩托罗拉公司1996年
1
MAC6071A ，B MAC6073A ，B MAC6075A ，B
热特性
特征
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
符号
R
θJC
R
θJA
最大
3.5
75
单位
° C / W
° C / W
电气特性
（ TC = 25° C除非另有说明）
特征
峰值电流阻断
（ VD =额定VDRM ，门打开）
导通电压（任意方向）
（ ITM = 6达到高峰）
峰值门极触发电压（连续直流）
（ TJ = -40°C ） （主端电压= 12 VDC， RL = 100欧姆）
MT2 （ + ）中，G （+） ; MT2 （ - ）中，G （ - ）
MT2 （ + ）中，G （ - ） ; MT2 （ - ）中，G （+）
（ TJ = 110 ° C）
MT2 （ + ）中，G （+） ; MT2 （ - ）中，G （ - ）
MT2 （ + ）中，G （ - ） ; MT2 （ - ）中，G （+）
（ TJ = 25 ° C）
MT2 （ + ）中，G （+） ; MT2 （ - ）中，G （ - ）
MT2 （ + ）中，G （ - ） ; MT2 （ - ）中，G （+）
保持电流（任意方向）
（ TJ = -40°C ） （主端电压= 12 VDC，门打开）
（启动电流= 150 mA）的
（ TJ = 25 ° C）
闭锁电流
MT2 （ + ）中，G （+）
MT2 （ + ）中，G （ - ）
MT2 （ - ）中，G （ - ）
MT2 （ - ）中，G （+）
（ VD = 6 V）
（ IG = 8毫安）
（ IG = 8毫安）
（ IG = 8毫安）
（ IG = 15 mA）的
TJ = 25°C
（ TJ = 25 ° C）
（ TJ = 110 ° C）
VTM
VGT
0.5
0.5
0.2
0.2
0.4
0.4
IH
0.4
0.2
IL
—
—
—
—
IGT
2.0
5.0
1.0
2.0
10
20
10
10
mA
2.0
1.0
10
5.0
mA
0.8
0.8
0.4
0.4
0.7
0.7
1.9
1.9
0.9
0.9
1.4
1.4
mA
符号
IDRM
—
—
—
—
—
1.3
10
2.0
2.0
民
典型值
最大
单位
A
mA
伏
伏
门极触发电流（连续直流）
（ VD = 12 VDC， RL = 100欧姆）
MAC6071A ， MAC6073A ， MAC6075A
MT2 （ + ）中，G （+）
TJ = 25°C
MT2 （ + ）中，G （ - ）
MT2 （ - ）中，G （ - ）
MT2 （ - ）中，G （+）
MT2 （ + ）中，G （+）
MT2 （ + ）中，G （ - ）
MT2 （ - ）中，G （ - ）
MT2 （ - ）中，G （+）
TJ = -40°C
0.4
0.4
0.4
0.8
0.8
0.8
0.8
1.6
2.0
3.0
3.0
4.5
3.5
4.5
5.0
10
5.0
5.0
5.0
10
10
10
10
20
2
摩托罗拉晶闸管设备数据
MAC6071A ，B MAC6073A ，B MAC6075A ，B
电气特性
（ TC = 25° C除非另有说明）
特征
门极触发电流（连续直流）
（ VD = 12 VDC， RL = 100欧姆）
MAC6071B ， MAC6073B ， MAC6075B
MT2 （ + ）中，G （+）
TJ = 25°C
MT2 （ + ）中，G （ - ）
MT2 （ - ）中，G （ - ）
MT2 （ - ）中，G （+）
MT2 （ + ）中，G （+）
MT2 （ + ）中，G （ - ）
MT2 （ - ）中，G （ - ）
MT2 （ - ）中，G （+）
导通时间（任意方向）
（ ITM = 14 ADC ， IGT = 100 MADC ）
TJ = -40°C
符号
IGT
民
典型值
最大
单位
mA
0.4
0.4
0.4
0.8
0.8
0.8
0.8
1.6
TGT
—
1.5
2.5
2.5
3.5
3.0
4.0
4.5
7.5
1.5
3.0
3.0
3.0
5.0
8.0
8.0
8.0
15
—
s
动态特性
特征
断态电压临界上升率
（ VD = 200 V， ITM = 1.4 A，换向dv / dt的= 0.5 V
m
/秒
门打开， TJ = 110 ° C，F = 250赫兹，缓冲： CS = 0.1
m
男， RS = 56
W
,
参见图16）
断态电压临界上升率
（ VD = VDRM率，指数波形， RGK = OPEN ， TJ = 110 ° C）
符号
（ di / dt的）C
—
2.2
—
民
典型值
最大
单位
A / MS
dv / dt的
—
7.0
—
V/
m
s
示例应用程序：
TTL -敏感GATE 4安培TRIAC
触发模式II及III
0V
14
MC7400
4
7
VEE = 5.0 V
+
2N6071A
负载
115伏交流
60赫兹
-VEE
510
象限定义
MT2(+)
第二象限
我象限
MT2 （ + ）中，G （ - ）
MT2 （ + ）中，G （+）
G(–)
第三象限
第四象限
G(+)
MT2 （ - ）中，G （ - ）
MT2(–)
MT2 （ - ）中，G （+）
注：详细的数字接口技术和硅双向开关（ SBS ）触发应用程序的信息，请参阅
摩托罗拉的晶闸管数据手册（ DL137 / D ，修订6 ） 。
1.接口连接数字电路可控硅控制交流负载， 1.6-25页。
2.硅双侧开关（ SBS）的应用， 1.6-41页。
摩托罗拉晶闸管设备数据
3
MAC6071A ，B MAC6073A ，B MAC6075A ，B
TC ，最大允许外壳温度（
°
C)
平均功率P（ AV）耗散（瓦）
110
7.0
6.0
5.0
4.0
60°
3.0
2.0
1.0
0
α
α
=导通角
α
DC
180°
120°
90°
105
100
T
= 30°
α
α
α
=导通角
60°
90°
120°
95
T
= 30°
90
180°
DC
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
85
0
0.5
1.0
1.5
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
IT （ RMS ） ， RMS通态电流（安培）
IT （ RMS ） ， RMS通态电流（安培）
图1. RMS电流降额
图2.最大通态功耗
耗散
Z
q
JC （T ）
°
C / W瞬态热阻
10
IT，瞬时通态电流（ AMPS ）
100
典型@ TJ = 25°C
10
最大@ TJ = 110℃
最大
1.0
1.0
0.1
最大@ TJ = 25°C
0.01
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
0.1
0.1
1.0
10
100
1
S
103
1
S
104
VT ，瞬时导通电压（伏）
吨，时间（ ms）的
图3.通态特性
图4.瞬态热响应
2.5
9.0
8.0
IH ，保持电流（毫安）
IL ，擎住电流（毫安）
2.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
Q4 IG = 15毫安
Q2 IG = 8毫安
1.5
MT2负
1.0
MT2正
0.5
2.0 Q1 IG = 8毫安
1.0
Q3 IG = 8毫安
–20
0
20
40
60
80
100 110
0
–40
–20
0
20
40
60
80
100 110
0
–40
TJ ，结温（ ° C）
TJ ，结温（ ° C）
图5.典型的保持电流对战
结温
图6.典型的闭锁电流对
结温（ MAC6075B ）
4
摩托罗拉晶闸管设备数据
MAC6071A ，B MAC6073A ，B MAC6075A ，B
8.0
VGT ，门极触发电压（伏）
I GT ，门极触发电流（mA）
0.9
0.8
0.7
0.6
Q1
0.5
0.4
0.3
–40
Q2
Q3
Q4
6.0
Q4
Q3
4.0
Q2
Q1
2.0
0
–40
–20
0
20
40
60
80
100 110
–20
0
20
40
60
80
100 110
TJ ，结温（ ° C）
TJ ，结温（ ° C）
图7.典型栅极触发电流与
结温
24
VPK = 400 V
22
静态的dv / dt （V /美国）
静态的dv / dt （V /美国）
TJ = 110℃
25
30
图8.典型栅极触发电压对
结温
RG- MT1 = 510
W
TJ = 100℃
20
500 V
20
110°C
18
600 V
16
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
15
120°C
10
400
450
500
550
600
RGK ， GATE - MT1电阻（欧姆）
VPK ，峰值电压（伏）
图9.典型指数静态dv / dt的
与栅极电阻MT1 ， MT2 （ + ）
30
VPK = 400 V
25
静态的dv / dt （V /美国）
静态的dv / dt （V /美国）
10.5
11
图10.典型指数静态dv / dt的
对峰值电压， MT2 （ + ）
RG- MT1 = 510
W
TJ = 110℃
VPK = 400 V
20
500 V
600 V
10
500 V
15
9.5
600 V
10
100
105
110
115
120
9.0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
TJ ，结温（ ° C）
RGK ， GATE - MT1电阻（欧姆）
图11.典型指数静态dv / dt的
与结温， MT2 （ + ）
图12.典型指数静态dv / dt的
与栅极电阻MT1 ， MT2 （ - ）
摩托罗拉晶闸管设备数据
5
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