【MAC4DLM首选设备敏感的双向可控硅门硅双向晶闸管设计用于高容量，低成本，工业和消费应用，例如马达】,IC型号MAC4DLMT4G,MAC4DLMT4G PDF资料,MAC4DLMT4G经销商,ic,电子元器件-51电子网

MAC4DLM

首选设备

敏感的双向可控硅门

硅双向晶闸管

设计用于高容量，低成本，工业和消费

应用，例如马达控制;过程控制;温度，光

和速度控制。

特点

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小尺寸表面贴装封装DPAK

钝化死的可靠性和一致性

四象限触发

阻断电压为600 V

通态电流额定值的4.0安培RMS在93℃

低电平触发和保持特性

环氧符合UL 94 V - 0 @ 0.125

ESD额定值：人体模型， 3B

8000 V

机器型号，C

400 V

无铅包可用

双向可控硅

4.0安培RMS

600 - 800伏

MT2

MT1

记号

图表

DPAK

CASE 369C

类型6

YWW

4DLMG

最大额定值

= 25 ° C除非另有说明）

等级

重复峰值断态电压（注1 ）

= -40 110℃ ，正弦波，

50至60赫兹，门打开）

开启状态RMS电流

（完整周期的正弦波， 60赫兹，T

= 93°C)

峰值不重复浪涌电流

（一个完整周期， 60赫兹，T

= 110°C)

电路熔断思考（ T = 8.3毫秒）

峰值功率门

（脉冲宽度

≤

毫秒，

= 93°C)

平均功耗门

（T = 8.3毫秒，T

= 93°C)

栅极峰值电流

（脉冲宽度

≤

毫秒，

= 93°C)

峰值栅极电压

（脉冲宽度

≤

毫秒，

= 93°C)

工作结温范围

存储温度范围

符号

DRM ，

RRM

T（ RMS ）

TSM

G（ AV ）

英镑

价值

600

单位

1 2

4.0

6.6

0.5

0.1

0.2

5.0

-40至110

-40至150

美国证券交易委员会

DPAK3

CASE 369D

类型6

AC4DLM

YEAR

工作周

器件代码

无铅封装

YWW

4DLMG

引脚分配

°C

主终端1

主终端2

门

主终端2

最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。

施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不

正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制

超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和

可靠性可能受到影响。

1. V

DRM

和V

RRM

对于所有类型的可以在一个连续的基础上被应用。闭塞

电压不得与恒定电流源，使得测试

该器件的额定电压都超标。

订购信息

请参阅包装详细的订购和发货信息

尺寸部分本数据手册的第2页。

首选

装置被推荐用于将来使用的选择

和最佳的整体价值。

半导体元件工业有限责任公司， 2005年

2005年11月 - 第3版

出版订单号：

MAC4DLM/D

MAC4DLM

热特性

特征

热阻

- 结到外壳

- 结到环境

- 结到环境（注2 ）

最大的铅焊接温度的目的（注3 ）

符号

QJC

qJA

最大

3.5

260

单位

° C / W

°C

电气特性

= 25 ° C除非另有说明; ELECTRICALS应用在两个方向上）

特征

开关特性

重复峰值阻断电流

=额定V

DRM

, V

RRM

;门打开）

基本特征

峰值通态电压（注4 ） - （我

6.0 A)

门极触发电流（连续直流）（V

= 12 V ，R

= 100

MT2 （ + ）中，G （+）

MT2 （ + ）中，G （ - ）

MT2 （ - ）中，G （ - ）

MT2 （ - ）中，G （+）

门极触发电压（连续DC ）（V

= 12 V ，R

= 100

MT2 （ + ）中，G （+）

MT2 （ + ）中，G （ - ）

MT2 （ - ）中，G （ - ）

MT2 （ - ）中，G （+）

GATE非触发电压

= 12 V ，R

= 100

= 110°C)

MT2 （ + ）中，G （+） ; MT2 （ + ）中，G （ - ） ; MT2 （ - ）中，G （ - ） ; MT2 （ - ）中，G （+）

保持电流

= 12 V ，门打开，启动电流=

200毫安）

闭锁电流

MT2 （ + ）中，G （+）

MT2 （ + ）中，G （ - ）

MT2 （ - ）中，G （ - ）

MT2 （ - ）中，G （+）

= 12 V，I

= 5.0 mA）的

= 12 V，I

= 5.0 mA）的

= 12 V，I

= 5.0 mA）的

= 12 V，I

= 10 mA）的

0.5

0.1

1.75

5.2

2.1

2.2

1.5

0.4

0.62

0.57

0.65

0.74

1.3

1.8

2.1

2.4

4.2

3.0

5.0

1.3

1.6

= 25°C

= 110°C

DRM ，

RRM

0.01

2.0

符号

民

典型值

最大

单位

动态特性

变化率换向电流的

= 200 V，I

= 1.8 A，换向dv / dt的= 1.0 V /毫秒，

= 110℃中，f = 250赫兹，CL = 5.0

MFD ，

LL = 80毫亨， RS = 56

CS = 0.03

MFD ）

用缓冲见图11

断态电压临界上升率

= 0.67 ×额定V

DRM

，指数波形，

门打开，T

= 110°C)

的di / dt （三）

3.0

A / MS

dv / dt的

V / ms的

2.这些评价适用面安装在推荐的最小焊盘尺寸时。

3. 1/8“从壳体10秒。

4.脉冲测试：脉冲宽度

≤

2.0毫秒，占空比

≤

2%.

订购信息

设备

MAC4DLM001

MAC4DLM001G

MAC4DLMT4

MAC4DLMT4G

套餐类型

DPAK3

（无铅）

DPAK

（无铅）

包

369D

369C

航运

75单位/铁

2500 /磁带&卷轴

有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装

规范手册， BRD8011 / D 。

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MAC4DLM

双向晶闸管电压电流特性

（双向设备）

+电流

1象限

MainTerminal 2 +

符号

DRM

RRM

参数

峰值重复正向断态电压

峰值正向阻断电流

反向重复峰值断态电压

峰值反向电流阻断

最大通态电压

保持电流

象限3

MainTerminal 2 -

RRM

在V

RRM

在国家

关国

+电压

DRM

在V

DRM

象限定义的三端双向可控硅

MT2正

（正半周）

（+）， MT2

第二象限

() I

门

MT1

REF

(+) I

门

MT1

REF

我象限

（ - ） MT2

+ I

第三象限

() I

门

MT1

REF

(+) I

门

MT1

REF

第四象限

MT2负

（负半周）

所有极性引用给MT1 。

与同相的信号（使用标准的AC线）象限I和III被使用。

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MAC4DLM

TC ，最大允许外壳温度（ C）

110

P（ AV ），平均功耗（瓦）

6.0

180°

5.0

4.0

3.0

2.0

= 30°

1.0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

4.0

T（ RMS ）

， RMS通态电流（ AMPS ）

60°

90°

120°

105

= 30°

60°

90°

=导通角

100

120°

180°

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

T（ RMS ）

， RMS通态电流（ AMPS ）

=导通角

4.0

图1. RMS电流降额

图2.开启状态功耗

I T ，瞬时通态电流（ AMPS ）

典型@ T

= 25°C

最大@ T

= 110°C

R（T ），过渡电阻（标准化）

100

1.0

0.1

QJC （T ）

= R

QJC （T ）

SR （T ）

1.0

最大@ T

= 25°C

0.1

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

4.0

，瞬时导通电压（伏）

0.01

0.1

1.0

100

1000

10 K

吨，时间（ ms）的

图3.通态特性

图4.瞬态热响应

8.0

VGT ，门极触发电压（伏）

I GT ，门极触发电流（mA）

7.0

6.0

5.0

4.0

3.0

2.0

1.0

40 25

5.0

110

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

40 25

5.0

110

，结温（ ° C）

图5.典型栅极触发电流与

结温

图6.典型栅极触发电压与

结温

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MAC4DLM

5.0

IH ，保持电流（毫安）

IL ，擎住电流（毫安）

8.0

6.0

4.0

3.0

MT2负

2.0

MT2正

1.0

40 25

5.0

110

2.0 Q1

5.0

110

40 25

，结温（ ° C）

图7.典型的保持电流与

结温

图8.典型的闭锁电流对

结温

静态的dv / dt （V /

5.0

100

1000

， GATE - MT1电阻（欧姆）

10 K

MAC4DLM

dv / dt的（C ），上升的暴击率

换向电压（V /

= 400 V

= 110°C

= 400 V

= 110°C

100°C

90°C

1.0

DRM

2 t

6F我

1000

（ di / dt的）

0.1

1.0

2.0

3.0

4.0

5.0

6.0

的di / dt （C ），变化率换向电流（ A / MS ）JOURNAL

图9.最低指数静态dv / dt的

与门- MT1电阻

崛起的图10的暴击率

整流电压

200 V

RMS

调整

， 60赫兹V

TRIGGER

收费

控制

触发控制

措施

1N4007

收费

MT2

1N914 51

MT1

调整+

的di / dt

(c)

200 V

非极性

注：组件值进行验证额定（ di / dt的）的

。参见AN1048获取更多信息。

图11.简化测试电路来测量整流电流上升的临界速率（ di / dt的）

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