MAC4DSM ， MAC4DSN
首选设备
双向可控硅
硅双向晶闸管
设计用于高容量，低成本，工业和消费
应用，例如马达控制;过程控制;温度，光
和速度控制。
特点
http://onsemi.com
小尺寸表面贴装封装DPAK
钝化死的可靠性和一致性
阻断电压为800 V
通态电流额定值的4.0安培RMS在108℃
低IGT - 最大10 mA 3象限
高抗dv / dt的 - 50 V / ms的125°C
环氧符合UL 94 V - 0 @ 0.125
ESD额定值：人体模型， 3B
u
8000 V
机器型号，C
u
400 V
无铅包可用
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
等级
重复峰值断态电压
（注1 ） （T
J
= -40 125 ℃，正弦
波， 50至60赫兹，门打开）
MAC4DSM
MAC4DSN
开启状态RMS电流
（完整周期的正弦波， 60赫兹，
T
C
= 108°C)
峰值不重复浪涌电流
（一个完整周期的正弦波， 60赫兹，
T
J
= 125°C)
电路熔断思考
（T = 8.3毫秒）
峰值功率门
（脉冲宽度
≤
10
毫秒，
T
C
= 108°C)
平均功耗门
（T = 8.3毫秒，T
C
= 108°C)
栅极峰值电流
（脉冲宽度
≤
10
毫秒，
T
C
= 108°C)
峰值栅极电压
（脉冲宽度
≤
10
毫秒，
T
C
= 108°C)
工作结温范围
存储温度范围
符号
V
DRM ，
V
RRM
600
800
I
T（ RMS ）
4.0
A
1
I
TSM
40
A
2
3
价值
单位
V
1 2
3
双向可控硅
4.0安培RMS
600 - 800伏
MT2
G
MT1
记号
图表
4
DPAK
CASE 369C
类型6
YWW
AC
4DSxG
4
DPAK3
CASE 369D
类型6
YWW
AC
4DSxG
I
2
t
P
GM
P
G（ AV ）
I
GM
V
GM
T
J
T
英镑
6.6
0.5
0.1
0.2
5.0
-40至125
-40至150
A
2
美国证券交易委员会
W
W
A
V
°C
°C
1
2
3
4
Y
WW
AC4DSx
G
=年
=工作周
=器件代码
X = M或N
= Pb-Free包装
引脚分配
主终端1
主终端2
门
主终端2
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
1. V
DRM
和V
RRM
对于所有类型的可以在一个连续的基础上被应用。闭塞
电压不得与恒定电流源，使得测试
该器件的额定电压都超标。
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
1
2005年11月 - 修订版5
出版订单号：
MAC4DSM/D
MAC4DSM ， MAC4DSN
热特性
特征
热阻 - 结到外壳
- 结到环境
- 结到环境（注2 ）
最大的铅焊接温度的目的（注3 ）
符号
R
QJC
R
qJA
R
qJA
T
L
最大
3.5
88
80
260
单位
° C / W
°C
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明; ELECTRICALS应用在两个方向上）
特征
开关特性
重复峰值阻断电流
(V
D
=额定V
DRM
, V
RRM
;门打开）
基本特征
峰值通态电压（注4 ）
(I
TM
=
±
6.0 A)
门极触发电流（连续直流） （V
D
= 12 V ，R
L
= 100
W)
MT2 （ + ）中，G （+）
MT2 （ + ）中，G （ - ）
MT2 （ - ）中，G （ - ）
门极触发电压（连续DC ） （V
D
= 12 V ，R
L
= 100
W)
MT2 （ + ）中，G （+）
MT2 （ + ）中，G （ - ）
MT2 （ - ）中，G （ - ）
门非触发电压（连续DC） （V
D
= 12 V ，R
L
= 100
W)
MT2 （ + ）中，G （+） ; MT2 （ + ）中，G （ - ） ; MT2 （ - ）中，G （ - ）
T
J
= 125°C
保持电流
(V
D
= 12 V ，门打开，启动电流=
±
200毫安）
擎住电流（V
D
= 12 V，I
G
= 10 mA）的
MT2 （ + ）中，G （+）
MT2 （ + ）中，G （ - ）
MT2 （ - ）中，G （ - ）
动态特性
特征
变化率换向电流的
(V
D
= 400 V，I
TM
= 3.5 A，换向dv / dt的= 10 V /毫秒，门打开，T
J
= 125°C,
F = 500赫兹， CL = 5.0
MF，
LL = 20毫亨，无缓冲） 。参见图16
断态电压临界上升率
(V
D
= 0.67 ×额定V
DRM
，指数波形，门打开，T
J
= 125°C)
符号
的di / dt （三）
民
3.0
典型值
4.0
最大
单位
A / MS
V
TM
I
GT
2.9
2.9
2.9
V
GT
0.5
0.5
0.5
V
GD
I
H
I
L
6.0
10
6.0
30
30
30
0.2
2.0
0.7
0.65
0.7
0.4
5.5
1.3
1.3
1.3
15
V
mA
mA
4.0
5.0
7.0
10
10
10
V
1.3
1.6
V
mA
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
I
DRM ，
I
RRM
mA
0.01
2.0
符号
民
典型值
最大
单位
dv / dt的
50
175
V / ms的
2.这些评价适用面安装在推荐的最小焊盘尺寸时。
3. 1/8“从壳体10秒。
4.脉冲测试：脉冲宽度
≤
2.0毫秒，占空比
≤
2%.
订购信息
设备
MAC4DSM001
MAC4DSM001G
MAC4DSMT4
MAC4DSMT4G
MAC4DSN001
MAC4DSN001G
MAC4DSNT4
MAC4DSNT4G
套餐类型
DPAK3
DPAK3
（无铅）
DPAK
DPAK
（无铅）
DPAK3
DPAK3
（无铅）
DPAK
DPAK
（无铅）
包
369D
369D
369C
369C
369D
369D
369C
369C
航运
75单位/铁
75单位/铁
2500 /磁带&卷轴
2500 /磁带&卷轴
75单位/铁
75单位/铁
2500 /磁带&卷轴
2500 /磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
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2
MAC4DSM ， MAC4DSN
双向晶闸管电压电流特性
（双向设备）
+电流
1象限
MainTerminal 2 +
符号
V
DRM
I
DRM
V
RRM
I
RRM
V
TM
I
H
参数
峰值重复正向断态电压
峰值正向阻断电流
反向重复峰值断态电压
峰值反向电流阻断
最大通态电压
保持电流
象限3
MainTerminal 2 -
I
H
V
TM
I
RRM
在V
RRM
在国家
I
H
V
TM
关国
+电压
I
DRM
在V
DRM
象限定义的三端双向可控硅
MT2正
（正半周）
+
（+）， MT2
（+）， MT2
第二象限
() I
GT
门
MT1
REF
(+) I
GT
门
MT1
REF
我象限
I
GT
（ - ） MT2
（ - ） MT2
+ I
GT
第三象限
() I
GT
门
MT1
REF
(+) I
GT
门
MT1
REF
第四象限
MT2负
（负半周）
所有极性引用给MT1 。
与同相的信号（使用标准的AC线）象限I和III被使用。
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3
QQ：2880707522 复制
