MAC4DHM
热特性
特征
热阻 - 结到外壳
- 结到环境
- 结到环境（注2 ）
最大的铅焊接温度的目的（注3 ）
符号
R
QJC
R
qJA
R
qJA
T
L
最大
3.5
88
80
260
单位
° C / W
°C
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明; ELECTRICALS应用在两个方向上）
特征
开关特性
重复峰值阻断电流
(V
D
=额定V
DRM
, V
RRM
;门打开）
基本特征
峰值通态电压（注4 ） - （我
TM
=
±
6.0 A)
门极触发电流（连续直流） （V
D
= 12 V ，R
L
= 100
W)
MT2 （ + ）中，G （+）
MT2 （ + ）中，G （ - ）
MT2 （ - ）中，G （ - ）
MT2 （ - ）中，G （+）
门极触发电压（连续DC ） （V
D
= 12 V ，R
L
= 100
W)
MT2 （ + ）中，G （+）
MT2 （ + ）中，G （ - ）
MT2 （ - ）中，G （ - ）
MT2 （ - ）中，G （+）
门非触发电压（连续DC） - （V
D
= 12 V ，R
L
= 100
W,
T
J
= 110°C)
所有四个象限
保持电流（V
D
= 12 V ，门打开，启动电流=
±
200毫安）
闭锁电流
MT2 （ + ）中，G （+）
MT2 （ + ）中，G （ - ）
MT2 （ - ）中，G （ - ）
MT2 （ - ）中，G （+）
(V
D
= 12 V，I
G
= 5.0 mA）的
(V
D
= 12 V，I
G
= 5.0 mA）的
(V
D
= 12 V，I
G
= 5.0 mA）的
(V
D
= 12 V，I
G
= 10 mA）的
V
TM
I
GT
V
GT
0.5
0.5
0.5
0.5
V
GD
I
H
I
L
1.75
5.2
2.1
2.2
10
10
10
10
0.1
0.62
0.57
0.65
0.74
0.4
1.5
1.3
1.3
1.3
1.3
15
V
mA
mA
1.8
2.1
2.4
4.2
5.0
5.0
5.0
10
V
1.3
1.6
V
mA
T
J
= 25°C
T
J
= 110°C
I
DRM ，
I
RRM
mA
0.01
2.0
符号
民
典型值
最大
单位
动态特性
变化率换向电流的
(V
D
= 200 V，I
TM
= 1.8 A，换向dv / dt的= 1.0 V /毫秒，
T
J
= 110℃中，f = 250赫兹，CL = 5.0
MFD ，
LL = 80毫亨， RS = 56
W,
CS = 0.03
MFD ）
用缓冲见图11
断态电压临界上升率
(V
D
= 0.67 ×额定V
DRM
，指数波形，
门打开，T
J
= 110°C)
的di / dt （三）
3.0
A / MS
dv / dt的
20
V / ms的
2.这些评价适用面安装在推荐的最小焊盘尺寸时。
3. 1/8“从壳体10秒。
4.脉冲测试：脉冲宽度
≤
2.0毫秒，占空比
≤
2%.
订购信息
设备
MAC4DHM001
MAC4DHM001G
MAC4DHMT4
MAC4DHMT4G
套餐类型
DPAK3
DPAK3
（无铅）
DPAK
DPAK
（无铅）
包
369D
369D
369C
369C
航运
75单位/铁
75单位/铁
2500 /磁带&卷轴
2500 /磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
http://onsemi.com
2
MAC4DHM
双向晶闸管电压电流特性
（双向设备）
+电流
1象限
MainTerminal 2 +
符号
V
DRM
I
DRM
V
RRM
I
RRM
V
TM
I
H
参数
峰值重复正向断态电压
峰值正向阻断电流
反向重复峰值断态电压
峰值反向电流阻断
最大通态电压
保持电流
象限3
MainTerminal 2 -
I
H
V
TM
I
RRM
在V
RRM
在国家
I
H
V
TM
关国
+电压
I
DRM
在V
DRM
象限定义的三端双向可控硅
MT2正
（正半周）
+
（+）， MT2
（+）， MT2
第二象限
() I
GT
门
MT1
REF
(+) I
GT
门
MT1
REF
我象限
I
GT
（ - ） MT2
（ - ） MT2
+ I
GT
第三象限
() I
GT
门
MT1
REF
(+) I
GT
门
MT1
REF
第四象限
MT2负
（负半周）
所有极性引用给MT1 。
与同相的信号（使用标准的AC线）象限I和III被使用。
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3
MAC4DHM
5.0
IH ，保持电流（毫安）
IL ，擎住电流（毫安）
12
10
8.0
6.0
4.0
4.0
3.0
MT2负
2.0
MT2正
1.0
0
40 25
Q2
Q4
Q3
10
5.0
20
35
50
65
80
95
110
2.0 Q1
0
10
5.0
20
35
50
65
80
95
110
40 25
T
J
，结温（ ° C）
T
J
，结温（ ° C）
图7.典型的保持电流与
结温
图8.典型的闭锁电流对
结温
40
35
静态的dv / dt （V /
m
s)
30
25
20
15
10
5
100
1000
GATE - MT1电阻（欧姆）
10 K
MAC4DHM
dv / dt的（C ） ，上升的暴击率
换向电压（V /
m
s)
V
D
= 400 V
T
J
= 110°C
10
V
PK
= 400 V
T
J
= 110°C
100°C
90°C
1.0
t
w
V
DRM
f=
1
2 t
w
6F我
TM
1000
（ di / dt的）
c
=
0.1
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
的di / dt （C ） ，变化率换向电流（ A / MS ）JOURNAL
图9.最低指数静态dv / dt的
与门- MT1电阻
崛起的图10.典型的爆击率
整流电压
L
L
200 V
RMS
调整
I
TM
， 60赫兹V
AC
TRIGGER
收费
控制
触发控制
措施
I
R
S
1N4007
收费
C
S
MT2
1N914 51
W
G
MT1
调整+
的di / dt
(c)
200 V
非极性
C
L
注：组件值进行验证额定（ di / dt的）的
c
。参见AN1048获取更多信息。
图11.简化测试电路来测量整流电流上升的临界速率（ di / dt的）
c
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5
摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
通过MAC4DHM / D
敏感的双向可控硅门
硅双向晶闸管
小尺寸表面贴装封装DPAK
钝化死的可靠性和一致性
四象限触发
阻断电压为600 V
通态电流额定值的4.0安培RMS在93℃
低电平触发和保持特性
G
订购信息
获得“ DPAK ”表面贴装Leadform （案例369A ）
运袖 - 没有后缀，即MAC4DHM
运16毫米磁带和卷轴 - 添加“ T4 ”后缀设备号，
即MAC4DHMT4
获得“ DPAK ”中直引线型（案例369 ）出货袖 -
加上“ -1”为后缀的设备数量，即MAC4DHM - 1
MT2
MAC4DHM
MAC4DLM
摩托罗拉的首选设备
设计用于高容量，低成本，工业和消费应用
如电机控制;过程控制;温度，光照和速度控制。
双向可控硅
4.0安培RMS
600伏
MT2
MT1
MT1
MT2
G
CASE 369A - 13
类型6
最大额定值
（ TJ = 25° C除非另有说明）
等级
重复峰值断态电压（ 1 ）
（ TJ = -40 110℃ ，正弦波， 50到60赫兹，门打开）
开启状态RMS电流
（完整周期的正弦波， 60赫兹， TC = 93 ° C）
峰值不重复浪涌电流
（一个完整周期， 60赫兹， TJ = 110 ° C）
电路熔断思考（ T = 8.3毫秒）
峰值功率门
（脉冲宽度
≤
10
m
秒， TC = 93 ° C）
平均功耗门
（T = 8.3毫秒， TC = 93 ° C）
栅极峰值电流（脉冲宽度
≤
10
m
秒， TC = 93 ° C）
峰值栅极电压（脉冲宽度
≤
10
m
秒， TC = 93 ° C）
工作结温范围
存储温度范围
MAC4DHM
MAC4DLM
IT （ RMS ）
4.0
ITSM
40
I2t
PGM
0.5
PG （AV）
0.1
IGM
VGM
TJ
TSTG
0.2
5.0
-40至110
-40至150
安培
伏
°C
6.6
A2sec
瓦
符号
VDRM
600
600
安培
价值
单位
伏
热特性
特征
热阻 - 结到管壳
热阻
- 结到环境
热阻
- 结到环境（ 2 ）
最大的铅焊接温度的目的（ 3 ）
符号
R
q
JC
R
q
JA
R
q
JA
最大
3.5
88
80
单位
° C / W
TL
260
°C
（1）在VDRM所有类型可以在一个连续的基础上被应用。评级申请零或负栅极电压;正栅极电压应不
施加的同时使用在阳极上的负电位。阻断电压不得与恒定电流源，使得测试
该器件的额定电压都超标。
（ 2 ）表面安装在最小建议焊盘尺寸。
（3） 1/8“的情况下，从10秒。
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
摩托罗拉晶闸管设备数据
摩托罗拉1997年公司
1
MAC4DHM MAC4DLM
电气特性
（ TJ = 25° C除非另有说明）
特征
重复峰值阻断电流
（ VD =额定VDRM ，门打开）
峰值通态电压（ 1 ）
（ ITM =
±
6.0 A)
门极触发电流（连续直流） （ VD = 12V， RL = 100
W
)
MT2 （ + ）中，G （+）
MAC4DLM
MT2 （ + ）中，G （ - ）
MT2 （ - ）中，G （ - ）
MT2 （ - ）中，G （+）
MT2 （ + ）中，G （+）
MT2 （ + ）中，G （ - ）
MT2 （ - ）中，G （ - ）
MT2 （ - ）中，G （+）
MAC4DHM
TJ = 25°C
TJ = 110℃
VTM
—
IGT
—
—
—
—
—
—
—
—
VGT
0.5
0.5
0.5
0.5
0.1
IH
—
IL
（ VD = 12V， IG = 5.0 mA）的
（ VD = 12V， IG = 5.0 mA）的
（ VD = 12V， IG = 5.0 mA）的
（ VD = 12V， IG = 10 mA）的
—
—
—
—
1.75
5.2
2.1
2.2
10
10
10
10
1.5
15
mA
0.62
0.57
0.65
0.74
0.4
1.3
1.3
1.3
1.3
—
mA
1.8
2.1
2.4
4.2
1.8
2.1
2.4
4.2
3.0
3.0
3.0
5.0
5.0
5.0
5.0
10
伏
1.3
1.6
mA
符号
IDRM
—
—
—
—
0.01
2.0
伏
民
典型值
最大
单位
mA
门极触发电压（连续DC ） （ VD = 12V， RL = 100
W
)
MT2 （ + ）中，G （+）
MT2 （ + ）中，G （ - ）
MT2 （ - ）中，G （ - ）
MT2 （ - ）中，G （+）
（ VD = 12V， RL = 10 K.
W
， TJ = 110 ° C）
MT2 （ + ）中，G （+） ; MT2 （ + ）中，G （ - ） ; MT2 （ - ）中，G （ - ） ; MT2 （ - ）中，G （+）
保持电流
（ VD = 12V，门打开， IT =
±
200毫安）
闭锁电流
MT2 （ + ）中，G （+）
MT2 （ + ）中，G （ - ）
MT2 （ - ）中，G （ - ）
MT2 （ - ）中，G （+）
动态特性
特征
变化率换向电流的（ 1 ）
（ VD = 200 V， ITM = 1.8 A，换向dv / dt的= 1.0 V /
m
秒， TJ = 110 ° C，
F = 250赫兹， CL = 5.0
m
FD ， LL = 80毫亨， RS = 56
W
， CS = 0.03
m
FD ）
见图10
断态电压临界上升率
（ VD = 0.67 ×额定VDRM ，指数波形，
门打开， TJ = 110 ° C）
（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度
≤
2.0毫秒，占空比
≤
2%.
符号
的di / dt （三）
—
3.0
—
民
典型值
最大
单位
A / MS
dv / dt的
—
10
—
V/
m
s
2
摩托罗拉晶闸管设备数据
MAC4DHM MAC4DLM
5.0
12
10
8.0
6.0
4.0
IH ，保持电流（毫安）
IL ，擎住电流（毫安）
4.0
3.0
MT2负
2.0
MT2正
1.0
0
–40 –25
Q2
Q4
Q3
2.0 Q1
0
–10
5.0
20
35
50
65
80
95
110
–40 –25
–10
5.0
20
35
50
65
80
95
110
TJ ，结温（ ° C）
TJ ，结温（ ° C）
图7.典型的保持电流与
结温
图8.典型的闭锁电流对
结温
20
MT2正
15
静态的dv / dt （V /
m
s)
MT2负
10
dv / dt的（C ） ，上升的暴击率
换向电压（V /
m
s)
VD = 400 V
TJ = 110℃
10
VPK = 400 V
TJ = 110℃
100°C
90°C
1.0
5.0
tw
VDRM
f=
1
2 TW
6F我
（ di / dt的）C = TM
1000
0
100
1000
RGK ， GATE - MT1电阻（欧姆）
10 K
0.1
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
的di / dt （C ） ，变化率换向电流（ A / MS ）JOURNAL
图9.指数静态dv / dt的对比
栅极电阻MT1 ， MT2 （ + ）
崛起的图10的暴击率
整流电压
4
摩托罗拉晶闸管设备数据
MAC4DHM MAC4DLM
80 MHY
LL
措施
I
TRIGGER
收费
控制
触发控制
RS
56
W
–
CS
2
1N914 51
G
1
0.03
m
F
+
调整
dv / dt的（C ）
1N4007
200 VRMS
调整
ITM ， 60赫兹VAC
收费
200 V
5
m
F
非极性
CL
注：组件值进行验证额定（ dv / dt的）C的。参见AN1048获取更多信息。
图11.简化测试电路来测量整流电压的上升率的关键
摩托罗拉晶闸管设备数据
5
MAC4DHM
热特性
特征
热电阻 - 结到外壳
热阻
- 结到环境
热阻
- 结到环境（注2 ）
最大的铅焊接温度的目的（注3 ）
符号
R
QJC
R
qJA
R
qJA
T
L
最大
3.5
88
80
260
单位
° C / W
°C
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明; ELECTRICALS应用在两个方向上）
特征
开关特性
重复峰值阻断电流
(V
D
=额定V
DRM
, V
RRM
;门打开）
基本特征
峰值通态电压（注）
(I
TM
=
±
6.0 A)
门极触发电流（连续直流） （V
D
= 12 V ，R
L
= 100
W)
MT2 （ + ）中，G （+）
MT2 （ + ）中，G （ - ）
MT2 （ - ）中，G （ - ）
MT2 （ - ）中，G （+）
门极触发电压（连续DC ） （V
D
= 12 V ，R
L
= 100
W)
MT2 （ + ）中，G （+）
MT2 （ + ）中，G （ - ）
MT2 （ - ）中，G （ - ）
MT2 （ - ）中，G （+）
门非触发电压（连续DC）
(V
D
= 12 V ，R
L
= 100
W,
T
J
= 110°C)
所有四个象限
保持电流
(V
D
= 12 V ，门打开，启动电流=
±
200毫安）
闭锁电流
MT2 （ + ）中，G （+）
MT2 （ + ）中，G （ - ）
MT2 （ - ）中，G （ - ）
MT2 （ - ）中，G （+）
(V
D
= 12 V，I
G
= 5.0 mA）的
(V
D
= 12 V，I
G
= 5.0 mA）的
(V
D
= 12 V，I
G
= 5.0 mA）的
(V
D
= 12 V，I
G
= 10 mA）的
V
TM
I
GT
V
GT
0.5
0.5
0.5
0.5
V
GD
0.1
0.62
0.57
0.65
0.74
0.4
1.3
1.3
1.3
1.3
V
1.8
2.1
2.4
4.2
5.0
5.0
5.0
10
V
1.3
1.6
mA
V
T
J
= 25°C
T
J
= 110°C
I
DRM ，
I
RRM
mA
0.01
2.0
符号
民
典型值
最大
单位
I
H
I
L
1.75
5.2
2.1
2.2
10
10
10
10
1.5
15
mA
mA
动态特性
特征
变化率换向电流的
(V
D
= 200 V，I
TM
= 1.8 A，换向dv / dt的= 1.0 V /毫秒，
T
J
= 110℃中，f = 250赫兹，CL = 5.0
MFD ，
LL = 80毫亨， RS = 56
W,
CS = 0.03
MFD ）
用缓冲见图11
断态电压临界上升率
(V
D
= 0.67 ×额定V
DRM
，指数波形，
门打开，T
J
= 110°C)
符号
的di / dt （三）
3.0
民
典型值
最大
单位
A / MS
dv / dt的
20
V / ms的
2.这些评价适用面安装在推荐的最小焊盘尺寸时。
3. 1/8“从壳体10秒。
4.脉冲测试：脉冲宽度
≤
2.0毫秒，占空比
≤
2%.
订购信息
设备
MAC4DHM001
MAC4DHMT4
套餐类型
DPAK3
DPAK
包
369D
369C
航运
75单位/铁
16毫米磁带&卷（ 2.5 K /卷）
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
http://onsemi.com
2
MAC4DHM
双向晶闸管电压电流特性
（双向设备）
+电流
1象限
MainTerminal 2 +
符号
V
DRM
I
DRM
V
RRM
I
RRM
V
TM
I
H
参数
峰值重复正向断态电压
峰值正向阻断电流
反向重复峰值断态电压
峰值反向电流阻断
最大通态电压
保持电流
象限3
MainTerminal 2 -
I
H
V
TM
I
RRM
在V
RRM
在国家
I
H
V
TM
关国
+电压
I
DRM
在V
DRM
象限定义的三端双向可控硅
MT2正
（正半周）
+
（+）， MT2
（+）， MT2
第二象限
() I
GT
门
MT1
REF
(+) I
GT
门
MT1
REF
我象限
I
GT
（ - ） MT2
（ - ） MT2
+ I
GT
第三象限
() I
GT
门
MT1
REF
(+) I
GT
门
MT1
REF
第四象限
MT2负
（负半周）
所有极性引用给MT1 。
与同相的信号（使用标准的AC线）象限I和III被使用。
http://onsemi.com
3
MAC4DHM
5.0
12
10
8.0
6.0
4.0
IH ，保持电流（毫安）
IL ，擎住电流（毫安）
4.0
3.0
MT2负
2.0
MT2正
1.0
0
40 25
Q2
Q4
Q3
10
5.0
20
35
50
65
80
95
110
2.0 Q1
0
10
5.0
20
35
50
65
80
95
110
40 25
T
J
，结温（ ° C）
T
J
，结温（ ° C）
图7.典型的保持电流与
结温
图8.典型的闭锁电流对
结温
40
35
静态的dv / dt （V /
m
s)
30
25
20
15
10
5
100
1000
GATE - MT1电阻（欧姆）
10 K
MAC4DHM
dv / dt的（C ） ，上升的暴击率
换向电压（V /
m
s)
V
D
= 400 V
T
J
= 110°C
10
V
PK
= 400 V
T
J
= 110°C
100°C
90°C
1.0
t
w
V
DRM
f=
1
2 t
w
6F我
TM
1000
（ di / dt的）
c
=
0.1
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
的di / dt （C ） ，变化率换向电流（ A / MS ）JOURNAL
图9.最低指数静态dv / dt的
与门- MT1电阻
崛起的图10.典型的爆击率
整流电压
L
L
200 V
RMS
调整
I
TM
， 60赫兹V
AC
TRIGGER
收费
控制
触发控制
措施
I
R
S
1N4007
收费
C
S
MT2
1N914 51
W
G
MT1
调整+
的di / dt
(c)
200 V
非极性
C
L
注：组件值进行验证额定（ di / dt的）的
c
。参见AN1048获取更多信息。
图11.简化测试电路来测量整流电流上升的临界速率（ di / dt的）
c
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